KR20040080474A - 고휘도 유기 발광 소자용 유기 실리케이트 코팅막 - Google Patents

고휘도 유기 발광 소자용 유기 실리케이트 코팅막 Download PDF

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Abstract

본 발명은 양극과 투명 기판 사이에 1.35 이하의 저굴절 투명 코팅막을 포함하는 유기 발광 소자, 저굴절 코팅막 형성 조성물, 및 상기 조성물이 도포되어 경화된 저굴절 코팅막을 제공한다.
본 발명에 따라 저굴절 코팅막을 포함하는 유기 발광 소자는 기판에 평행한 방향으로의 발광이 감소되고 뷰어를 향한 방향으로 출력을 증가시켜 고휘도를 얻을 수 있으며, 본 발명에 따른 저굴절 코팅막은 굴절율이 1.35 이하이고 투명도가 높으며, 도막의 기계적 물성이 우수하다.

Description

고휘도 유기 발광 소자용 유기 실리케이트 코팅막{ORGANIC SILICATE FILM FOR BRIGHT-ENHANCED ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 양극과 투명 기판 사이에 1.35 이하의 저굴절 투명 코팅막을 포함하는 유기 발광 소자, 저굴절 코팅막 형성 조성물, 및 상기 조성물이 도포되어 경화된 저굴절 코팅막에 관한 것이다.
통상, 유기 발광 소자 (Organic Light Emiting Diode : OLED) 는 컬러 및 단색 디스플레이에 사용된다.
최근 유기 발광 소자 개발의 필요성이 크게 증대되면서 고휘도를 구현하는 효과적인 방법들이 개발되고 있다.
일반적인 유기 발광소자의 작동원리는 다음과 같다(도 1 참조). 디바이스에전위차가 인가되어 구동될 때, 음으로 하전된 전자는 전자 주입층으로 이동되고 유기 재료로 된 발광층으로 이동된다. 동시에 정공이라고 불리우는 양으로 하전된 홀은 정공 주입층으로 이동되고 최종적으로 상기 유기재료로 된 발광층으로 이동된다. 이러한 홀과 음전하가 만날 때 이들의 결합에 의해 광자가 형성되고 빛을 방출하게 된다.
한편, 유기 발광 소자의 제조 방법은 다음과 같다. 먼저, 투명 기판에 양극 물질을 도포하여 양극(홀 주입 전극)을 준비한다. 양극 물질로는 ITO (indium tin oxide)가 많이 사용된다. 다음에 정공 주입층(hole injection layer)을 도포하며, 주로 구리 프탈로시아닌(copper phthalocyanine)을 약 10 - 30 nm 두께로 도포한다. 그 위에 정공 수송층(hole transfer layer)을 형성시키는데, 주로 NN'-디페닐-NN'-비스(3-메틸페닐)-(1,1'-비페닐)-4,4'-디아민 (TPD) 등을 사용할 수 있고, 약 30 - 60 nm 정도의 두께로 증착시킨다. 이어서, 유기 발광층(organic emitting layer)을 형성시키는데, 약 30 - 60 nm 정도의 두께를 갖도록 한다. 그 위에 전자 수송층(electron transfer layer)을 단독으로 형성시키거나, 또는 순차적으로 전자 주입층(electron injection layer)과 함께 형성시킨다. 전자 주입층은 LiF 나 Li2O 를 얇게 도포하거나 알칼리 금속 등을 이용할 수 있다. 그 다음 음극을 약 1000 Å정도 입히고 보호막을 입힌다.
일반적으로 상기와 같은 유기 발광 소자의 구조는 휘도와 관련하여 빛 방출 특성을 조절해야 하는 과제를 갖고 있다. 통상, 광 출력 중 약 75% 정도가 기판과평행한 방향으로 방출되기 때문에 유기 발광 소자 자체의 막대한 휘도 손실을 야기하고, 이에 따라 칼라 순도 및 콘트라스트에도 영향이 미친다.
이러한 문제를 해결하는 방법의 하나로 PCT/US 98/12694 에는 미세 활성 증진 구조물 또는 미세 공동 (microcavity) 스택을 이용하여 빛을 직접 굴절시킴으로써 휘도를 증진시키는 방법이 기재되어 있다. 그러나, 이러한 방법은 미세 공동의 제작이 상당히 복잡하고, 사이즈가 크며, 무기 금속 성분 등을 이용하기 때문에 구조물 자체의 투명도가 떨어진다. 또한 무기 금속 성분 등이 상호 확산될 가능성 등으로 인해 실제 사용에 어려움이 있다.
본 발명은 스핀코팅 등의 간단한 공정에 의해 화학적으로 안정한 초 저굴절율의 코팅막을 양극(anode)과 투명 기판 사이에 위치시킴으로써 기판과 평행한 방향으로의 발광을 억제하고 뷰어 방향으로 증가된 출력을 나타내는 유기 발광 소자를 제공하고자 하며, 상기 초 저굴절율 코팅막을 형성시킬 수 있는 조성물을 제공하고자 한다.
도 1은 일반적인 유기 발광 소자의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판, 2: 저굴절 코팅막, 3: 양극, 4: 정공주입층, 5: 정공수송층, 6: 유기발광층, 7: 전자수송층, 8: 전자 주입층, 9: 음극.
본 발명은 양극(anode)과 투명 기판 사이에 1.35 이하의 저굴절 투명 코팅막을 포함하는 유기 발광 소자, 저굴절 코팅막 형성 조성물, 및 상기 조성물이 도포되어 경화된 저굴절 코팅막을 제공한다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
유기 발광 소자에서, 본 발명에 따라 양극(anode)과 투명 기판 사이에 위치하는 1.35 이하의 저굴절 투명 코팅막은 유기발광층으로부터 발생되고 방사상으로 입사된 빛을 정해진 각도(이 각도는 굴절율에 따라 달라짐)로 굴절시켜, 방사상으로 분산되는 빛의 각도를 뷰어의 방향으로 모아 주고, 이에 따라 투명 기판에 입사되는 빛의 각도를 전반사가 일어나지 않도록 조절함으로써, 유기 발광소자의 휘도를 증가시키는 작용을 한다.
이때, 코팅막의 굴절율은 1.35 이하가 되어야, 실제 디바이스에 있어서 휘도 증가 효과를 나타낸다.
상기 1.35 이하의 저굴절 투명 코팅막은 (a) 실란 화합물 또는 실란 올리고머의 가수분해 축합물인 유기실리케이트 중합체; (b) 기공형성 물질; 및 (c) 유기 용매를 포함하는 저 굴절 코팅막 형성용 조성물에 의해 제공될 수 있다.
나아가, 본 발명에 따른 상기 저굴절 코팅막의 제조방법은,
(a) i) 실란 화합물 또는 실란 올리고머의 가수분해 축합물인 유기실리케이트 중합체; ii) 기공형성 물질; 및 iii) 유기용매를 포함하는 저굴절 코팅막 형성용 조성물을 제공하는 단계;
(b) 상기 저굴절 코팅막 조성물을 기재에 도포하여 코팅막을 형성시키는 단계; 및
(c) 상기 도포된 코팅막을 기공형성 물질이 열분해되는 온도에서 소성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 저굴절 코팅막은 유기실리케이트 중합체 성분에 의해 투명도가 높으며, 도막의 열적 안정성 및 기계적 물성이 우수하고, 내화학성이 강하다.
한편, 본 발명의 저굴절 코팅막 형성용 조성물 중 기공형성 물질은 차후 소성과정을 통해 기공을 형성하여, 코팅막의 밀도를 낮추고 코팅막의 굴절율을 현저히 낮출 수 있도록 한다.
즉, 기공형성 물질은, 저굴절 코팅막 형성용 조성물을 기재 상에 도포하여 코팅막을 형성시킨 후, 일정 온도 이상에서 소성되면 열분해되어 미세한 기공을 형성한다. 공기는 아무 낮은 유전율을 나타내므로, 코팅막에 형성된 미세한 기공에 의해 저 굴절율이 구현될 수 있다.
한편, 유기 발광 소자의 일 구성요소로서 상기 저 굴절율 코팅막은 절연막이어야 하는데, 미세 기공내 공기가 저유전율을 갖는 관계로 절연막을 구현할 수 있다.
본 발명의 저굴절 코팅막 형성용 조성물 중 유기실리케이트 중합체는 물과 촉매 존재 하에서 실란 화합물 또는 실란 올리고머를 가수분해 축합반응시켜 얻을 수 있다.
실란 화합물은 통상적으로 실리콘, 산소, 탄소, 수소, 불소로 구성된 일반 실란 화합물로 큰 제한은 없으며, 예를 들면 하기 화학식 1 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
SiR1 xR2 4-x
상기 화학식 1의 식에서,
R1는 각각 독립적으로 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
R2는 각각 독립적으로 아세톡시, 히드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
x는 0 내지 2의 정수이다.
[화학식 2]
R3 yR4 3-ySi-M-SiR5 zR6 3-z
상기 화학식 2의 식에서,
R3, 및 R5은 각각 독립적으로 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
R4, 및 R6는 각각 독립적으로 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
M은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌 또는 페닐렌이고,
y, 및 z는 각각 0 내지 2의 정수이다.
상기 화학식 1 및 2의 실란 화합물은 반도체용 절연재로 알려져 있다.
본 발명의 유기실리케이트 중합체 제조는 벌크 중합에 의해서도 가능하나, 반응성 조절을 위하여 유기용매를 사용하는 것이 바람직하다. 사용 가능한 유기용매는 실란 화합물, 물 및 촉매를 적절히 혼합시키거나, 또는 상분리 상태에서 가수분해 및 축합반응에 지장을 초래하지 않으면 큰 제한은 없으며, 알코올계 용매, 케톤계 용매, 아마이드계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매 등을 들 수 있다.
상기 가수분해 및 축합반응에 사용된 유기용매 들은 코팅 조성물의 유기용매로 사용 가능하고, 반응 후 코팅성에 나쁜 영향을 주는 특정 유기용매, 물, 및 반응 부산물을 모두 또는 일정량 제거한 후 막 형성에 사용할 수 있다.
본 발명의 유기실리케이트 중합체 제조 시에는 가수분해 및 축합반응을 촉진시키기 위하여 촉매를 사용하는 것이 바람직하다. 가수분해 및 축합반응에 사용되는 촉매는 산 촉매 또는 염기 촉매를 사용할 수 있다. 상기 사용 가능한 산 촉매로는 큰 제한이 없으며, 예를 들면 염산, 질산, 황산, 인산, 불산, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부탄산, 펜탄산, 헥산산, 모노클로로아세트산, 디클로로아세트산, 트리클로로아세트산, 트리플로로아세트산, 옥살산, 말론산, 술폰산, 프탈산, 푸마르산, 구연산, 말레산, 올레산, 메틸말론산, 아디프산, p-아미노벤조산, 또는 p-톤루엔술폰산 등이 있다. 상기 사용 가능한 염기 촉매로는 큰 제한이 없으며, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아, 테트라알킬 암모늄 하이드로산화물, 알킬아민 등이 사용가능하다.
상기 촉매의 첨가량은 반응 조건에 따라 조절이 가능하며, 바람직하게는 사용된 총 실란 화합물 또는 실란 올리고머 1 몰에 대해 0.00001 내지 2 몰을 사용한다. 상기 첨가량이 실란 화합물 1 몰 당 2 몰을 초과할 경우에는 낮은 농도에서도 반응 속도가 매우 빨라 분자량 조절이 어렵고, 쉽게 겔이 발생할 우려가 있다.
본 발명에서는 실란 화합물 또는 실란 올리고머의 가수 분해를 위하여 물을첨가한다. 실란 화합물 또는 실란 올리고머의 가수분해에 사용된 물의 양은 사용된 총 실란 화합물 또는 실란 올리고머의 실리콘 원자 1 몰당 0.5 몰 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1 내지 50 인 것이다. 물이 0.5 몰 미만으로 첨가될 경우에는 충분히 가수분해 및 축합반응이 일어나지 않고, 코팅막의 기계적 물성을 저하시키는 문제점이 있다.
상기 가수분해 및 축합반응 시 반응 온도는 0 내지 100 ℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 15 내지 80 ℃이다. 이때 얻어지는 가수분해 축합물의 중량평균분자량은 폴리스틸렌 환산분자량으로 비교하여 500 이상이며, 절연막에 적용시에는 코팅막으로 조성하기 위해 500 내지 5,000,000인 것이 바람직하다.
본 발명의 기공형성 물질로는 일정 온도 이상의 소성 공정에서 열분해되어 기공을 형성할 수 있는 유기물인 한 모두 사용가능하다. 본 발명에서 저굴절 코팅막 형성 조성물 중 기공형성 물질은 코팅막을 형성시킨 후 소성 공정에 의해 열분해되어 기공을 형성한다.
기공형성 물질의 열분해 온도는 150 내지 450 ℃인 것이 바람직하다.
또한, 상기 기공형성 물질은 상압에서 비등점이 150 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 기공형성 물질이 미리 증발하면 안되기 때문이다.
한편, 코팅막 내에 일정한 크기의 기공을 고르게 분포시키기 위해 기공형성 물질은 유기실리케이트 중합체 및 유기용매와 상용성을 갖는 것이 바람직하다.
상기 150 내지 450 ℃에서 열분해가 가능한 기공 형성 물질로는, 선형 유기분자 또는 폴리머, 크로스링크 유기 폴리머, 하이퍼브렌치드형 유기분자 또는 고분자, 또는 덴드리머 등을 사용할 수 있고, 에테르화합물, 에스테르화합물, 안하이드라이드 화합물, 카보네이트화합물, 아크릴레이트화합물, 에폭시화합물, 이소시아네이트화합물, 및 아마이드화합물 등으로 구성된 유기 올리고머 또는 폴리머 등을 들 수 있다. 상기 유기올리고머 또는 폴리머는 상용성을 위하여 분자내에 유기실리케이트 중합체와 반응할 수 있는 관능기 또는 실란 화합물을 포함할 수 있다.
본 발명의 저굴절 코팅막의 굴절율은 기공형성 물질의 사용량 또는 공정 상에서 조절될 수 있다.
상기 기공형성 물질은 코팅을 위해 본 발명의 저굴절 코팅막 형성용 조성물 고형분의 2 내지 200 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 150 중량%로 포함된다.
본 발명에 따른 저굴절 코팅막 형성용 조성물에는 그 밖의 첨가제로 콜로이드 상태의 실리카, 계면활성제, 저굴절 유기고분자, 접착력향상제, 내크랙성 향상제 등의 성분을 그 목적에 맞게 일정량 첨가할 수 있다.
본 발명의 조성물의 전 고형분의 농도는 2 내지 60 중량%, 바람직하게는 5 내지 50 중량%가 절연막의 막 두께와 보전 안정성을 고려하여 적당하다. 여기서 고형분 농도는 상기 유기용매의 종류 및 사용량에 의하여 조절 가능하다.
본 발명의 저굴절 코팅막은 유기발광 소자를 제작하는 기판에 상기 저굴절 코팅막 형성용 조성물을 도포함으로써 형성된다. 저굴절 코팅막의 형성 방법은 스핀코트법, 침지법, 롤 코트법 등을 사용할 수 있으며, 이들의 방법을 사용하여 일정 두께의 막을 형성하는 것이 가능하다. 특히, 유기발광 소자의 코팅막을 제조할경우에는 스핀 코트법을 사용하는 것이 좋다.
상기 막의 두께는 조성물의 점도와 스핀코우터의 회전 속도를 변화시켜 조절할 수 있으며, 통상적으로 유기발광 소자의 저굴절 코팅막으로 사용하는 경우 0.1 내지 5 ㎛인 것이 바람직하고, 1회 이상 코팅하여 원하는 막의 두께의 조정도 가능하다.
코팅 후에는, 선택적으로 건조공정과, 소성(경화)공정을 거쳐 3차원 구조의 유기실리케이트 고분자 절연막을 형성하고, 소성공정을 통하여 유기실리케이트 막을 더욱 경화시킬 수 있다. 건조공정은 통상적으로 프리베이크(pre-bake) 공정과 소프트베이크(soft-bake) 공정을 포함하는 것을 의미한다. 프리베이크 공정 중 사용한 유기 용매를 서서히 증발시키고, 소프트베이크 공정 중에 관능기의 일정량을 가교시킨 다음, 소성공정 중 잔류 관능기를 최종적으로 반응시킨다. 상기 건조 공정은 30 내지 200 ℃의 온도에서, 소성 공정은 150 ℃ 이상의 온도에서 실시하는 것이 바람직하다.
건조공정과 소성공정은 연속적으로 일정한 속도로 승온시키면서 실시할 수도 있고, 또한 단속적으로 실시할 수도 있다. 단속적으로 실시할 경우, 건조공정과 소성공정의 시간은 제한이 없으며, 건조공정은 10초 내지 5 분, 소성공정은 5분 내지 5시간 수행하는 것이 바람직하다. 이때 가열방법은 핫플레이트, 오븐, 퍼니스 등을 사용할 수 있고, 가열 분위기는 질소, 아르곤, 헬륨 등과 같은 불활성 기체 분위기, 산소함유 기체(예를 들면, 공기 등) 등과 같은 산소 분위기, 진공상태, 또는 암모니아 및 수소를 함유하는 기체 분위기 하에서 수행할 수 있다.
여기서 얻어지는 코팅막은 굴절율이 매우 낮고, 투명성이 우수하며, 도막의 균일성, 열적 안정성 및 도막의 기계적 특성이 우수하기 때문에, 고휘도 유기 발광 소자에 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
실시예 1
테트라하이드로퓨란 용액 9g에 메틸트리메톡시 실란 5.5g 과 테트라메톡시 실란 3.65g을 혼합한 후 여기에 1.63mg의 말레산이 녹아있는 증류수 7.8g을 첨가하고, 70 ℃에서 밤샘(overnight) 반응시켰다. 이 용액을 에테르로 희석시키고 증류수로 희석시키고 pH가 중성이 될 때까지 씻어 주었다. 얻어진 유기층의 물을 건조제를 이용하여 제거한 후, 진공에서 유기용매를 제거하고, 파우더 상태의 유기실리케이트 생성물을 수득하였다.
상기 수득한 유기실리케이트 중합체 1.6g과 폴리에틸렌옥사이드 /폴리프로필렌옥사이드 /폴리에틸렌옥사이드 트리블록 코폴리머 0.4g을 8g의 프로필렌 글리콜 메틸에테르아세테이트에 용해시켜 코팅막 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 2
테트라하이드로퓨란 용액 9g에 메틸트리메톡시 실란 5.5g 과 테트라메톡시 실란 3.65g을 혼합한 후 여기에 1.63mg의 말레산이 녹아있는 증류수 7.8g을 첨가하고, 70 ℃에서 밤샘(overnight) 반응시켰다. 이 용액을 에테르로 희석시키고 증류수로 희석시키고 pH가 중성이 될 때까지 씻어 주었다. 얻어진 유기층의 물을 건조제로 제거한 후, 진공에서 유기용매를 제거하고, 파우더 상태의 유기실리케이트 생성물을 수득하였다.
상기 수득한 유기실리케이트 중합체 1.4g과 폴리에틸렌옥사이드 /폴리프로필렌옥사이드 /폴리에틸렌옥사이드 트리 블록 코폴리머 0.6g을 8g의 프로필렌 글리콜 메틸에테르아세테이트에 용해시켜 코팅막 형성용 조성물을 제조하였다.
실시예 3
(절연막의 제조)
상기 실시예 1 또는 2에서 수득한 코팅막 형성용 조성물 용액을 각각 실리콘웨이퍼 위에 스핀 코팅하여 박막을 얻고, 80 ℃와 150℃에서 각각 1분씩 건조시키고, 질소 분위기 하에서 250 ℃의 온도로 1 시간 동안, 430 ℃의 온도로 1 시간 동안 경화하여 저굴절 코팅막을 제조하였다.
상기와 같이 제조한 코팅막의 상태를 광학 현미경으로 관찰하고, 굴절율은 엘립소미터로 측정하였고, 탄성율 및 강도는 하지트론사의 나노인덴터를 사용하여 측정하였다. 투명도는 코팅막 형성 후, 400 nm 에서의 투과율(Transmittance)을 측정하여 일정한 두께에서의 투명도를 비교하였다. UV-가시광선 분광기와 프리즘 커플러(Prism Coupler)을 이용하여 투명도를 측정하였다. 그 결과는 하기 표 1과 같다.
구분 실시예 1 실시예 2
절연막 상태 상분리 없음 상분리 없음
굴절율(n) 1.285 1.265
탄성율(GPa) 4.9 3.1
강도(Gpa) 0.6 0.38
투명도 >98% >98%
상기 표 1을 통하여, 본 발명에 따른 실시예 1 또는 2의 저굴절 코팅막은 상분리가 없는 투명막으로, 현저히 낮은 굴절율 값을 보이며, 기계적 특성이 우수함을 알 수 있다. 또한, 상기 실시예 1 및 2에 의해 제조된 코팅막은 300 ℃ 이상의 고온에서도 안정하였다.
실시예 4
투명 기판 위에 상기 실시예 1 또는 2의 코팅막 형성 조성물을 약 0.5 내지 5 micron 의 두께로 도포하였다. 그 위에 양극을 형성하고, 정공 주입층, 정공 수송층, 유기 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층을 차례로 형성하였다. 정공 주입층으로 CuPc (copper phthalocyanine) 을 20 nm 두께로 입혔다. 정공 수송층으로는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐l-아미노]비페닐 (NPD)을 30 - 60 nm 로 증착시켰다. 유기 발광층은 녹색 발광을 위해 트리스(8-히드록시-퀴놀레이트 알루미늄)(Alq3) 을 약 30 nm 의 두께로 증착시키고 그 위에 전자 주입층으로 LiF 를 0,5 nm 이하로 증착시켰다. 다음에 전극층인 Al 을 약 10 nm 정도 입혔다. 이렇게 제작된 유기 발광 소자는 기존의 유기 발광 소자에 비해 뷰어 방향으로의 약 5 % ~ 40 % 휘도가 증가하였다.
본 발명에 따라 제조한 저굴절 코팅막 형성용 조성물을 이용하여 제조되는코팅막은 고투명성과 저굴절율을 나타내어, 상기 코팅막의 유기 발광 소자 적용 시 고휘도 유기발광 소자의 구현이 가능하고, 또한 도막의 열적 안정성 및 기계적 강도가 우수하다.

Claims (13)

  1. (a) 실란 화합물 또는 실란 올리고머의 가수분해 축합물인 유기실리케이트 중합체; (b) 기공형성 물질; 및 (c) 유기 용매를 포함하는 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실란 화합물 또는 실란 올리고머는 실리콘, 탄소, 산소, 수소, 불소로 구성된 실란 화합물 또는 실란 올리고머인 것이 특징인 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 실란 화합물은 하기 화학식 1 및 하기 화학식 2로 표시되는 화합물 군에서 1 종 이상 선택되는 화합물인 것이 특징인 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
    [화학식 1]
    SiR1 xR2 4-x
    상기 화학식 1의 식에서,
    R1는 각각 독립적으로 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R2는 각각 독립적으로 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    x는 0 내지 2의 정수이고,
    [화학식 2]
    R3 yR4 3-ySi-M-SiR5 zR6 3-z
    상기 화학식 2의 식에서,
    R3, 및 R5은 각각 독립적으로 수소, 불소, 아릴, 비닐, 알릴, 또는 치환되지 않거나 불소로 치환된 직쇄 또는 분지쇄 상의 탄소수 1 내지 4의 알킬이고,
    R4, 및 R6는 각각 독립적으로 아세톡시, 하이드록시, 또는 직쇄 또는 분지쇄상의 탄소수 1 내지 4의 알콕시이고,
    M은 탄소수 1 내지 6의 알킬렌 또는 페닐렌이고,
    y, 및 z는 각각 0 내지 2의 정수임.
  4. 제1항에 있어서, 유기실리케이트 중합체는 중량평균 분자량이 500 ~ 5,000,000 인 것이 특징인 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 기공 형성 물질은 150 내지 450 ℃에서 열분해가 가능한 물질인 것이 특징인 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 기공 형성 물질은 선형 유기분자 또는 폴리머, 크로스링크 유기 폴리머, 하이퍼브렌치드형 유기분자 또는 고분자, 또는 덴드리머인 유기물질인 것이 특징인 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 기공 형성 물질은 상압에서 비등점이 150 ℃ 이상인 유기물질인 것이 특징인 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 기공형성 물질의 함량은 저굴절 코팅막 형성용 조성물 고형분의 5 내지 200 중량% 인 것이 특징인 저굴절 코팅막 형성용 조성물.
  9. 저굴절 코팅막의 제조방법에 있어서,
    (a) 제1항 내지 제8항의 저굴절 코팅막 형성용 조성물을 제공하는 단계;
    (b) 상기 저굴절 코팅막 조성물을 기재에 도포하여 코팅막을 형성시키는 단계; 및
    (c) 상기 도포된 코팅막을 기공형성 물질이 열분해되는 온도에서 소성하는 단계;
    를 포함하는 저굴절 코팅막 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, (b) 단계 이후 (c) 단계 이전에 상기 도포된 코팅막을 건조하는 단계를 더 포함하고, 상기 건조 단계는 30 내지 200 ℃에서, 상기 (c) 소성 단계는 150 ℃ 이상에서 수행하는 것이 특징인 저굴절 코팅막 제조방법.
  11. 제1항 내지 제8항의 저굴절 코팅막 형성용 조성물을 포함하고, 상기 조성물 중 기공 형성 물질은 열분해되어 기공을 형성하는 저굴절 코팅막.
  12. 양극(anode)과 투명 기판 사이에 1.35 이하의 저굴절 투명 코팅막을 포함하는 유기 발광 소자.
  13. 제12항에 있어서, 저굴절 코팅막은 제9항의 제조방법에 의해 형성된 것이 특징인 유기 발광 소자.
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