KR20040093458A - 단부 검사 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명의 단부 검사 장치(10)는, 투광부(7)와 수광부(8)와 변위 센서 증폭기(4)와 데이터 처리 장치(5)를 구비하고 있다. 투광부(7)는, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)에 대하여 광을 투광한다. 수광부(8)는, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)에서 반사된 정반사광을 수광한다. 변위 센서 증폭기(4) 및 데이터 처리 장치(5)는, 수광부(8)가 수광한 정반사광의 광량의 분포의 변화에 따라, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 변위량을 연산한다. 이에 의해, 단부 검사 장치의 소형화 및 간략화가 가능하고, 또한 피측정물의 단부의 재질의 변화가 결함으로서 오검출되기 어려운 단부 검사 장치를 얻을 수 있다.

Description

단부 검사 장치{DEVICE FOR EXAMINING END PART}

본 발명은, 단부(端部) 검사 장치에 관한 것으로, 보다 특정적으로는, 피측정물의 단부에 대하여 광을 투광하고, 그 반사광에 의해 피측정물의 단부의 결함을 검출하는 단부 검사 장치에 관한 것이다.

반도체 장치의 제조 공정에서, 반도체 웨이퍼는 매우 많은 반도체 제조 장치에 의한 반송 및 프로세스 처리를 거친다. 이 반도체 제조 장치에 의한 반송 및프로세스 처리에 있어서는, 예를 들면 반송 장치의 기계적 고장에 의해 반도체 웨이퍼의 단부에 흠결이나 손상 등의 결함이 발생하는 경우가 있다. 이들 결함을 갖는 반도체 웨이퍼는, 반송에서 발생하는 기계적 응력이나 프로세스 처리 중의 열 처리에 의해 발생하는 열응력을 받아 깨지기 쉽게 된다. 게다가, 깨어진 반도체 웨이퍼의 파편이 반도체 제조 장치의 내부에 체류함으로써 프로세스 이상을 생기게 하거나, 깨어진 반도체 웨이퍼의 파편이 정상적인 웨이퍼에 이물로서 부착되어, 제조되는 반도체 웨이퍼의 수율의 저하를 발생시키는 경우도 있다.

이러한 문제를 예방하기 위해서, 반도체 웨이퍼의 단부의 검사를 행하는 것이 필요로 되고 있다. 종래의 반도체 웨이퍼의 단부 검사 장치가, 예를 들면 일본 특개평11-351850호 공보에 개시되어 있다.

상기 공보에 개시된 반도체 웨이퍼의 단부 검사 장치는, 웨이퍼를 유지하는 회전대와, 투광부와, 2개의 검출기와, 타원 거울을 주로 구비하고 있다. 타원 거울의 제1 초점에는 웨이퍼의 단부가 배치되고, 이 웨이퍼의 단부에 대하여 가장 가까운 바로 위 및 바로 아래의 위치에, 한쪽의 검출기가 배치되어 있다. 타원 거울의 제2 초점에는 다른 쪽의 검출기가 배치되어 있다.

웨이퍼의 단부에 손상(흠결)이 있는 경우에는, 투광부로부터 투광된 광은 웨이퍼 단부에서 산란된다. 여기서, 웨이퍼의 단부의 손상이 가로 손상인 경우에는, 주로 상하 방향으로 산란 반사광이 발생하고, 이 산란 반사광이 한쪽의 검출기에 의해서 수광된다. 또한, 웨이퍼 단부의 손상이 세로 손상인 경우에는, 주로 가로 방향으로 산란 반사광이 발생하고, 이 산란 반사광이 타원 거울에 의해서 반사되어, 다른 쪽의 검출기에 의해서 수광된다. 한쪽의 검출기 및 다른 쪽의 검출기에 의해 검출된 산란 반사광의 광량은, 전기 회로를 통과시키는 것에 의해 각각 디지털 신호화된다. 이렇게 해서, 발생한 산란 반사광의 광량과 방향에 기초하여 웨이퍼 단부의 손상의 유무 및 형상이 평가된다. 또한, 마찬가지의 반도체 웨이퍼의 단부 검사 장치가, 일본 특개평9-269298호 공보에 개시되어 있다.

그러나, 상기 종래의 반도체 웨이퍼의 단부 검사 장치에서는, 산란 반사광의 광량과 방향에 기초하여 웨이퍼 단부의 결함의 유무가 평가되기 때문에, 산란 반사광을 수광부의 방향으로 반사하기 위한 타원 거울이나, 복수의 수광부와 같은 구성이 필요하다. 이 때문에, 부품 개수가 많아서, 단부 검사 장치가 대형화 및 복잡화한다는 문제가 있었다.

또한, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 반도체 웨이퍼의 단부에는 박막이나 포토레지스트가 형성되어 있는 경우가 있다. 이와 같이 반도체 웨이퍼의 단부의 재질이 변화하면, 산란 반사광의 광량과 방향은 크게 변화한다. 이 때문에, 박막이나 포토레지스트를 결함으로서 오검출하게 된다고 하는 문제가 있었다.

본 발명의 목적은, 단부 검사 장치의 소형화 및 간략화가 가능하고, 또한 피측정물의 단부의 재질의 변화가 결함으로서 오검출되기 어려운 단부 검사 장치를 제공하는 것이다.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 단부 검사 장치의 구성을 도시하는 개략도.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 단부 검사 장치의 주요부 확대도.

도 3은 변위 센서 증폭기에 의해 연산된 상대 거리와 위치와의 관계의 일례를 도시하는 도면.

도 4는 본 발명의 제1 실시예에 있어서의 데이터 처리 장치에서 실시되는 연산 처리 흐름의 일례의 도면.

도 5는 데이터 처리 장치에서 연산된 변위량과 위치와의 관계의 일례를 도시하는 도면.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 있어서의 단부 검사 장치의 구성의 일부를 도시한 개략도.

도 7은 슬릿이 없는 경우에 있어서 변위 센서 증폭기에 의해 연산된 상대 거리와 위치와의 관계의 일례를 도시하는 도면.

도 8은 슬릿이 있는 경우에 있어서 변위 센서 증폭기에 의해 연산된 상대 거리와 위치와의 관계의 일례를 도시하는 도면.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 단부 검사 장치의 구성의 일부를도시한 개략도.

도 10은 반도체 웨이퍼의 단부의 상부에 형성된 결함을 도시한 개략도.

도 11은 본 발명의 제3 실시예에 있어서의 단부 검사 장치의 다른 구성의 일부를 도시한 개략도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 반도체 웨이퍼

1a : 단부

4 : 변위 센서 증폭기

5 : 데이터 처리 장치

7 : 투광부

8 : 수광부

10 : 단부 검사 장치

본 발명의 단부 검사 장치는, 피측정물의 단부에 대하여 광을 투광하는 투광부와, 피측정물에서 반사된 정반사광을 수광하는 수광부와, 연산 장치를 구비하고 있다. 연산 장치는, 수광부가 수광한 정반사광의 광량의 분포의 변화에 따라, 피측정물의 단부의 변위량을 연산하는 것이다.

본 발명에 있어서의 단부 검사 장치에서는, 수광부가 수광한 정반사광의 광량의 분포의 변화로부터 피측정물의 단부의 변위량이 연산되어 있다. 따라서, 수광하기 위한 구성은 1개의 수광부만으로 충분하기 때문에, 타원 거울 등의 구성은 불필요하고, 또한, 복수의 수광부는 불필요하다. 따라서, 단부 검사 장치의 소형화 및 간이화가 가능하다.

또한, 피측정물의 단부의 재질이 변화한 경우에, 정반사광은 산란 반사광에 비하여 수광되는 광량의 분포의 변화가 극히 근소하게 된다. 이 때문에, 피측정물의 단부의 재질의 변화가 결함으로서 오검출되기 어렵게 된다.

또, 본 명세서에 있어 「정반사광」이란, 투광된 광의 입사각과 동일한 반사각으로 일정 방향으로 반사하는 광을 의미하고 있고, 산란 반사광과는 상이한 것을 뜻하고 있다.

본 발명의 상술한 것 외의 목적, 특징, 양상 및 장점들이 도면을 참조한 다음의 상세한 설명으로부터 보다 명확해질 것이다.

<발명의 실시예>

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 이용하여 설명한다.

(제1 실시예)

도 1을 참조하면, 본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)는, 유지·회전테이블(2)과 광학식 변위 센서(3)와 변위 센서 증폭기(4)(연산 장치)와 데이터 처리 장치(5)(연산 장치)를 구비하고 있다. 유지·회전 테이블(2)은, 반도체 웨이퍼(1)(피측정물)의 하측의 주표면에 흡착함으로써 반도체 웨이퍼(1)를 유지하고 있다. 그리고, 유지·회전 테이블(2)이 회전하는 것에 의해 반도체 웨이퍼(1)가 회전한다. 광학식 변위 센서(3)는, 반도체 웨이퍼(1)의 근방에서, 반도체 웨이퍼(1)의 주표면과 수평 방향으로 설치되어 있다. 또한, 광학식 변위 센서(3)는 투광부(7)와 수광부(8)를 갖고 있다. 광학식 변위 센서(3)와 변위 센서 증폭기(4)와는 상호 전기적으로 접속되어 있고, 변위 센서 증폭기(4)와 데이터 처리 장치(5)와는 상호 전기적으로 접속되어 있다. 투광부(7)는 예를 들면 가시광 반도체 레이저나 발광 다이오드 등으로 구성되어 있다. 수광부(8)는 예를 들면 CCD(Charge Coupled Device) 등으로 구성되어 있다.

계속해서, 본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)의 동작에 대하여 설명한다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 반도체 웨이퍼(1)가 회전하고 있는 상태에서, 광학식 변위 센서(3)의 투광부(7)로부터 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)에 광이 투광된다. 투광된 광은 단부(1a)에서 반사되어, 정반사광이 광학식 변위 센서(3)의 수광부(8)에 의해서 수광된다. 수광부(8)는 복수의 수광 소자(11a∼11d)를 갖고 있다.

여기서, 복수의 수광 소자(11a∼11d)에 의해 수광되는 정반사광의 광량(수광부내에서의 광량의 분포)은, 광학식 변위 센서(3)로부터 단부(1a)까지의 거리의 변화, 즉 단부(1a)의 결함의 유무에 의해 변화한다. 구체적으로는, 단부(1a)에 결함이 없는 경우에는, 단부(1a)에서 반사된 광(9a)은 예를 들면 수광 소자(11b)에 의해 주로 수광된다. 이 때문에, 정반사광은, 수광 소자(11b)에 의해 수광되는 광량이 가장 많아지는 광량 분포로 된다. 한편, 단부(1a)에 결함(1b)이 있는 경우에는, 결함(1b)의 바닥부에서 반사된 광(9b)은 예를 들면 수광 소자(11c)에 의해 주로 수광된다. 이 때문에, 정반사광은, 수광 소자(11c)에 의해 수광되는 광량이 가장 많아지는 광량 분포로 변화한다. 또, 수광부(8)에서는 산란 반사광도 수광되지만, 그 광량은 극히 근소하기 때문에, 단부 검사 장치(10)의 정밀도에는 영향을 미치지 않는다.

수광부(8)에 의해 수광된 정반사광의 광량의 분포 데이터는, 변위 센서 증폭기(4)에 전달된다. 변위 센서 증폭기(4)에서는, 이 정반사광의 광량의 분포 데이터에 기초하여, 반도체 웨이퍼(1)의 전체 둘레에 걸친 광학식 변위 센서(3)로부터 단부(1a)까지의 상대 거리가 연산된다.

도 3을 참조하면, 예를 들면 위치 A에서 단부(1a)에 결함이 있는 경우에는, 위치 A에서의 광학식 변위 센서(3)로부터 단부(1a)까지의 상대 거리가 커진다.

도 1을 참조하면, 변위 센서 증폭기(4)에서 연산된 상대 거리의 데이터가 데이터 처리 장치(5)로 전달된다. 데이터 처리 장치(5)에서는, 예를 들면 이하의 연산 처리 흐름이 행해져, 그것에 따라 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 결함이 평가된다.

도 4를 참조하면, 처음에 저역 통과 필터 처리가 행하여진다(단계 S1). 이에 의해, 반도체 웨이퍼(1)의 주위에 기복이 있는 경우에, 데이터 중의 기복 성분이 제거된다. 다음으로, 고역 통과 필터 처리가 행하여진다(단계 S2). 이에 의해, 데이터 중의 노이즈 성분이 제거된다. 다음으로, 미분 처리가 행하여진다(단계 S3). 이에 의해, 데이터 중의 변화 성분의 절대값이 추출되어, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 변위량이 연산된다. 다음으로, 신장 처리가 행하여진다(단계 S4). 구체적으로는, 상기 변화 성분의 값이 제곱 또는 3제곱된다. 이에 의해, 데이터의 변화 성분의 대소가 강조된다. 다음으로, 압축 처리된다(단계 S5). 이에 의해, 변화 성분의 대소가 강조된 데이터가 적당한 스케일 내에 들어가 표시되고, 임계값을 설정하여 결함을 검사하는 경우에 이 임계값과 데이터와 스케일이 정합된다. 다음으로, 결함 추출 처리가 행하여진다(단계 S6). 이에 의해, 임계값을 넘는 변위가 있는 부분이 결함으로서 평가된다.

도 5를 참조하면, 위치 A에서의 변위량이 임계값을 넘어 있다. 이 데이터로부터, 위치 A에 결함이 발생해 있다고 판단된다.

본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)에 있어서는, 수광부(9)가 수광한 정반사광의 광량의 분포의 변화에 따라 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 변위량이 연산되어 있다. 이 정반사광은, 반도체 웨이퍼(1)로 일정 방향으로 반사된 광이다. 이 때문에, 수광하기 위한 구성은, 일정 방향으로 반사된 정반사광을 수광하기 위한 구성인 수광부(8)만으로 충분하다. 따라서, 타원 거울 등의 구성은 불필요하고, 또한, 복수의 수광부는 불필요하다. 따라서, 단부 검사 장치(10)의 소형화 및 간이화가 가능하다. 또, 본 실시예에 있어서는, 도 4에 도시되는 연산 처리 흐름이 소프트웨어로 행해지기 때문에, 저역 통과 필터 처리 등을 행하기 위한 전기 회로의 구성이 불필요하다. 따라서, 단부 검사 장치(10)의 더 한 층의 소형화 및 간이화가 가능하다.

또한, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 재질이 변화한 경우에, 정반사광은 산란 반사광에 비하여 수광되는 광량의 분포의 변화가 극히 근소하게 된다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 재질의 변화가 결함으로서 오검출되기 어렵게 된다.

또, 본 실시예에 있어서는, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 결함을 검사하는 경우에 대해 기술했지만, 본 발명은 이러한 경우에 한정되는 것이 아니라, 모든 물건의 단부 검사 장치로서 적용 가능하다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 정반사광이 수광부의 일부에 입사하는 경우에 대해 기술했지만, 본 발명은 이러한 경우 외에, 예를 들면 정반사광이 수광부보다도 넓은 폭을 갖고 있어, 수광부(8) 전체에 입사하는 경우에도 적용 가능하다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 도 4에 도시하는 데이터 처리가 행하여지는 경우에 대해 기술했지만, 본 발명은 이러한 경우에 한정되는 것이 아니고, 피측정부의 단부의 변위량이 연산 장치에 의해 연산되면 된다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 임계값을 설정하여 결함의 위치를 판단하는 경우에 대해 기술했지만, 본 발명은 이러한 경우에 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 변위량이 큰 쪽으로부터 임의의 개수의 위치가 추출되고, 그 위치가 CCD 카메라 등으로 촬영되고, 그 화상을 기초로 결함이 검사되어, 결함의 위치가 판단되어도 된다.

(제2 실시예)

도 6을 참조하면, 본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)는, 슬릿(반사 부재)(6)을 더 구비하고 있다. 광학식 변위 센서(3)의 투광부(7)로부터 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a) 및 그 주위로 광이 투광되고 있다. 이 중, 단부(1a)의 주위에 대하여 투광된 광(9c)은, 슬릿(6)에 의해 반사되어 수광부(8)에 의해 수광된다. 슬릿(6)은, 예를 들면 투광부(7)로부터 투광되는 광의 전 광량의 10% 정도가 반사되는 슬릿 폭을 갖고 있는 것이 바람직하다. 또한, 슬릿(6)에 있어서 광을 반사하는 부분은, 예를 들면 1∼2 mm 이상의 폭을 갖고 있는 것이 바람직하다.

또, 이것 이외의 구성에 대해서는 도 1∼5에 도시하는 제1 실시예의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일한 부재에 대하여는 동일한 부호를 붙여, 그 설명을 생략한다.

검사되는 반도체 웨이퍼(1)에는 여러가지의 종류의 것이 있고, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 형상도 여러가지이다. 그래서, 다른 종류의 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)가 검사되는 경우에는, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 형상도 변화한다. 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 형상이 변화하면, 산란 반사광의 광량과 방향이 크게 변화하기 때문에, 종래의 단부 검사 장치에서는, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 형상에 맞추어서 장치의 조정이 필요하게 되어 있었다. 이 때문에, 장치 조작의 복잡화, 검사 시간의 증대를 가져오고 있었다.

한편, 본 실시예에서는 반도체 웨이퍼(1)로부터의 정반사광 및 슬릿(6)으로부터의 반사광을 수광하고, 이 중 정반사광의 광량의 분포의 변화로부터 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 변위량이 연산되어 있다.

여기서, 본 실시예에 있어서 슬릿(6)이 없는 경우에는, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 형상이 변화하면, 정반사광의 광량의 분포가 크게 변화함으로써, 수광부(8)에 의해 수광되는 정반사광의 광량이 저하하기 쉽다. 도 7을 참조하면, 수광부(8)에 의해 수광되는 정반사광의 광량이 저하하여, 위치 B에서 수광부(8)의 측정 한계를 넘는 상대 거리로서 연산되어 있다. 이러한 경우에는, 위치 B에 있는 결함을 검출할 수 없다.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)에서는, 수광부(8)에 의해 수광되는 정반사광의 광량의 저하가 슬릿(6)으로부터의 반사광에 의해 보충되고 있다. 이 때문에, 위치 B에서도 수광부(8)의 측정 한계의 범위 내에서 상대 거리가 연산되기 때문에, 위치 B에 있는 결함이 검출 가능하게 된다.

본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)에 있어서는, 반도체 웨이퍼(1)로부터의 정반사광 및 슬릿(6)으로부터의 반사광이 수광부(8)에 의해 수광되고, 정반사광의 광량의 분포의 변화로부터 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 변위량이 연산되어 있다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 형상이 변화하여, 반도체 웨이퍼(1)로부터의 정반사광의 광량이 저하한 경우에도, 슬릿(6)으로부터의 반사광에 의해 광량이 보충된다. 따라서, 수광부(8)에 의해 수광되는 광의 광량의 측정 한계 이하로 광량이 저하하는 것이 방지되어, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 형상에 맞추어서 단부 검사 장치(10)의 조정을 행할 필요가 없어진다. 따라서, 장치 조작이 간략화되어, 검사 시간이 단축된다.

(제3 실시예)

도 9를 참조하면, 본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)는, 3개의 광학식 변위 센서(3a∼3c)를 구비하고 있다. 3개의 광학식 센서(3a∼3c) 각각은, 투광부(7a∼7c)와 수광부(8a∼8c)를 구비하고 있다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 두께 방향으로 상이한 3개의 위치의 변위량이 측정된다.

즉, 광학식 변위 센서(3b)는 반도체 웨이퍼(1)의 주표면과 수평 방향으로 설치되어 있다. 광학식 변위 센서(3b)의 투광부(7b)(투광부)로부터 투광되는 광은, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 중앙부(제1 위치)로 투광되어 있다. 단부(1a)의 중앙부에서 반사된 정반사광은 수광부(8b)(수광부)에 의해 수광된다.

광학식 변위 센서(3a)는 반도체 웨이퍼(1)보다도 상부에 설치되어 있다. 광학식 변위 센서(3a)의 투광부(7a)(다른 투광부)로부터 투광되는 광은, 반도체 웨이퍼(1)의 주표면과 수평인 면에 대하여 약 20도∼40도의 각도로, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 상부(제2 위치)로 투광되어 있다. 단부(1a)의 상부에서 반사된 정반사광은 수광부(8a)에 의해 수광된다.

광학식 변위 센서(3c)는 반도체 웨이퍼(1)보다도 하부에 설치되어 있다. 광학식 변위 센서(3c)의 투광부(7c)로부터 투광되는 광은, 반도체 웨이퍼(1)의 주표면과 수평인 면에 대하여 약 20도∼40도의 각도로, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 하부로 투광되어 있다. 단부(1a)의 하부에서 반사된 정반사광은 수광부(8c)에 의해 수광된다.

또, 이 이외의 구성에 대해서는 도 1∼5에 도시하는 제1 실시예의 구성과 거의 동일하기 때문에, 동일한 부재에 대해서는 동일한 부호를 붙여, 그 설명을 생략한다.

도 10을 참조하면, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)에서는, 중앙부에 결함이 발생하는 경우 외에, 상부에 결함이 발생하는 경우나, 하부에 결함이 발생하는 경우도 있다. 광학식 변위 센서(3b)에서는, 이러한 단부(1a)의 상부 또는 하부에 발생한 결함에 의한 정반사광의 광량의 분포의 변화는 근소하다. 따라서, 광학식 변위 센서(3b)만의 구성으로는, 단부(1a)의 상부 또는 하부에 발생한 결함이 검출되기 어렵다.

그래서, 본 실시예에 있어서의 단부 검사 장치(10)에 따르면, 광학식 변위 센서(3a∼3c)에 의해서, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)의 상부와 중앙부와 하부와의 각각의 영역에서, 정반사광의 광량의 분포의 변화가 측정된다. 이 때문에, 단부(1a)의 중앙부에 존재하는 결함 외에, 단부(1a)의 상부 및 하부에 존재하는 결함도 검사할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(1)의 단부(1a)에서의 보다 넓은 영역에서, 결함이 검출 가능하게 된다.

또, 본 실시예에 있어서는, 반도체 웨이퍼(1)의 원주 방향에서 동일한 위치에서, 또한 두께 방향으로 상호 다른 3개의 위치에 3개의 광학식 변위 센서(3a∼3c)가 설치되는 경우에 대하여 기술한다. 그러나, 본 발명은 이러한 구성 외에, 예를 들면 도 11에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(1)의 원주 방향에서의 다른 3개의 위치에 3개의 광학식 변위 센서(3a∼3c)가 설치되어도 된다. 이 경우에는, 광학식 변위 센서(3a∼3c) 각각의 측정 위치가 다르기 때문에, 결함의 위치를 판단할 때에 광학식 변위 센서(3a∼3c)의 측정 위치의 보정이 필요해진다. 또한, 광학식 변위 센서(3a∼3c)가 상호 간섭하는 것을 방지하기 위해서, 투광부(7a∼7c)의 투광의 타이밍이나 수광부(8a∼8c)의 수광의 타이밍을 제어할 필요가 있다.

또한, 본 실시예에 있어서는, 3개의 광학식 변위 센서(3a∼3c)가 설치되는 경우에 대해 기술했지만, 본 발명은 이러한 구성에 한정되는 것이 아니고, 제2 위치의 변위량을 측정하는 다른 투광부 및 다른 수광부를 구비하고 있으면 된다. 특히 반도체 웨이퍼(1)의 두께가 250㎛ 이하인 경우에는, 도 9에 있어서, 2개의 광학식 변위 센서(3a, 3c)만의 구성이어도 된다.

이상과 같이, 본 발명이 구체적으로 기술되고, 설명되었으나, 그것은 예시에 불과한 것으로서, 본 발명을 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 범위는 오로지 첨부된 청구범위들에 의해서만 한정된다.

본 발명에 따르면, 단부 검사 장치의 소형화 및 간략화가 가능하고, 또한 피측정물의 단부의 재질의 변화가 결함으로서 오검출되기 어려운 단부 검사 장치를 제공할 수 있다.

Claims (3)

1. 단부(端部) 검사 장치에 있어서,

   피측정물의 단부에 대하여 광을 투광하는 투광부와,

   상기 피측정물의 단부에서 반사된 정반사광(正反射光)을 수광하는 수광부와,

   상기 수광부가 수광한 상기 정반사광의 광량의 분포의 변화에 따라, 상기 피측정물의 단부의 변위량을 연산하는 연산 장치

   를 포함하는 단부 검사 장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 투광부는, 상기 피측정부의 단부 및 그 주위에 대하여 광을 투광하고, 또한 상기 피측정부의 단부의 주위로 투광된 광을 상기 수광부로 반사하는 반사 부재를 더 포함하는 단부 검사 장치.
3. 제1항에 있어서,

   상기 투광부 및 상기 수광부는, 상기 피측정물의 단부에서의 제1 위치의 변위량을 측정하는 것이고, 상기 피측정물의 단부의 두께 방향으로 상이한 제2 위치의 변위량을 측정하는 다른 투광부 및 다른 수광부를 더 포함하는 단부 검사 장치.