KR20040098108A - poly silicon layer, mask for forming the poly silicon layer, panel for a display device including the poly silicon layer, and method for manufacturing thereof - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A polycrystalline silicon layer and a mask for polycrystalline silicon, and a display panel for a display device with the polycrystalline silicon layer and a manufacturing method thereof are provided to form uniformly the polycrystalline silicon layer by crystallizing an amorphous silicon layer using the mask of a desired structure. CONSTITUTION: A mask for polycrystalline silicon includes slits for defining a light transmitting region. Both ends of each slit are formed like a sawtooth. The first group of slits is arrayed to a Y-axis direction on the mask. The second group of slits is arrayed parallel with the first group of slits on the mask. The first and the second groups are cornerwise arrayed with each other. The first and the second groups include small groups, respectively. The small groups are cornerwise arrayed with each other. Each small group includes three slits.

Description

다결정 규소층 및 다결정 규소용 마스크, 그 다결정 규소층을 포함하는 표시 장치용 표시판 및 그 제조 방법{poly silicon layer, mask for forming the poly silicon layer, panel for a display device including the poly silicon layer, and method for manufacturing thereof}Polysilicon layer, mask for forming the poly silicon layer, panel for a display device including the poly silicon layer, and method for manufacturing kind}

본 발명은 다결정 규소층, 이를 형성하기 위한 다결정용 마스크, 그 다결정 규소층을 포함하는 표시 장치용 표시판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a polycrystalline silicon layer, a polycrystalline mask for forming the same, a display panel for a display device including the polycrystalline silicon layer, and a manufacturing method thereof.

일반적으로 규소는 결정 상태에 따라 비정질 규소(amorphous silicon)와 결정질 규소(crystalline silicon)로 나눌 수 있다. 비정질 규소는 낮은 온도에서 증착하여 박막(thin film)을 형성하는 것이 가능하여, 주로 낮은 용융점을 가지는 유리를 기판으로 사용하는 액정 패널(liquid crystal panel)의 스위칭 소자에 많이 사용한다.Generally, silicon may be divided into amorphous silicon and crystalline silicon according to the crystal state. Amorphous silicon can be deposited at a low temperature to form a thin film, and is mainly used for switching elements of liquid crystal panels using glass having a low melting point as a substrate.

그러나 비정질 규소 박막은 낮은 전계 효과 이동도 등의 문제점으로 표시 소자의 대면적화에 어려움이 있다. 그래서 높은 전계 효과 이동도와 고주파 동작 특성 및 낮은 누설 전류(leakage current) 의 전기적 특성을 가진 다결정 규소(poly crystalline silicon)의 응용이 요구되고 있다.However, the amorphous silicon thin film has difficulty in large area of the display device due to problems such as low field effect mobility. Therefore, there is a need for the application of polycrystalline silicon having high field effect mobility, high frequency operating characteristics, and low leakage current electrical characteristics.

다결정 규소를 이용한 박막의 전기적 특성은 입자(grain)의 크기 및 균일성(uniformity)에 큰 영향을 받는다. 즉, 입자의 크기 및 균일성이 증가함에 따라 전계 효과 이동도도 따라 증가한다. 따라서 입자를 크게 하면서도 균일한 다결정 규소를 형성하는 방법에 관심이 높아지고 있다.The electrical properties of thin films using polycrystalline silicon are greatly influenced by the size and uniformity of the grains. That is, as the size and uniformity of the particles increase, the field effect mobility also increases. Therefore, there is increasing interest in a method of forming uniform polycrystalline silicon while increasing the particle size.

다결정 규소를 형성하는 방법에는 ELA(eximer laser anneal), 로 열처리 (chamber annal) 등이 있으며 최근에는 레이저로 규소 결정의 측면 성장을 유도하여 다결정 규소를 제조하는 SLS(sequential lateral solidification)기술이 제안되었다.Methods of forming polycrystalline silicon include ELA (eximer laser anneal) and furnace annealing (chamber annal). Recently, a sequential lateral solidification (SLS) technique has been proposed for producing polycrystalline silicon by inducing lateral growth of silicon crystals with a laser. .

SLS 기술은 규소 입자가 액상 규소와 고상 규소의 경계면에서 그 경계면에 대하여 수직 방향으로 성장한다는 사실을 이용한 것으로, 레이저빔 에너지의 크기와 레이저빔의 조사 범위의 이동을 광계(optic system) 및 마스크를 이용하여 적절하게 조절하여 규소 입자를 소정의 길이만큼 측면 성장 시킴으로서 비정질 규소를 결정화하는 것이다.The SLS technology takes advantage of the fact that silicon particles grow at the interface between liquid silicon and solid silicon in a direction perpendicular to the interface, and shift the size of the laser beam energy and the range of irradiation of the laser beam to the optical system and the mask. In this case, the amorphous silicon is crystallized by lateral growth of the silicon particles by a predetermined length.

즉, 레이저빔을 마스크의 투과 영역(슬릿)을 통과시켜 비정질 규소를 완전히 녹여 슬릿 모양의 액상 영역을 형성한다. 이어서, 액상의 비정질 규소는 냉각되면서 결정화가 이루어지는데, 결정은 레이저가 조사되지 않은 고상 영역과 액상 영역의 경계면에서부터 성장하고, 그 경계면에 대해서 수직 방향으로 성장한다. 그리고, 입자들의 성장은 서로 다른 방향에서 성장하다가 액상 영역의 중앙에서 만나면 멈추게 된다.That is, the laser beam passes through the transmission region (slit) of the mask to completely dissolve the amorphous silicon to form a slit-shaped liquid region. Subsequently, the liquid amorphous silicon is crystallized while cooling, and the crystal grows from the interface between the solid region and the liquid region where the laser is not irradiated, and grows in a direction perpendicular to the interface. The particles grow in different directions and stop when they meet at the center of the liquid region.

여기서 마스크는 다수개의 직사각형 모양의 슬릿이 일정한 간격으로 배열되어 있는 두 개의 슬릿 열을 가지며 각 열의 슬릿은 서로 엇갈리도록 배열되어 있다. 이러한 마스크 패턴을 이용하여 기판 전체에 다결정 규소를 형성하기 위해서는 레이저빔을 조사한 후 마스크 패턴을 이동하여 재조사하는 공정을 다수 회 실시하게 된다. 이때 결정화 공정은 마스크를 기판의 X축 방향으로 소정 거리만큼 연속적으로 이동하면서 레이저빔을 조사하여 이루어지며, 이러한 공정은 기판의 Y축 방향으로 반복적으로 실시하여 전면적으로 비정질규소를 다결정규소로 결정화한다.Here, the mask has two rows of slits in which a plurality of rectangular slits are arranged at regular intervals, and the slits of each row are arranged to be staggered with each other. In order to form polycrystalline silicon on the entire substrate using such a mask pattern, a plurality of processes of irradiating a laser pattern and then irradiating the mask pattern are performed a plurality of times. In this case, the crystallization process is performed by irradiating a laser beam while continuously moving the mask by a predetermined distance in the X-axis direction of the substrate, and this process is repeatedly performed in the Y-axis direction of the substrate to crystallize amorphous silicon into polycrystalline silicon on the entire surface. .

하지만 마스크를 이동할 때 슬릿의 가장자리는 이미 조사된 부분과 일부 중첩시켜 레이저를 조사하는데, 일부 중첩되어 레이저가 조사되는 부분에서는 결정의 성장 방향이 대부분의 다른 부분과 달리 경계면에 대해서 수직하지 못하고 기울어진 형태로 불균일하게 성장한다.When moving the mask, however, the edge of the slit overlaps the previously irradiated portion to irradiate the laser, where the overlapping portion of the slit irradiates the laser, unlike most other regions, where the direction of crystal growth is not perpendicular to the interface and is tilted. It grows unevenly in form.

이처럼 결정이 불균일하게 성장한 부분에 박막 트랜지스터의 채널부가 위치하는 경우에는 박막 트랜지스터의 특성이 저하되며, 이로 인하여 표시 장치의 화질이 고르지 못하게 되며 유기 발광 표시 장치의 경우에는 더욱 그러하다. 유기 발광 표시 장치는 흐르는 전류에 의해 빛을 내는 유기 물질을 이용한 표시 장치로 다결정의 균일성에 따라 전류의 흐름이 민감하게 반응하기 때문이다.When the channel portion of the thin film transistor is located at a portion where the crystal grows unevenly, the characteristics of the thin film transistor are deteriorated, and thus, the image quality of the display device is uneven, and so is the case in the organic light emitting display device. The organic light emitting diode display is a display device using an organic material that emits light due to a flowing current, and the flow of the current is sensitively reacted according to the uniformity of the polycrystal.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서 균일한 결정을 가지는 다결정 규소층 및 이를 형성할 수 있는 다결정용 마스크를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above problems and to provide a polycrystalline silicon layer having a uniform crystal and a polycrystalline mask capable of forming the same.

또한, 본 발명의 다른 기술적 과제는 균일한 결정을 가지는 다결정 규소층을 포함하는 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법을 제공한다.Another object of the present invention is to provide a thin film transistor array panel for a display device including a polycrystalline silicon layer having a uniform crystal and a method of manufacturing the same.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층의 결정립 모양과 결정화 공정시 슬릿의 정렬 모양을 도시한 도면이고,1 is a view showing the grain shape of the polycrystalline silicon layer and the alignment of the slits in the crystallization process according to an embodiment of the present invention,

도 2a 내지 2c는 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 따른 다결정용 마스크를 도시한 도면이고,2A to 2C are views illustrating masks for polycrystals according to first to third embodiments of the present invention.

도 3a는 종래 기술에 따른 다결정 규소층의 결정립을 찍은 SEM 사진이고,Figure 3a is a SEM photograph of the crystal grains of the polycrystalline silicon layer according to the prior art,

도3b는 본 발명의 실시예에 따른 다결정규소층의 결정립을 찍은 SEM사진이고,Figure 3b is a SEM photograph of the grains of the polysilicon layer in accordance with an embodiment of the present invention,

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 실시예에 따른 마스크를 이용하여 다결정 규소층을 결정화하는 공정을 순서에 따라 도시한 도면이고,4A to 4G are diagrams sequentially illustrating a process of crystallizing a polycrystalline silicon layer using a mask according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,5 is a layout view of a thin film transistor array panel for an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 도 5의 VI-VI'선을 따라 자른 단면도이고,6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI 'of FIG. 5,

도 7은 도 5의 VII-VII'선을 따라 자른 단면도이고,FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII ′ of FIG. 5;

도 8a, 도 9a, 도 10a, 도 11a 및 도 12a는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 제조하는 각 단계에서의 표시판의 배치도이고,8A, 9A, 10A, 11A, and 12A are layout views of display panels at each stage of manufacturing a thin film transistor array panel for an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 8b 및 도 8c는 각각 도 8a의 VIIIb-VIIIb' 선 및 VIIIc-VIIIc'선을 따라 자른 단면도이고,8B and 8C are cross-sectional views taken along lines VIIIb-VIIIb 'and VIIIc-VIIIc' of FIG. 8A, respectively.

도 9b 및 도 9c는 각각 도 9a의 IXb-IXb'선 및 IXb-IXb'선을 따라 자른 단면도이고,9B and 9C are cross-sectional views taken along the lines IXb-IXb 'and IXb-IXb' of FIG. 9A, respectively.

도10b 및 도10c는 각각 도10a의 Xb-Xb'및Xc-Xc'선을 따라 자른 단면도이고,10B and 10C are cross-sectional views taken along the lines Xb-Xb 'and Xc-Xc' of FIG. 10A, respectively.

도11b 및 도11c는 도11a의 XIb-XIb'및 XIc-XIc'선을 따라 자른 단면도이고,11B and 11C are cross-sectional views taken along lines XIb-XIb ′ and XIc-XIc ′ of FIG. 11A, and

도 12b 및 도 12c는 도 12a의 XIIb-XIIb' 및 XIIc-XIIc'선을 따라 자른 단면도이다.12B and 12C are cross-sectional views taken along lines XIIb-XIIb 'and XIIc-XIIc' of FIG. 12A.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

70 : 유기 발광층 121, 123a, 123b : 게이트선70 organic light emitting layer 121, 123a, 123b: gate line

133 : 유지 전극 150a, 150b : 다결정 규소층133: sustain electrode 150a, 150b: polycrystalline silicon layer

171a, 171b, 173a, 173b, 175a, 175b : 데이터선171a, 171b, 173a, 173b, 175a, 175b: data line

181, 182, 183, 184, 185, 186 : 접촉구181, 182, 183, 184, 185, 186: contact hole

190 : 화소 전극190: pixel electrode

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층은 톱니 모양의 결정립을 가지며, 이를 결정화하는 다결정용 마스크에는 측변이 톱니 모양을 가지는 슬릿 패턴이 형성되어 있다.Polycrystalline silicon layer according to an embodiment of the present invention for achieving the above object has a sawtooth-shaped crystal grains, a slit pattern having a side-side sawtooth shape is formed in the polycrystalline mask to crystallize it.

좀 더 구체적으로 설명하면 상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다결정 규소층은 적어도 일부분은 톱니 모양의 결정립이 부분적으로 일정하게 반복하여 형성되어 있다.In more detail, at least a portion of the polycrystalline silicon layer according to the present invention for achieving the above-mentioned object is formed by repeating the partially constant sawtooth crystal grains.

여기서 다결정 규소층은 Y축에 대해서 기울어진 결정립과 Y축에 대해서 기울어진 결정립이 교번하여 형성되어 있으며, 결정립은 일정한 영역내에 다수 개가 형성되어 있는 것이 바람직하다.Here, the polycrystalline silicon layer is formed by alternating crystal grains inclined with respect to the Y axis and inclined with respect to the Y axis, and a plurality of crystal grains are preferably formed in a predetermined region.

상기한 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 다결정용 마스크는 레이저빔 또는 빛을 투과시키는 투과 영역을 정의하는 슬릿을 가지는 다결정용 마스크에 있어서, 슬릿의 측변은 양쪽 끝부분이 사선 형태로 좁아져 톱니 모양을 가진다.Polycrystalline mask according to the present invention for achieving the above another object is a polycrystalline mask having a slit defining a transmission region for transmitting a laser beam or light, the side edges of the slit is narrowed at both ends in a diagonal form Serrated

여기서 다결정용 마스크에는 둘 이상의 슬릿이 슬릿의 Y축 길이만큼의 간격으로 Y축 방향으로 배열되어 있는 제1 그룹을 가질 수 있다.Here, the polycrystalline mask may have a first group in which two or more slits are arranged in the Y-axis direction at intervals equal to the Y-axis length of the slits.

또한, 다결정용 마스크에는 제1 그룹과 동일한 패턴을 가지고, 슬릿의 Y축 길이의 1/2만큼 어긋나게 배열되어 있는 제2 그룹을 더 포함할 수 있다.In addition, the polycrystalline mask may further include a second group having the same pattern as the first group and arranged to be shifted by 1/2 of the length of the Y axis of the slit.

이때 제1 및 제2 그룹은 3개의 슬릿이 슬릿의 Y축 길이만큼의 간격으로 배열되어 있는 소그룹을 각각 포함하고 있으며, 제1 및 제2 그룹에서 소그룹은 일정한 간격으로 서로 어긋나게 배열되어 있는 것이 바람직하다.In this case, the first and second groups each include a small group in which three slits are arranged at intervals equal to the Y-axis length of the slit, and in the first and second groups, the small groups are arranged to be offset from each other at regular intervals. Do.

상기한 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치용 표시판은 절연 기판, 기판 위에 형성되어 있으며 일정하게 반복되는 톱니 모양의 결정립을 가지는 다결정 규소층, 다결정 규소층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선 위에 형성되어 있는 제1 층간 절연막, 제1 층간 절연막 위에 형성되어 있는 데이터선 및 드레인 전극, 데이터선 위에 형성되어 있는 제2 층간 절연막, 제2 층간 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하고, 다결정 규소층은 결정의 성장 방향에 따라 Y축으로 성장한 결정, Y축에 대해서 소정 각도 기울어진 결정이 교번하여 형성되어 있다.According to another aspect of the present invention, a display panel for a display device includes an insulating substrate, a polycrystalline silicon layer formed on a substrate, and having a constantly repeating sawtooth crystal grain, a gate insulating film formed on the polycrystalline silicon layer, On the gate line formed on the gate insulating film, the first interlayer insulating film formed on the gate line, the data line and drain electrode formed on the first interlayer insulating film, the second interlayer insulating film formed on the data line, and the second interlayer insulating film. The polycrystalline silicon layer including the formed pixel electrode is formed by alternating a crystal grown in the Y axis along a crystal growth direction and a crystal inclined at a predetermined angle with respect to the Y axis.

여기서 화소 전극 위의 소정 영역에 형성되어 있는 유기 발광층, 유기 발광층을 에워싸며 유기 발광층의 영역을 한정하고 있는 격벽, 유기 발광층과 격벽 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함 할 수 있다.The organic light emitting layer may further include an organic emission layer formed in a predetermined region on the pixel electrode, a partition wall surrounding the organic emission layer and defining an area of the organic emission layer, and a common electrode formed on the organic emission layer and the partition wall.

그리고 다결정 규소층은 제1 및 제2 트랜지스터부와 제2 트랜지스터부와 연결되어 있는 유지 전극부를 가지고, 게이트선 및 유지 전극부는 각각 제1 및 제2 트랜지스터부와 중첩하는 제1 및 제2 게이트 전극 및 유지 전극부와 중첩하는 유지 전극을 포함하고, 데이터선은 제1 및 제2 데이터선, 제1 데이터선 및 제1 트랜지스터부의 소스 영역과 연결되어 있는 제1 소스 전극, 제1 트랜지스터부의 드레인 영역 및 제2 게이트 전극과 연결되어 있는 제1 드레인 전극, 제2 데이터선 및 제2 트랜지스터부의 소스 영역과 연결되어 있는 제2 소스 전극, 제2 트랜지스터부의 드레인 영역과 연결되어 있는 제2 드레인 전극을 포함하며, 화소 전극은 제2 드레인 전극과 연결되어 있는 것이 바람직하다.The polysilicon layer has a storage electrode portion connected to the first and second transistor portions and the second transistor portion, and the gate lines and the storage electrode portions overlap the first and second transistor portions, respectively. And a sustain electrode overlapping the sustain electrode portion, wherein the data line includes a first source electrode connected to a source region of the first and second data lines, the first data line, and the first transistor portion, and a drain region of the first transistor portion. And a first drain electrode connected to the second gate electrode, a second data line and a second source electrode connected to the source region of the second transistor portion, and a second drain electrode connected to the drain region of the second transistor portion. The pixel electrode is preferably connected to the second drain electrode.

이때 유기 발광층과 기준 전극 사이에 형성되어 있는 버퍼층을 더 포함하는 것이 바람직하고, 톱니 모양의 결정립과 이웃하는 톱니 모양의 결정립 사이에 Y축 방향으로 성장한 결정립을 더 포함할 수 있다.In this case, it is preferable to further include a buffer layer formed between the organic light emitting layer and the reference electrode, and may further include grains grown in the Y-axis direction between the sawtooth crystal grains and the neighboring sawtooth crystal grains.

상기한 또 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치용 표시판의 제조 방법은 절연 기판 위에 일정하게 반복되는 톱니 모양의 결정립을 가지는 다결정 규소막을 형성하는 단계, 다결정 규소막을 패터닝하여 다결정 규소층을 형성하는 단계, 다결정 규소층의 소정 영역에 도전형 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역을 형성하는 단계, 다결정 규소층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 위에 게이트선을 형성하는 단계, 게이트선 위에 제1 층간 절연막을 형성하는 단계, 제1 층간 절연막 위에 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 가지는 데이터선을형성하는 단계, 데이터선 위에 제2 층간 절연막을 형성하는 단계, 제2 층간 절연막 위에 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a display panel for a display device, the method including: forming a polycrystalline silicon film having a sawtooth-shaped crystal grain repeatedly on an insulating substrate, and patterning the polycrystalline silicon film to form a polycrystalline silicon layer. Forming a source region, a drain region, and a channel region that is not doped with impurities by doping conductive regions in a predetermined region of the polycrystalline silicon layer, forming a gate insulating layer on the polysilicon layer, and a gate on the gate insulating layer Forming a line, forming a first interlayer insulating film on the gate line, forming a data line having a source electrode and a drain electrode connected to the source region and the drain region, respectively, on the first interlayer insulating film, Forming a second interlayer insulating film, the drain electrode on the second interlayer insulating film And forming a pixel electrode connected.

여기서 화소 전극 위에 격벽을 형성하는 단계, 격벽에 의하여 구획된 화소 전극 위의 소정 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계, 유기 발광층 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.The method may further include forming a partition on the pixel electrode, forming an organic emission layer in a predetermined region on the pixel electrode partitioned by the partition, and forming a common electrode on the organic emission layer.

이때 다결정 규소층을 형성하는 단계는 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계, 비정질 규소층 위에 측변의 양쪽 끝부분이 사선 형태로 좁아져 톱니 모양인 슬릿을 가지는 다결정용 마스크를 정렬하는 단계, 다결정용 마스크를 통해 비정질 규소층을 조사하는 단계, 슬릿의 톱니가 맞물리게 배열되도록 마스크를 이동하는 단계,조사 및 이동하는 단계를 반복하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다. 그리고 공통전극과 접촉하는 보조전극을 형성하는 단계를 더 포함할수 있다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 위에 있다고 할 때, 이는 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 바로 위에 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.In this case, the forming of the polycrystalline silicon layer may include forming an amorphous silicon layer on an insulating substrate, aligning a polycrystalline mask having slits having serrated slits at both ends of the side edges on the amorphous silicon layer. Irradiating the amorphous silicon layer through the mask for mask, it is preferable to include the step of moving the mask so that the teeth of the slit is arranged to engage, the step of repeating the irradiation and moving. The method may further include forming an auxiliary electrode in contact with the common electrode. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, area, plate, etc. is over another part, this includes not only the part directly above the other part but also another part in the middle. In contrast, when a part is just above another part, it means that there is no other part in between.

이제 본 발명의 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

[제1 내지 제3 실시예][First to third embodiments]

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층의 결정립 모양과 제조 공정시 슬릿의 정렬 모양을 도시한 도면이다.1 is a view showing a grain shape of the polycrystalline silicon layer according to an embodiment of the present invention and the alignment shape of the slits in the manufacturing process.

다결정 규소층을 형성하기 위한 슬릿(S)은 도 1에 도시한 바와 같이 슬릿(S)은 한쪽으로 길게 형성한 육각형 형태로, 양쪽 끝부분이 점점 좁아지면서 측변이 톱니 모양을 가지며, 다결정 공정시에는 이웃하는 슬릿(S)과는 끝부분이 엇갈리게 정렬된다. 이때, 결정화 공정시에 사용하는 다결정용 마스크에는 슬릿(S)을 다양한 모양으로 배열할 수 있으며, 이에 대해서는 이후에 도면을 참조하여 구체적으로 설명한다.As shown in FIG. 1, the slit S for forming the polycrystalline silicon layer has a hexagonal shape in which the slit S is elongated to one side, and both ends thereof become narrower, and the sides have a sawtooth shape. The ends are aligned with the neighboring slit (S). In this case, the slit S may be arranged in various shapes in the polycrystalline mask used in the crystallization process, which will be described in detail later with reference to the drawings.

이러한 슬릿을 가지는 마스크를 이용한 측면 고상 결정화 공정을 통하여 결정화된 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층은 결정의 성장 모양에 따른 일정한 결정 패턴을 가진다.The polycrystalline silicon layer according to the embodiment of the present invention crystallized through the side solid crystallization process using a mask having such a slit has a predetermined crystal pattern according to the growth shape of the crystal.

이는 결정화 공정시 고상과 액상의 경계면에서 수직한 방향으로 결정이 성장하는 특성 때문에 나타나는 것으로 다결정 규소층의 결정립은 슬릿(S)의 경계선에 대해서 수직한 방향으로 성장한다. 따라서 다결정 규소층의 결정립 패턴은 Y축으로 형성되어 있는 제1 결정립(C1)과 Y축에 대해서 경사각을 가지도록 형성되어 있는 제2 결정립(C2)이 교번하는 형태로 형성되어 있어, 다결정 규소층의 결정립은 톱니 모양을 가지게 된다. 이때 제1 결정립(C1) 및 제2 결정립(C2)은 일정한 영역 내에 다수개가 형성되어 제1및 제2그룹(P1, P2)이 교번하는 형태로 배열되어 있다.This is due to the property of crystal growth in the direction perpendicular to the interface between the solid phase and the liquid phase during the crystallization process. The grains of the polycrystalline silicon layer grow in a direction perpendicular to the boundary line of the slit (S). Therefore, the crystal grain pattern of the polycrystalline silicon layer is formed in such a manner that the first crystal grains C1 formed on the Y axis and the second crystal grains C2 formed to have an inclination angle with respect to the Y axis alternately. The grains of j are jagged. In this case, a plurality of first grains C1 and second crystal grains C2 are formed in a predetermined region, and the first and second groups C1 and P2 are arranged in an alternating manner.

이러한 결정립 패턴을 가지는 다결정 규소층은 본 발명에 따른 다결정용 마스크를 이용하여 형성할 수 있으며, 다음은 본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크 구조에 대해서 첨부한 도면을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.The polycrystalline silicon layer having such a grain pattern may be formed using a polycrystalline mask according to the present invention. Next, a polycrystalline mask structure according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. do.

도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크를 도시한 도면이다.2A to 2C illustrate a mask for polycrystal according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 다결정용 마스크(MP)에는 일정한 간격으로 배열되어 있으며 레이저빔이 투과되는 다수 개의 슬릿(S)을 포함하는데, 슬릿(S)의 측변은 톱니 모양으로 이루어진다. 다결정용 마스크(MP)의 슬릿(S)은 도 2a 내지 도 2c에서와 같이 다양한 형태로 배열할 수 있다(각각 제1 내지 제3 실시예). 이하에서 도면의 상하 방향을 Y축 방향이라 하고 좌우 방향을 X축 방향이라 한다.The polycrystalline mask MP according to the embodiment of the present invention includes a plurality of slits S arranged at regular intervals and through which a laser beam is transmitted, and the side edges of the slits S have a sawtooth shape. The slits S of the polycrystalline mask MP may be arranged in various forms as shown in FIGS. 2A to 2C (first to third embodiments, respectively). Hereinafter, the up and down direction of the figure is referred to as the Y-axis direction and the left and right directions are referred to as the X-axis direction.

즉, 슬릿(S)은 2a에 도시한 바와 같이 Y축에 대해서 일정한 간격으로 배열할 수 있으며, 처음 조사(照射) 후 마스크를 Y축으로는 슬릿(S)의 Y축 길이의 1/2만큼 이동하고, X축으로는 슬릿(S)의 X축 길이(슬릿의 양쪽 끝부분에 형성되어 있는 톱니부분의 길이를 제외한 길이)만큼 이동하여 조사하는 제1 조사 과정, Y축으로는 슬릿(S)의 Y축 길이만큼 이동하며 X축으로는 이동하지 않고 조사하는 제2 조사 과정, Y축으로는 이동하지 않고 X축으로는 슬릿(S)의 X축 길이만큼 떨어진 위치까지 이동하여 조사하는 제3 조사 과정을 적절히 조합하여 다결정 규소층을 형성할 수 있다.That is, the slits S can be arranged at regular intervals with respect to the Y axis, as shown in 2a. After the initial irradiation, the slit S is half the length of the Y axis of the slit S as the Y axis. The first irradiation step of moving and irradiating by X-axis length of the slit S (the length excluding the length of the teeth formed at both ends of the slit) on the X-axis, and the slit (S) on the Y-axis. 2nd irradiation process which irradiates without moving to the X axis and irradiates by the length of Y-axis of), and which irradiates by moving to the position which is separated by the X-axis length of the slit S on the X axis without moving to the Y axis Three irradiation processes can be combined suitably, and a polycrystalline silicon layer can be formed.

그리고 도 2b에 도시한 바와 같이, Y축에 대해서 일정한 간격으로 배열되어 있는 제1 열, Y축 길이의 1/2만큼 어긋나며 슬릿(S) X축 길이만큼 떨어져 위치하여 Y축에 대해서 일정한 간격으로 배열되어 있는 제2 열을 포함한다. 이러한 배열은 도 2a에 도시한 다결정용 마스크를 이용할 때보다 기판 전체에 대해서 조사하는 시간을 1/2로 줄일 수 있다. 이때는 처음 조사 후, 마스크를 Y축으로는 이동하지 않고 X축으로는 다결정용 마스크의 1/2만큼 이동하여 처음 조사시의 제1 열을 제2 열의위치까지 이동하여 조사하는 제1 조사 과정, Y축으로는 이동하지 않고 X축으로는 슬릿(S)의 Y축 길이의 1/2만큼 이동하여 조사하는 제2 조사 과정을 적절히 조합하여 다결정 규소층을 형성할 수 있다.As shown in FIG. 2B, the first column arranged at a constant interval with respect to the Y axis and the length of the Y axis are shifted by 1/2, and the slit S is spaced apart by the X axis length to have a constant interval with respect to the Y axis. And a second column arranged. Such an arrangement can reduce the time for irradiating the entire substrate by half than when using the polycrystalline mask shown in Fig. 2A. In this case, after the first irradiation, the first irradiation process of irradiating the first column at the time of the first irradiation to the position of the second column by irradiating by moving the mask by 1/2 of the polycrystalline mask on the X axis without moving the Y axis, The polysilicon layer can be formed by combining suitably the 2nd irradiation process which moves by 1/2 of the length of the Y-axis of the slit S, and does not move on a Y-axis, but combines suitably.

또한, 도 2c에 도시한 바와 같이 슬릿을 배열할 수 있으며, 이는 제1 및 제2 그룹(1G, 2G)으로 구분되며, 제1 및 제2 그룹(1G, 2G)은 제1 내지 제3 소그룹(1SG, 2SG, 3SG)으로 이루어진다.In addition, slits may be arranged as shown in FIG. 2C, which is divided into first and second groups 1G and 2G, and the first and second groups 1G and 2G are first to third small groups. (1SG, 2SG, 3SG).

제1 및 제2 그룹(1G, 2G)의 슬릿은 동일한 모양으로 배열되어 있으나 제2 그룹(2G)은 제1 그룹(1G)보다 슬릿(S)의 Y축 길이(W)만큼 어긋나게 위치하고 있다. 그리고 제1 내지 제3 소그룹(1SG~3SG)은 이웃하는 소그룹과 엇갈리게 배열되어 있다. 각각의 소그룹(1SG~3SG)은 레이저빔이 투과되는 3개의 슬릿(S)을 가지며, 슬릿(S)의 X축 길이(L)가 평행하도록 일정한 간격을 두고 배열되어 있다. 이러한 슬릿(S)의 양단은 끝으로 갈수록 점점 좁아진 형태로 톱니 모양을 하고 있는데, 끝부분은 뽀족할 필요는 없다. 도 2c에 도시한 다결정용 마스크를 이용한 다결정 규소층을 형성하는 과정은 도 4a 내지 도 4g를 참조하여 설명한다.The slits of the first and second groups 1G and 2G are arranged in the same shape, but the second group 2G is positioned to be shifted by the Y-axis length W of the slit S than the first group 1G. The first to third small groups 1SG to 3SG are alternately arranged with neighboring small groups. Each of the small groups 1SG to 3SG has three slits S through which the laser beam is transmitted, and is arranged at regular intervals so that the X-axis length L of the slits S is parallel. Both ends of the slit (S) has a sawtooth shape in a narrower form toward the end, the end need not be pointed. A process of forming the polycrystalline silicon layer using the polycrystalline mask shown in FIG. 2C will be described with reference to FIGS. 4A to 4G.

이처럼 여러 형태의 다결정용 마스크(MP)를 이용하여도 최종적으로 형성되는 다결정 규소층은 도1에 도시한 결정 패턴을 가지도록 형성된다.As described above, the polycrystalline silicon layer finally formed using various types of polycrystalline masks MP is formed to have the crystal pattern shown in FIG.

즉, 본 발명에 따른 슬릿을 가지는 다결정용 마스크(MP)를 이용하여 다결정 규소층을 형성하면 슬릿이 톱니 모양의 측변이 경사져 있어, 슬릿(S)의 가장자리에 대응하는 부분에서 측변에 대하여 수직으로 다결정 규소층이 성정하더라도 결정립의 성장 방향이 슬릿(S)의 중앙에 대응하는 부분에서 성장하는 결정립의 성장 방향과 거의 유사하다. 따라서 슬릿(S)의 가장자리에 대응하는 부분에서 성장한 결정이 슬릿(S)의 중앙에 대응하는 부분에서 성장하는 결정에 거의 영향을 주지 않아, 다결정 규소층의 결정은 균일하게 형성된다.That is, when the polysilicon layer is formed by using the polycrystalline mask MP having the slit according to the present invention, the slit has a serrated side of the slits, and is perpendicular to the side at the portion corresponding to the edge of the slit S. Even if the polysilicon layer is established, the growth direction of the grains is almost similar to the growth direction of the grains growing at the portion corresponding to the center of the slit (S). Therefore, the crystal grown at the portion corresponding to the edge of the slit S hardly affects the crystal growing at the portion corresponding to the center of the slit S, so that the crystal of the polycrystalline silicon layer is formed uniformly.

즉, 종래에는 슬릿(S)의 중앙에 대응하는 부분에서 Y축으로 성정한 결정립과 슬릿의 가장자리에서 X축으로 성장한 결정이 충돌하여 결정이 불균일하게 형성되었으나 본 발명의 실시예에서는 이러한 현상이 발생하지 않아 균일한 다결정 규소층을 얻을 수 있다.That is, in the prior art, the crystal grains formed in the Y-axis at the portion corresponding to the center of the slit S and the crystals grown in the X-axis at the edges of the slits collide with each other to form non-uniform crystals, but this phenomenon occurs in the embodiment of the present invention. It is not possible to obtain a uniform polycrystalline silicon layer.

도 3a 및 도 3b는 종래의 직사각형 모양의 슬릿을 가지는 마스크와 본 발명의 실시예와 같이 측변이 톱니 모양을 가지는 마스크를 이용하여 결정화한 다결정 규소층의 결정 구조를 찍은 SEM 사진이다.3A and 3B are SEM images showing the crystal structure of a polysilicon layer crystallized using a mask having a rectangular slit of the prior art and a mask having a sawtooth-shaped side edge as in the embodiment of the present invention.

도 3a에서는 부분적으로 다결정 규소층의 결정립이 불균일하게 형성되어 있음을 볼 수 있으나, 도 3b에서 보는 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 슬릿을 가지는 마스크를 이용하여 다결정 규소층을 결정화 하였을 때에는 다결정 규소층의 결정이 보다 균일하게 형성되어 있음을 알 수 있다. 이렇게 균일한 결정 구조를 가지는 다결정 규소층을 박막 트랜지스터의 반도체층으로 이용함으로써 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있어 균일성을 확보할 수 있으며, 이러한 박막 트랜지스터를 표시 장치의 화소를 구동하는 구동 소자로 이용함으로써 표시 장치의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.In FIG. 3A, it can be seen that the crystal grains of the polycrystalline silicon layer are partially formed unevenly. However, as shown in FIG. 3B, when the polycrystalline silicon layer is crystallized using a mask having a slit according to an embodiment of the present invention, the polycrystalline silicon is crystallized. It can be seen that the crystals of the layer are formed more uniformly. By using the polycrystalline silicon layer having a uniform crystal structure as the semiconductor layer of the thin film transistor, the characteristics of the thin film transistor can be improved to ensure uniformity. The thin film transistor is used as a driving element for driving pixels of the display device. By using it, the display characteristic of a display apparatus can be improved.

다음은, 이러한 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층을 본 발명의 제3 실시예에 따른 다결정용 마스크를 이용하여 형성하는 방법을 첨부한 도면을 참조하여 상세히설명한다.Next, a method of forming the polycrystalline silicon layer according to the embodiment of the present invention using the polycrystalline mask according to the third embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 4a 내지 4g는 본 발명의 제3 실시예에 따른 다결정용 마스크를 이용하여 비정질 규소를 결정화하는 공정을 공정 순서에 따라 도시한 배치도이다.4A to 4G are layout views illustrating a process of crystallizing amorphous silicon using a polycrystalline mask according to a third exemplary embodiment of the present invention according to a process sequence.

도 4a에 도시한 바와 같이, 다결정 규소를 형성하기 위한 기판(도시하지 않음) 위에 비정질 규소막(100)을 형성한다. 이후 비정질 규소막(100)의 소정 영역에 마스크를 정렬한 후 마스크의 슬릿(S)을 통하여 레이저빔을 1차 조사한다.As shown in Fig. 4A, an amorphous silicon film 100 is formed on a substrate (not shown) for forming polycrystalline silicon. Thereafter, after aligning the mask in a predetermined region of the amorphous silicon film 100, the laser beam is first irradiated through the slit S of the mask.

이때 조사된 부분의 비정질 규소는 용융되어 액상이 되고, 용융된 비정질 규소와 조사되지 않은 부분의 고상 비정질 규소의 경계면에서 결정화가 시작된다. 결정은 경계면의 수직한 방향으로 성장한다.At this time, the amorphous silicon of the irradiated portion is melted to become a liquid phase, and crystallization starts at the interface between the molten amorphous silicon and the solid amorphous silicon of the unirradiated portion. Crystals grow in the vertical direction of the interface.

마스크(MP)는 일정한 간격으로 배열되어 있으며 레이저빔이 투과되는 영역을 정의하는 다수 개의 슬릿을 포함한다. 좀더 구체적으로 설명하면 마스크(MP)는 제1 및 제2 그룹(1G, 2G)으로 구분되며, 제1 및 제2 그룹(1G, 2G)은 제1 내지 제3 소그룹(1SG, 2SG, 3SG)으로 이루어진다.The mask MP is arranged at regular intervals and includes a plurality of slits defining the area through which the laser beam is transmitted. In more detail, the mask MP is divided into first and second groups 1G and 2G, and the first and second groups 1G and 2G are first to third small groups 1SG, 2SG, and 3SG. Is done.

제1 및 제2 그룹(1G, 2G)의 슬릿(S)은 동일한 모양으로 배열되어 있으나 제2 그룹(2G)은 제1 그룹(1G)보다 슬릿(S)의 Y축 길이(W)만큼 어긋나게 위치하고 있다. 그리고 제1내지 제3소그룹(1SG~3SG)은 이웃하는 소그룹과 엇갈리게 배열되어 있다.The slits S of the first and second groups 1G and 2G are arranged in the same shape, but the second group 2G is shifted by the Y-axis length W of the slit S than the first group 1G. Is located. The first to third small groups 1SG to 3SG are alternately arranged with neighboring small groups.

각각의 소그룹(1SG~3SG)은 레이저빔이 투과되는 3개의 슬릿(S)을 가지며, 슬릿(S)의 X축 길이(L)가 평행하도록 일정한 간격을 두고 배열되어 있다. 이러한 슬릿(S)은 일방향으로 길게 형성되며 양단은 끝으로 갈수록 점점 좁아진 형태로 톱니 모양을 하고 있는데, 끝 부분은 뽀죡할 필요는 없다.Each of the small groups 1SG to 3SG has three slits S through which the laser beam is transmitted, and is arranged at regular intervals so that the X-axis length L of the slits S is parallel. The slit (S) is formed long in one direction and both ends are sawtooth in a narrower shape toward the end, the end does not need to be pointed.

이어 도 4b에 도시한 바와 같이, 1차 조사 후 마스크(MP)를 상, 하로 소정 거리만큼 이동한 후 2차 조사를 진행한다.Subsequently, as shown in FIG. 4B, after the first irradiation, the mask MP is moved up and down by a predetermined distance, and then the second irradiation is performed.

이동 거리는 X축 방향으로는 제1 그룹(1G)의 폭만큼 이동하여 1차 조사를 진행할 때 제 2 그룹(2G)을 통해 레이저빔을 쏘인 부분(A : 이하 A 영역)과 2차 조사를 진행할 때 제 1그룹(1G)을 통해 레이저빔을 쏘일 부분(B : 이하 B 영역)이 동일한 Y축 상에 위치하도록 한다. 그리고 Y축 방향으로는 슬릿의 짧은 폭(W)만큼 하향 이동하여 한 개의 슬릿에 의해서 조사된 A 영역(A)과 B 영역(B)이 동일한 Y축 상에서 교번하여 배열되도록 형성한다.The moving distance is moved by the width of the first group 1G in the X-axis direction, and when the first irradiation is performed, the portion where the laser beam is shot through the second group 2G (hereafter A: A region) and the second irradiation can be performed. In this case, the portion (B: region B below) to shoot the laser beam is positioned on the same Y axis through the first group 1G. In the Y-axis direction, the A region A and the B region B irradiated downward by the short width W of the slit and irradiated by one slit are alternately arranged on the same Y axis.

이후 도 4c에 도시한 바와 같이 2차 조사와 이동을 다수 회 반복하여 1차 스캔을 완료한다. 이때 조사와 이동을 기판의 일단에서 타단까지 동일한 방향으로 진행하는 것을 1회 스캔한다고 한다.Thereafter, as shown in FIG. 4C, the first scan is completed by repeating the second irradiation and the movement many times. At this time, it is said that the scan and movement of the substrate from one end to the other end of the substrate are scanned once.

그런 다음 도 4d에 도시한 바와 같이, 1차 스캔이 끝난 지점에서 1차 스캔과는 반대 방향으로 2차 스캔을 실시한다. 이러한 스캔 작업은 기판의 좌상부에서 우하부로 내려오는 지그재그 형태로 기판 전체에 진행된다.Then, as shown in FIG. 4D, the secondary scan is performed in the direction opposite to the primary scan at the point where the primary scan is finished. This scanning operation is performed on the entire substrate in a zigzag form that descends from the upper left of the substrate to the lower right of the substrate.

다음으로 도 4e 내지 도 4g에 도시한 바와 같이 우하부에서 좌상부로 올라가는 형태의 지그재그로 기판 전체에 대해서 연속적으로 스캔 작업을 반복한다. 이때는 마스크(MP)의 슬릿(S)은 결정화가 이루어지지 않은 부분의 비정질 규소와 대응하도록 배치하는데, 1차 및 2차 조사와 동일한 폭 및 간격으로 이동하면서 실시하는 것이 바람직하다.Next, as illustrated in FIGS. 4E to 4G, the scan operation is continuously performed on the entire substrate in a zigzag pattern of rising from the lower right portion to the upper left portion. At this time, the slit S of the mask MP is disposed so as to correspond to the amorphous silicon of the portion where crystallization has not been performed, but it is preferable to carry out while moving at the same width and interval as the primary and secondary irradiation.

이러한 본 발명의 실시예에 따른 다결정 규소층 및 이를 위한 다결정용 마스크는다결정 규소층을 포함하는 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법에 동일하게 적용할 수 있으며, 이에 대하여 도면을 참조하여 구체적으로 설명하기로 한다.The thin film transistor array panel for an organic light emitting display device including the polycrystalline silicon layer and the polycrystalline mask polycrystalline silicon layer according to the embodiment of the present invention and a method of manufacturing the same may be applied to the same. It will be described in detail.

[제4 실시예][Example 4]

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 6는 도 의 VI-VI'선에 대한 단면도이고, 도 7는 도 5의 VII-VII'선에 대한 단면도이다.5 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor array panel for an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention, FIG. 6 is a cross-sectional view taken along the line VI-VI ′ of FIG. 5, and FIG. 7 is a VII-VII line of FIG. 5. 'Is a cross section of the line.

도 5 내지 도 7에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 산화 규소 등으로 이루어진 차단층(111)이 형성되어 있고, 차단층(111) 위에 다결정 규소층(153a 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, 157)이 형성되어 있다.5 to 7, a blocking layer 111 made of silicon oxide or the like is formed on the insulating substrate 110, and the polycrystalline silicon layers 153a 154a, 155a, 153b, and 154b are formed on the blocking layer 111. 155b and 157 are formed.

다결정 규소층(153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, 157)은 제1 트랜지스터부(153a, 154a, 155a), 제2 트랜지스터부(153b, 154b, 155b) 및 유지 전극부(157)를 포함한다. 제1 트랜지스터부(153a, 154a, 155a)의 소스 영역(제1 소스 영역, 153a)과 드레인 영역(제1 드레인 영역, 155a)은 n형 불순물로 도핑되어 있고, 제2 트랜지스터부(153b, 154b, 155b)의 소스 영역(제2 소스 영역, 153b)과 드레인 영역(제2 드레인 영역, 155b)은 p형 불순물로 도핑되어 있다. 이 때, 구동 조건에 따라서는 제1 소스 영역(153a) 및 드레인 영역(155a)이 p형 불순물로 도핑되고 제2 소스영역(153b) 및 드레인 영역(155b)이 n형 불순물로 도핑될 수도 있다.The polysilicon layers 153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, and 157 may include the first transistor portions 153a, 154a, 155a, the second transistor portions 153b, 154b, 155b, and the storage electrode portion 157. Include. The source region (first source region 153a) and the drain region (first drain region, 155a) of the first transistor portions 153a, 154a, and 155a are doped with n-type impurities, and the second transistor portions 153b and 154b. The source region (second source region 153b) and the drain region (second drain region 155b) of 155b are doped with p-type impurities. In this case, depending on the driving conditions, the first source region 153a and the drain region 155a may be doped with p-type impurities, and the second source region 153b and the drain region 155b may be doped with n-type impurities. .

이때, 다결정 규소층(153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, 157)은 결정이 일정한 패턴으로 가지도록 형성되어 있으며 일부는 도 1에 도시한 바와 같이 톱니 모양을가진다.At this time, the polycrystalline silicon layers 153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, and 157 are formed so that the crystals have a predetermined pattern, and some have a sawtooth shape as shown in FIG. 1.

다결정 규소층(153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, 157) 위에는 산화 규소 또는 질화 규소로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140) 위에는 알루미늄, 크롬, 몰리브덴 또는 이들의 합금 등의 금속으로 이루어진 게이트선(121)과 제1 및 제2 게이트 전극(123a, 123b) 및 유지 전극(133)이 형성되어 있다.A gate insulating layer 140 made of silicon oxide or silicon nitride is formed on the polycrystalline silicon layers 153a, 154a, 155a, 153b, 154b, 155b, and 157. On the gate insulating layer 140, a gate line 121 made of a metal such as aluminum, chromium, molybdenum, or an alloy thereof, first and second gate electrodes 123a and 123b, and a storage electrode 133 are formed.

제1 게이트 전극(123a)은 게이트선(121)의 가지 모양으로 형성되어 있고 제1 트랜지스터의 채널 영역(제1 채널 영역, 154a)와 중첩하고 있으며, 제2 게이트 전극(123b)은 게이트선(121)과는 분리되어 있고 제2 트랜지스터의 채널 영역(제2 채널 영역, 154b)과 중첩하고 있다. 유지 전극(133)은 제2 게이트 전극(123b)과 연결되어 있고, 다결정 규소층의 유지 전극부(157)와 중첩되어 있다. 게이트선(121)의 한쪽 끝부분은 외부 구동 회로(도시하지 않음)로부터 전달되는 신호를 입력받기 위해서 게이트선(121)의 폭보다 넓게 형성할 수 있다.The first gate electrode 123a is formed in the shape of a branch of the gate line 121, and overlaps the channel region (first channel region 154a) of the first transistor, and the second gate electrode 123b is a gate line ( 121 and overlap with the channel region (second channel region 154b) of the second transistor. The storage electrode 133 is connected to the second gate electrode 123b and overlaps the storage electrode portion 157 of the polysilicon layer. One end of the gate line 121 may be formed wider than the width of the gate line 121 to receive a signal transmitted from an external driving circuit (not shown).

게이트선(121)과 제1 및 제2 게이트 전극(123a, 123b) 및 유지 전극(133)의 위에는 층간 절연막(801)이 형성되어 있고, 층간 절연막(801) 위에는 제1 및 제2 데이터선(171a, 171b), 제1 및 제2 소스 전극(173a, 173b), 제1 및 제2 드레인 전극(175a, 175b)이 형성되어 있다.An interlayer insulating layer 801 is formed on the gate line 121, the first and second gate electrodes 123a and 123b, and the storage electrode 133, and the first and second data lines 171a and 171b, first and second source electrodes 173a and 173b, and first and second drain electrodes 175a and 175b are formed.

제1 소스 전극(173a)은 제1 데이터선(171a)의 분지로서 층간 절연막(801)과 게이트 절연막(140)을 관통하고 있는 접촉구(181)를 통하여 제1 소스 영역(153a)과 연결되어 있고, 제2 소스 전극(173b)은 제2 데이터선(171b)의 분지로서 층간 절연막(801)과 게이트 절연막(140)을 관통하고 있는 접촉구(184)를 통하여 제2 소스 영역(153b)과 연결되어 있다. 제1 드레인 전극(175a)은 층간 절연막(801)과 게이트 절연막(140)을 관통하고 있는 접촉구(182, 183)를 통하여 제1 드레인 영역(155a) 및 제2 게이트 전극(123b)과 접촉하여 이들을 연결하고 있고, 제2 드레인 전극(175b)은 게이트 절연막(140) 및 층간 절연막(801)을 관통하고 있는 접촉구(185)를 통하여 제2 드레인 영역(155b)과 연결되어 있다. 한편, 제2 데이터선(171b)은 유지 전극(133)과 중첩되어 있다.The first source electrode 173a is connected to the first source region 153a as a branch of the first data line 171a through a contact hole 181 penetrating through the interlayer insulating film 801 and the gate insulating film 140. The second source electrode 173b is a branch of the second data line 171b and a second source region 153b through a contact hole 184 penetrating through the interlayer insulating film 801 and the gate insulating film 140. It is connected. The first drain electrode 175a is in contact with the first drain region 155a and the second gate electrode 123b through the contact holes 182 and 183 penetrating the interlayer insulating layer 801 and the gate insulating layer 140. The second drain electrode 175b is connected to the second drain region 155b through a contact hole 185 penetrating through the gate insulating layer 140 and the interlayer insulating layer 801. On the other hand, the second data line 171b overlaps the sustain electrode 133.

그리고 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 위에는 제2 드레인 전극(175)를 노출하는 접촉구(186)를 가지는 층간 절연막(802)이 형성되어 있다.An interlayer insulating film 802 having a contact hole 186 exposing the second drain electrode 175 is formed on the data lines 171a, 171b, 173a, and 173b and the drain electrodes 175a and 175b.

층간 절연막(802) 위에는 접촉구(186)를 통해 제2 드레인 전극(175b)과 연결되어 있는 화소 전극(190)이 형성되어 있다. 화소 전극(190)은 알루미늄 등의 반사성이 우수한 물질로 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 필요에 따라서는 화소 전극(190)을 ITO (Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium zinc Oxide) 등의 투명한 절연 물질로 형성할 수도 있다.The pixel electrode 190 connected to the second drain electrode 175b is formed on the interlayer insulating layer 802 through the contact hole 186. The pixel electrode 190 is preferably formed of a material having excellent reflectivity such as aluminum. However, if necessary, the pixel electrode 190 may be formed of a transparent insulating material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

화소 전극(190) 위에는 유기 절연 물질로 이루어진 격벽(803)이 형성되어 있다. 격벽(803)은 화소 전극(190) 주변을 둘러싸서 유기 발광층(70)이 채워질 영역을 한정하고 있다.A partition wall 803 made of an organic insulating material is formed on the pixel electrode 190. The partition 803 surrounds the pixel electrode 190 to define a region in which the organic emission layer 70 is to be filled.

격벽(803)은 검정색 안료를 포함하는 감광제를 노광 및 현상하여 형성함으로써 차광막의 역할을 하도록 하고, 동시에 형성 공정도 단순화할 수 있다. 격벽(802)에둘러싸인 화소 전극(190) 위의 영역에는 유기 발광층(70)이 형성되어 있다. 유기 발광층(70)은 적색, 녹색, 청색 중 어느 하나의 빛을 내는 유기 물질로 이루어지며, 적색, 녹색 및 청색 유기 발광층(70)이 순서대로 반복적으로 배치되어 있다.The partition wall 803 is formed by exposing and developing a photosensitive agent including a black pigment to serve as a light shielding film, and at the same time, the forming process may be simplified. An organic emission layer 70 is formed in an area on the pixel electrode 190 surrounded by the partition 802. The organic light emitting layer 70 is formed of an organic material emitting one of red, green, and blue light, and the red, green, and blue organic light emitting layers 70 are repeatedly arranged in sequence.

유기 발광층(70)과 격벽(803) 위에는 버퍼층(804)이 형성되어 있다. 버퍼층(804)은 필요에 따라서는 생략될 수 있다.The buffer layer 804 is formed on the organic light emitting layer 70 and the partition 803. The buffer layer 804 may be omitted as necessary.

버퍼층(804) 위에는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있다. 만약 화소 전극(190)이 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어지는 경우에는 공통 전극(270)은 알루미늄 등의 반사성이 좋은 금속으로 형성한다.The common electrode 270 is formed on the buffer layer 804. The common electrode 270 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. If the pixel electrode 190 is made of a transparent conductive material such as ITO or IZO, the common electrode 270 is formed of a metal having good reflectivity such as aluminum.

한편, 도시하지는 않았으나 공통 전극(270)의 전도성을 보완하기 위하여 저항이 낮은 금속으로 보조 전극을 형성할 수도 있다. 보조 전극은 공통 전극(270)과 버퍼층(804) 사이 또는 공통 전극(270) 위에 형성할 수 있으며, 유기 발광층(70)과는 중첩하지 않도록 격벽(803)을 따라 매트릭스 모양으로 형성하는 것이 바람직하다. 여기서, 제2 데이터선(171b)은 정전압 전원에 연결되어 되어 있다.Although not shown, an auxiliary electrode may be formed of a metal having low resistance to compensate for the conductivity of the common electrode 270. The auxiliary electrode may be formed between the common electrode 270 and the buffer layer 804 or on the common electrode 270. The auxiliary electrode may be formed in a matrix shape along the partition wall 803 so as not to overlap the organic light emitting layer 70. . Here, the second data line 171b is connected to a constant voltage power supply.

이러한 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구동에 대하여 간단히 설명한다.The driving of the thin film transistor array panel for the organic light emitting diode display will be briefly described.

게이트선(121)에 온(on : 이하 온 이라함) 펄스가 인가되면 제1 트랜지스터가 온 되어 제1 데이터선(171a)을 통하여 인가되는 화상 신호 전압이 제2 게이트 전극(123b)으로 전달된다. 제2 게이트 전극(123b)에 화상 신호 전압이 인가되면 제2 트랜지스터가 온 되어 제2 데이터선(171b)을 통하여 전달되는 전류가 화소 전극(190)과 유기 발광층(70)을 통하여 공통 전극(270)으로 흐르게 된다. 유기 발광층(70)은 전류가 흐르면 특정 파장대의 빛을 방출한다. 흐르는 전류의 양에 따라 유기 발광층(70)이 방출하는 빛의 양이 달라져 휘도가 변하게 된다. 이 때, 제2 트랜지스터가 전류를 흘릴 수 있는 양은 제1 트랜지스터를 통하여 전달되는 화상 신호 전압의 크기에 의하여 결정된다.When an on pulse is applied to the gate line 121, the first transistor is turned on, and an image signal voltage applied through the first data line 171a is transferred to the second gate electrode 123b. . When the image signal voltage is applied to the second gate electrode 123b, the second transistor is turned on, and a current transmitted through the second data line 171b is transferred to the common electrode 270 through the pixel electrode 190 and the organic emission layer 70. Will flow). The organic light emitting layer 70 emits light in a specific wavelength band when current flows. The amount of light emitted by the organic light emitting layer 70 varies according to the amount of current flowing, thereby changing the brightness. At this time, the amount of current that the second transistor can flow is determined by the magnitude of the image signal voltage transmitted through the first transistor.

이상 설명한 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 방법을 도8a 내지 도12c 및 앞서 설명한 도5 내지 도7를 참조하여 상세히 설명한다.A method of manufacturing the thin film transistor array panel for the organic light emitting diode display described above will be described in detail with reference to FIGS. 8A to 12C and FIGS. 5 to 7.

도 8a, 도 9a, 도 10a, 도 11a 및 도 12a는 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판을 제조하는 각 단계에서의 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 8b 내지 도 12b는 각각 도 8a의 VIIIb-VIIIb'선, 도 9a의 IXb-IXb'선, 도 10a의 Xb-Xb'선, 도 11a의 XIb-XIb'선 및 도 12a의 XIIb-XIIb'선에 대한 단면도이고, 도 8c 내지 도 12c는 각각 도 8a의 VIII-VIII'선, 도 9a의 IXb-IXb'선, 도 10a의 Xc-Xc'선, 도 11a의 XIc-XIc'선 및 도 12a의 XIIc-XIIc'선에 대한 단면도이다.8A, 9A, 10A, 11A, and 12A are layout views of a thin film transistor array panel for an organic light emitting diode display in each step of manufacturing a thin film transistor array panel for an organic light emitting diode display according to an exemplary embodiment of the present invention. 8B to 12B show the VIIIb-VIIIb 'line of FIG. 8A, the IXb-IXb' line of FIG. 9A, the Xb-Xb 'line of FIG. 10A, the XIb-XIb' line of FIG. 11A, and the XIIb-XIIb 'line of FIG. 12A, respectively. 8C to 12C are lines VIII-VIII 'of FIG. 8A, lines IXb-IXb' of FIG. 9A, lines Xc-Xc 'of FIG. 10A, lines XIc-XIc' of FIG. 11A, and FIG. 12A, respectively. It is sectional drawing about the XIIc-XIIc 'line | wire.

먼저, 도 8a 내지 도 8c에 도시한 바와 같이, 절연 기판(110) 위에 산화 규소 등을 증착하여 차단층(111)을 형성하고, 차단층(111) 위에 비정질 규소막을 증착한다. 비정질 규소막의 증착은 LPCVD(low temperature chemical vapor deposition), PECVE(plasma enhanced chemical vapor deposition) 또는 스퍼터링(sputtering)으로 진행할 수 있다. 이어서, 비정질 규소막을 본 발명의 제1 내지 제3 실시예에 다른 다결정용 마스크를 이용한 결정화 방법으로 결정화하여 톱니 모양의 결정립을가지는 다결정 규소막을 형성한다(도3a 내지 도3g 참조).First, as shown in FIGS. 8A to 8C, a silicon oxide or the like is deposited on the insulating substrate 110 to form a blocking layer 111, and an amorphous silicon film is deposited on the blocking layer 111. The deposition of the amorphous silicon film may be performed by low temperature chemical vapor deposition (LPCVD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVE), or sputtering. Next, the amorphous silicon film is crystallized by a crystallization method using a polycrystalline mask according to the first to third embodiments of the present invention to form a polycrystalline silicon film having sawtooth crystal grains (see FIGS. 3A to 3G).

다음, 다결정 규소막을 사진 식각 공정으로 패터닝하여 제1, 2 트랜지스터부 및 유지 전극부(157)을 형성한다.Next, the polycrystalline silicon film is patterned by a photolithography process to form the first and second transistor parts and the sustain electrode part 157.

다음, 도 9a 내지 도 9c에 도시한 바와 같이, 다결정 규소층(150a, 150b, 157) 위에 게이트 절연막(140)을 증착한다. 이어서, 금속을 증착하여 게이트용 금속막(120)을 형성한다. 이후 게이트용 금속막(120) 위에 감광막을 도포한 후 노광 및 현상하여 제1 감광막 패턴(PR1)을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 9A to 9C, the gate insulating layer 140 is deposited on the polycrystalline silicon layers 150a, 150b, and 157. Subsequently, metal is deposited to form a gate metal film 120. Thereafter, a photoresist film is coated on the gate metal film 120, followed by exposure and development to form a first photoresist film pattern PR1.

다음으로 제1 감광막 패턴(PR1)을 마스크로 하여 게이트용 금속막(120)을 식각함으로써 제2 게이트 전극(123b)과 유지 전극(133)을 형성하고, 노출되어 있는 제2 트랜지스터부(150b) 다결정 규소층에 p형 불순물 이온을 주입하여 제2 소스 영역(153b)과 제2 드레인 영역(155b) 및 불순물이 도핑되지 않은 제2 채널 영역(154b)을 형성한다. 이 때, 제1 트랜지스터부(150a) 다결정 규소층은 제1 감광막 패턴(PR1) 및 게이트용 금속막(120)에 덮여 보호된다. 이때 유지 전극부(157)는 후에 형성되는 데이터선(171b)과 중첩하는 부분으로 감광막에 의해 보호되므로 불순물이 도핑되지 않는다.Next, the gate metal film 120 is etched using the first photoresist film pattern PR1 as a mask to form the second gate electrode 123b and the sustain electrode 133, and the exposed second transistor unit 150b. The p-type impurity ions are implanted into the polysilicon layer to form the second source region 153b, the second drain region 155b, and the second channel region 154b which is not doped with impurities. In this case, the polycrystalline silicon layer of the first transistor unit 150a is covered and protected by the first photoresist film pattern PR1 and the gate metal film 120. At this time, since the sustain electrode part 157 overlaps with the data line 171b formed later, the sustain electrode part 157 is protected by the photosensitive film so that impurities are not doped.

다음, 도 10a 내지 도 10c에 도시한 바와 같이, 제1 감광막 패턴(PR1)을 제거하고, 감광막을 새로 도포하고 노광 및 현상하여 제2 감광막 패턴(PR2)을 형성한다. 제2 감광막 패턴(PR2)을 마스크로 하여 게이트용 금속막(120)을 식각함으로써 제1 게이트 전극(123a) 및 게이트선(121)을 형성하고, 노출되어 있는 제1 트랜지스터부(150a) 다결정 규소층에 n형 불순물 이온을 주입하여 제1 소스영역(153a)과 제1 드레인 영역(155a) 및 불순물이 도핑되지 않은 제1 채널 영역(154a)을 형성한다. 이 때, 제2 트랜지스터부(153b, 154b, 155b) 및 유지 전극부(157)는 제2 감광막 패턴(PR2)에 덮여 보호된다.Next, as shown in FIGS. 10A to 10C, the first photoresist pattern PR1 is removed, the photoresist is newly coated, exposed to light, and developed to form a second photoresist pattern PR2. The gate metal film 120 is etched using the second photoresist film pattern PR2 as a mask to form the first gate electrode 123a and the gate line 121, and the first transistor portion 150a of the polycrystalline silicon is exposed. The n-type impurity ions are implanted into the layer to form the first source region 153a, the first drain region 155a, and the first channel region 154a which is not doped with impurities. At this time, the second transistor units 153b, 154b, and 155b and the storage electrode unit 157 are covered and protected by the second photosensitive film pattern PR2.

다음, 도 11a 내지 도 11c에 도시한 바와 같이, 게이트선(121, 123a, 123b, 133) 위에 층간 절연막(801)을 적층하고 사진 식각 공정으로 층간 절연층(801) 및 게이트 절연막(140)을 식각하여 제1 소스 영역(173a), 제1 드레인 영역(175a), 제2 소스 영역(173b) 및 제2 드레인 영역(175b)을 각각 노출시키는 접촉구(181, 182, 184, 185)와 층간 절연층(801)을 식각하여 제2 게이트 전극(123b)의 한쪽 끝부분을 노출시키는 접촉구(183)를 형성한다.Next, as illustrated in FIGS. 11A through 11C, the interlayer insulating layer 801 is stacked on the gate lines 121, 123a, 123b, and 133, and the interlayer insulating layer 801 and the gate insulating layer 140 are formed by a photolithography process. The interlayer and the contact holes 181, 182, 184, and 185 exposing the first source region 173a, the first drain region 175a, the second source region 173b, and the second drain region 175b, respectively, by etching. The insulating layer 801 is etched to form a contact hole 183 exposing one end of the second gate electrode 123b.

다음, 데이터용 금속막을 적층하고 사진 식각 공정으로 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b)을 형성한다.Next, the data metal film is stacked and the data lines 171a, 171b, 173a and 173b and the drain electrodes 175a and 175b are formed by a photolithography process.

도 12a 내지 도 12c에 도시한 바와 같이, 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 위에 층간 절연막(802)을 형성한 후 사진 식각 공정으로 층간 절연막(802)을 식각하여 제2 드레인 전극(175b)를 노출하는 접촉구(186)를 형성한다.12A to 12C, an interlayer insulating film 802 is formed on the data lines 171a, 171b, 173a, and 173b and the drain electrodes 175a and 175b, and then the interlayer insulating film 802 is formed by a photolithography process. By etching, the contact hole 186 exposing the second drain electrode 175b is formed.

이후 층간 절연막(802) 위에 알루미늄 등의 반사성이 우수한 금속을 증착한 후 사진 식각 공정으로 패터닝하여 접촉구(186)를 통해 제2 드레인 전극(175b)과 연결되는 화소 전극(190)을 형성한다.Subsequently, a metal having excellent reflectivity such as aluminum is deposited on the interlayer insulating layer 802 and patterned by a photolithography process to form a pixel electrode 190 connected to the second drain electrode 175b through the contact hole 186.

다음, 도 5 내지 도 7에 도시한 바와 같이, 데이터선(171a, 171b, 173a, 173b) 및 드레인 전극(175a, 175b) 위에 검정색 안료를 포함하는 유기막을 도포하고 노광 및현상하여 격벽(803)을 형성하고, 각 화소 영역에 유기 발광층(70)을 형성한다. 이 때, 유기 발광층(70)은 다층 구조로 이루어지는 것이 보통이다. 유기 발광층(70)은 마스킹(masking) 후 증착하거나, 잉크젯 프린팅 등의 방법을 통하여 형성한다.Next, as illustrated in FIGS. 5 to 7, an organic film including a black pigment is coated on the data lines 171a, 171b, 173a, and 173b and the drain electrodes 175a and 175b, and exposed and developed to partition the barrier rib 803. The organic light emitting layer 70 is formed in each pixel area. At this time, the organic light emitting layer 70 usually has a multilayer structure. The organic light emitting layer 70 is deposited after masking, or formed by inkjet printing or the like.

다음, 유기 발광층(70) 위에 전도성 유기물질을 도포하여 버퍼층(804)을 형성하고, 버퍼층(804) 위에 ITO 또는 IZO를 증착하여 공통 전극(270)을 형성한다.Next, a conductive organic material is coated on the organic emission layer 70 to form a buffer layer 804, and ITO or IZO is deposited on the buffer layer 804 to form a common electrode 270.

이 때, 도시하지는 않았으나 공통 전극(270) 형성 전 또는 후에 알루미늄 등의 저저항 물질로 보조 전극을 형성할 수 있다. 또, 화소 전극(190)을 투명 도전 물질로 형성하는 경우에는 공통 전극(270)을 반사성이 우수한 금속을 사용하여 형성한다.At this time, although not shown, the auxiliary electrode may be formed of a low resistance material such as aluminum before or after the common electrode 270 is formed. In addition, when the pixel electrode 190 is formed of a transparent conductive material, the common electrode 270 is formed using a metal having excellent reflectivity.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할것이다.Although the present invention has been described with reference to one embodiment shown in the accompanying drawings, this is merely exemplary and can be understood by those skilled in the art that various modifications and equivalent other embodiments are possible. There will be. Accordingly, the true scope of protection of the invention should be defined only by the appended claims.

이처럼 본 발명에 따른 마스크 패턴을 이용하여 비정질 규소층을 결정화하면 균일한 다결정 규소층을 얻을 수 있다. 따라서 다결정 규소층을 포함하는 표시판을 형성할 때 다결정 규소층의 전류 특성이 향상되므로 고품질의 표시판을 얻을 수 있다.As such, when the amorphous silicon layer is crystallized using the mask pattern according to the present invention, a uniform polycrystalline silicon layer can be obtained. Therefore, when the display panel including the polycrystalline silicon layer is formed, the current characteristics of the polycrystalline silicon layer are improved, thereby obtaining a high quality display panel.

Claims (15)

적어도 일부분은 톱니 모양의 결정립이 부분적으로 일정하게 반복하여 형성되어 있는 다결정 규소층.At least a portion of the polycrystalline silicon layer in which the sawtooth crystal grains are formed at a constant repeat. 제1항에서,In claim 1, 상기 다결정 규소층은 Y축에 대해서 기울어진 결정립과 Y축에 대해서 기울어진 결정립이 교번하여 형성되어 있으며, 상기 결정립은 일정한 영역내에 다수 개가 형성되어 있는 다결정 규소층.The polycrystalline silicon layer is formed of alternating crystal grains inclined with respect to the Y axis and inclined with respect to the Y axis, and a plurality of crystal grains are formed in a predetermined region. 레이저빔 또는 빛을 투과시키는 투과 영역을 정의하는 슬릿을 가지는 다결정용 마스크에 있어서,In the mask for polycrystal having a slit defining a transmission region for transmitting a laser beam or light, 상기 슬릿의 측변은 양쪽 끝부분이 사선 형태로 좁아져 톱니 모양인 다결정용 마스크.The side surface of the slit is a mask for polycrystalline with both ends narrowed in the form of a diagonal line. 제3항에서,In claim 3, 상기 다결정용 마스크에는 둘 이상의 상기 슬릿이 상기 슬릿의 Y축 길이만큼의 간격으로 상기 Y축 방향으로 배열되어 있는 제1 그룹을 가지는 다결정용 마스크.The polycrystalline mask has a first group of two or more slits arranged in the Y-axis direction at intervals equal to the Y-axis length of the slit. 제4항에서,In claim 4, 상기 다결정용 마스크에는 상기 제1 그룹과 동일한 패턴을 가지고, 상기 슬릿의 Y축 길이의 1/2만큼 어긋나게 배열되어 있는 제2 그룹을 더 포함하는 다결정용 마스크.The polycrystalline mask further includes a second group having the same pattern as the first group and arranged to be shifted by 1/2 of the Y-axis length of the slit. 제5항에서,In claim 5, 상기 제1 및 제2 그룹은 3개의 상기 슬릿이 상기 슬릿의 Y축 길이만큼의 간격으로 배열되어 있는 소그룹을 각각 포함하고 있으며, 상기 제1 및 제2 그룹에서 상기 소그룹은 일정한 간격으로 서로 어긋나게 배열되어 있는 다결정용 마스크.The first and second groups each include a small group in which the three slits are arranged at intervals equal to the Y-axis length of the slit, and the small groups in the first and second groups are alternately arranged at regular intervals. Polycrystalline mask. 절연 기판,Insulation board, 상기 기판 위에 형성되어 있으며 일정하게 반복되는 톱니 모양의 결정립을 가지는 다결정 규소층,A polycrystalline silicon layer formed on the substrate and having serrated crystal grains that repeat regularly; 상기 다결정 규소층 위에 형성되어 있는 게이트 절연막,A gate insulating film formed on the polycrystalline silicon layer, 상기 게이트 절연막 위에 형성되어 있는 게이트선,A gate line formed on the gate insulating film, 상기 게이트선 위에 형성되어 있는 제1 층간 절연막,A first interlayer insulating film formed over the gate line, 상기 제1 층간 절연막 위에 형성되어 있는 데이터선 및 드레인 전극,A data line and a drain electrode formed on the first interlayer insulating film; 상기 데이터선 위에 형성되어 있는 제2 층간 절연막,A second interlayer insulating film formed on the data line, 상기 제2 층간 절연막 위에 형성되어 있는 화소 전극을 포함하고,A pixel electrode formed on the second interlayer insulating film, 상기 다결정 규소층은 결정의 성장 방향에 따라 Y축으로 성장한 결정, 상기 Y축에 대해서 소정 각도 기울어진 결정이 교번하여 형성되어 있는 표시 장치용 표시판.The polysilicon layer is a display panel for a display device wherein crystals grown in the Y-axis in accordance with the crystal growth direction and crystals inclined at a predetermined angle with respect to the Y-axis are alternately formed. 제7항에서,In claim 7, 상기 화소 전극 위의 소정 영역에 형성되어 있는 유기 발광층,An organic light emitting layer formed on a predetermined region on the pixel electrode, 상기 유기 발광층을 에워싸며 상기 유기 발광층의 영역을 한정하고 있는 격벽,A partition wall surrounding the organic light emitting layer and defining an area of the organic light emitting layer, 상기 유기 발광층과 상기 격벽 위에 형성되어 있는 공통 전극을 더 포함하는 표시 장치용 표시판.And a common electrode formed on the organic light emitting layer and the partition wall. 제8항에서,In claim 8, 상기 다결정 규소층은 제1 및 제2 트랜지스터부와 제2 트랜지스터부와 연결되어 있는 유지 전극부를 가지고,The polycrystalline silicon layer has first and second transistor portions and sustain electrode portions connected to the second transistor portions, 상기 게이트선 및 유지 전극부는 각각 상기 제1 및 제2 트랜지스터부와 중첩하는 제1 및 제2 게이트 전극 및 상기 유지 전극부와 중첩하는 유지 전극을 포함하고,The gate line and the storage electrode part include first and second gate electrodes overlapping the first and second transistor parts, and a storage electrode overlapping the storage electrode part, respectively, 상기 데이터선은 제1 및 제2 데이터선, 상기 제1 데이터선 및 상기 제1 트랜지스터부의 소스 영역과 연결되어 있는 제1 소스 전극, 상기 제1 트랜지스터부의 드레인 영역 및 상기 제2 게이트 전극과 연결되어 있는 제1 드레인 전극, 상기 제2 데이터선 및 상기 제2 트랜지스터부의 소스 영역과 연결되어 있는 제2 소스 전극, 상기 제2 트랜지스터부의 드레인 영역과 연결되어 있는 제2 드레인 전극을 포함하며,The data line is connected to first and second data lines, a first source electrode connected to the first data line and a source region of the first transistor unit, a drain region of the first transistor unit, and the second gate electrode. A first drain electrode, a second source electrode connected to the second data line and a source region of the second transistor portion, and a second drain electrode connected to the drain region of the second transistor portion, 상기 화소 전극은 상기 제2 드레인 전극과 연결되어 있는 표시 장치용 표시판.The pixel electrode is connected to the second drain electrode. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에서,The method according to any one of claims 7 to 9, 상기 유기 발광층과 상기 기준 전극 사이에 형성되어 있는 버퍼층을 더 포함하는 표시 장치용 표시판.The display panel of claim 1, further comprising a buffer layer formed between the organic emission layer and the reference electrode. 제7항에서,In claim 7, 상기 톱니 모양의 결정립과 이웃하는 톱니 모양의 결정립 사이에 Y축 방향으로 성장한 결정립을 더 포함하는 표시 장치용 표시판.And a crystal grain grown in the Y-axis direction between the sawtooth crystal grain and the neighboring sawtooth crystal grain. 절연 기판 위에 일정하게 반복되는 톱니 모양의 결정립을 가지는 다결정 규소막을 형성하는 단계,Forming a polycrystalline silicon film having a sawtooth crystal grain repeatedly repeated on the insulating substrate, 상기 다결정 규소막을 패터닝하여 다결정 규소층을 형성하는 단계,Patterning the polycrystalline silicon film to form a polycrystalline silicon layer, 상기 다결정 규소층의 소정 영역에 도전형 불순물을 도핑하여 소스 영역, 드레인 영역 및 불순물이 도핑되지 않은 채널 영역을 형성하는 단계,Doping a predetermined region of the polysilicon layer to form a source region, a drain region, and a channel region which is not doped with impurities, 상기 다결정 규소층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계,Forming a gate insulating film on the polycrystalline silicon layer, 상기 게이트 절연막 위에 게이트선을 형성하는 단계,Forming a gate line on the gate insulating layer; 상기 게이트선 위에 제1 층간 절연막을 형성하는 단계,Forming a first interlayer insulating film on the gate line; 상기 제1 층간 절연막 위에 상기 소스 영역 및 드레인 영역과 각각 연결되는 소스 전극 및 드레인 전극을 가지는 데이터선을 형성하는 단계,Forming a data line having a source electrode and a drain electrode connected to the source region and the drain region, respectively, on the first interlayer insulating layer; 상기 데이터선 위에 제2 층간 절연막을 형성하는 단계,Forming a second interlayer insulating film on the data line; 상기 제2 층간 절연막 위에 상기 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치용 표시판의 제조 방법.And forming a pixel electrode connected to the drain electrode on the second interlayer insulating layer. 제12항에서,In claim 12, 상기 화소 전극 위에 격벽을 형성하는 단계,Forming a partition on the pixel electrode; 상기 격벽에 의하여 구획된 상기 화소 전극 위의 소정 영역에 유기 발광층을 형성하는 단계,Forming an organic emission layer on a predetermined region on the pixel electrode partitioned by the partition wall, 상기 유기 발광층 위에 공통 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치용 표시판의 제조 방법.And forming a common electrode on the organic light emitting layer. 제12항 또는 제13항에서,The method of claim 12 or 13, 상기 다결정 규소층을 형성하는 단계는 상기 절연 기판 위에 비정질 규소층을 형성하는 단계,The forming of the polycrystalline silicon layer may include forming an amorphous silicon layer on the insulating substrate, 상기 비정질 규소층 위에 측변의 양쪽 끝부분이 사선 형태로 좁아져 톱니 모양인 슬릿을 가지는 다결정용 마스크를 정렬하는 단계,Aligning the polycrystalline mask having the sawtooth-shaped slits with both ends of the side edges narrowed diagonally on the amorphous silicon layer, 상기 다결정용 마스크를 통해 상기 비정질 규소층을 조사하는 단계,Irradiating the amorphous silicon layer through the polycrystalline mask; 상기 슬릿의 톱니가 맞물리게 배열되도록 상기 마스크를 이동하는 단계,Moving the mask so that the teeth of the slit are arranged to engage, 상기 조사 및 이동하는 단계를 반복하는 단계를 포함하는 표시 장치용 표시판의 제조 방법.A method of manufacturing a display panel for a display device comprising repeating the irradiation and moving. 제14항에서,The method of claim 14, 상기 공통 전극과 접촉하는 보조 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치용표시판의 제조 방법.And forming an auxiliary electrode in contact with the common electrode.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100558678B1 (en) * 2001-06-01 2006-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 A method of crystallizing for poly-Si
JP4109026B2 (en) * 2001-07-27 2008-06-25 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 Method for manufacturing array substrate and photomask
KR100646160B1 (en) * 2002-12-31 2006-11-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 A mask for sequential lateral solidification and a silicon crystallizing method using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7459353B2 (en) 2005-03-18 2008-12-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of laterally forming single crystalline thin film regions from seed layers

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