KR20040094690A - 플라즈마 처리 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (21)
- 가스를 수용하도록 구성된 플라즈마 처리 챔버에 있어서,재공품을 수용하도록 구성되며, 제 1 전극영역을 갖는 제 1 전력공급 전극(powered electrode),상기 제 1 전력공급 전극에 결합하여 동작하고, 상기 제 1 전력공급 전극에 전력을 전달하도록 구성된 발전기,상기 제 1 전력공급 전극과 떨어져서 배치되며, 제 2 전극영역을 갖는 제 2 전극, 및상기 제 1 전력공급 전극의 근방에 있고, 상기 제 1 전력공급 전극을 둘러싼 접지 연장선을 포함하고,상기 제 1 전력공급 전극과 상기 제 2 전극은 상기 가스를 플라즈마로 변환시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 플라즈마를 가두어놓도록 구성된 적어도 하나의 밀폐링(confinement ring)을 추가로 포함하고, 상기 적어도 하나의 밀폐링은 상기 제 1 전력공급 전극을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 접지 연장선은 돌출부를 추가로 포함하는 것을 특징으로하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 3 항에 있어서,상기 접지 연장선은 상기 제 1 전력공급 전극을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 4 항에 있어서,상기 접지 연장선은 상기 플라즈마로부터 전하를 제거하도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 접지 연장선은 상기 제 1 전력공급 전극을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 6 항에 있어서,상기 접지 연장선은 상기 플라즈마로부터 전하를 제거하도록 구성된 것을 특징으로하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 1 항에 있어서,1.0보다 큰 전극 영역비율을 추가로 포함하고, 상기 제 1 전극영역으로 상기 제 2 전극영역을 분할함으로써 상기 영역 비율이 정의되어, 상기 제 2 전극영역이 상기 제 1 전극 영역보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극은 노치를 추가로 포함하고, 상기 노치는 상기 제 2 전극 영역을 증가시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 9 항에 있어서,상기 접지 연장선은 상기 제 1 전력공급 전극을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 10 항에 있어서,상기 접지 연장선은 상기 플라즈마에서 전하를 배출하도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 11 항에 있어서,1.0보다 큰 전극 영역 비율을 추가로 포함하고, 상기 제 1 전극영역으로 상기 제 2 전극 표면 영역을 분할함으로써 상기 영역 비율이 정의되어 상기 제 2 전극 표면 영역이 상기 제 1 전극 영역보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 가스를 수용하도록 구성된 플라즈마 처리 챔버에 있어서,제 1 전극 영역을 가지며, 재공품을 수용하도록 구성된 제 1 전력공급 전극,상기 제 1 전력공급 전극에 결합하여 동작하고, 상기 제 1 전력공급 전극에 전력을 전달하도록 구성된 발전기,상기 제 1 전력공급 전극위에 배치된 제 2 전극,상기 전력공급 전극의 근방에 있고, 상기 제 1 전력공급 전극을 둘러싸며, 유전체에 의해 상기 제 1 전력공급 전극과 분리된 접지 연장선, 및상기 플라즈마를 가두어놓도록 구성되며, 상기 제 1 전력공급 전극을 둘러싸는 적어도 하나의 밀폐링을 포함하고,상기 제 1 전력공급 전극과 상기 제 2 전극은 상기 가스를 플라즈마로 변환시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 13 항에 있어서,상기 접지 연장선은 상기 플라즈마로부터 전하를 배출하도록 구성되는 것을 특징으로하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 14 항에 있어서,1.0보다 큰 전극 영역 비율을 추가로 포함하고, 상기 제 1 전극영역에 대한상기 제 2 전극 표면 영역으로 상기 영역 비율이 정의되어 상기 제 2 전극 표면 영역이 상기 제 1 전극 영역보다 큰 것을 특징으로하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 15 항에 있어서,상기 접지 연장선은 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 제 16 항에 있어서,상기 제 2 전극은 노치를 추가로 포함하고, 상기 노치는 상기 제 2 전극 영역을 증가시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버.
- 플라즈마 처리 챔버에서 밀폐된 플라즈마를 생성하는 방법에 있어서,상기 플라즈마 처리 챔버안에 가스를 수용하는 단계,전원 공급기에 연결되어 동작하는 상기 제 1 전극이 재공품을 수용하도록 하는 단계,상기 제 1 전극과 떨어져서 배치되고, 상기 제 1 전극 영역보다 큰 제 2 전극 영역을 갖는 제 2 전극으로 하여금, 상기 제 1 전극으로부터 RF 전력을 전달 받도록 하는 단계,플라즈마를 생성하기 위해 상기 제 1 전극으로 RF 전력을 전달하는 전원 공급기를 채용하는 단계, 및상기 제 1 전극의 근방의 접지 연장선으로 하여금 상기 플라즈마로부터 복수의 전하를 제거하도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
- 제 18 항에 있어서,적어도 하나의 밀폐링에 의해 정의된 플라즈마 경계에서 상기 복수의 전하를 제거하는 것을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 가스를 수용하는 것은 1500sccm까지의 유량으로 전달되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제 19 항에 있어서,상기 전원 공급장치의 채용이 플라즈마의 체적에 있어 2W/cm3까지로 RF 전력을 전달하는 것을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100926380B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2009-11-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR20170024819A (ko) * | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 최대규 | 인시츄 클리닝이 가능한 플라즈마 클리닝링 |
KR20190101509A (ko) * | 2009-08-31 | 2019-08-30 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6926803B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-08-09 | Lam Research Corporation | Confinement ring support assembly |
US6936135B2 (en) * | 2002-04-17 | 2005-08-30 | Lam Research Corporation | Twist-N-Lock wafer area pressure ring and assembly for reducing particulate contaminant in a plasma processing chamber |
US20040118344A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Lam Research Corporation | System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit |
US7144521B2 (en) * | 2003-08-22 | 2006-12-05 | Lam Research Corporation | High aspect ratio etch using modulation of RF powers of various frequencies |
JP5036143B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2012-09-26 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP4672455B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法、ならびにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US7740737B2 (en) * | 2004-06-21 | 2010-06-22 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US7988816B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-08-02 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
EP2479783B1 (en) * | 2004-06-21 | 2018-12-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US7951262B2 (en) | 2004-06-21 | 2011-05-31 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and method |
US7845309B2 (en) * | 2004-07-13 | 2010-12-07 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
KR20060005560A (ko) * | 2004-07-13 | 2006-01-18 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마를 이용하는 반도체 소자 제조 장비 |
US20060043067A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Lam Research Corporation | Yttria insulator ring for use inside a plasma chamber |
US20060172542A1 (en) * | 2005-01-28 | 2006-08-03 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to confine plasma and to enhance flow conductance |
US7837825B2 (en) * | 2005-06-13 | 2010-11-23 | Lam Research Corporation | Confined plasma with adjustable electrode area ratio |
KR100621778B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2006-09-11 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 처리 장치 |
US7713379B2 (en) * | 2005-06-20 | 2010-05-11 | Lam Research Corporation | Plasma confinement rings including RF absorbing material for reducing polymer deposition |
JP4827081B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
US8012306B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-09-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing reactor with multiple capacitive and inductive power sources |
US7578258B2 (en) * | 2006-03-03 | 2009-08-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for selective pre-coating of a plasma processing chamber |
US20070221332A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US7829468B2 (en) * | 2006-06-07 | 2010-11-09 | Lam Research Corporation | Method and apparatus to detect fault conditions of plasma processing reactor |
KR101346081B1 (ko) * | 2006-06-20 | 2013-12-31 | 참엔지니어링(주) | 플라스마 에칭 챔버 |
US7722778B2 (en) * | 2006-06-28 | 2010-05-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for sensing unconfinement in a plasma processing chamber |
US20080073032A1 (en) * | 2006-08-10 | 2008-03-27 | Akira Koshiishi | Stage for plasma processing apparatus, and plasma processing apparatus |
US8043430B2 (en) * | 2006-12-20 | 2011-10-25 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber |
US8262847B2 (en) | 2006-12-29 | 2012-09-11 | Lam Research Corporation | Plasma-enhanced substrate processing method and apparatus |
US8222156B2 (en) * | 2006-12-29 | 2012-07-17 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing a substrate using plasma |
KR101262904B1 (ko) * | 2007-02-06 | 2013-05-09 | 참엔지니어링(주) | 플라즈마 식각 장치 |
JP5130761B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
US7824519B2 (en) * | 2007-05-18 | 2010-11-02 | Lam Research Corporation | Variable volume plasma processing chamber and associated methods |
JP5567486B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2014-08-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 窒化シリコン−二酸化シリコン高寿命消耗プラズマ処理構成部品 |
JP5264231B2 (ja) | 2008-03-21 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2010018783A1 (ja) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | 日本碍子株式会社 | ガス改質装置 |
US8869741B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for dual confinement and ultra-high pressure in an adjustable gap plasma chamber |
US8540844B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma confinement structures in plasma processing systems |
US8313612B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for reduction of voltage potential spike during dechucking |
CN101989525A (zh) * | 2009-08-05 | 2011-03-23 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 具备可切换偏置频率的等离子体处理腔及可切换匹配网络 |
US8992722B2 (en) * | 2009-09-01 | 2015-03-31 | Lam Research Corporation | Direct drive arrangement to control confinement rings positioning and methods thereof |
US20120083129A1 (en) | 2010-10-05 | 2012-04-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for focusing plasma |
US9478428B2 (en) | 2010-10-05 | 2016-10-25 | Skyworks Solutions, Inc. | Apparatus and methods for shielding a plasma etcher electrode |
DE102010060762B4 (de) * | 2010-11-24 | 2019-05-23 | Meyer Burger (Germany) Gmbh | Plasmabearbeitungsvorrichtung |
WO2014097621A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Asahi Glass Company Limited | Pair of electrodes for dbd plasma process |
US10658222B2 (en) | 2015-01-16 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US11605546B2 (en) | 2015-01-16 | 2023-03-14 | Lam Research Corporation | Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing |
US10957561B2 (en) | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
CN106920724B (zh) * | 2015-12-24 | 2019-05-03 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 改善刻蚀对称性的等离子处理装置及调节方法 |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
KR20180099776A (ko) | 2016-01-26 | 2018-09-05 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 웨이퍼 에지 링 리프팅 솔루션 |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US11011353B2 (en) | 2016-03-29 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Systems and methods for performing edge ring characterization |
US10312121B2 (en) | 2016-03-29 | 2019-06-04 | Lam Research Corporation | Systems and methods for aligning measurement device in substrate processing systems |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US9947517B1 (en) | 2016-12-16 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
US10553404B2 (en) | 2017-02-01 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Adjustable extended electrode for edge uniformity control |
US11075105B2 (en) | 2017-09-21 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | In-situ apparatus for semiconductor process module |
US11043400B2 (en) | 2017-12-21 | 2021-06-22 | Applied Materials, Inc. | Movable and removable process kit |
US10600623B2 (en) | 2018-05-28 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control |
US11935773B2 (en) | 2018-06-14 | 2024-03-19 | Applied Materials, Inc. | Calibration jig and calibration method |
US11289310B2 (en) | 2018-11-21 | 2022-03-29 | Applied Materials, Inc. | Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device |
US11101115B2 (en) | 2019-04-19 | 2021-08-24 | Applied Materials, Inc. | Ring removal from processing chamber |
US12009236B2 (en) | 2019-04-22 | 2024-06-11 | Applied Materials, Inc. | Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0624186B2 (ja) * | 1985-09-27 | 1994-03-30 | 株式会社日立製作所 | ドライエツチング装置 |
JP2646261B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1997-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3210207B2 (ja) * | 1994-04-20 | 2001-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
EP0830052A4 (en) * | 1996-03-28 | 2000-02-02 | Sumitomo Metal Ind | PLASMIC TREATMENT METHOD AND DEVICE |
US5998932A (en) * | 1998-06-26 | 1999-12-07 | Lam Research Corporation | Focus ring arrangement for substantially eliminating unconfined plasma in a plasma processing chamber |
US6178919B1 (en) * | 1998-12-28 | 2001-01-30 | Lam Research Corporation | Perforated plasma confinement ring in plasma reactors |
US6403491B1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window |
-
2002
- 2002-02-14 US US10/077,072 patent/US6744212B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100926380B1 (ko) * | 2006-03-30 | 2009-11-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR20190101509A (ko) * | 2009-08-31 | 2019-08-30 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
KR20190102098A (ko) * | 2009-08-31 | 2019-09-02 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
KR20200117074A (ko) * | 2009-08-31 | 2020-10-13 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
KR20210006009A (ko) * | 2009-08-31 | 2021-01-15 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
KR20210021151A (ko) * | 2009-08-31 | 2021-02-24 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
KR20210034704A (ko) * | 2009-08-31 | 2021-03-30 | 램 리써치 코포레이션 | 무선 주파수 (rf) 접지 복귀 장치들 |
KR20170024819A (ko) * | 2015-08-26 | 2017-03-08 | 최대규 | 인시츄 클리닝이 가능한 플라즈마 클리닝링 |
Also Published As
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---|---|
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