KR20050019486A - 플라즈마 용사용 세라믹 분말의 제조방법 및 그에 따라제조된 세라믹 분말 - Google Patents

플라즈마 용사용 세라믹 분말의 제조방법 및 그에 따라제조된 세라믹 분말 Download PDF

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Abstract

결합제와 분산제를 첨가하지 않으며, 비수계 용제를 이용한 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법 및 그에 따라 제조된 세라믹 분말이 개시된다. 본 발명에 따른 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조 방법은, 먼저 세라믹 분말과 비수계 용제를 포함하는 슬러리를 준비한다. 이어서 상기 슬러리를 분무 건조기를 이용하여 건조하여 건조 분말을 형성한 후, 상기 건조 분말을 열처리하여 제조한다. 세라믹 분말은 Y2O3계, Al2O3계, TiO2계, AlN계, 질화물계 세라믹 분말 등이며, 세라믹 분말은 40 내지 60 중량%로 포함된다. 비수계 용제는 암모늄염을 포함하며, 분무 건조기를 이용한다.

Description

플라즈마 용사용 세라믹 분말의 제조방법 및 그에 따라 제조된 세라믹 분말{Method for manufacturing ceramic powder for plasma spraying and ceramic powder using the same}
본 발명은 플라즈마 용사용 세라믹 분말을 제조하는 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 분무 건조기(spray dryer)를 이용하여 비수계의 슬러리로부터 플라즈마 용사용 이트리아(Y2O3)계, 알루미나/산화티타늄계(Al2O3 /TiO2계), 질화알루미늄(AlN)계 또는 질화물계 등의 세라믹 분말을 제조하는 방법에 관한 것이다.
통상적으로 반도체소자 또는 디스플레이소자를 제조하는 제조 장비의 내부재는 내플라즈마성과 내식성 등이 요구된다. 이러한 요구사항에 부합하기 위해, 반도체 또는 디스플레이 제조 장비의 내부재의 표면에 Y2O3 또는 Al2O 3 등의 세라믹 코팅층을 플라즈마 용사 방법에 의해 형성시킨 것이 사용되고 있다.
플라즈마 용사는 세라믹 분말을 고온의 화염 또는 플라즈마로 순간적으로 용융시킨뒤, 용융된 입자를 고속으로 가속시켜 금속 또는 세라믹 모재 표면 상에 0.1 내지 1.0mm 두께의 후막층(thick film)을 형성시키는 표면 처리 기술이다. 이 기술은 비교적 값싼 모재 상에 다양한 특성을 갖는 세라믹 재료의 후막층을 형성시켜 내플라즈마성, 내부식성, 내마모성, 내산화성, 절연성, 단열성 등의 표면 성질을 개선시킬 수 있기에, 반도체 또는 디스플레이 제조 장비 내부재의 표면 처리 기술에 널리 응용되어지고 있다.
현재, 이러한 플라즈마 용사용 세라믹 분말은 미분 또는 원재료를 아크, 플라즈마 등으로 용해한 후 이를 다시 분쇄하여 용도에 따라 약 20 내지 100 ㎛크기로 제작하여 사용하고 있다.
그러나 상기와 같이 분쇄에 의해 제조된 플라즈마 용사용 세라믹 분말은 입자 모양이 불규칙한 다각형 형태를 띠고 있어 유동성이 저하되기 쉽고 불균일한 분사거동이 발생하기 쉽다. 유동성이 저하되면, 용사시 세라믹 분말이 균일한 용해상태로 분사되지 않아 코팅층이 불균일하게 되는 단점이 있고, 불균일한 분사거동이 발생할 경우 단위시간당 분사량이 순간적으로 많아지기 때문에 비용융입자들의 약한 용착에 의해 코팅층에 국부적으로 큰 기공을 만들어 코팅층 특성을 저하시키게 되는 단점이 있다.
이러한 종래 기술의 단점을 보완하기 위해 근래에는 분무 건조기를 이용하여 플라즈마 용사용 세라믹 분말을 제조하는 기술이 개발되었다.
구체적으로는, 대한민국 특허등록공보 10-0321588에는 일정량의 Cr2O3계 또는 Al2O3/TiO2계의 세라믹 분말에 결합제 및 분산제를 혼합하여 수계방법으로 슬러리를 제조한 뒤, 상기 슬러리를 분무 건조기에 투입하여 건조시킨 다음, 건조된 분말을 플라즈마 화염과 함께 분사시켜 재용해하여 물 속에 떨어뜨려 급속 응고시킨 후 건조시키는 방법에 대하여 개시하고 있다.
상기 방법에 의하면 간단한 공정으로 저렴한 가격의 플라즈마 용사용 세라믹 분말을 제조할 수 있다고 개시하고 있다.
그러나, 상술한 종래 기술은 다음과 같은 문제점을 여전히 내포하고 있다.
즉, 일정량의 결합제와 분산제가 세라믹 분말에 첨가되는 것은 반도체 제조 공정 중에 오염물로 작용할 수 있다는 문제점을 내포하고 있고, 코팅층의 결함을 발생시킬 수 있다. 또한, 결합제가 첨가될 경우 플라즈마 용사 코팅의 일반적인 결함으로 지적되어온 융착입자간의 결함이외에 융착입자 내부에 내부결함이 함께 존재할 수 있다. 이러한 입자 내부 결함은 용사시 조립 분말의 낮은 열전달에 의한 국부적 용융 및 사용된 결합제의 기화등으로 인해 결함이 증가되는 것으로 판단되어 진다.
또한, 결합제와 분산제는 적절한 제어가 필요한데, 결합제의 경우 많이 교반해 주면 안정한 기포가 생기고 이 기포가 과립 내부에 기공을 형성하여 밀도를 저하시키므로 저속믹서를 사용하여 교반해야 하는 불편함이 있고, 결합제의 첨가량이 많으면 탈지공정에서 불순물의 혼입이나 과립이 딱딱하게 되고 첨가량이 적으면 성형체의 강도가 떨어지므로 공정 진행상 어려움이 있다.
또한, 상기 방법을 이용하여 Y2O3 또는 AlN의 세라믹 분말에 적용할 경우에는, 수계방법을 사용하기 때문에 수화현상을 일으키고 수계에서의 분산이 상당히 어렵다는 문제점을 갖는다. 따라서, 상기 방법을 이용할 경우, 실질적으로 반도체 및 디스플레이 제조 장비 내부재의 코팅 재료로 많이 사용되는 Y2O3 또는 AlN 분말을 적용할 수 없다는 단점이 있다.
또한, 플라즈마 화염과 함께 분사시켜 재용해하여 물속에 떨어뜨려 급속응고시키는 공정은 플라즈마 용사용 장치를 필요로 하기 때문에 분말의 단가를 높인다는 단점이 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 종래의 분쇄 방법에 의해 제조되던 플라즈마 용사용 분말의 문제점을 극복할 수 있는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법 및 그에 따라 제조된 플라즈마 용사용 세라믹 분말을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 결합제와 분산제를 첨가하지 않아 결합제와 분산제가 미치는 문제점을 극복할 수 있는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법 및 그에 따라 제조된 세라믹 분말을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, AlN계에서도 적용할 수 있는 비수계 방법의 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법 및 그에 따라 제조된 세라믹 분말을 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조 방법은, 먼저 세라믹 분말과 비수계 용제를 포함하는 슬러리를 준비한다. 이어서 상기 슬러리를 분무 건조기를 이용하여 건조하여 건조 분말을 형성한 후, 상기 건조 분말을 열처리하여 제조한다.
본 발명에 적용되는 상기 세라믹 분말은 Y2O3계, Al2O3계, TiO 2계, AlN계, 질화물계 세라믹 분말로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 것일 수 있으며, 상기 슬러리에서 상기 세라믹 분말은 40 내지 60 중량%로 포함될 수 있다.
상기 비수계 용제는 암모늄염을, 예를 들어 0.1 내지 3.0 중량%로 포함하며, 알코올류, 예를 들어 에탄올 또는 IPA를 더 포함할 수 있다.
상기 건조 분말을 형성하는 단계는, 분무 건조기를 이용하며, 상기 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 800 ℃ 내지 1600℃ 범위내에서 1 내지 10시간의 범위내에서 수행할 수 있다. 한편, 상기 세라믹 분말이 AlN계 또는 질화물계 세라믹 분말인 경우, 상기 열처리하는 단계는 질소 또는 아르곤 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다.
이하 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 실시예들은 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. .
먼저, 입자의 직경이 0.1 내지 4 ㎛정도의 Y2O3 분말, Al2O3 분말 또는 TiO2계 분말 50중량%를 준비한 다음, 비수계 용제와 혼합하여 슬러리를 준비한다.
여기서, 비수계 용제는 암모늄염을 필수적으로 포함하며 추가로 알코올류의 용제를 포함하고, 비수계 용제는 첨가되는 Y2O3분말, Al2O3 분말 또는 TiO2계 분말의 중량대비로 1.5 내지 2.5배 정도이며, 바람직하게는 2배 정도이다. 암모늄염은 0.1 내지 3.0 중량%로 첨가하며, 바람직하게는 0.5 내지 1 중량%이다. 상기 알코올류는 에탄올 또는 IPA(Isopropyl Alcohol) 중 어느 하나 또는 둘 모두를 포함할 수 있다,
이때, 암모늄염의 첨가량이 0.1% 미만이면 전기적 이중층을 형성할 수 있는 충분한 두께를 만들지 못하기 때문에 슬러리 내에서 입자들이 균일한 분산을 할 수 없고, 3%를 초과하게 되면 제타전위가 0이 되는 수용액의 pH의 범위를 벗어나게 되어 입자들이 응집할 수 있는 여지를 제공하는 단점이 있다.
한편, 본 발명에서 분산제와 결합제를 넣지 않고 비수계 용제만을 첨가하는 이론적 배경에 대하여 설명하면, 슬러리를 균일하게 분산시키기 위해서는 pH조정에 의한 정전기적 반발력을 이용하는 방법에 의한 전기이중층 형성 방법이 있고, 다른 방법은 분산제를 첨가한 스테릭(steric)반발력을 이용할 수 있다. 본 발명에서는 pH조절에 의한 정전기적 반발력을 이용하여 전기이중층을 형성하는 방법을 택함으로써 분산제 및 첨가제가 미치는 악영향을 배제하였다. 여기서 전기 이중층의 형성이라는 것은 입자들의 표면에 전하가 발생하면 입자의 계면 영역 주위에서 전기적 중성의 조건을 만족하여야 하므로 표면전하와 반대되는 부호를 지닌 이온들이 입자의 주위에 분포하게 된다. 이러한 이온들을 상대이온(counterion ion)이라고 하는데 표면 전하에 기인하는 정전기적 인력과 열적인 운동(browniam motion)에 의하여 상대이온들이 입자표면으로부터 확산되어 나가려는 힘이 서로 균형을 이루고 있기 때문에 상대 이온의 분포확률은 입자표면으로부터 멀어짐에 따라 감소하게 된다. 이렇게 표면전하층과 상대이온층으로 이루어진 계면영역을 전기이중층이라고 한다. 따라서, 본 발명에서는 암모니아를 첨가하여 이러한 전기이중층을 형성함으로써 세라믹 분말의 제타전위가 0이 되는 수용액의 pH를 맞출 수 있도록 하였다.
또한, 결합제와 분산제를 첨가하지 않고 비수계의 용제만을 사용해서 슬러리를 분산시킬 수가 있기 때문에 불순물의 혼입이나 플라즈마 용사 코팅시에 코팅층에 발생되는 여러가지 문제점을 초기에 제거할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 또한, 비수계 용제에서의 분산은 (1) 염기성 표면위의 산의 흡착, (2) 표면으로의 양자(photon)의 이동에 의한 흡착된 산의 해리, (3) 해리된 음이온이 용액에 용해되고 입자표면은 (+)전하를 띄게 되는 공정으로 이루어진다. 그러나 용제에서의 정전기적 반발력은 수계에 비해 훨씬 작은데, 그것은 용제가 물에 비해 낮은 이온 농도와 유전상수를 갖기 때문이다. 따라서, 용제에서의 분산은 입체 안정화(steric stabilization)가 유효하며 본 발명에서는 이러한 분산제를 비수계 용제를 사용하여 해결할 수 있다.
계속해서 공정에 대하여 설명하면, 상기와 같이 혼합된 슬러리를 튜브를 통하여 고속으로 회전하는 분무 건조기내로 공급하여 회전디스크의 원심력에 의해 작은 액적으로 분사된 후 챔버내에서 건조되어진 분말을 제조한다.
여기서, 분무 건조기는 원심 분무식 건조기를 사용하였고, 원심 분무식 건조기의 작업조건은, 입력 열풍 온도가 80℃ 이며, 출력 열풍온도는 60℃이고, 슬러리의 온도는 25℃이며, 슬러리 공급속도는 40 내지 100g/mim로 하였고, 디스크 회전 속도는 7060rpm을 사용하였다. 그러나, 상술한 분무식 건조기는 회전식 또는 노즐식 등 다양한 분무 건조기가 사용될 수 있고, 또한, 분무식 건조 작업조건은 본 발명의 통상의 지식을 가진자들에게는 응용될 수 있음을 알아야 한다. 예를 들면, 디스크 회전 속도는 6000 내지 11000 rpm에서도 적용가능하다.
상술한 분무건조 방법에 의하면, 분무건조된 입자의 평균 크기는 10 내지 100㎛정도로 분말의 입자크기만으로 볼 때는 플라즈마 용사용 세라믹 분말로 사용하기에 적합함을 알 수 있다.
그 다음, 건조된 세라믹 분말을 열처리하여 불순물 및 금속오염물을 제거한다. 열처리는 800 내지 1600℃의 범위에서 1 내지 10시간 정도 이루어진다. 그러나 바람직하게는, 1400 내지 1500℃의 범위에서 3 내지 5시간 정도에서 이루어진다.
여기서, 열처리 온도를 800℃ 이하에서 수행하게 되면 분말 자체에 충분한 강도가 형성되지 않고, 1600℃를 초과하면 분말 자체의 사이즈가 커지고 분말 자체들끼리 소결 또는 넥본딩(neck-bonding) 현상이 발생하여 추가적으로 분말을 건식 파쇄해야 하는 공정이 추가되어야 하며, 열처리 온도가 증가하는 만큼 온도 상승에 따른 추가 비용 문제를 수반하게 된다. 따라서, 열처리 온도는 800 내지 1600℃범위 내에서 이루어지는 것이 바람직하다. 본 실시예에서는 1500℃를 유지하였다.
한편, 열처리 유지시간에 있어서는, 1시간 미만일 경우는 분말에 충분한 강도를 부여할 수 없고 10시간을 초과할 때는 분말 자체가 소결 또는 넥본딩을 일으킬 수 있으며 열처리 비용이 증가할 수 있다. 따라서, 열처리 유지 시간은 1 내지 10시간, 바람직하게는 3~5시간이 되어야 한다. 본 실시예에서는 3시간을 유지하였다.
한편, 세라믹 분말을 Y2O3, Al2O3 또는 TiO2계 분말이 아닌 AlN 분말을 사용할 경우에는, 열처리시 분위기를 질소 또는 아르곤 분위기로 유지하는 것 외에는 상술한 조건을 그대로 사용한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명과 종래 기술에 따른 비교예들을 비교 설명한다.
도 1은 종래 기술의 분쇄에 의해 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3분말의 입도분포를 나타내는 도면이다. 이 도면에서 알 수 있듯이, 입도의 분포가 1.0㎛ 내지 100㎛의 범위에 산발적으로 분포되어 있기 때문에, 입자 크기가 다양하게 나타난다. 따라서, 플라즈마 코팅시 미분의 함량이 많아 분말의 손실이 많이 발생할 수 있고 코팅층이 균일하게 되지 않아 코팅의 품질이 저하 될 수 있다. 또한, 플라즈마 건(gun)까지의 이송시 막힘 현상이 발생할 수도 있음을 알 수 있다.
이에 반해, 도 5를 참조하면, 본 발명에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3분말의 입도분포는 그 기울기가 크기 때문에, 상술한 종래 기술의 문제점을 발생시키지 않는다. 도 1, 도 2, 도 5 및 도 6등에서 분말의 입도분포를 나타내기 위해 가로축은 입자 직경을 나타내고, 세로축은 용적%를 각기 나타낸다.
도 2는 종래 기술의 분쇄에 의해 제조된 플라즈마 용사용 Al2O3 분말의 입도분포를 나타내는 도면이고, 도 6은 본 발명에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Al2O3 분말의 입도분포를 나타내는 도면이다. 도면에서 알 수 있는 바와 같이, 종래 기술의 입도분포에 비해 본 발명의 입도분포가 더 큰 기울기를 가짐을 알 수 있다. 즉, 본 발명의 저렴한 공정 및 간단한 공정으로도 종래 기술에서 얻을 수 있는 효과를 더 많이 얻을 수 있음을 알 수 있다.
도 3a 내지 도 3c 및 도4a 내지 도4b에 도시된, 종래 기술의 분쇄에 의해 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3 분말 및 Al2O3 분말의 미세구조 사진과, 도 8a 및 도 8b 및 도 9a 및 도9b에 도시된, 본 발명에 따라 제조된 열처리 단계 이전의 플라즈마 용사용 Y2O3 분말 및 Al2O3 분말 및, 도 10a 내지 도 10c 및 도 11a 내지 도 11c에 도시된 열처리 이후의 플라즈마 용사용 Y2O3 분말 및 Al2O3 분말을 비교해 보면, 종래 기술의 분말은 분말의 입자들의 모양 및 크기가 매우 불균일하게 형성되어 있으며 입자들의 내부 조직(도 3c, 도 4c)이 크게는 3㎛, 작게는 수 nm입자크기를 갖는 입자들이 서로 엉켜 있고 입자들의 표면 자체가 매끄럽지 못하여 유동도가 나빠질 수 있음을 알 수 있다. 이에 반해, 본 발명에 따른 플라즈마 용사용 분말은 열처리 이전의 분말의 입자들의 모양이 균일하며, 열처리 이후의 분말의 경우 내부조직이 매우 치밀하며 완전 용융된 특성을 갖기 때문에, 겉보기 밀도 및 유동도가 증가되어 코팅층의 특성을 향상시킴을 알 수 있다.
한편, 도 7 및 도 12a 내지 도 12c에 도시된 AlN 분말의 경우도 상술한 Y2O3 및 Al2O3 분말의 경우와 비슷하게 양호한 입자특성을 가짐을 알 수 있다.
또한, 종래 사용하던 Y2O3의 분말의 겉보기 밀도는 1.286g/cm3인데 반해 본 발명에 따라 열처리한 최종 Y2O3의 분말의 겉보기 밀도는 1.287g/cm3로써 저렴한 공정과 간단한 공정으로도 종래 기술과 유사한 효과를 나타냄을 알 수 있다.
또한, 종래 사용하던 Y2O3의 분말의 유동도는 측정이 불가능할 정도로 유동도가 좋지 못하였지만, 본 발명에 따라 열처리한 최종 Y2O3분말의 유동도는 0.19g/sec로써 종래 기술에 비해 유동도가 양호하여 졌다.
Al2O3에 대해서는, 종래 사용하던 Al2O3의 분말의 겉보기 밀도는 0.749g/cm3, 유동도는 측정불가능한 상태인데 반해, 본 발명에 따라 열처리한 최종 Y2O3의 분말의 겉보기 밀도 및 유동도는, 각각 1.063g/cm3, 0.63g/sec으로써, 종래 기술에 비해 개선되었음을 알 수 있다.
또한, AlN에 대해서는, 종래에는 플라즈마 용사용 분말로 사용하지 않았지만, 본 발명에 따라 열처리된 최종 분말은 겉보기 밀도 및 유동도가 각각 0.868gcm3, 0.21g/sec로써, 플라즈마 용사용 분말에 적용하기에 충분함을 알 수 있다.
따라서, 본 발명의 상술한 구성에 따르면, 종래의 분쇄에 의해 제조되던 플라즈마 용사용 분말의 문제점을 간단한 공정으로 극복할 수 있다.
또한, 플라즈마 용사용 분말을 제조함에 있어서 결합제와 분산제를 첨가하지 않아 결합제와 분산제가 미치는 문제점을 극복할 수 있다.
또한, 본 발명의 제조 방법에 따르면, Y2O3 및 AlN계에서도 적용할 수 있는 비수계 방법의 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법을 제공할 수 있다.
도 1은 종래의 기술에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3 분말의 입도분포를 나타내는 그래프이다.
도 2는 종래의 기술에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Al2O3 분말의 입도분포를 나타내는 그래프이다.
도 3a 내지 도 3c는 각기 종래 기술에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3 분말의 200배, 2,500배 및 20,000배 배율의 주사전자현미경(SEM) 사진들이다.
도 4a 내지 도 4c는 각기 종래 기술에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Al2O3 분말의 200배, 2,500배 및 20,000배 배율의 주사전자현미경 사진들이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3 분말의 입도분포를 나타내는 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Al2O3 분말의 입도분포를 나타내는 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 AlN 분말의 입도분포를 나타내는 그래프이다.
도 8a 및 도8b는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3 분말의 분무 건조 단계 직후(열처리 단계 이전)의 200배 및 2500배 배율의 주사전자현미경 사진들이다.
도 9a 및 도 9b는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Al2O3 분말의 분무 건조 단계 직후(열처리 단계 이전)의 200배 및 2500배 배율의 주사전자현미경 사진들이다.
도 10a 내지 도 10c는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Y2O3 분말의 200배, 2,500배 및 20,000배 배율의 주사전자현미경 사진들이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 Al2O3 분말의 200배, 2,500배 및 20,000배 배율의 주사전자현미경 사진들이다.
도 12a 내지 도 12c는 본 발명의 실시예에 따라 제조된 플라즈마 용사용 AlN 분말의 200배, 2,500배 및 20,000배 배율의 주사전자현미경 사진들이다.

Claims (10)

  1. 세라믹 분말과 비수계 용제를 포함하는 슬러리를 준비하는 단계;
    상기 슬러리를 분무 건조기를 이용하여 건조시켜 건조 분말을 형성하는 단계; 및
    상기 건조 분말을 열처리하는 단계를 포함하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 분말은 Y2O3계, Al2O3계, TiO2계, AlN계, 질화물계 세라믹 분말로 이루어진 군으로부터 선택된 것임을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 슬러리에서 상기 세라믹 분말은 40 내지 60 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 비수계 용제는 암모늄염을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 암모늄염은 0.1 내지 3.0 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 비수계용제는 알코올류를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 알코올류는 에탄올 또는 IPA 중 어느 하나 또는 둘 모두를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 열처리 하는 단계의 열처리 온도는 800 ℃ 내지 1600℃ 범위내에서 1 내지 10시간의 범위내에서 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 세라믹 분말이 AlN계 또는 질화물계 세라믹 분말인 경우, 상기 열처리하는 단계는 질소 또는 아르곤 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 용사용 세라믹 분말 제조방법.
  10. 제 1 항의 제조방법에 의해 제조된 플라즈마 용사용 세라믹 분말.
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