KR20040074986A - 전자 발광 표시 장치 - Google Patents

Abstract

전자 발광 장치(1)는,

- 지원 기판(2),

- 상기 기판(2) 상에 배치되는 두 개의 전극들(3),

- 마이크로미터 또는 나노미터 차원을 지닌 다수의 구멍들을 정의하는 메탈 메소포로스 구조를 지니는, 두 개의 전극들(3) 간의 상기 기판(2) 상에 배치된, 3-차원의 여과된 레이어(4)

은 포함한다.

상기 3-차원 여과된 레이어(4)의 구멍들은 다수의 발광 함유물(5)이고, 이는 전자들에 의해 전압이 가해질 때 빛을 방출하기 위해 작동하고, 전자 터널링의 결과로서, 효과는 상기 3-차원 여과 레이어(4)를 통해 패스한다.

Description

전자 발광 표시 장치{Electroluminescent device}

보다 상세히, 당해 발명은 새로운 개념의 전자 발과 표시 장치의 생산을 목적으로 하며, 이는 특히 포토닉스의 영역이 되기 쉽고 그리고 종래의 LED 그리고 O-LED 와 같은 전자 발광 표시 장치들과 가격과 획득할 수 있는 성능 모두 경쟁 대상이다.

당해 발명은 전자 발과 표시 장치와 관련된 것이다.

도 1 은 다른 조건들 하에서, 일반적인 메탈 그리고 진공 간의 전위 장벽층의 그래픽 표현이다.

도 2 는 당해 발명에 따라 생산되는 전자 발광 표시 장치의 구조적 표현이다.

도 3 은 당해 발명의 첫 번째 가능한 변화에 따라 생산되는 전자 발광 표시 장치의 구조적 표현이다.

도 4 는 당해 발명의 두 번째 가능한 변화에 따라 생산되는 전자 발광 표시 장치의 구조적 표현이다.

당해 발명의 상기 목적은 부착되는 청구항들의 특성들을 지니는 전자 발광 표시 장치에 의해 획득되고, 이는 당해 발명의 상세한 설명의 필수적인 부분이다. 당해 발명의 특징들과 이점들은 제한되지 않는 실시예들과, 부착되는 도면들의 설명들로부터 보다 명백해 질 것이다.

당해 발명에 따른 상기 전자 발광 표시 장치는 3-차원의 여과된 레이어 내의 터널링(tunneling) 효과에 기초한다. 3-차원의 여과된 레이어는 전기적 전도를 보증하기 위한 방법으로 그 안에 연결된 절연 메탈 상호연결들 또는 다른 것과 상호 연결된 메탈 나노분자들로 구성된다. 상기 상호 연결들 또는 연결은 이하에서 설명될 것과 같이 터널링에 의해 생성된다. 발명에 따라, 메소포로스(mesoporous) 구조 내에서 발견되는 마이크로미터 또는 나노미터 차원들의 구멍들은 앞으로 보게 될 것과 마찬가지로, 발광성의 나노분자들 또는 매크로분자들에 거주한다. 이러한 방출광은 그들이 터널링의 결과로서, 전자들에 의해 활기를 돋을 때 상기 여과된 레이어를 통해 패스한다.

일반적으로 받아들여지는 메소포로스 물질들을 위한 정의는 50nm 이하의 차원의 구멍들을 지닌 무생물의 물질들을 구성한다. 나노미터 차원들의 구멍들을 지닌 다공성의 물질들은 생산하기가 거의 어렵다. 특히, 정동된 메소포로스 물질들 "초분자 주형" 기술들이 일반적으로 이용되고, 이는 주형으로서 비대칭적 유기적 물질들을 이용하고, 일단 제거된 나노포로스 구조가 설립되어 왔다. 메탈 메소포로스 물질들은 대신 예를 들어, 열적 증발 또는 전자 광속 증발과 같은 증발 기술들을이용하여 자라게 된다.

터널링 효과와 관련하여, 여기서 중요하게 고려하여야 하는 것은 상기 메탈-절연 인터페이스는 시스템의 각 불연속 층에서 발생하는 여과 층에서 금속성 시스템 내부의 특정 상황이다.

옴의 전도, 이온 전도, 열적 방사 그리고 필드 효과 방출과 같은, 메탈-절연 인터페이스를 통한 다양한 전자 운송 기구가 있다. 주어진 물질에서, 미리 언급된 기구의 각각은 특정 온도 그리고 전압 범위(전기 필드)에서 우세하며 전류, 상기 전압 그리고 상기 온도에 의존하는 특징을 지닌다. 이러한 다른 절차들은 서로로부터 독립적으로 반드시 필요한 것은 아니다.

필드 방출은, 또한 Fowler-Nordheim 전자 터널링이라고 불리는, 상기 메탈의 페르미 레벨로부터 절연체 수단들의 전도띠까지 전자들로 구성된다.

이 터널 효과는 상기 메탈과 상기 절연체 간의 가까운 삼각 전압 장벽을 형성하기 위한 상기 절연 수단의 에너지띠를 구부릴 수 있는 강한 전기장(여기서는 " 필드 효과를 위한 방출")이 있을 때 발생한다.

도 1 은 3개의 다른 상황에서 일반적 메탈과 진공간의 전위 장벽의 구조적 표현을 제공한다.

일반적으로, 상기 메탈 내부의 영으로부터 메탈 표면의 바로 바깥쪽으로의 E_F+ Φ 값으로까지 전자들의 전위 에너지를 패스하는 것으로 가정한다. 도 1에서 이 경우는 커브(a)에 의해 표현된다.

상기 메탈의 표면으로부터 직선적으로 떨어져 증가하는 전압을 생각하는 것이 합리적인 것과 같이, 메탈 만남으로부터 움직이는 전자들의 전위 장벽은 더 많은 점차적인 방향을 대신 지닌다. 전자가 이 표면으로부터 몇 Å의 거리에 도달할 때, 전하 -e 로 인한 힘과 동일한 매력적인 힘의 효과를 느낄 필요가 있으며, 전자의 잠재적 에너지는 타입의 함수로서 표현될 수 있다.

그 곳에서 x 는 메탈의 표면으로부터 전자의 거리를 표현한다. 도 1에서 이 경우는 상기 커브(b)에 의해 표현된다.

마지막으로, 전기장이 열 받은 메탈로 둘러싸인 진공 영역 내의 X 방향 내에서 적용되는 경우, 상기 전자의 전위 에너지는 다음의 타입과 같이 된다.

그 곳에서 E 는 적용된 전기장을 표현한다. 이 식의 미분을 수행함으로써, 전압 장벽의 최댓값의 표현이 발견되고, 커브(c)에 의해 도 1에서 다음과 같이 표현된다.

도 1에서 보이는 것과 같이, 외부 전기장의 존재는 효율적 일 함수에서 약간의 감소를 형성한다. 진공에서 상기 메탈의 전형적인 일함수의 값 내의 감소는 상기 외부 전기장이 매우 강한 경우( 몇 천의 볼트/미터 값 까지)에는 작다. 이 경우, 상기 최대 전압은 메탈의 외부 표면으로부터 많은 Å의 거리에서 발견된다. Φ의 값 내의 작은 감소조차 심지어 외부 전기장의 결여에서 전위 장벽에 대해 패스하기 위한 충분한 에너지 없이 많은 전자들이 열적 방출의 현상이 가능하게 만든다.

상기 전기장이 매우 강해질 때, 약 10⁹볼트/미터, 메탈의 특정 일 함수 내의 감소에 부가하여, 필드 효과 방출 또는 전자 터널링의 효과가 또한 발생한다.

메탈-절연체 표면에서 생성되는 전위 장벽은 매우 얇게 되고 메탈의 전자들은 그것을 통해 퀀텀 터널링까지 패스할 수 있다. 전기장의 특정 값에서 상기 전위 장벽은 충분히 얇아지고 그리고 메탈의 페르미 레벨 상의 전자들은 그것을 통하는 패스의 유한한 확률을 얻는다. 전기장의 더 높은 값을 위해, 전위 장벽의 더 얇은 두께는 터널 효과에 의해 통과하는 심지어 더 낮은 에너지를 지닌 전자들을 허용한다.

필드 효과를 위한 방출의 현재 밀도는 그것이 실질적으로 온도와 독립적인 동안 엄격히 전기장의 집중에 의존한다.

그 곳에서 E 는 전기장의 집중을 표현하고, Φ는 전위 장벽의 높이를 표현하며 b 는 비례 상수이다.

상기 방정식에서 중요한 것은, 전자 터널링을 통한 방출의 경우, 상기 전자들은 열적 에너자이징(그리고 이것은 j가 온도에 의존하지 않는다는 것을 설명한다)을 요구하지 않지만, 절연 수단들의 전도 그리고 가전자대역의 전위 장벽 벤딩의 두께를 감소시키는 전기장을 강하게 한다. 이것은 전기장의 집중에서 j의 엄격한 의존성을 설명한다. 사실, 이 경우, 상기 전자들은 상기 전위 장벽을 패스하지 않으나 그것을 통해 터널 된다.

상기 장벽이 10Å보다 더 얇지 않는 한 페르미 레벨 전자들을 위한 터널링의적은 확률이 있다. 필드 효과를 통한 방출의 현상이 약 3*10⁹볼트/미터에서 발생할 위의 전기장의 결정 값을 기대하는 것이 적합하다. 그러나 방출의 이러한 타입은 또한 덜 강한 30배 까지 천문학적인 전기장과 함께 발생한다. 그것은 아마도 메탈의 표면에서 지역적 거침이 지역적 스케일 상에서만, 그리고 필드 효과에 의한 방출의 대부분이 이러한 지대로부터임에도 불구하고 매우 강한 전기장 존재의 원인이다.

여과된 메탈 시스템 내부에서, 그리고 특히 각 메탈-진공 접촉면에서, 발생하는 전자 터널링을 위해 요구되는 전기장의 집중 값에 도달하도록 만들기 위해 전기장 내의 지역적 증가가 있다. 필드 방출 현상에 포함되는 더 작은 차원들이, 전기장 내의 더 큰 지역 증가라는 점을 강조하는 것이 중요하다. 상기 여과된 메탈 시스템의 불연속성에서, 전기장 내의 지역적 증가와 전기장 효과에 의해 발생하는 전자 방출이 있는 곳에서, 현재 밀도 내의 지역적 증가는 발생해야 한다. 사실상, 열적 방출로부터 끌어내는 것과 같이, 전기장에 의해 방출되는 전자들은 전체 전기 전류에 공헌한다. 이것 때문에, 상기 여과된 메탈 시스템은 비-옴 경향을 지닌 전압-전류 특성을 지닌다. 전압이 적용된 전류에서 증가는, 필드 효과 방출과 열적 방출의 공헌의 덕분이며, 선형 특징들을 지닌 옴 컨덕터에서보다 반드시 더 빨라야 한다.

도 2에서, 숫자 1 은 당해 발명의 개념에 따라 생산되는 전자 발광 표시 장치 전체와 위에서 설명한 개념에 기초한 작동들을 표시한다.

상기 장치(1)는 "적절한 전류" 구조를 지니고 그리고 다수의 부분들로 구성된다. 즉,

- 2로 표시되는 기판,

- 3으로 표시되는 두 개의 옆쪽 전극들,

- 4로 표시되는 여과 레벨에서 메탈 메소포로스 물질의 레이어

- 여과 물질(4)의 레이어에서 발광성 나노미터 함유물들(5)

- 6으로 표시되는, 투명한 보호 레이어

은 포함한다. 상기 기판(2)은 투명하고 초음파 클리닝 과정과 함께 준비된 일반 유리 내에서 생산되거나 또는 투명하고 그리고 플라스틱 물질 내에서 생산된다. 발명에 따라, 특별히 비싼 코팅들, 예를 들어 O-LED, P-LED 그리고 액상 크리스털 장치 기술에서 사용되는 ITO와 함께 커버되는 유리와 같은 투명한 기판들은 어느 경우에서든지 요구되는 것은 아니다.

상기 옆의 전극들(3)은 동일한 레벨에서 유리 기판(2)에 배치되고 증발에 의해 증착되는 연속된 메탈 레이어로 구성되고, 상기 목적에 의해 이용되는 메탈 물질은 구리, 은, 금, 알루미늄 또는 유사한 것일 수 있다.

여과 레벨에서 메탈 메소포로스 물질의 레이어(4)에 의해 구성되는 "Low V_DC"로 구조적으로 표현되는, 전자 발광 표시 장치와 상기 장치의 액티브 레이어 간의 상기 전력 발생기 간의 전기 접촉은 전극(3)을 통해 설립된다.

레이어(4)의 끝에서, 상기 전극들(3)은 이 레이어를 통한 전기 전하의 터널링을 유도하는 전위차를 발생한다. 적용된 상기 전압은 매우 강한 지역적 전기장( E10⁷V/cm )을 생성하기에 충분히 높고, 이전에 설명한 것과 같은 터널링에 의한 전자 전도는 여과에서 메탈 레이어(4) 내부에서 발생한다.

불연속적인 메탈 시스템의 여과 지점은 절연체로서 작동하는 것으로부터 필름의 변화들의 지점으로서 정의된다. 특정 상황에서, 상기 필름은 상기 메탈 지역들과 관련하여 컨덕터로서 작동하기 위해 다수의 불연속들을 지니고, 메탈 지역들로서 특정 지역은 필름에서 불연속들에 대해 우세하며, 그의 두 개의 끝 지점들 간으로 형성되고, 이 때 상기 전기 전류의 전도가 발생할 수 있다.

여과 레벨에서 불연속적 메탈 필름에서, 다른 전기 전송 기구들이 있다. 위에서 언급한 것과 같이, 전류의 일상적 옴 전도에 부과하여, 다른 전송 구조들은 특정 열적 방출 그리고 전자 터널링에서, 메탈과 불연속들 간의 인터페이스 지대들을 포함하는 곳에서 발생한다.

열적 방출은 충분히 높은 온도 값들을 위해 , 극히 작은 크기의 다수의 불연속들에 의해 특징지어 지는 필름들에서 지배적으로 전자 터널링이 발생하는 동안, 불연속 필름들에서 발생하고, 그곳에서는 충분한 강력 지역 전기장이 형성된다.

전자 터널링 현상의 증거는 여과된 메탈 시스템들에 의해 보이는 전압-전류의 비-선형 경향에 의해 주어진다. 이러한 것은 적용된 전압의 임계값에서 발생하는 전류 방출을 보여준다. 현재 방전은 시스템의 전도성은 임계 전압 값에서 갑자기 증가한다. 이것이 의미하는 것은 적합한 전압의 적용에 의해, 충분한 강한 전기장이 생성되는 불연속 지점에서, 전기 터널링 효과가 획득된다. 불연속성 지대로의 메탈 지역들에 의해 추출되는 전자들은 상기 시스템을 통해 패스하는 전체 전류에 공헌하며, 따라서 천문학적 레벨에서 관찰될 수 있는 현재 방전을 위해 책임이 있게 된다. 그것은 전기 발광 표시 장치에서 적용을 위해 매우 흥미로운 여과된 메탈 시스템을 만드는 바로 그 현상이다. 사실상, 전기 터널링 효과에 의한 메탈 지역들에 의한 전기 방출은, 예를 들어, 여과된 메탈 레이어(4)의 구멍 내에 포함된 반도체 나노 크리스털의 형태 내에서, 메탈 나노 분자들 또는 인광성 특징을 지닌 분자들 발광 분자들(5)에 전압을 가하기 위해 사용된다.

전기 터널링에 의한 상기 메탈 지역들에 의해 추출되는 전자들은 상기 여과된 메탈 구조로 구성된 행렬 내에 봉합된 발광 나노 분자들 내에서 발광을 돋우기 위한 충분한 에너지를 지닌다. 나노미터 차원을 지닌 발광의 중앙부는 다양한 타입들일 수 있다. 특히, 그들은

- 유기적 인광들, 즉 메탈 구조와 함께 증발, 쿠마린(Coumarin) 7, 알루미늄-8-수산기퀴놀린, 스피로 성분들, 전자 발광 폴리머들 간의 즉 발광 유기 분자들,

- 무기 반도체들(Si, CdSe, CdTe, " 코어-셀" CdSe/ZnS 그리고 CdSe/CdS 구조들), 스스로-모인 기술들과 함께 준비된(이는 분자들 지름에 대한 제어를 허용한다), 전기 화학적 증착, Langmuir-Blodgett 기술들, 이 타입의 나노 구조들은, 에너지의 특정 양을 지닌 부수적인 전자들에 의해 전압이 가해지는 경우, 가시광선 필드 그리고 적외선 근처에서 방출 광자들,

- 예를 들어, 고온에서 메탈의 증기에 의해 물리적으로 또는 용액에서 메탈 이온의 절감에 의해 물리적으로 준비된, 메탈 나노 크리스털들(Au, Ag, Co, Ni, Pt,...), 나노미터 스케일에서, 이러한 스케일들은 반도체로와 비슷하게 작동하고 그리고 방사가 가능하며, 전압이 충전되는 경우, 가시 광자들 또는 적외선-근처에 있다.

- 희박한 발광 대지들, 예를 들어 유러퓸의 메탈유기 성분들, 테르븀( 가시광선에서 방출), 에르븀, 이테르븀( 적외선에서 방출)

에 의해 생성된다.

당해 발명에 따른 장치(1)의 투명 보호 레이어(1)는 스핀-코팅, 딥-코팅, 증 발 또는 튀김에 의한 상기 여과된 메탈 레이어(4) 상에 증착되고 그리고 솔-겔 과정과 함께 생산되는 매우 얇은 투명 유리(약 0.5 mm)로 결국 구성되거나 또는 다른 투명한 플라스틱 절연체와 함께 생성된다.

이 보호 레이어(6)는 출력광의 대조를 증가시키기 위해 필수적인, O-LED 기술에서 요구되는 것과 같이, 분극 필름의 소개를 요구하지 않는다. 당해 발명에 따른 장치(1)의 보호 레이어(6)는 , 쉽게 준비하고 증착하고 있는 것에 부과하여, 생산 과정의 전체 비용을 감소한다.

도 2에서 보이는 경우와 같이, 여과 레벨에서 상기 메탈 메소포로스 물질(4)은 단일 레이어의 형태이다. 가능한 변화와 함께, 도 3에서 구조적으로 보이는, 상기 여과된 레이어를 구성하는 메탈 지역들에 의한 전자들의 추출 효과는 멀티-레이어 여과 시스템으로 단일 레이어(4)를 대체함으로써 증가된다.

다른 레이어들은 다른 메탈들 또는 대안적인 메탈/절연체들로 구성된다. 첫 번째 경우에서, 도 3에서 보이는 것 같이, 시스템의 모든 레이어들은, 4A로 표시되는, 여과 레벨에서, 단일 레이어에서 획득되는 전자 전송의 동일한 수행을 허용하도록 되어야 하며 그리고 다른 일함수들(또는 추출 전압들)을 지닌 메탈과의 직접적 접촉 내에서와 관련하여 분배되어야 한다. 두 번째 경우에서, 도 4에서 보이는 것과 같이, 여과 레벨에서 메탈의 다양한 레이어들(4A)은 반드시 4B로 표시된 것 중의 하나인 절연 물질의 불연속 레이어들과 교대되어야만 한다. 상기 절연 레이어들(4B)의 불연속성은 멀티-레이어 시스템(그리고 각 단일 메탈 레이어를 통하지 않고)을 통해 전기 전도를 허용하기 위해 필수적이다.

메탈에 의한 전자 방출의 현상은 열적 방출 또는 전자 방출에 따른 것이며, 낮은 일함수에 의해 특징짓는 요소의 원자들이 높은 일함수 값에 의해 특징지어진 메탈의 표면상에 분배될 때, 그리고 그 반대의 경우에 집중도를 증가시킨다. 상기 멀티-레이어 용해는 전자 발광 표시 장치가 매우 광대한 접점 지역을 지니는 것을 확실히 하고, 이는 다른 요소들의 메탈 지역들과 터널링 효과에 의해 추출되는 다수의 전자들의 증가 쪽으로의 분배간의 접촉의 가능성을 증가시킨다. 터널링 효과에 의한 전자 방출을 위한 메탈들의 결합은 연속된 전극들: Ca-Al, Ca-Ag, Ca-Cu, Ca-Au, Al-Au, Ag-Au로 적용된 적은 전극전압들을 위해 가능하다.

당해 발명의 특징들은 주어진 설명들로부터 명백해진다. 증가된 안정도와 마찬가지로, 새로운 전자 발광 표시 장치의 이점은 상기 여과된 메탈 레이어의 특징들로부터 이끌어지며, 이는

- 여과 레벨에서 메탈 시스템의 거의 완전히 투명한 것과 같이, 양 방향들에서 광 방출 획득의 가능성,

- 불연속적 필름들의 다른 레이어들의 멀티-레이어를 지닌 용해들의 이용은 광이 방출되는 것으로부터 전체 부피 증가의 이점

을 포함한다.

Claims (17)

1. 전자 발광 표시 장치(1)는 ,

   - 유리 또는 플라스틱으로 지원되는 기판(2),

   - 상기 기판(2) 상에 배치된 두 개의 전극들(3),

   - 상기 전극들(3) 간의 상기 기판(2) 상에 배치된 3-차원의 여과된 레이어(4;4A)로서, 이 때, 상기 3-차원의 여과된 레이어(4;4A)는 마이크로미터 또는 나노미터 차원의 다수의 구멍들을 정의하는 메탈 메소포로스 구조를 지니며, 상기 구조 전기 전도를 보증하는 것과 관련하여 연결된 메탈 절연 상호 연결들 또는 메탈 상호 연결들로 특히 구성되는, 상기 3-차원의 여과된 레이어,

   그 곳에서 상기 발광 함유물들(5)은, 특히 나노 분자들 또는 매크로분자들의 형태에서, 상기 3-차원의 여과된 레이어(4;4A)의 각 구멍들에 거주하는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들(3)은 상기 레이어를 통한 전기 충전의 전송을 유도하는 뒤쪽의 전압 차이의 끝을 발생하기 위해, 상기 3-차원의 여과된 레이어(4;4A)와 외부 전력 발생기 간의 전기적 접점을 설립할 작용을 하는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
3. 제 1 항에 있어서, 상기 장치는 상기 3-차원의 여과된 레이어(4;4A)의 보호레이어(6)와 함께 제공되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
4. 제 1 항에 있어서, 상기 기판(2)은 유리 또는 플라스틱 물질에서 생산되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
5. 제 1 항에 있어서, 상기 전극들(3)은 각각 연속되는 메탈 레이어로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
6. 제 1 항부터 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 연속적 메탈 레이어는 상기 기판(2) 상의 증발에 의해 증착되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
7. 제 5 항에 있어서, 상기 메탈 레이어는 구리, 은, 금, 알루미늄, 플래티넘 그리고 니켈을 포함하는 그룹에서 선택된 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
8. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 함유물(5)은 인광성 특징들을 지닌 메탈 나노 분자들 또는 분자들, 반도체 나노 크리스털들의 형태 인 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
9. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 함유물(5)은 쿠마린 7, 알루미늄-8-수산기퀴놀린, 스피로 성분들, 전자 발광 폴리머들과 같은 유기 인광의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
10. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 함유물(5)은 Si, CdSe, CdTe, "코어-셀" CdSe/Zns 그리고 CdSe/Cds 구조들과 같은 무기 반도체들의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
11. 제 1 항에 있어서, 이 때 상기 발광 함유물(5)은 메탈 나노 크리스털들의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
12. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 함유물(5)은 유러퓸, 테르븀, 에르븀 그리고 이테르븀과 같은 희박한 발광 대지들의 형태인 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
13. 제 3 항에 있어서, 상기 보호 레이어(6)는 유리 또는 다른 투명한 플라스틱 절연체로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
14. 제 1 항부터 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유리는 솔-겔(sol-gel) 처리와 함께 생산되고 그리고 스핀-코팅, 딥-코팅. 증발 또는 튀김에 의한 상기 여과된 메탈 레이어(4;4A) 상에 증착되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
15. 제 1 항에 있어서, 상기 장치는 다수의 3-차원의 여과된 레이어들(4A)과 함께 제공되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
16. 제 1 항에서 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 레이어들(4A)은 상기 메탈-절연체-메탈-절연체의 타입의 반복되는 레이아웃에 따라 또는 서로 다른 메탈들로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.
17. 제 15 항에 있어서, 상기 레이어들(4A)은 절연 물질(4B)의 불연속적 레이어들과 교대적인 하나의 메탈로 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 발광 표시 장치.