KR100495812B1 - Manufacturing method using a thin film transistor and the laser beam for a liquid crystal display device - Google Patents

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KR100495812B1 KR19980001695A KR19980001695A KR100495812B1 KR 100495812 B1 KR100495812 B1 KR 100495812B1 KR 19980001695 A KR19980001695 A KR 19980001695A KR 19980001695 A KR19980001695 A KR 19980001695A KR 100495812 B1 KR100495812 B1 KR 100495812B1
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김현재
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삼성전자주식회사
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저온 다결정 규소를 이용하여 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조함에 있어서, 비정질 규소를 다결정 규소로 만들기 위한 레이저 빔의 직사각형인 단면의 장방향을 제1 방향이라 하고, 레이저 빔의 스캔 방향은 제1 방향에 수직인 제2 방향이라 할 때, 레이저 빔에 조사되는 박막 트랜지스터용 비정질 규소층을 제1 방향을 따라 길게 배치한다. In manufacturing the TFT array panel for a liquid crystal display device using a low temperature polycrystalline silicon, the longitudinal direction of the rectangular cross section of the laser beam for making the amorphous silicon to polycrystalline silicon is referred to as a first direction, the scan direction of the laser beam is first when referred to a second direction perpendicular to the direction, it is arranged to hold an amorphous silicon layer for a thin film transistor is irradiated with a laser beam along a first direction. 비정질 규소층이 제1 방향을 따라 길게 배치됨으로 인해 박막 트랜지스터가 형성될 공간이 부족하게 되는 문제를 해결하기 위하여 박막 트랜지스터를 병렬로 배치할 수도 있다. Due to the amorphous silicon layer is arranged to hold in a first direction to correct the problem of a lack of space to be formed with a thin film transistor can be arranged a thin-film transistor in parallel. 또한, 박막 트랜지스터의 반도체층의 배열을 레이저 빔 스캔 방향에 대하여 톱니 모양으로 꺾어 놓은 모양, 사행천 모양 등으로 형성할 수도 있다. It is also possible to form the shape sewn break serrated, meander-shaped, etc. For the arrangement of the semiconductor layer of the thin film transistor to the laser beam scanning direction. 이렇게 하면, 패스 트랜지스터의 반도체층의 특성을 균일하게 만들 수 있다. In this way, it can even make the characteristics of the semiconductor layer of the pass transistor.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 레이저 빔을 이용한 제조 방법 Manufacturing method using a thin film transistor and the laser beam for a liquid crystal display device

이 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것으로서, 더 자세하게는 데이터 구동 회로의 스위치 어레이(switch array)의 패스 트랜지스터(pass transistor)의 배열에 관한 것이다. This invention relates to the arrangement of the pass transistor (pass transistor) of as a method of manufacturing a thin film transistor liquid crystal display device, more particularly a switch array (switch array) in the data driving circuit.

이제, 종래의 기술에 의한 저온 다결정 규소를 이용한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터에 관하여 설명한다. Now, described will be a thin film transistor liquid crystal display using low temperature polycrystalline silicon according to a prior art.

저온 다결정 규소를 이용한 박막 트랜지스터는 비정질 규소를 이용한 박막 트랜지스터에 비하여 전자 및 정공의 이동도(mobilities)가 높아 우수한 성능을 발휘한다. A thin film transistor using a low temperature poly-silicon is the mobility of electrons and holes (mobilities) exhibited a higher performance as compared to a thin film transistor using amorphous silicon. 따라서, 박막 트랜지스터의 크기를 축소할 수 있어서 액정 표시 장치의 개구율과 화소 밀도를 증대할 수 있고, 구동 회로 등의 주변 회로를 활성 영역과 함께 하나의 기판에 형성할 수 있는 등의 이점이 있다. Therefore, it is possible to reduce the size of the thin film transistor may increase the aperture ratio and the pixel density of the liquid crystal display device, there is an advantage such that can form a peripheral circuit such as a driving circuit on one substrate together with the active region.

이러한 저온 다결정 규소를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법 중 탑 게이트(top gate) 방식을 설명한다. Of the method of manufacturing a thin film transistor using such a low-temperature polycrystalline silicon will be described top gate (top gate) method.

먼저, 기판에 비정질 규소를 증착하고, 레이저를 조사하여 다결정화를 진행하고, 패터닝(patterning)하여 반도체 패턴을 형성한다. First, by depositing an amorphous silicon on a substrate, and a laser beam is conducting a crystallization, patterned (patterning) to form a semiconductor pattern. PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition) 방법으로 수소화 비정질 규소를 증착한 경우에는 레이저를 조사하기 이전에 탈수소 과정을 거친다. When depositing a hydrogenated amorphous silicon by PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) method is subjected to a dehydrogenation process, prior to irradiating the laser. 다음, 게이트 절연막을 형성하고, 게이트 금속을 증착하고 패터닝(patterning)하여 게이트 전극을 형성한 후, n형 박막 트랜지스터인 경우에는 붕소, p형 박막 트랜지스터인 경우에는 인을 다결정 규소층에 주입하여 소스 및 드레인 영역을 형성한다. Next, a gate insulating film, and depositing a gate metal, and injecting a patterned (patterning) and after forming the gate electrode, in the case of when the n-type thin film transistor, boron, p-type thin film transistor to the polysilicon layer source and the drain region is formed. 여기서, 게이트 전극의 재료로 금속 대신 다결정 규소를 사용하기도 한다. Here, a material of the gate electrode is sometimes used instead of the polycrystalline silicon metal.

이러한 저온 다결정 규소를 이용한 박막 트랜지스터 제조 기술에 있어서 핵심 공정이라 할 수 있는 레이저 결정화 과정에서 사용되는 레이저 빔은 장방향 200㎜, 단방향 1㎜ 이내의 긴 단면적을 가지는데, 이런 모양의 레이저 빔은 공간적으로 균일하지 못할뿐더러, 시간적으로도 완전히 안정된 에너지를 내지 못한다. In the thin film transistor manufacturing technology using such a low-temperature polycrystalline silicon laser beam used in the laser crystallization process, which is the key step is the longitudinal 200㎜, I have a long cross-sectional area within a one-way 1㎜, such a shape of the laser beam is spatially not only in not uniform, not even in time to a completely reliable energy. 그런데 레이저 빔이 균일하지 않으면, 형성되는 규소 결정 또한 불균일하게 된다. However, if the laser beam is not uniform, the silicon crystal to be formed is also non-uniform. 따라서, 균일화기(homogenizer)를 통하여 레이저 빔의 균일성을 향상시켜 사용하고 있으나, 여전히 레이저 빔 단면의 가장자리 부분으로 가면 균일성이 떨어지고, 연속하여 조사되는 레이저 빔이 충분히 안정적이지 못하여 다결정 규소의 결정이 균일하지 못하게 된다. Thus, through the uniform weapon (homogenizer), but is used to improve the uniformity of the laser beam, is still poor even go to the edge of the laser beam cross section sex, it mothayeo not the laser beam is irradiated continuously sufficiently stable crystals of the polysilicon this will prevent uniform.

그런데 저온 다결정 규소 박막 트랜지스터를 이용한 액정 표시 장치의 주변 회로로서, 화소를 구동하는 박막 트랜지스터와 함께 형성되고, 데이터 신호를 순차적으로 데이터선에 인가하는 데이터 구동 회로의 스위치 어레이(switch array)의 패스 트랜지스터(pass transistor)는 길이가 100㎛에 이르는 상당히 긴 모양을 가진다. However, the pass transistor of a peripheral circuit of a liquid crystal display device using a low temperature polycrystalline silicon thin film transistor, it is formed with a thin film transistor for driving the pixel, the switch array of the data driving circuit for the data signals applied to data lines in sequence (switch array) (pass transistor) in length and has a significantly longer look up to 100㎛. 이는 패스 트랜지스터가 충분한 동작 전류를 가질 수 있도록 하기 위하여, 반도체층을 길게 형성하고 소스 영역 및 드레인 영역을 반도체층의 장방향을 따라 길게 형성하기 때문이다. This is because the formation, the formation and hold the semiconductor layer, and hold the source region and the drain region along the longitudinal direction of the semiconductor layer in order to ensure that the pass transistors have a sufficient operating current. 그런데 종래에는 패스 트랜지스터의 반도체층을, 도 1에 나타낸 바와 같이, 레이저 빔(1)의 스캔 방향과 패스 트랜지스터의 반도체층(2)의 장방향이 직교하도록 형성한다. However, conventionally, the semiconductor layer of the pass transistor, as shown in Figure 1, to form the longitudinal direction of the laser beam (1) scanning direction and a semiconductor layer (2) of the pass transistor to the perpendicular. 이 때, 레이저 빔(1) 단면의 장방향은 스캔 방향과 수직이다. The longitudinal direction of this time, the laser beam (1) cross-section is perpendicular to the scan direction. 따라서 패스 트랜지스터의 반도체층(2)의 모든 길이가 동시에 레이저 빔(1)을 받게 된다. As a result, all the length of the semiconductor layer 2 of the pass transistors are simultaneously subjected to the laser beam (1). 그런데 레이저 빔(1)은 빔 단면의 양끝으로 갈수록 균일성이 떨어지고, 패스 트랜지스터의 반도체층(2)의 전면을 스캔(scan)하는 동안 레이저 빔(1)이 균일하지 못하며, 특히 조사된 레이저 빔(1)의 에너지가 현저하게 기준에서 벗어나는 순간이 있었던 경우에는 그 순간에 레이저 빔(1)을 받은 부분 전체의 결정이 불균일하게 형성되어 패스 트랜지스터의 동작 전류(on current)가 일정치 않게 되고, 이것은 액정 표시 장치의 화질을 크게 훼손한다. However, the laser beam (1) is a beam dropping toward uniformity in both ends of the section, mothamyeo the laser beam (1) is not uniform during the scan (scan) the whole surface of the semiconductor layer (2) of the pass transistor, in particular an irradiation laser beam If the energy of (1) remarkably been the moment deviation from the reference has been so formed that the moment determine the variation whole of the portion receiving the laser beam (1) on politicians operating current (on current) of the pass transistor day, This significantly compromising the quality of the liquid crystal display device.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 최근에 제안된 것이 도 2에 나타난 바와 같이 패스 트랜지스터의 반도체층(3)을 레이저 빔(1) 스캔 방향과 45°각도를 이루도록 형성하는 것이다. Is a recently proposed in order to solve this problem is to also formed to the laser beam (1) scanning direction and a 45 ° angle, a semiconductor layer 3 of the pass transistor as shown in Fig. 이렇게 하면, 동시에 레이저 빔(1)을 받는 면적이 작아져서 빔(1)의 불균일이나 불안정으로 인하여 결정이 불균일하게 될 위험이 분산되고, 결과적으로 패스 트랜지스터의 동작 전류의 균일성이 향상된다. In this way, at the same time, the area subjected to the laser beam (1) is small so the risk of dispersion to determine the non-uniform due to non-uniformity or fluctuation of the beam (1), resulting in improved uniformity of the operating current of the pass transistor. 그러나 이것도 패스 트랜지스터의 동작 전류의 불균일을 완전히 해소한 것은 아니며, 패스 트랜지스터가 형성될 가로 방향 공간을 확보해야 하는 문제점을 안고 있다. But this is not completely eliminate the unevenness of the operating current of the pass transistor, it suffers the problem of securing a lateral space be a pass transistor formed.

다른 방안으로 레이저 빔의 스캔 방향을 변경하는 것도 생각할 수 있으나, 이것은 레이저 장비를 개조해야 할 뿐더러 스캔을 반복적으로 해야 하는 등의 또 다른 문제점을 발생시켜 패스 트랜지스터의 형태를 변경하는 것에 비해 불리하다. It is conceivable to change the scanning direction of a laser beam in other ways, but this is disadvantageous as compared to generates another problem such as a need to scan repeatedly, nor to modify the laser device changes the shape of the pass transistor.

본 발명의 목적은 박막 트랜지스터의 동작 전류의 균일성을 높여 액정 표시 장치의 화질을 향상시키고, 박막 트랜지스터가 형성될 공간을 확보한 저온 다결정 규소를 이용한 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다. An object of the present invention is to improve the image quality of the liquid crystal display improves the uniformity of the operating current of the thin film transistor and provides a thin film transistor substrate for the liquid crystal display device using a low temperature polycrystalline silicon to free some space to be formed with a thin film transistor.

위와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 비정질 규소를 다결정 규소로 만들기 위한 레이저 빔의 직사각형인 단면의 장방향을 제1 방향이라 하고, 레이저 빔의 스캔 방향은 제1 방향에 수직인 제2 방향이라 할 때, 레이저 빔에 조사되는 박막 트랜지스터용 비정질 규소층을 제1 방향을 따라 길게 배치한다. In the above the present invention to solve such problems as longitudinal direction of the first direction of the rectangular shape of the laser beam for making the amorphous silicon into polycrystalline silicon section, and the scanning direction of the laser beam is referred to as perpendicular to the second direction to the first direction to be disposed and hold the amorphous silicon layer for a thin film transistor is irradiated with a laser beam along a first direction. 비정질 규소층이 제1 방향을 따라 길게 배치됨으로 인해 박막 트랜지스터가 형성될 공간이 부족하게 되는 문제를 해결하기 위하여 박막 트랜지스터를 병렬로 배치할 수도 있다. Due to the amorphous silicon layer is arranged to hold in a first direction to correct the problem of a lack of space to be formed with a thin film transistor can be arranged a thin-film transistor in parallel. 또한, 박막 트랜지스터의 반도체층의 배열을 레이저 빔 스캔 방향에 대하여 톱니 모양으로 꺾어 놓은 모양, 사행천 모양 등으로 형성할 수도 있다. It is also possible to form the shape sewn break serrated, meander-shaped, etc. For the arrangement of the semiconductor layer of the thin film transistor to the laser beam scanning direction.

이제 첨부한 도면을 참고로 하여, 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. Now, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail an embodiment of the present invention.

도 3과 도 4는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 패스 트랜지스터의 배열을 나타내는 배치도이다. Figure 3 and Figure 4 is a layout showing the arrangement of the pass transistor according to the first and second embodiments of the present invention.

먼저, 도 3을 보면 레이저 빔(1)의 긴 단면이 세로로 길게 비쳐지도록 설치되어 좌에서 우로 스캔(scan)을 해 나가도록 되어 있다. First, looking at FIG. 3 is a long section of the laser beam (1) is installed so that sheer vertically long is to get out to the right scanning (scan) from left to right. 화상 신호가 입력되는 비디오 인(video in) 선(31)이 가로로 길게 형성되어 있고, 화상 신호가 출력되는 비디오 아웃(video out) 선(32)이 비디오 인 선(31)에 평행하게 형성되어 있으며, 비디오 인 선(31)과 비디오 아웃 선(32) 사이에는 패스 트랜지스터(20)가 일정한 간격으로 형성되어 있다. The video in which the image signal input (video in) line 31 is formed longer in the horizontal, video-out in which the image signal output (video out) line 32 is formed parallel to a line (31) video and, a video between the line 31 and the video-out line 32, the pass transistors 20 are formed at regular intervals. 패스 트랜지스터(20)는 게이트선(도시되어 있지 않음)의 가지가 위에서 아래로 뻗어 나와 반도체층(24)을 가로로 관통하여 이루어진 게이트 전극(21), 비디오 인 선(31)에 연결되어 있으며 반도체층(24)과 중첩되어 있는 소스 전극(22), 비디오 아웃 선(32)에 연결되어 있으며 게이트 전극(21)에 대하여 소스 전극(22)의 맞은 편에서 반도체층(24)과 중첩되어 있는 드레인 전극(23) 및 비정질 규소층에 레이저 빔을 조사하여 결정화시켜 다결정 규소로 만든 반도체층(24)으로 이루어져 있으며, 반도체층(24)은 가로보다 세로가 길다. Pass transistor 20 is connected to the gate line in line 31 (not shown), the gate electrode 21 shown of a stretched from top to bottom, made to pass through the semiconductor layer 24 to the horizontal, the video and the semiconductor layer 24 and is connected to the source electrode 22, a video out line 32, which overlap and the drain, which is to overlap with the gate electrode 21, semiconductor layer 24 from the other side of the source electrode 22 with respect to the crystallization by irradiating a laser beam on the electrode 23 and the amorphous silicon layer consists of a semiconductor layer 24 made of polycrystalline silicon, the semiconductor layer 24 is longer than the vertical width.

이처럼, 패스 트랜지스터(20)의 반도체층(24)을 레이저 빔(1)의 스캔 방향을 따라 길게 형성하면, 동시에 레이저 빔을 쬐는 면적이 작아져 불균일한 규소 결정이 형성될 위험을 분산시킬 수 있고, 또한 레이저 빔 단면 중앙의 균일한 레이저 빔 부분만을 받게 되어 한층 더 균일한 결정을 형성할 수 있다. As such, the path when the semiconductor layer 24 of the transistor 20 is formed long along the scanning direction of a laser beam (1), at the same time to spread the risk of the silicon which area is small becomes non-uniform crystal formation bask a laser beam, and , it can also receive only the homogeneous part of the laser beam of the laser beam cross-sectional center to form a more uniform crystals. 그러나 가로로 길게 형성된 패스 트랜지스터(20)가 스위치 어레이(switch array)의 가로 방향 공간을 많이 차지하게 되어, 필요한 양만큼의 동작 전류(on current)를 낼 수 있을 정도로 충분히 길게 패스 트랜지스터(20)를 형성하지 못할 수가 있다. But is to take up a lot of lateral space of the pass transistor 20 is formed long horizontally, the switch array (switch array), the pass transistor 20 is sufficiently long enough to be the necessary amount of operating current (on current) It can not be formed. 이러한 문제를 해결하기 위해 패스 트랜지스터(20)를 병렬로 형성한 구조가 도 4에 나타나 있다. The structure forming the pass transistor 20 in parallel to the top shown in Fig.

도 4를 보면, 레이저 빔(1)의 단면이 세로로 길게 비쳐지도록 설치되어 좌에서 우로 스캔을 해 나가도록 되어 있고, 비디오 인 선(310)과 비디오 아웃 선(320)이 서로 평행하게 가로로 길게 형성되어 있다. Figure 4 In, the cross section of the laser beam (1) is installed so that sheer vertically long and are to get out to the right scan from left to right, video in line 310 and a video out line 320 to a landscape that are parallel to each other long is formed. 비디오 인 선(310)과 비디오 아웃 선(320) 사이에는 세로보다 가로 길이가 길게 형성되어 있는 패스 트랜지스터(200)가 두 개씩 상하로 배치되어 병렬로 연결되어 있다. The video of line 310 and a video out line 320 has a pass transistor 200 that is formed to extend vertically between the horizontal length than is arranged in two at the upper and lower are connected in parallel. 게이트선(도시되지 않음)에서 아래로 뻗어 나온 게이트선 가지(211)로부터 두 트랜지스터(200)의 게이트 전극(210)이 서로 평행하게 가로로 연장되어 반도체층(240)을 가로지르고 있으며 비디오 인 선(310)에서 아래로 뻗어 나온 비디오 인 선의 가지(311)로부터 소스 전극(220) 두 개가 서로 평행하게 가로로 연장되어 반도체층(240)과 중첩되도록 형성되어 있으며, 비디오 아웃선(320)에서 위로 뻗어 나온 비디오 아웃 선의 가지(321)로부터 드레인 전극(230) 두 개가 서로 평행하게 가로로 연장되어 게이트 전극(210)에 대하여 소스 전극(220)의 맞은 편에서 반도체층(240)과 중첩되어 있어서 두 패스 트랜지스터(200)를 병렬 연결 상태로 만든다. Gate line Gate electrodes 210 of the two transistors 200 from the laid down in the (not shown) from the gate lines of 211 is parallel to a horizontal one another crosses a semiconductor layer 240, and the video of line two are in parallel with each other (310) under the source electrode 220 from the out video of line branches 311 stretches from extending horizontally is formed so as to overlap with the semiconductor layer 240, up from the video out line 320 in stretched superposed and from the video out of the line of 321 drain electrode 230 opposite the semiconductor layer 240 from the source electrode 220 with respect to the two are parallel and extend horizontally, the gate electrode 210 to each other from two It makes the pass transistor 200 in parallel connection. 소스 전극(220), 드레인 전극(230), 비디오 인 선(310), 비디오 아웃 선(320)은 모두 같은 층에 형성되어 있고, 게이트 전극(210)과 게이트선은 소스 전극(220) 등과는 절연막에 의하여 분리된 다른 층에 형성되어 있다. Source electrode 220, drain electrode 230, a video in line 310, a video out line 320, and both are formed in the same layer, the gate electrode 210 and the gate line includes a source electrode 220, as is It has been formed in different layers separated by a dielectric film. 여기서, 병렬로 연결되는 패스 트랜지스터의 수는 반드시 2개일 필요는 없고, 더 많더라도 무방하다. Here, the number of pass transistors connected in parallel, but may also not necessarily two days, more mandeora.

이렇게 하면, 패스 트랜지스터(200)를 레이저 빔의 스캔 방향을 따라 길게 형성함에 따른 가로 방향 공간의 부족 문제를 해결할 수 있다. In this way, it can solve the problem of the lack of lateral space resulting from the formation of the pass transistor 200 is long along the scanning direction of a laser beam. 다만, 다결정 규소의 전자 및 정공의 이동도(mobility)가 충분히 양호하다면 굳이 패스 트랜지스터(200)를 병렬로 형성하지 않더라도 필요한 동작 전류를 얻을 수 있다. However, it is, if the movement of electrons and holes of the polysilicon is also (mobility) is good enough to get the necessary operating current although not have to form a pass transistor 200 in parallel.

규소 결정의 균일화를 도모하면서 가로 방향 공간의 부족 문제를 해결할 수 있는 다른 수단으로서 패스 트랜지스터를 도 5 내지 도 7에 나타난 모양으로 형성하는 방법이 있다. As another means that, while made uniform in the silicon crystal to solve the shortage of space in the transverse direction there is a method of forming the shape shown in the pass transistor in Figs.

도 5 내지 도 7은 본 발명의 기타 실시예에 따른 레이저 스캔 방향에 대한 패스 트랜지스터의 반도체층의 배열을 나타낸 개략도이다. 5 to 7 is a schematic view showing the arrangement of the semiconductor layer of the pass transistor to the laser scanning direction according to the other embodiment of the present invention.

도 5를 보면, 세로 방향으로 긴 단면을 가지는 레이저 빔이 좌에서 우로 스캔을 해 나갈 때, 패스 트랜지스터의 반도체층은 톱니 모양으로 한 번 꺾여 있고, 도 6에서는 패스 트랜지스터의 반도체층이 톱니 모양으로 두 번 꺾여 있으며, 도 7에서는 패스 트랜지스터의 반도체층이 사행천 모양으로 굴곡을 이루고 있다. Referring to FIG. 5, when exiting the laser beam having the long cross-section in the longitudinal direction to a scan from left to right, the semiconductor layer of the pass transistor and bent once in a serrate shape, in Figure 6 a semiconductor layer of the pass transistor to the jagged are bent double, in Figure 7 forms the semiconductor layer of the pass transistor bent in a meander shape. 여기서 꺾인 횟수나 굴곡진 횟수는 필요에 따라 증감될 수 있으므로 도 5 내지 도 7에 나타난 경우 이외에도 여러 가지 형태가 나올 수 있다. The number of bent or curved number may come in many forms in addition to the case shown in Figs. 5 to 7 can be increased or decreased as needed.

도 5 내지 도 7에서는 패스 트랜지스터의 반도체층의 윤곽만을 나타냈고, 상세한 구조는 도시하지 않았다. In Figs. 5 to 7 showed only the outline of the semiconductor layer of the pass transistor, and the detailed structure is not shown. 그러나 패스 트랜지스터의 기본적인 구조는 도 3에 나타난 패스 트랜지스터의 구조와 동일하다. However, the basic structure of the pass transistor is the same as that of the pass transistors shown in FIG. 즉, 게이트 전극, 소스 및 드레인 전극, 다결정 규소층을 가지며, 소스 전극은 비디오 인 선과 연결되어 있고, 드레인 전극은 비디오 아웃 선과 연결되어 있다. I.e., having a gate electrode, a source and a drain electrode, the polysilicon layer, the source electrode is connected to the video line, a drain electrode is connected to a video out line.

이상에서는 길이가 특히 긴 데이터 구동 회로의 스위치 어레이의 패스 트랜지스터를 주로 하여 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고 저온 다결정 규소를 이용하여 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 경우에 있어서의 모든 길쭉한 모양의 박막 트랜지스터에 적용할 수 있을 것이다. And later, but the length is described in particular by the pass transistors of the switch array of long data driving circuit mainly, the invention The present invention is not limited the case of manufacturing a TFT array panel for a liquid crystal display device using a low temperature polycrystalline silicon all elongated in the It will be applied to the transistor of the shape.

이처럼, 패스 트랜지스터의 반도체층을 레이저 빔의 스캔 방향을 따라 길게 형성하면, 동시에 레이저 빔을 쬐는 면적이 최소로 되어 불균일한 규소 결정이 형성될 위험을 최대로 분산시킬 수 있고, 또한 길쭉한 레이저 빔 단면 중앙의 균일한 레이저 빔 부분만을 받게 되어 한층 더 균일한 결정을 형성할 수 있다. Thus, if the semiconductor layer of the pass transistor formed long along the scanning direction of a laser beam, at the same time it is possible to bask area of ​​dispersing the risk of this is to minimize a non-uniform silicon crystal forming the most of the laser beam, and an elongated laser beam cross-section to receive only a uniform laser beam in the central portion may form a more uniform crystals. 이 때 발생할 수 있는 문제인 가로 방향 공간의 부족 문제는 패스 트랜지스터를 병렬로 형성함으로써 해결된다. The lack of lateral space problem which may occur when is solved by providing a pass transistor in parallel. 또, 패스 트랜지스터의 반도체층을 한 번 꺾인 모양, 두 번 꺾인 모양, 사행천 모양 등으로 형성하는 것을 통해서도 균일한 결정 형성과 함께 가로 방향 공간을 확보할 수 있다. In addition, it is possible to ensure through the lateral space with uniform crystal form to form the semiconductor layer of the pass transistor with one elbow-shaped, double-bent shape, meander-shaped or the like.

도 1은 종래의 기술에 따른 레이저 스캔 방향에 대한 패스 트랜지스터의 반도체층의 배열을 나타낸 개략도이고, 1 is a schematic view showing the arrangement of the semiconductor layer of the pass transistor to the laser scanning direction according to the prior art,

도 2는 도 1의 기술보다 개선된 종래의 기술에 따른 레이저 스캔 방향에 대한 패스 트랜지스터의 반도체층의 배열을 나타낸 개략도이고, 2 is a schematic view showing the arrangement of the semiconductor layer of the pass transistor to the laser scanning direction according to the prior art the improved technique than the first,

도 3과 도 4는 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시예에 따른 레이저 스캔 방향에 대한 패스 트랜지스터의 배열을 나타낸 배치도이고, 3 and 4 is a constellation diagram showing the arrangement of the pass transistor to the laser scanning direction according to the first and second embodiments of the present invention,

도 5 내지 도 7은 본 발명의 기타 실시예에 따른 레이저 스캔 방향에 대한 패스 트랜지스터의 반도체층의 배열을 나타낸 개략도이다. 5 to 7 is a schematic view showing the arrangement of the semiconductor layer of the pass transistor to the laser scanning direction according to the other embodiment of the present invention.

Claims (7)

  1. 비정질 규소를 다결정 규소로 만들기 위한 레이저 빔의 직사각형인 단면의 장방향을 제1 방향이라 하고, 상기 레이저 빔의 스캔 방향은 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향인 경우, 상기 레이저 빔에 조사되는 박막 트랜지스터용 제1 비정질 규소층은 상기 제2 방향으로 길게 배치하고, 상기 레이저 빔을 상기 제2 방향으로 이동시키면서 다결정 규소로 만드는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법. The longitudinal direction of the rectangular cross section of the laser beam for making the amorphous silicon into polycrystalline silicon as a first direction, and when the scan direction of the laser beam in a second direction perpendicular to the first direction, is irradiated to the laser beam a thin film transistor of claim 1, an amorphous silicon layer for a method of manufacturing a TFT array panel for a liquid crystal display device to make, and arranged longitudinally in the second direction while moving the laser beam in the second direction to the polysilicon.
  2. 제1항에서, In claim 1,
    상기 박막 트랜지스터는 데이터 구동 회로의 스위치 어레이의 패스 트랜지스터인 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법. The thin film transistor manufacturing method of a TFT array panel for a liquid crystal display according to the pass transistors of the switch array of the data driving circuit.
  3. 제2항에서, In claim 2,
    상기 레이저 빔에 조사되는 제2 비정질 규소층을 상기 제1 방향을 따라 상기 제1 비정질 규소층과 평행하게, 그리고 상기 제2 방향으로 길게 배치하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법. Method for manufacturing a liquid crystal display thin film transistor substrate for that along the first direction, the second amorphous silicon layer is irradiated in parallel with the first amorphous silicon layer, and disposed longitudinally in the second direction to the laser beam.
  4. 제1항에서, In claim 1,
    상기 제1 비정질 규소층으로 이루어지는 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 제1 방향을 따라 배치하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법. The first source electrode and the drain electrode of the thin film transistor made of amorphous silicon layer manufacturing method of the TFT substrate for a liquid crystal display device arranged in the first direction.
  5. 데이터 구동 회로의 스위치 어레이의 패스 트랜지스터의 반도체층이 굴곡형으로 형성된 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판. TFT array panel for a liquid crystal display according to this semiconductor layer of the pass transistor of the switch array of the data driving circuit formed in a curved shape.
  6. 제5항에서, In claim 5,
    상기 굴곡형은 톱니 모양인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판. A thin film transistor substrate for the liquid crystal display device is curved, characterized in that the indentations.
  7. 제5항에서, In claim 5,
    상기 굴곡형은 사행천 모양인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판. TFT array panel for a liquid crystal display device, characterized in that the serpentine is a meander shape.
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