KR20050028711A - 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치 및 이를 구비한 스피너 설비 - Google Patents

웨이퍼 엣지 노광 검사 장치 및 이를 구비한 스피너 설비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 스피너 설비에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사할 수 있는 장치 및 이를 구비한 스피너 설비에 관한 것이다. 본 발명에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는, 현상 공정을 거친 웨이퍼를 탑재하여 회전시키기 위한 스핀 구동부, 및 상기 스핀 구동부 상에 탑재된 웨이퍼의 엣지부를 촬영할 수 있도록 상기 스핀 구동부의 상부에 설치된 화상 카메라를 구비한 것으로 스피너 설비 내에 설치된다. 상기 스핀 구동부는 웨이퍼를 탑재하여 고정시키기 위한 웨이퍼 진공 척, 상기 웨이퍼 진공 척의 중심부에 연결되어 상기 웨이퍼 진공 척을 회전시키는 구동축, 및 상기 구동축을 회전시키기 위한 구동 모터를 포함한다. 이에 따라 스피너 설비 내에 설치된 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 통해 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 정확하고 용이하게 검사할 수 있다.

Description

웨이퍼 엣지 노광 검사 장치 및 이를 구비한 스피너 설비{Wafer edge exposure inspection apparatus and spinner equipment comprising the same}
본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 스피너 설비에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사할 수 있는 장치 및 이를 구비한 스피너 설비에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 반도체 웨이퍼 상에 서로 성질을 달리하는 반도체층, 절연층, 도전층을 적층 순서 및 패턴 형상을 조합하여 형성함으로써 웨이퍼 상에 일정한 기능을 수행하는 전자 회로를 제조하는 과정이라고 할 수 있다. 특히, 반도체 메모리 소자 및 반도체 논리 소자 등은 일정한 목적 하에 설계된 포토 마스크를 사용하여 동일한 기능 및 형태를 갖는 복수개의 칩들을 반도체 웨이퍼 상에 반복적으로 구현한 것이며, 특히, 반도체 메모리 소자의 경우 각 칩 내에서도 동일한 형태를 갖는 복수개의 단위 셀들이 매트릭스 형태로 반복적으로 형성된다.
이러한 반도체 제조 공정에 있어서, 마스크 상에 레이아웃(layout)된 패턴을 웨이퍼 상에 1차적으로 구현하기 위해 리소그래피(lithography) 공정을 수행하게 된다. 이를 위해 웨이퍼 상에 포토레지스트(photoresist)라고 하는 감광제를 도포하고, 패턴이 형성되어 있는 마스크를 통하여 특정 파장을 갖고 있는 광 에너지를 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 상에 노광한다. 이에 따라 광 에너지에 의한 광화학 반응이 일어나게 되며, 후속의 현상(development) 공정시 노광 영역과 비노광 영역에서의 용해도 차이에 의한 화학 반응을 이용하여 포토레지스트 상에 패턴을 형성하게 된다. 이와 같이 형성된 포토레지스트 패턴은 후속의 식각 또는 이온 주입 공정시 마스크 역할을 하게 되며 최종적으로 O2 플라즈마 등에 의해 스트립(strip)된다.
이러한 리소그래피 공정에 있어서, 스피너(spinner)라고 하는 반도체 제조 설비를 사용하는데, 이 설비는 웨이퍼에 포토레지스트를 도포하는 도포 공정, 및 스테퍼(stepper)에 의해 노광된 포토레지스트를 현상하여 포토레지스트의 패턴을 형성하는 현상 공정을 수행한다. 즉, 스피너 설비는 반도체 웨이퍼 상에의 감광제 도포 및 현상 공정을 스핀 방식에 의해 수행할 수 있는 설비로서, 통상 스테퍼 등의 노광 설비와 함께 인-라인 시스템(in-line system)으로 구성된다. 스피너 설비는 감광제 도포로부터 베이크(bake) 및 현상 등 주요 공정을 로봇에 의한 웨이퍼의 자동 반송을 통해 수행한다.
한편, 리소그래피 공정에 있어서, 스피너에 의해 웨이퍼 전면이 포토레지스트에 의해 도포된 경우, 도포된 웨이퍼가 스피너, 웨이퍼 이송 시스템 또는 스테퍼 등의 각 장치에서 처리를 받는 동안 스테퍼 등 노광기 이외의 장치에서는 도포된 웨이퍼의 엣지부에 있는 포토레지스트는 파티클(particle) 오염 발생의 주원인이 된다. 따라서, 웨이퍼의 엣지 부분에 도포된 포토레지스트를 제거해 줄 필요가 있게 된다. 이에 따라 스피너 설비 등의 파티클 오염을 방지하도록 웨이퍼의 엣지 부분에 도포된 포토레지스트를 제거해주기 위해서, 현상 공정을 하기 전에 별도의 장치를 사용하여 웨이퍼 엣지 노광(wafer edge exposure; WEE)이라고 하는 공정을 수행한다.
웨이퍼 엣지 노광 공정, 즉 WEE 공정이란 반도체 리소그래피 공정에 있어서, 노광되지 않은 웨이퍼의 엣지 부분의 포토레지스트를 제거해주기 위해 그 엣지 부분을 자외선 등으로 노광시키는 공정을 말하며, 이 공정을 수행하기 위해 웨이퍼 엣지 노광 유닛(WEE unit)이라는 장치를 사용한다. 이를 통해 웨이퍼 엣지의 노광되지 않은 영역(unexposed area)에 의한 파티클 오염을 방지하게 된다. 웨이퍼 엣지 노광 공정을 수행한 후에 패터닝 형성을 위한 현상 작업을 하게 되면, 웨이퍼 엣지 노광 공정에 의해 노광된 웨이퍼 엣지 부분도 제거되어 파티클의 오염원을 없애주게 된다.
그런데, 이 웨이퍼 엣지 노광 공정이 그 목적을 효과적으로 달성하기 위해서는 웨이퍼 엣지 노광부의 크기(WEE size), 즉 웨이퍼 엣지 노광 공정에 의해서 노광되는 엣지 부위의 폭이 중요하다. 이 웨이퍼 엣지 노광부의 크기는 예정된 폭으로 웨이퍼 엣지를 따라 균일한 값을 가져 웨이퍼 엣지부 상의 포토레지스트가 정확하고 확실하게 제거되어야 한다. 그렇지 않으면, 포토레지스트의 파티클에 의한 오염의 위험성이 여전히 존재하게 되고, 웨이퍼 엣지 노광 공정 전에 수행하였던 패터닝 형성을 위한 노광 공정에 의해 노광된 부위가 손상 받을 수 있기 때문이다.
따라서, 웨이퍼 엣지 노광부의 크기가 예정된 폭으로 균일한 값을 갖지 않아 웨이퍼 엣지부 상의 포토레지스트가 정확하게 제거되지 않은 것으로 판단되는 경우 설비의 운전을 멈추고 웨이퍼 엣지 노광 유닛을 교정할 수 있도록 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사할 수 있는 시스템 또는 유닛이 필요하다. 그러나, 종래의 스피너 설비에서는 웨이퍼 설비 자체 내에서 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사하고 진단하는 시스템이나 유닛이 없다. 이에 따라, 스피너 설비에서 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 정확하게 확인할 수 없다.
도 1은 웨이퍼 엣지 노광 공정에 의해 형성된 웨이퍼 엣지 노광부를 갖는 웨이퍼를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 특히, 웨이퍼 엣지 노광 공정이 불완전하게 이루어져 웨이퍼 엣지 노광부의 크기가 위치에 따라 불균일하게 형성된 경우이다.
도 1을 참조하면, 포토레지스트로 도포된 웨이퍼(50)에는, 스피너 설비의 웨이퍼 엣지 노광 유닛에 의해 노광된 웨이퍼 엣지 노광부(12)가 웨이퍼의 중심부(50), 즉 포토레지스트 패턴이 형성될 중심부(11) 주위를 따라 형성되어 있다. 그러나, 불완전한 웨이퍼 엣지 노광 공정으로 인해, 상기 웨이퍼 엣지 노광부(12)는 예정된 폭으로 균일하게 형성되지 못하고 위치에 따라 다른 폭을 가지고 있다. 예정된 폭(W)을 갖는 웨이퍼 엣지 노광부의 영역이 있는가 하면 일부 영역에서는 예정된 폭(W)보다 더 작은 폭(W’)을 가지고 있어, 추후 공정에서 웨이퍼 엣지부에서의 남아 있는 포토레지스트는 여전히 파티클 오염원으로 작용할 수 있게 된다.
또한, 위의 경우와 반대로, 웨이퍼의 특정 엣지 부위에서 예정된 폭보다 더 큰 폭으로 노광 영역을 형성하게 되면, 패턴이 형성된 웨이퍼 중심부의 레지스트 패턴을 손상시키게 되어 웨이퍼 불량을 초래하게 된다. 이는 일부 영역에서의 웨이퍼의 손실을 의미하는 것으로 반도체 칩 수율의 감소로 이어지게 된다.
이와 같은 웨이퍼 엣지 노광부(12)의 불균일성은 리소그래피 결함(defect)으로 작용하는 것으로, 웨이퍼 엣지 노광 유닛의 레서피(recipe)를 잘못 설정하거나 WEE 프로젝션(projection) 렌즈 또는 웨이퍼의 정렬 상태가 양호하지 않아서 발생될 수 있다. 따라서, 이러한 웨이퍼 엣지 노광부(12)의 불량이 발견되면, 즉시 웨이퍼 엣지 노광 공정을 중단하고 설비를 유지 보수하여야 한다.
그러나, 종래에는 스피너 설비 자체에서 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사하고 진단하는 시스템을 독립적으로 두지 않아 웨이퍼 엣지 노광부(12)의 불량을 효과적으로 즉시 발견할 수 없는 문제점을 가지고 있다. 다만, 종래에는 현상 공정 후, CD(critical dimension), 오버 레이(overlay) 정확도, 레지스트 패턴 프로파일 등을 검사 및 평가하는 인스펙션(inspection) 공정에서 작업자가 웨이퍼 엣지 노광부의 레지스트 제거 상태를 검사하거나, 스핀 방식의 현상 유닛에 화상 카메라를 장착하여 현상 중에 있는 웨이퍼에 대해 웨이퍼 엣지 노광부의 레지스트 제거 상태를 확인할 뿐이다.
종래와 같이 인스펙션 공정 단계에서 작업자에 의해 웨이퍼 엣지 노광부의 레지스트 제거 상태를 검사하게 되면, 인스펙션 공정에서 작업자의 작업 로드가 많아지게 되어 효율적인 웨이퍼 엣지 노광 공정 관리를 하지 못하게 된다. 또한, 스핀 방식의 현상 유닛에, 현상 공정 중의 웨이퍼를 촬영하는 화상 카메라를 장착하여 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사하는 방법은, 현상 공정 진행으로 인한 유닛 오염으로 만족스러운 검사 능력을 확보할 수 없는 문제점이 있다. 즉, 현상 공정의 진행으로 인한 유닛 오염으로 화상 카메라 렌즈의 오염이 현저하게 발생하기 때문에, 화상 카메라를 통해 웨이퍼 엣지 노광부의 정확한 크기를 검사하는 것이 어렵게 된다.
따라서, 스피너 설비 자체 내에서 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 정확하고 용이하게 검사할 수 있는 별도의 장치를 제공하는 것이 요구된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 스피너 설비 자체 내에서 웨이퍼 엣지 노광 유닛에 의해 형성된 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 정확하고 용이하게 검사할 수 있는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 웨이퍼 엣지 노광 유닛에 의해 형성된 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 정확하고 용이하게 검사할 수 있는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 구비한 스피너 설비를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여 본 발명에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는, 현상 공정을 거친 웨이퍼를 탑재하여 회전시키기 위한 스핀 구동부 및 상기 스핀 구동부 상에 탑재된 웨이퍼의 엣지부를 촬영할 수 있도록 상기 스핀 구동부의 상부에 설치된 화상 카메라를 구비하고, 상기 스핀 구동부는 웨이퍼를 탑재하여 고정시키기 위한 웨이퍼 진공 척, 상기 웨이퍼 진공 척의 중심부에 연결되어 상기 웨이퍼 진공 척을 회전시키는 구동축, 및 상기 구동축을 회전시키기 위한 구동 모터를 포함한다.
또한, 상기 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는, 상기 화상 카메라와 연결된 제어부와 상기 화상 카메라가 촬영한 웨이퍼 엣지부의 화상 정보를 표시하는 표시 장치를 더 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 제어부는 상기 화상 카메라에 의해 촬영된 웨이퍼 엣지부의 화상 정보로부터 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 결정하고, 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 미리 기억된 정상치와 비교하여 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부 크기의 불량 여부를 판단한다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 스피너 설비는 현상 공정을 거친 웨이퍼를 탑재하여 회전시키기 위한 스핀 구동부 및 상기 스핀 구동부 상에 탑재된 웨이퍼의 엣지부를 촬영할 수 있도록 상기 스핀 구동부의 상부에 설치된 화상 카메라를 구비하는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 포함하고, 상기 스핀 구동부는 웨이퍼를 탑재하여 고정시키기 위한 웨이퍼 진공 척, 상기 웨이퍼 진공 척의 중심부에 연결되어 상기 웨이퍼 진공 척을 회전시키는 구동축, 및 상기 구동축을 회전시키기 위한 구동 모터를 포함한다.
또한, 상기 스피너 설비에 있어서, 상기 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는, 상기 화상 카메라와 연결된 제어부와 상기 화상 카메라가 촬영한 웨이퍼 엣지부의 화상 정보를 표시하는 표시 장치를 더 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 제어부는 상기 화상 카메라에 의해 촬영된 웨이퍼 엣지부의 화상 정보로부터 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 결정하고, 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 미리 기억된 정상치와 비교하여 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부 크기의 불량 여부를 판단한다.
또한, 상기 스피너 설비에서 상기 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는 카세트 블록과 프로세스 블록 사이에서 웨이퍼 이송시 웨이퍼를 주고 받기 위한 트랜지션 스테이지 유닛에 설치하는 것이 바람직하다. 그러나 상기 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치가 트랜지션 스테이지 유닛이 아닌 다른 장소에 설치더라도 무관한다. 다만, 이 경우 화상 카메라를 통한 정확한 화상을 얻기 위해서는 카메라 렌즈의 오염이 발생되지 않는 영역에 설치하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 다음에 예시되는 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 보호 범위가 다음에 설명되는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 개략적으로 나타낸 모식도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치(100)는 웨이퍼(50)를 올려놓을 수 있도록 설치된 진공 척(40)을 구비하고 있다. 이 진공 척(40)은 진공 설비(도시 안됨)와 연결되어 상부에 탑재된 웨이퍼(50)를 진공 압력에 의해 고정시키는 역할을 한다. 이 진공 척(40)은 그 하부면 중앙부에 구동 모터(30)의 회전력을 전달하는 구동축(31)의 일단이 연결되어 있어, 구동 모터(30)가 일정한 RPM(revolutions per minute)으로 회전할 때, 진공 척(40)에 의해 고정된 웨이퍼(50)를 일정한 회전 속도로 회전시킬 수 있다. 이러한 구동 모터(30) 및 구동축(31)은 외부로부터 보호받을 수 있도록 본체 외장(20) 내에 안정된 상태로 설치되어 있다.
또한, 본 실시예에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치(100)는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치(100)의 진공 척(40) 상에 탑재된 웨이퍼(50)를 촬영할 수 있는 화상 카메라(60)를 포함한다. 이 화상 카메라(60)는 진공 척(40)에 의해 고정되어 일정한 속도로 회전하는 웨이퍼(50)(특히, 웨이퍼의 엣지 부분)에 대한 화상 정보를 얻는 역할을 한다. 화상 카메라(60)를 통해 입수된 화상 정보는 화상 카메라(60)와 연결된 제어부(70)에서 분석되어 그 분석된 결과와 함께 화상 카메라(60)에 의해 얻은 웨이퍼 화상이 표시 장치(80)에 표시된다. 즉, 제어부(70)는 화상 카메라(60)로부터 얻은 화상 정보를 분석하여 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 예정된 값과 비교한다. 이와 같이 제어부(70)에서 웨이퍼의 화상 정보를 분석하여 얻은 데이터는 화상 카메라(60)에 의해 촬영된 웨이퍼(50)의 화상, 특히 웨이퍼(50) 엣지부의 화상과 함께 표시 장치(60)에 표시된다.
이 경우, 웨이퍼 엣지 노광부의 크기는 웨이퍼 엣지 노광 공정을 통해 노광된 웨이퍼 엣지 부위의 폭 또는 크기를 말한다. 그러나 실제 현상 공정 전에는 노광된 레지스트 부위의 폭를 화상 카메라를 통해 직접 확인할 수 없으므로 웨이퍼 엣지 노광 공정 및 그 후의 현상 공정에 의해 포토레지스가 제거된 웨이퍼 엣지 영역의 크기로 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 대신한다.
본 실시예에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치(100)를 포함한 스피너 설비의 동작 과정의 일례를 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼에 대한 리소그래피 공정을 실행하기 위해, 우선 스피너 설비에서 웨이퍼는 레지스트 코팅 과정을 거친다. 즉, 스피너 설비 내에서 웨이퍼를 특정 RPM으로 회전시키면서 포토레지스트를 웨이퍼 전면에 균일하게 도포한 후, 포토레지스트 내에 존재하는 용제를 제거하도록 소프트 베이크(soft bake)해 준다. 그 후 노광 설비에서 반도체 회로 패터닝을 위한 노광 공정을 거친 다음, 웨이퍼 엣지 노광 유닛을 통해 웨이퍼 엣지 노광 공정을 수행하여 웨이퍼 엣지부의 포토레지스트를 노광시킨다. 이 후 웨이퍼는 노광후 베이크(post exposure bake) 과정을 거치고, 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴을 형성하도록 현상액을 사용하여 현상 공정을 수행한다. 이러한 현상 공정에 의해서 회로 구현을 위한 포토레지스트의 패턴이 형성될 뿐만 아니라 웨이퍼 엣지 노광 공정에 의해 노광된 웨이퍼 엣지부의 포토레지스트가 제거된다. 이 때, 현상 공정이 실행되는 현상 유닛(development unit)은 현상 공정 진행으로 오염 발생이 많이 일어날 수 있다. 따라서, 현상 유닛에서는 화상 카메라를 사용하기가 적당하지 않다. 화상 카메라의 렌즈 오염이 발생할 수 있기 때문이다.
현상 공정을 거친 웨이퍼(50)는 현상후 베이크(post bake) 과정을 거치기 전에, 본 실시예에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치(도 1 참조)로 이송되어 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치(100)의 진공 척(40) 상에 탑재된다. 본 실시예에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치(100)는 트랜지션 스테이지 유닛(transition stage unit)에 설치되는 것이 바람직하다. 트랜지션 스테이지 유닛은 카세트 블록과 공정 블록 사이에서 웨이퍼 반송시 웨이퍼를 주고 받기 위한 스테이지 유닛으로서 현상 유닛과 베이크 유닛 사이에 배치되어 있다. 트랜지션 스테이지 유닛은 하단의 칠 플레이트(chill plate) 및 상단의 트랜지션 스테이지가 설치되어 있는 2단 구조로 되어 있다. 여기서 칠 플레이트(chill plate)는 웨이퍼의 냉각 처리를 수행한다.
진공 척(40) 상에 탑재된 웨이퍼(50)는 진공 설비(도시 안됨)에 의한 진공압에 의해 진공 척(40) 상에 접촉, 고정된다. 진공 척(40)의 하부면 중앙부에 연결된 구동축(31)은 구동축(31)과 연결된 구동 모터(30)의 회전력을 전달 받아 진공 척(40)을 일정한 RPM으로 회전시킨다. 이에 따라 진공 척(40) 상에 탑재되어 고정된 웨이퍼(50)가 일정한 RPM으로 회전하게 된다.
진공 척(40) 상에서 회전하는 웨이퍼(50)를 촬영할 수 있도록 웨이퍼(50)의 상부의 적당한 위치에 화상 카메라(60)가 설치되어 있다. 화상 카메라(60)는 웨이퍼(50) 특히, 웨이퍼(50)의 엣지부를 촬영하여 웨이퍼(50)의 엣지부 상의 포토레지스트가 제거된 상태에 대한 화상 정보를 입수한다. 이 때, 화상 카메라(50)는 고정된 상태에서 일정한 촬영 방향으로 웨이퍼(50)를 촬영한다. 이와 같이 화상 카메라(50)에 의해 입수된, 웨이퍼 엣지 노광 및 현상 공정을 거친 웨이퍼(50) 엣지부의 포토레지스트 제거 상태에 대한 화상 정보는 화상 카메라(60)에 연결된 제어부(70)로 입력된다.
제어부(70)는 화상 카메라(60)로부터 입력된 화상 정보를 분석하여 웨이퍼(50) 엣지부의 노광 영역의 크기, 즉 웨이퍼 엣지 노광부의 크기 및 그 균일도를 결정하고 이를 미리 기억된 정상치와 비교한다. 이러한 비교 동작에 의해 제어부(50)는 웨이퍼 엣지 노광부의 크기 및 그 균일도의 불량 여부를 판단할 수 있게 된다. 제어부(70)에 의해 결정된 웨이퍼 엣지 노광부의 크기에 관한 데이터는 웨이퍼(50)의 화상과 함께 표시 장치(80)에 표시된다.
표시 장치(80)에 표시된 웨이퍼(50) 엣지부에 대한 화상 및 웨이퍼 엣지 노광부 크기에 대한 데이터를 통하여, 작업자는 웨이퍼 엣지 노광 공정의 불량 여부를 정확하고 용이하게 확인할 수 있게 된다. 본 실시예에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치에 의하여 웨이퍼 엣지 노광부 크기의 불량을 확인한 경우, 작업자는 스피너 설비의 작동을 즉시 중단시키고 웨이퍼 엣지 노광 유닛을 보수한다. 이 때, 스피너 설비의 중단은 작업자에 의한 별도의 작업 없이 자동으로 제어되어 이루어질 수도 있다.
본 실시예에서는, 종래와 달리, 웨이퍼 엣지 노광부의 검사가 현상 유닛에서 수행되지 않기 때문에, 현상 공정의 진행에 의한 화상 카메라 렌즈의 과도한 오염 문제가 발생되지 않는다. 또한, 본 실시예에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 사용하면, 인스펙션 공정 단계에서 작업자가 별도로 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사하지 않아도 되기 때문에, 인스펙션 공정에서 작업자의 작업 로드가 많아지게 되는 문제점을 개선할 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통해서 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다. 예를 들어, 전술한 실시예에서는 본 발명에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 트랜지션 스테이지 유닛에 설치하였으나, 화상 카메라 렌즈의 오염이 발생되지 않는 다른 영역에 설치할 수도 있다.
상술한 본 발명에 의하면, 스피너 설비 자체 내에 스핀 구동부와 화상 카메라를 구비하는 별도의 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 설치함으로써 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 정확하고 용이하게 검사할 수 있다. 이에 따라 웨이퍼 엣지 노광 공정의 불량에 의한 웨이퍼의 손실을 저감시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 화상 카메라 렌즈의 오염이 발생되지 않는 영역에서 웨이퍼 엣지 노광 검사를 수행함으로써 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치의 오염을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치 및 이를 구비한 스피너 설비는, 인스펙션 공정 단계에서 작업자가 별도로 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 검사할 필요를 없애줌으로써, 작업자의 작업 로드를 줄일 수 있다.
도 1은 웨이퍼 엣지 노광 공정에 의해 형성된 웨이퍼 엣지 노광부를 갖는 웨이퍼를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 개략적으로 나타낸 모식도이다.

Claims (8)

  1. 현상 공정을 거친 웨이퍼를 탑재하여 회전시키기 위한 스핀 구동부; 및
    상기 스핀 구동부 상에 탑재된 웨이퍼의 엣지부를 촬영할 수 있도록 상기 스핀 구동부의 상부에 설치된 화상 카메라를 구비하고,
    상기 스핀 구동부는 웨이퍼를 탑재하여 고정시키기 위한 웨이퍼 진공 척, 상기 웨이퍼 진공 척의 중심부에 연결되어 상기 웨이퍼 진공 척을 회전시키는 구동축, 및 상기 구동축을 회전시키기 위한 구동 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화상 카메라와 연결된 제어부와 상기 화상 카메라가 촬영한 웨이퍼 엣지부의 화상 정보를 표시하는 표시 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제어부는 상기 화상 카메라에 의해 촬영된 웨이퍼 엣지부의 화상 정보로부터 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 결정하고, 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 미리 기억된 정상치와 비교하여 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부 크기의 불량 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치.
  4. 현상 공정을 거친 웨이퍼를 탑재하여 회전시키기 위한 스핀 구동부 및 상기 스핀 구동부 상에 탑재된 웨이퍼의 엣지부를 촬영할 수 있도록 상기 스핀 구동부의 상부에 설치된 화상 카메라를 구비하는 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치를 포함하고,
    상기 스핀 구동부는 웨이퍼를 탑재하여 고정시키기 위한 웨이퍼 진공 척, 상기 웨이퍼 진공 척의 중심부에 연결되어 상기 웨이퍼 진공 척을 회전시키는 구동축, 및 상기 구동축을 회전시키기 위한 구동 모터를 포함하는 것을 특징으로 하는 스피너 설비.
  5. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는, 상기 화상 카메라와 연결된 제어부와 상기 화상 카메라가 촬영한 웨이퍼 엣지부의 화상 정보를 표시하는 표시 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 스피너 설비.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어부는 상기 화상 카메라에 의해 촬영된 웨이퍼 엣지부의 화상 정보로부터 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 결정하고, 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부의 크기를 미리 기억된 정상치와 비교하여 상기 결정된 웨이퍼 엣지 노광부 크기의 불량 여부를 판단하는 것을 특징으로 하는 스피너 설비.
  7. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는 상기 카메라 렌즈의 오염이 발생되지 않는 영역에 설치되는 것을 특징으로 하는 스피너 설비.
  8. 제7항에 있어서, 상기 웨이퍼 엣지 노광 검사 장치는 트랜지션 스테이지 유닛에 설치되는 것을 특징으로 하는 스피너 설비.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100625322B1 (ko) * 2005-08-18 2006-09-15 세메스 주식회사 스피너 시스템 및 그의 인터락 제어 방법
CN115383619A (zh) * 2021-05-06 2022-11-25 海太半导体（无锡）有限公司 一种半导体晶圆研磨设备的自动检测系统
KR102614406B1 (ko) * 2023-08-10 2023-12-15 주식회사 엠텍마이크라텍글로벌 Led 광원을 이용한 웨이퍼 엣지 노광 장치

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