KR20040075772A

KR20040075772A - Ｍｒｉ 장치용 ｒｆ 쉴드 및 ｍｒｉ 장치

Info

Publication number: KR20040075772A
Application number: KR1020040011365A
Authority: KR
Inventors: 스즈키츠네모토; 가토야스시; 우에타케노조무
Original assignee: 지이 메디컬 시스템즈 글로발 테크놀러지 캄파니 엘엘씨
Priority date: 2003-02-21
Filing date: 2004-02-20
Publication date: 2004-08-30
Also published as: US20050264290A1; CN100425198C; EP1450178A2; JP3819367B2; KR101047200B1; US7157911B2; EP1450178A3; JP2004248928A; CN1522663A

Abstract

X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류는 발생과 동시에 접지점으로 균등하게 방출된다. RF 쉴드는 90°로 각도가 서로 상이한 4 지점에서 콘덴서를 거쳐서 마그네트에 접속되어 있다. 마그네트는 접지점에 접속되어 있다. RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지할 수 있다.

Description

ＭＲＩ 장치용 ＲＦ 쉴드 및 ＭＲＩ 장치{RF SHIELD AND MRI SYSTEM}

본 발명은, 자기 공명 영상(Magnetic Resonance Imaging; MRI) 장치용 고주파(Radio-Frequency; RF) 쉴드(shield) 및 MRI 장치에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 RF 쉴드에서 발생된 와전류에 의해 유발된 MRI 화상의 화질의 저하를 방지할수 있는 RF 쉴드, 및 이 RF 쉴드를 이용한 MRI 장치에 관한 것이다.

MRI 장치는, RF 코일과 구배 코일 사이의 커플링을 방지하기 위해, RF 코일과 구배 코일 사이에 RF 쉴드를 개재하고 있다. 그러나, 자장 구배로부터 유발된 와전류가 RF 쉴드에 발생되어, 그것이 MRI 화상의 화질을 저하시킨다.

종래에, RF 쉴드를 부분 분할함으로써 와전류의 악영향을 최소화하려는 노력이 행하여져 왔다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).

또한, RF 쉴드의 변형을 방지함으로써 비대칭인 와전류가 발생되지 않도록 하였다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조).

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 공보 제 1996-252234 호

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 공보 제 2000-333929 호

RF 쉴드가 접지되면, RF 코일의 특성을 안정화시킬 수 있다.

그러나, RF 쉴드에 대한 X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일의 기하학적 배치가 서로 상이하다. 따라서, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류가 상이하다. RF 쉴드를 단지 접지하기만 한다면, 와전류를 균등하게 방출할 수 없다. 이것은 MRI 화상의 화질의 저하를 초래한다.

따라서, 본 발명의 목적은 RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지할 수 있는 RF 쉴드, 및 이 RF 쉴드를 이용한 MRI 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 제 1 관점에 따르면, MRI 장치용 RF 쉴드로서, 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는 RF 쉴드가 제공된다.

상기 구성에 있어서, 콘덴서는 고주파 전류에 대해 낮은 임피던스를 제공하여야 한다.

상기 제 1 관점에 따르면, RF 쉴드는 직접 접지되지 않고 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있다. RF 쉴드내에서의 위치의 차이가 콘덴서에 제공된 임피던스에 의해 흡수된다. 그 결과, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류를 균등하게 방출할 수 있다. 결국, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 2 관점에 따르면, MRI 장치용 RF 쉴드로서, 동일한 정전용량을 갖는 콘덴서를 거쳐서 2 지점 이상에서 접지되어 있는 RF 쉴드가 제공된다.

상기 제 2 관점에 따르면, RF 쉴드는 직접 접지되지 않고, 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있다. RF 쉴드내에서의 위치의 차이가 콘덴서에 제공된 임피던스에 의해 흡수된다. 또한, RF 쉴드가 콘덴서를 거쳐서 2 지점 이상에서 접지되어 있기 때문에, RF 쉴드내에서의 위치의 차이를 무시할 수 있다. 그 결과, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류를 균등하게 방출할 수 있다. 결국, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

또한, 동일한 정전용량을 갖는 콘덴서를 이용하기 때문에, 제조 및 유지보수가 용이하다.

본 발명의 제 3 관점에 따르면, MRI 장치용 RF 쉴드로서, 그 정전용량에 근거하여 개별적으로 선택된 콘덴서를 거쳐서 2 지점 이상에서 접지되어 있는 RF 쉴드가 제공된다.

상기 제 3 관점에 따르면, RF 쉴드는 직접 접지되지 않고, 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있다. 따라서, RF 쉴드내에서의 위치의 차이가 콘덴서에 제공된 임피던스에 의해 흡수된다. 또한, RF 쉴드는 콘덴서를 거쳐서 2 지점 이상에서 접지되어 있고 각각의 콘덴서는 RF 쉴드내의 접지부의 위치를 고려하여 그 정전용량에 근거하여 선택된다. 그 결과, RF 쉴드내에서의 위치의 차이를 무시할 수 있다. 따라서, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류를 균등하게 방출할 수 있다. 결국, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 4 관점에 따르면, 상기 구성과 동일한 MRI 장치용 RF 쉴드로서, 접지점(earth ground)에 가장 근접한 접지부에 접속되는 콘덴서의 정전용량이 가장 작은 값으로 설정되는 RF 쉴드가 제공된다.

상기 제 4 관점에 따르면, 접지점에 가장 근접한 접지부에 접속되는 콘덴서의 정전용량이 가장 작은 값으로 설정된다. 따라서, 가장 근접한 접지부를 포함하는 접지 접속부를 따라 제공되는 임피던스가 가장 높은 값으로 설정된다. 그 결과, 접지점으로부터 가장 먼 접지부를 포함하는 접지 접속부를 따라 제공되는 임피던스의 차이가 작아진다. 이것은 RF 쉴드내에서의 위치의 차이가 무시할 수 있다는 것을 의미한다. 그 결과, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류를 균등하게 방출할 수 있다. 결국, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 5 관점에 따르면, 수직 자장형 MRI 장치용 RF 쉴드로서, 상부 RF 쉴드는 등각도로 방향이 서로 상이한 4 지점 이상에서 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있으며, 하부 RF 쉴드는 등각도로 방향이 서로 상이한 4 지점 이상에서 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는 RF 쉴드가 제공된다.

상기 제 5 관점에 따르면, 상부 및 하부 RF 쉴드는 직접 접지되지 않고, 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있다. 각각의 RF 쉴드내에서의 위치의 차이가 콘덴서에 제공된 임피던스에 의해 흡수된다. 또한, 각각의 RF 쉴드는 등각도로 방향이 서로 상이한 4 지점 이상에서 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있다. 그 결과, 각각의 RF 쉴드내에서의 위치의 차이를 무시할 수 있다. 따라서, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류를 균등하게 방출할 수 있다. 결국, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 6 관점에 따르면, 수직 자장형 MRI 장치용 RF 쉴드로서, 상부 RF 쉴드는 접지된 상부 마그네트 또는 자극편(pole piece), 또는 그들의 접지된 하우징에 콘덴서를 거쳐서 접속되어 있고, 하부 RF 쉴드는 접지된 하부 마그네트 또는 자극편, 또는 그들의 접지된 하우징에 콘덴서를 거쳐서 접속되어 있는 RF 쉴드가 제공된다.

상기 제 6 관점에 따르면, 상부 및 하부 RF 쉴드는 직접 접지되지 않고, 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있다. 따라서, 각각의 RF 쉴드내에서의 위치의 차이가 콘덴서에 제공된 임피던스에 의해 흡수된다. 그 결과, 각각의 RF 쉴드내에서의 위치의 차이를 무시할 수 있다. 따라서, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류를 균등하게 방출할 수 있다. 결국, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다. 또한, 각각의 RF 쉴드가 가장 근접한 마그네트 또는 자극편, 또는 그들의 가장 근접한 하우징에 접속되기 때문에, 배선이 짧아질 수 있다.

본 발명의 제 7 관점에 따르면, 수직 자장형 MRI 장치용 RF 쉴드로서, 접지된 지주에 콘덴서를 거쳐서 접속되어 있는 RF 쉴드가 제공된다.

상기 제 7 관점에 따르면, RF 쉴드는 직접 접지되지 않고, 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있다. 따라서, RF 쉴드내에서의 위치의 차이가 콘덴서에 제공된 임피던스에 의해 흡수된다. 그 결과, RF 쉴드내에서의 위치의 차이를 무시할 수 있다. 따라서, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류를 균등하게 방출할 수 있다. 결국, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다. RF 쉴드가 가장 근접한 지주에 접속되기 때문에, 배선이 짧아질 수 있다.

본 발명의 제 8 관점에 따르면, 상기 구성과 동일한 수직 자장형 MRI 장치용 RF 쉴드로서, 콘덴서의 정전용량이 1000㎊ 이상인 RF 쉴드가 제공된다.

상기 제 8 관점에 따르면, RF 쉴드에 발생된 예를 들어 10㎑의 와전류에 대하여 제공된 임피던스가 160Ω 이하이다.

본 발명의 제 9 관점에 따르면, RF 쉴드가 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 9 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 1 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 10 관점에 따르면, RF 쉴드가 동일한 정전용량을 갖는 콘덴서를 거쳐서 2 지점 이상에서 접지되어 있는 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 10 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 2 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 11 관점에 따르면, RF 쉴드가 그 정전용량에 근거하여 개별적으로 선택된 콘덴서를 거쳐서 2 지점 이상에서 접지되어 있는 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 11 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 3 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 12 관점에 따르면, 상기 구성과 동일한 MRI 장치로서, 접지점에 가장 근접한 접지부에 접속되는 콘덴서의 정전용량이 가장 작은 값으로 설정되는 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 12 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 4 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 13 관점에 따르면, 수직 자장형 MRI 장치로서, 상부 RF 쉴드는 등각도로 방향이 서로 상이한 4 지점 이상에서 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있으며, 하부 RF 쉴드는 등각도로 방향이 서로 상이한 4 지점 이상에서 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 13 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 5 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 14 관점에 따르면, 수직 자장형 MRI 장치로서, 상부 RF 쉴드는 접지된 상부 마그네트 또는 자극편(pole piece), 또는 그들의 접지된 하우징에 콘덴서를 거쳐서 접속되어 있고, 하부 RF 쉴드는 접지된 하부 마그네트 또는 자극편, 또는 그들의 접지된 하우징에 콘덴서를 거쳐서 접속되어 있는 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 14 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 6 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 15 관점에 따르면, 수직 자장형 MRI 장치로서, RF 쉴드가 접지된 지주에 콘덴서를 거쳐서 접속되어 있는 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 15 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 7 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 제 16 관점에 따르면, 상기 구성과 동일한 수직 자장형 MRI 장치로서, 콘덴서의 정전용량이 1000㎊ 이상인 MRI 장치가 제공된다.

상기 제 16 관점에 따른 MRI 장치는 상기 제 8 관점에 따른 RF 쉴드를 이용한다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명에 따른 RF 쉴드 및 MRI 장치에 의하면, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류는 발생과 동시에 접지점으로 균등하게 방출될 수 있다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지한다.

본 발명의 다른 이점 및 장점은 첨부된 도면에 도시된 바와 같은 본 발명의 바람직한 실시예의 하기의 설명으로부터 명백해질 것이다.

도 1은 제 1 실시예에 따른 MRI 장치를 나타내는 측면도,

도 2는 도 1에 나타낸 MRI 장치의 A-A' 단면도,

도 3은 제 1 실시예에 따른 RF 쉴드의 접지부를 나타내는 설명도,

도 4는 제 2 실시예에 따른 MRI 장치를 나타내는 측면도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

1a, 2a, 3a, 4a : 콘덴서 1b, 2b, 3b, 4b : 콘덴서

10a, 10b : RF 쉴드 gp : 접지점

Ma, Mb : 마그네트 100, 200 : MRI 장치

이하, 도시된 실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명한다.

(제 1 실시예)

도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 MRI 장치(100)를 나타내는 측면도이다. 도 2는 도 1에 나타낸 MRI 장치의 A-A' 단면도이다.

이 MRI 장치(100)는 개방형 MRI 장치이다. 여기서, 수직방향으로 서로 대향하는 마그네트(Ma, Mb)와, 베이스 요크(base yoke)(YBa, YBb)와, 지주 요크(YP)와, 자극편(PPa, PPb)을 포함하는 자기 회로가 자극편(PPa, PPb)의 사이에 수직 방향으로 정자장을 발생하는데 사용된다.

구배 코일(X축, Y축, Z축을 각각 포함함)(GC), 구리 포일형 RF 쉴드(10a) 및 RF 코일(RC)이 상부 자극편(PPa)의 하부측상에 적층되어 있다.

또한, 구배 코일(X축, Y축, Z축을 각각 포함함)(GC), 구리 포일형 RF 쉴드(10b) 및 RF 코일(RC)이 하부 자극편(PPb)의 상부측상에 적층되어 있다.

하부 마그네트(Mb)는 1 지점에서 접지점(gp)에 접속되어 있다. 이 결과, 하부 마그네트(Mb)에 전기적으로 접속된 하부 베이스 요크(YBa), 지주 요크(YP), 상부 베이스 요크(YBa) 및 상부 마그네트(Ma)가 접지되어 있다.

또한, 접지점(gp)은 개념적인 점이며, 실제의 장소를 표시하는 것이 아니다.

상부 RF 쉴드(10a)는 90°로 각도가 서로 상이한 4 지점에서 콘덴서(1a, 2a, 3a, 4a)를 거쳐서 상부 마그네트(Ma)에 접속되어 있다.

하부 RF 쉴드(10b)는 90°로 각도가 서로 상이한 4 지점에서 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b)를 거쳐서 하부 마그네트(Mb)에 접속되어 있다.

도 3은 자장 구배로 인해 하부 RF 쉴드(10b)의 장소(Si)에 발생된 와전류가 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b)를 거쳐서 접지점(gp)으로 방출되는 상태를 나타내는 설명도이다.

와전류의 주파수는 예를 들어 10㎑이며, 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b)의 정전용량은 예를 들어 1000㎊이다. 이러한 경우에, 각 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b)에 제공되는 임피던스는 약 160Ω이다. 이 임피던스는 장소(Si)에서 각 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b)까지의 전류 유로(current flow)(p1, p2, p3, p4)에 제공되는 임피던스보다 훨씬 크다. 이 때문에, 전류 유로(p1, p2, p3, p4)중 어느 것에 제공된 임피던스와 다른 전류 유로에 제공된 임피던스의 차이는 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b) 각각에 제공된 임피던스로 흡수된다. 그 결과, 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b)를 통하여 각각 흐르는 전류(I1, I2, I3, I4)는 서로 동일하다. 즉, RF 쉴드(10b)의 임의의 장소에서 발생된 와전류가 균등하게 접지점(gp)으로 방출될 수 있다.

간략하게 말하면, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드(10b)에 각각 불균등하게 발생된 와전류도 균등하게 접지점(gp)으로 방출될 수 있다. 또한, 상부 RF 쉴드(10a)에 불균등하게 발생된 와전류도 균등하게 접지점(gp)으로 방출될 수 있다.

상기 MRI 장치(100)에 의하면, 각각의 RF 쉴드(10a, 10b)에 발생된 와전류는 균등하게 접지점(gp)으로 방출될 수 있다. 그 결과, 와전류의 악영향에 의해 유발된 MRI 화상의 화질의 저하를 방지할 수 있다.

(제 2 실시예)

도 4는 제 2 실시예 따른 MRI 장치(200)를 나타내는 측면도이다.

이 MRI 장치(200)에 있어서, 상부 RF 쉴드(10a)는 90°로 각도가 서로 상이한 4 지점에서 콘덴서(1a, 2a, 3a, 4a)[콘덴서(2a, 4a)는 도 4에 도시되지 않음]를 거쳐서 지주 요크(YB)에 접속되어 있다. 또한, 하부 RF 쉴드(10b)는 90°로 각도가 서로 상이한 4 지점에서 콘덴서(1b, 2b, 3b, 4b)[콘덴서(2b, 4b)는 도 4에 도시되지 않음]를 거쳐서 지주 요크(YB)에 접속되어 있다.

상기 MRI 장치(200)에 따르면, 각각의 RF 쉴드(10a, 10b)에 발생된 와전류는 균등하게 접지점(gp)으로 방출될 수 있다. 그 결과, 와전류의 악영향에 의해 유발되는 MRI 화상의 화질의 저하를 방지할 수 있다.

(제 3 실시예)

상부 RF 쉴드(10a)는 상부 마그네트(Ma)의 하우징, 자극편(PPa), 또는 이 자극편(PPa)의 하우징에 콘덴서를 거쳐서 접속될 수도 있다. 마찬가지로, 하부 RF 쉴드(10b)는 하부 마그네트(Mb)의 하우징, 자극편(PPb), 또는 이 자극편(PPb)의 하우징에 콘덴서를 거쳐서 접속될 수도 있다.

(제 4 실시예)

RF 쉴드를 접지하는 콘덴서의 수는 1개 또는 그 이상일 수 있다. 예를 들면, RF 쉴드는 60°로 각도가 서로 상이한 6 지점에서 6개의 콘덴서를 거쳐서 접지될 수도 있다.

(제 5 실시예)

2개 이상의 콘덴서를 이용하는 경우, 콘덴서의 정전용량은 서로 동일할 수도 있지만, 서로 상이할 수도 있다.

모든 콘덴서의 정전용량을 동일하게 하는 경우, 각 콘덴서로부터 접지점(gp)까지의 전류 유로에 제공된 임피던스와 다른 임피던스의 차이가 콘덴서에 제공된 임피던스로 흡수될 수 있도록 각각의 정전용량이 결정되어야 한다. 통상, 콘덴서의 정전용량은 약 1000㎊이다.

콘덴서의 정전용량을 서로 상이하게 한 경우, RF 쉴드와 각 콘덴서 사이의 접속점(node)에서 접지점까지의 접지 접속부를 따라 제공된 임피던스와 다른 임피던스의 차이가 최소화될 수 있도록 각각의 정전용량이 결정되어야 한다. 통상, 접지점(gp)에 가장 근접한 접지부에 접속된 콘덴서의 정전용량이 가장 작은 값으로 설정되며, 접지점(gp)에서 가장 먼 접지부에 접속된 콘덴서의 정전용량이 가장 큰 값으로 설정된다. 통상, 콘덴서의 용량은 1000㎊보다 클 수도 있다.

(다른 실시예)

① 본 발명은 초전도형 MRI 장치에 적용될 수도 있다.

② 본 발명은 수평 자장형 MRI 장치에 적용될 수도 있다.

본 발명에 따른 RF 쉴드 및 MRI 장치에 의하면, X축 구배 코일, Y축 구배 코일 및 Z축 구배 코일에 의해 RF 쉴드에 각각 발생된 와전류는 발생과 동시에 접지점으로 균등하게 방출될 수 있다. 그 결과, RF 쉴드에 발생된 와전류가 MRI 화상의 화질을 저하시키는 것을 방지할 수 있다.

Claims

MRI 장치용 RF 쉴드에 있어서,

RF 쉴드가 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는

MRI 장치용 RF 쉴드.
제 1 항에 있어서,

접지점에 가장 근접한 접지부에 접속된 콘덴서의 정전용량이 가장 작은 값으로 설정되는

MRI 장치용 RF 쉴드.
제 1 항에 있어서,

콘덴서의 정전용량이 1000㎊ 이상인

MRI 장치용 RF 쉴드.
MRI 장치에 있어서,

상기 MRI 장치의 RF 쉴드가 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는

MRI 장치.
제 4 항에 있어서,

접지점에 가장 근접한 접지부에 접속된 콘덴서의 정전용량이 가장 작은 값으로 설정되는

MRI 장치.
수직 자장형 MRI 장치에 있어서,

상부 RF 쉴드는 등각도로 방향이 서로 상이한 4 지점 이상에서 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있으며, 하부 RF 쉴드는 등각도로 방향이 서로 상이한 4 지점 이상에서 콘덴서를 거쳐서 접지되어 있는

MRI 장치.
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,

콘덴서의 정전용량이 1000㎊ 이상인

MRI 장치.