KR20040085091A

KR20040085091A - 공기통을 갖춘 펄스 교류고전압 코로나방전식 막대형정전기 제거장치

Info

Publication number: KR20040085091A
Application number: KR1020040064064A
Authority: KR
Inventors: 이동훈
Original assignee: (주)선재하이테크
Priority date: 2004-08-13
Filing date: 2004-08-13
Publication date: 2004-10-07
Also published as: JP2008510269A; WO2006016738A1; TW200607405A; US20070285871A1; KR100512137B1; CN101006757A

Abstract

본 발명은 정전기를 제거하기 위한 장치로서, 보다 상세하게는 종래의 코로나 방전식 정전기 제거장치에 있어서 방전전극에 인가되는 전압이 단순한 교류고전압 또는 직류고전압 인것에 비해 본 발명의 장치에서는 구형펄스형태의 신호를 결합한 펄스 교류고전압을 인가하는 한편, 장치 내부에 공기통을 별도로 마련하여 미세한 에어노즐을 통해 일정압력의 공기를 송풍함으로써 이온을 피대전체측으로 이동시킬 수 있는 장치이다.

본 발명의 코로나 방전식 정전기 제거장치의 구성은, 코로나 방전을 발생시키는 방전전극, 전압이 인가된 상기 방전전극으로부터 이온발생을 유도하는 접지전극, 교류펄스 고전압을 발생하여 상기 방전전극에 인가하는 고전압발생부(High voltage unit) 및 상기 교류펄스 고전압의 주파수 및 듀티비를 제어하기 위한 제어기를 포함하되, 고전압의 주파수 범위를 1[Hz]~10[kHz]으로 하고, 듀티비(Duty Ratio)가 40~60[%]의 범위에서 조절되는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 정전기 제거장치는 인가전압의 주파수 및 듀티비의 자유로운 조절을 통해 피대전체와의 거리가 가까운 경우는 물론 멀리 떨어져 있는 경우에도 피대전체의 잔류 정전기를 효율적으로 제거할 수 있다.

Description

공기통을 갖춘 펄스 교류고전압 코로나방전식 막대형 정전기 제거장치 {A bar type corona discharged electrostatic eliminator equipped with air vessel using pulsed AC high voltage power source}

본 발명은 코로나 방전을 이용한 정전기 제거장치로서, 특히 생성이온을 피대전체까지 이동시키는데 있어 별도로 설치한 공기통의 공기를 미세한 에어노즐로 분사하여 이동시키는 방식의 정전기 제거장치이다.

일반적으로 반도체, 액정디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), 유기EL, 다중레이어 세라믹 콘덴서(MLCC; Multi-Layer Ceramic Condenser)등을 제작함에 있어서는 고도의 청정한 작업공간을 요한다. 그런데 특히 이들의 인쇄, 도포 및 세정 공정에서는 정전기가 대전하기 쉬운 고절연물질을 다량으로 취급하는데, 이때 정전기로 인한 먼지등의 이물질 부착 등의 이유로 수율의 저하, 패턴의 파괴, 인쇄불량 등의 문제가 발생한다.

이와 같이 고절연물질의 작업과정 중에 대전체의 정전기를 제거할 필요성이 있는 경우가 많은데, 이러한 정전기를 제거하기 위한 장치로서 코로나방전식 정전기 제거장치가 널리 사용되고 있는 실정이다. 일반적인 코로나방전식 정전기 제거장치는 인가되는 전압방식에 따라 크게 교류고전압을 이용하는 방식과 직류고전압을 이용하는 방식의 2가지로 나눌 수 있다. 교류고전압 코로나방전식 정전기제거장치는 주로 상용 주파수(60Hz) 및 고주파(약 10kHz~18kHz)를 사용하며, 직류고전압 방식은 (± 7kV)정도의 직류고전압을 사용한다.

그런데 교류고전압 방식은 대전체(정전기 제거 대상물체)로부터 근거리(약 50mm ~ 300mm 정도)에서 정전기를 제거하는 데 적합하며 멀리 떨어진 대전체의 정전기를 제거하기에는 부적합하다. 또한 고주파를 이용하는 경우 고속으로 이동하는대전물체(charged body)의 정전기를 제거하는데 효과적이지만, 이 역시 +이온과 -이온의 발생량의 차이로 인해 정전기제거장치로부터 생성되는 +이온의 이온량과 -이온의 이온량간의 불균형(Unbalance) 문제가 발생하고, 이에 따라 잔류정전기를 완벽히 제거할 수 없는 단점이 있다.

반면 직류고전압 방식은 정전기 제거 대상물체로부터 1,000mm 이상의 원거리에 설치하여 정전기를 제거할 수 있어 설치거리가 원거리인 경우에 주로 사용되고 근거리의 설치거리에서는 적합하지 않은 실정이다.

따라서 근거리 및 원거리 모두에 적합하게 사용가능하며, 나아가 +이온과 -이온의 이온량의 불균형 문제를 개선함으로써 피대전체의 잔류 정전기를 더욱 효율적으로 제거할 수 있는 정전기 제거장치의 개발이 시급하다.

상기한 직류고전압 및 교류고전압 코로나 방전식 정전기제거장치의 단점을 개선하기 위해, 본 발명에서는 펄스 교류고전압(Pulse AC High Voltage) 방식을 이용하고, 방전전극에서 생성된 이온을 보다 효율적으로 공기 중에서 분사시키기 위해 정전기제거장치의 내부에 별도의 공기통을 설치하고, 방전전극소켓에 에어노즐을 형성함으로써 생성된 이온을 최대한 멀리 보내어 정전기 제거의 효율을 높일 수 있는 장치를 제공하고자 한다.

도 1은 본 발명의 정전기 제거장치의 전체 구성도이다.

도 2는 에어노즐이 형성된 본 발명의 방전전극소켓의 상세 구성도.

도 3은 펄스 교류고전압을 발생시키는 고전압발생부를 구현하기 위한 회로의 예시도.

도 4는 본 발명의 정전기 제거장치를 제어하기 위한 제어기의 구성을 나타내는 블럭도.

도 5는 본 발명의 제어기의 동작원리를 나타내는 플로우 챠트(Flow chart).

도 6은 종래 교류고전압 방식의 이온발생량을 나타내는 그래프와 본 발명의 펄스방식의 이온발생량을 나타내는 그래프.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 정전기 제거장치는,

코로나 방전을 발생시키는 방전전극(10);

전압이 인가된 방전전극으로부터 이온발생을 유도하는 접지전극(30);

교류펄스 고전압을 발생하여 상기 방전전극(10)에 인가하는 고전압발생부(40)(High voltage unit); 및

상기 교류펄스 고전압의 주파수 및 듀티비를 제어하기 위한 제어기(50)를 포함하되 상기 고전압발생부에서 출력하는 고전압 신호는 주파수의 가변 범위가 1[Hz]~17[kHz]이고, 듀티비(Duty Ratio)가 40~60[%]의 범위에서 조절되는 것을 특징으로 한다.

또한 본 발명의 정전기 제거장치는 상기 방전전극(10)에서 생성된 이온을 대전체측으로 보내기 위해 일정한 압력의 공기를 분사시키는 에어노즐(22)이 형성된 방전전극소켓(20); 및

상기 방전전극소켓과 직접 결합하고 공기주입부(61,62)를 통해 주입된 공기를 상기 에어노즐쪽으로 송급하는 공기통(60)을 더 포함하는 것이 바람직하다.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 정전기 제거장치에 대하여 상술한다.

도 1은 본 발명의 정전기 제거장치의 전체 구성도이다. 도시된 바와 같이 본 발명의 정전기 제거장치는, 방전전극(10), 방전전극소켓(20), 접지전극(30), 고전압발생부(40), 제어기(50), 공기통(60), 보호저항 R을 포함하여 구성된다.

여기서, 방전전극(10)은 코로나 방전을 발생시키는 기능, 즉 +이온과 -이온을 생성시키는 기능을 한다.

방전전극소켓(20)은 방전전극(10)을 외부충격으로부터 보호하는 한편, 공기를 분사시키기 위한 에어노즐(22)이 형성되어 있다. 에어노즐(22)은 방전전극(10)에서 생성한 이온을 정전기 제거의 대상물체인 피대전체측으로 이동시키기 위해 일정압력으로 분사되는 공기의 통로역할을 하는 부분이다.

방전전극소켓(20)에 대한 상세구조가 도 2에 도시되어 있다. 도시된 바와 같이 방전전극소켓(20) 내부의 중앙에는 방전전극(10)이 삽입되어 있고, 방전전극(10)을 중심으로 양측에 방전전극소켓(20)을 관통하는 원기둥형태의 에어노즐(22)이 형성되어 있다.

에어노즐(22)은 필요에 따라 방전전극(10)의 양측 또는 그 주위를 따라 다수개 형성할 수 있으며, 강한 압력의 공기가 분사되도록 그 직경을 가늘게 할 필요가 있는데, 바람직하게는 ø1mm 이하로 하고, 더욱 바람직하게는 약 ø0.3mm 로 한다.

한편 상기 에어노즐(22)을 통해 분사되는 공기는 일정압력의 공기가 유입되는 별도의 공기통(60)을 거쳐서 공급된다. 즉 공기주입부(61,62)는 일정 압력의 공기를 발생시키는 송풍장치(도시하지 않음)에 각각 연결되어 있어서 공기통(60)에 항상 일정압력의 공기가 주입되도록 하며, 따라서 방전전극소켓(20)에 형성된 에어노즐(22)에서 분사되는 공기 역시 일정압력을 유지할 수가 있다.

도 1에 도시된 장치는 공기통의 양측에 형성된 공기주입구(61,62)를 통해 에어가 주입되는 구조로서, 공기주입구는 필요에 따라 공기통(60)의 한측에만 설치하거나 또는 적절한 위치에 둘 이상 다수개를 설치할 수도 있다.

한편, 방전전극(10)에는 저항 R이 연결되어 있는데, 이는 코로나방전을 안정적으로 발생시키는 한편, 전류량을 감소시킴으로써 방전 전극에 인체가 접촉하였을 때 감전에 의한 충격을 최대한 감소시키기 위한 수단으로서 구비된 것이다.

그리고 상기 제어기(50)는 펄스교류의 주파수 및 듀티비를 조절하기 위한 조절부, 데이터 통신(RS-485)을 이용하여 외부의 컴퓨터에서 제어기(50)의 상태를 확인하기 위한 데이터 통신모듈 및 주파수와 듀티비를 원격조정기(Remote controller)로써 조절하기 위한 리모컨 수신 모듈을 포함하여 구성된다.

접지전극(30)은 전압이 인가된 방전전극(10)으로부터 이온생성을 유도하는 역할을 한다.

도 3은 펄스 교류고전압을 발생시키는 고전압발생부(40)를 구현하기 위한 회로의 일실시예이다. 도 3 회로의 작동에 관하여 설명하면 다음과 같다. 본 실시예에서는, 바람직하게 입력 전압을 DC 24[V]로 하고 발진 주파수는 18[KHz]로 한다. 입력된 전압값은 인버터 트랜스포머(T1, T2)에 의해 200[V]까지 승압되고, 승압된 전기신호는 다수의 다이오드와 컨덴서가 교대로 병렬연결된 형태로 구성된 배압회로부(C1~C20, D1~D17)를 거쳐서 직류 ±7,000[V]의 고전압으로 변환된다. 이와 같이 생성된 직류 고전압은 제너다이오드(ZNR 1~2)를 거쳐서 양방향성 구형펄스 교류고전압으로 출력되고, 이 출력신호가 방전전극에 인가되는 것이다.

또한 본 발명에 의한 고전압발생부(40)의 회로는 인버터 트랜스포머의 2차측에서 승압된 전압의 이상 유무를 감지하기 위한 Feedback 회로(R1, R2)를 포함한다. 즉 시스템에 이상이 발생하여 트랜스포머의 2차측에 전류가 흐르지 않는 경우 방전전극에서 방전이 일어나지 않게 되고, 저항을 통하여 전류가 흘러서 전압강하를 피드백 하도록 되어 있다. 또한, 고전압의 누설을 방지하기 위하여 진공의 상태에서 에폭시 수지로 내부를 충진시켰다.

이와 같이 본 발명의 고전압 발생회로는, 입력된 전압을 승압하는 트랜스포머, 상기 트랜스포머에 의해 승압된 전압을 입력받아서 방전전극에 인가되는 고전압을 생성하는 배압회로부, 상기 배압회로부로부터 출력된 고전압을 펄스형태로 변환시키기 위한 펄스변환부를 포함하여 구성된다.

또한 상기한 바와 같이, 상기 트랜스포머의 2차측에 전류가 흐르지 않는 장애가 발생할 경우, 2차측에 연결된 접지된 저항에 전류가 흐름으로써 전압강하를 피드백할 수 있는 피드백 회로부를 더 포함시킬 수 있다.

도 4는 본 발명의 정전기 제거장치를 제어하기 위한 제어기(40)의 구성을 나타내는 블럭도이다. 마이크로프로세서를 이용하여 펄스 교류고전압의 주파수 및 듀티비를 조절할 수 있도록 하고, 조절신호를 고전압발생부(40)(H/V Unit)에 공급하도록 설계하였다. 바람직하게는 고전압발생부(40)에서 출력되는 신호는 주파수의 가변 범위를 1[Hz]~10[kHz]로 조절되도록 하였고, 듀티비(Duty Ratio)는 40~60[%]의 범위에서 조절되도록 하였다. 한편 마이크로 프로세서를 이용한 주파수 및 듀티비의 조절에 관한 기술내용은 일반적인 사항이므로 이에 관한 자세한 설명은 생략한다.

이와 같이 본 발명의 정전기 제거장치는 방전전극에 인가되는 전압신호의 주파수를 변환할 수 있는데, 대전물체가 원거리에 위치한 경우에는 주파수를 낮춘 전압신호를 인가하고, 대전물체가 비교적 가까이 위치한 경우에는 고주파의 전압신호를 인가할 수 있다.

이는 낮은 주파수에서는 방전전극에서 생성되는 +, - 이온의 각 밴드폭이 커지고 이에 따라 각 이온무리의 내부에서 반발력에 의해 서로 멀어지는 시간이 길어지게 되므로 이온을 멀리 보낼 수 있는 것이며, 반대로 높은 주파수에서는 이온의 밴드폭이 상대적으로 좁아지고 이에 따라 반발력에 의해 멀어지는 시간이 짧아지게 되므로 상대적으로 이온을 멀리 보내기가 어려운 것이다.

예컨대 1Hz 주파수에서는 듀티비가 1인 경우 0.5초 시간단위로 +이온과 -이온이 교대로 생성되는 것에 비해, 만약 1kHz 주파수에서는 0.005초 시간단위로 +이온과 -이온이 번갈아 생성된다. 따라서 저주파인 1Hz 주파수에서는 각 이온의 밴드폭이 0.5초의 시간동안 생성되는 것에 비해 1kHz 주파수에서는 0.005초의 시간동안 생성되므로, 밴드폭 및 각 주기동안 생성된 이온량은 저주파쪽이 훨씬 크고, 또한 각 이온의 무리내부에서 같은 극성의 이온간에 반발하여 이동하게 되는 시간 역시 저주파쪽이 훨씬 길다(위의 예에서는 1000배).

한편 도 6과 관련하여, 방전전극에 인가되는 전압신호의 한 주기시간에서 +이온이 생성되는 시간(t₁)과 -이온이 생성되는 시간(t₂)의 비, 즉 듀티비에 관해서 살펴보면 다음과 같다. 즉, 이온량의 불균형 문제를 개선하기 위해 듀티비를 조절함으로써 방전전극에서 생성되는 +이온 및 -이온의 이온량을 자유로이 조절하는 것이 가능하며, 따라서 대전물체의 잔류정전기를 보다 효율적으로 제거할 수 있다.

결국 주파수를 제어하여 상기 방전전극에서 발생하는 +, - 이온의 밴드폭의 크기에 따라 발생된 이온을 정전기가 대전되어 있는 대상물체까지의 거리에 맞게 보내고, 듀티비를 제어하여 대상물체에 남아있는 잔류정전기를 제거하는 경우 + 이온을 많이 발생시키기 위해서는 상기 교류펄스의 +측 지속시간을 길게 설정하고, - 이온을 많이 발생시키기 위해서는 상기 교류펄스의 -측 지속시간을 길게 설정하면 되는 것이다.

도 5는 제어기(40)의 동작에 관한 플로우 챠트(Flow chart)를 나타낸 것이다. 원하는 펄스 교류전압의 주파수 및 듀티비의 값을 입력함으로써 교류펄스 고전압이 방전전극(10)에 인가되어 동작을 개시하면, 아날로그 신호가 Feedback 되어 고전압의 출력 상태를 확인하도록 되어 있으며 출력전압이 설정된 레벨 이하로 내려갈 경우 경보음을 발생시키며 제전은 중지된다.

주파수 및 듀티비의 변경은 외부의 리모콘으로 조절 가능하도록 설계할 수 있으며, 이 경우 제어기(40)에 내장된 마이크로프로세서는 리모컨으로 입력되는 ID를 비교하여 각각의 BAR에 설정된 ID가 입력될 때 주파수 및 듀티비를 변경하며, 사용자에 의하여 임의로 설정된 값은 마이크로프로세서 내부의 EEPROM에 저장이 되어 전원이 OFF 되어도 계속 유지되며 다음번 전원이 ON 된 경우 그대로 적용된다.

한편 제어기(40)의 내부에 데이터통신모듈(44), 예컨대 RS-485 통신회로를설치하면 외부의 PC를 이용하여 BAR에 대한 동작, 정지 및 설정값 변경 등의 작업을 할 수 있으며, 또한 다수개의 BAR를 그룹으로 지정하여 작업장에 설치된 정전기제거장치에 대한 상태를 신속하게 파악할 수 있도록 하였다.

본 발명의 제전기를 제어하기 위한 제어기에 내장된 마이크로프로세서(PIC18F8520)의 특징은 다음과 같다.

Program Memory	128 Kbyte	Serial I/O (USART)	2
Data Memory	3840 Kbyte	CCP(PWM)	5
EEPROM	1024 Kbyte	Brown-Out Detection	YES
Operating Speed	40 MHz	Timer	5
I/O	52	In-System Programing	YES
ADC	12

바람직한 일실시예로서, 입력된 아날로그 전압에 대한 변환은 1 bit 당 0.019[V]로 변환되며 교류펄스 고전압의 전압레벨이 10[kVpp] 미만일 경우 알람(Alarm)이 발생되도록 할 수 있다. Alarm은 전면의 LED 및 경보음 등으로 표시되며, UTP 단자에서 RELAY의 접점 출력으로 사용될 수 있다.

본 발명의 정전기 제거장치(100)는 종래의 코로나 방전식 정전기제거장치에서 사용하였던 직류 또는 교류 방식의 단점, 즉 정전기제거 대상물체와의 설치거리의 제약, 잔류정전기 전압조절의 어려움 및 고속으로 이동하는 대전물체의 정전기 제거문제 등을 보완하기 위하여 펄스교류 방식을 채택하였다.

도 6은 이온발생량을 도시한 그래프로서 종래 교류고전압 방식의 코로나방전 정전기제거장치의 이온발생량(그림a)과 본 발명의 펄스교류고전압 방식의 코로나방전 정전기제거장치의 이온발생량(그림b)이 나타나 있다. 빗금친 영역의 넓이가 이온발생량에 해당한다. 도시된 바와 같이 코로나 방전을 발생시키는 방전전극에 +,- 이온을 교번적으로 공급하는 본 발명의 구형펄스신호는 단위시간당 이온량을 최대한 얻을 수 있어서 정전기를 제거하는데 요하는 시간을 최대한 단축할 수 있다.

도 6에서 +이온이 생성되는 시간(t₁)과 -이온이 생성되는 시간(t₂)의 비, 즉 듀티비는 자유로이 조절가능하다. 따라서 대전물체의 잔류정전기에 +이온이 많이 존재하는 경우에는 듀티비를 조절하여 -이온이 생성되는 시간(t₂)을 늘리면 되고, 대전물체의 잔류정전기에 -이온이 많이 존재하는 경우에는 듀티비를 조절하여 +이온이 생성되는 시간(t₁)을 늘리면 된다. 따라서 듀티비의 조절은 대전물체 잔류정전기의 효율적인 제거를 가능하게 한다.

펄스교류의 주파수를 조절함으로써 정전기제거대상 물체와의 설치거리를 근거리(50mm)에서 원거리(최대 2,500mm)까지 확대 할 수 있고, 또한 펄스교류의 듀티비를 조절함으로써 잔류정전기 전압을 최대 ± 10V이하까지 유지 할 수 있다.

또한 전극의 주위에서 생성된 +,- 이온을 정전기제거 대상물체의 가까이까지 보내기 위하여, 건조한 공기를 내부의 공기통(60)에 주입하여 방전전극(10) 주위의 미세한 에어노즐(22)을 통하여 분사함으로써 공기 중에서 이온이 충분히 확산된다. 그리고 공기통(60)의 모양을 원추형으로 하고 상기 에어노즐(22)이 일정한 공기압을 유지할 수 있도록 하여 모든 미세 에어노즐(22)의 공기분사량을 일정하게 유지할 수 있다.

이와 같은 특징으로 인해 본 발명의 정전기 제거장치는 액정디스플레이(LCD)를 제조하는 데에도 적합하게 사용할 수 있는데, 특히 냉/열 플레이트(Hot/Cool plate), 포토 레지스터 코팅(Photo Resistor Coating), 디포지션(Deposition), 익스포저(Exposure), 로드/언로더(Load/Unloader) 등의 공정에 적합하다.

본 고안에 의한 펄스교류 고전압 방식의 코로나방전식 정전기제거장치에 의하면, 설치거리에 따른 주파수의 조절 및 잔류정전기 전압의 제어를 위한 듀티비 조절을 자유롭게 설정 할 수 있어서 종래의 직류 및 교류고전압 코로나방전식 정전기제거장치의 단점을 충분히 보완하여 정전기제거의 효과를 향상시킬 수 있다.

즉 교류고전압 방식을 사용하면서도 펄스신호를 이용하여 이온생성량 및 이온생성속도를 적절히 조절함으로써 효율적인 정전기 제거가 가능하고, 아울러 에어노즐이 형성된 방전전극 소켓을 통해 원거리에 위치한 대전체에까지 생성이온을 효과적으로 보낼 수 있다.

Claims

코로나 방전식 정전기 제거장치에 있어서,

코로나 방전을 발생시키는 방전전극;

전압이 인가된 상기 방전전극으로부터 이온발생을 유도하는 접지전극;

교류펄스 고전압을 발생하여 상기 방전전극에 인가하는 고전압발생부(High voltage unit); 및

상기 교류펄스 고전압의 주파수 및 듀티비를 제어하여 상기 방전전극으로부터 발생되는 양이온 및 음이온의 발생량을 임의로 조절하기 위한 제어기를 포함하되,

주파수를 제어하여 상기 방전전극에서 발생하는 +, - 이온의 밴드폭의 크기에 따라 발생된 이온을 정전기가 대전되어 있는 대상물체까지의 거리에 맞게 보내고,

듀티비를 제어하여 대상물체에 남아있는 잔류정전기를 제거하는 경우 + 이온을 많이 발생시키기 위해서는 상기 교류펄스의 +측 지속시간을 길게 설정하고, - 이온을 많이 발생시키기 위해서는 상기 교류펄스의 -측 지속시간을 길게 설정하며,

상기 고전압발생부에서 출력하는 고전압 신호는 주파수의 가변 범위가 1[Hz]~10[kHz]이고, 듀티비(Duty Ratio)가 40~60[%]의 범위에서 조절되는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 1 항에 있어서, 상기 방전전극이 중앙에 삽입되어 있고 상기 방전전극에서 생성된 이온을 대전체측으로 보내기 위해 일정한 압력의 공기를 분사시키는 에어노즐이 형성된 방전전극소켓; 및

상기 방전전극소켓과 직접 결합하고 공기주입부를 통해 주입된 공기를 상기 에어노즐쪽으로 송급하는 공기통을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 2 항에 있어서, 상기 에어노즐은 상기 방전전극의 주위에 하나이상 위치하고 상기 방전전극소켓의 내부를 관통하는 원기둥형태로 형성된 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 3 항에 있어서, 상기 원기둥 형태의 에어노즐의 직경은 1mm 이하인 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 1 항에 있어서 상기 방전전극에는, 방전전극에 흐르는 전류를 감소시키기 위한 수단이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 1 항에 있어서 상기 고전압발생부는,

입력된 전압을 승압하는 트랜스포머;

상기 트랜스포머에 의해 승압된 전압을 입력받아서 방전전극에 인가되는 고전압을 생성하는 배압회로부; 및

상기 배압회로부로부터 출력된 고전압을 펄스형태로 변환시키기 위한 펄스변환부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 6 항에 있어서, 상기 고전압발생부는 상기 트랜스포머의 2차측에 전류가 흐르지 않는 장애가 발생할 경우, 상기 트랜스포머 2차측에 연결된 접지된 저항에 전류가 흐르도록 함으로써 전압강하를 피드백할 수 있는 피드백 회로부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 1 항에 있어서 상기 제어기는,

펄스교류 고전압의 주파수 및 듀티비를 조절하기 위한 조절부; 및

데이터 통신을 이용하여 외부의 컴퓨터에서 제어기의 상태를 확인하기 위한 데이터 통신모듈을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 1 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 제어기는 외부에서 제어기의 작동을 조절하기 위한 리모컨 수신 모듈을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.
제 1 항의 정전기 제거장치로서, 액정 디스플레이의 제조공정인 냉/열 플레이트(Hot/Cool plate), 포토 레지스터 코팅(Photo Resistor Coating), 디포지션(Deposition), 익스포저(Exposure), 로드/언로더(Load/Unloader) 및 러빙(rubbing)공정 중 하나 이상의 공정에 사용하는 것을 특징으로 하는, 펄스 교류고전압 정전기 제거장치.