KR20040070003A - 전압제어 발진기, 복합 모듈, 및 통신 장치 - Google Patents

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KR20040070003A
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가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
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Abstract

공진 회로는 초크 코일, 가변커패시턴스 다이오드, 커플링 커패시터들, 공진 커패시터, 인덕터 소자를 정의하는 공진기, 및 바이패스 커패시터를 포함한다. 증폭 회로는 버퍼 증폭 트랜지스터, 발진 트랜지스터, 바이어스 저항들, 콜피츠 커패시터들, 바이패스 커패시터들, 커플링 커패시터, 초크 코일, 공진 커패시터, 및 공진 인덕터를 포함한다. 바이어스 저항은 발진 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속된 일단을 가지고 그리고 전기적으로 접지된 일단을 가지는 공진기를 경유하여 그라운드에 전기적으로 접속된 다른 일단을 가진다.

Description

전압제어 발진기, 복합 모듈, 및 통신 장치{Voltage-controlled oscillator, composite module, and communication apparatus}
본 발명은 전압제어 발진기, 복합 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.
도 5는 통상의 전압제어 발진기(1)의 회로도이다. 전압제어 발진기(1)는 공진 회로(2) 및 증폭 회로(3)를 포함한다. 공진 회로(2)의 공진 주파수는 제어 단자(4)에 인가된 제어 전압 Vc에 따라 변화한다. 증폭 회로(3)는 공진 회로(2)의 공진 주파수에 근거한 신호를 발진하고 그리고 신호를 증폭한다.
도 6 및 7을 참조하면, 전압제어 발진기(1)의 회로들(2 및 3)은 회로 패턴들또는 인쇄된 그라운드(ground) 전극들을 가지는 다층 세라믹 시트들을 동시에 소성함으로써 생성되는 회로 기판(10) 상에 탑재되거나 내부에 형성된 (이하에서 기술된) 다양한 전기적 구성요소들을 전형적으로 포함한다. 도 6 및 7에서, 회로 기판(10)은 제어 단자(4), 구동용 전원 단자(5), 출력 단자(6), 층간 접속용 단자들(7 내지 9), 및 그라운드 단자(G)를 포함한다. 회로 기판(10)은 배선 패턴들(12a 내지 12e), 비어 홀(via hole)(11a), 및 관통홀(11b)을 더 포함한다. 상술한 구성요소들에 덧붙여, 회로 기판(10)은 상부 표면 상에 도 6 및 7에서 도시되지 않은 다른 배선 패턴들, 비어 홀들, 및 관통홀들을 가진다.
공진 회로(2)는 초크 코일(choke coil)(L1), 가변커패시턴스 다이오드(D1), 커플링 커패시터들(C9 및 C10), 공진 커패시터(C11), 인덕터 소자인 공진기(스트립 라인(strip line) 또는 마이크로스트립 라인(microstrip line))(SL2), 및 바이패스 커패시터(C12)를 포함한다.
증폭 회로(3)는 버퍼 증폭 트랜지스터(Tr1), 발진 트랜지스터(Tr2), 바이어스 저항들(R1, R2, R3, 및 R4), 콜피츠 커패시터(Colpitts capacitor)들(C4, C5, C6 및 C7), 바이패스 커패시터들(C1 및 C3), 커플링 커패시터(C2), 초크 코일(스트립 라인 또는 마이크로스트립 라인)(SL1), 공진 커패시터(C8), 및 인덕터 소자인 공진 인덕터(스트립 라인 또는 마이크로스트립 라인)(SL3)를 포함한다.
일본 미심사된 특허 출원 공보 제11-74727호는 본 발명의 바람직한 실시형태들에 따른 것과 다른 회로를 가지는, 또 다른 공지된 전압제어 발진기를 공개한다. 이 전압제어 발진기에서, 트랜지스터의 에미터는 커패시터 및 바이어스 저항을 경유하는 것뿐만 아니라 바이어스 저항 및 커패시터 사이의 노드에 접속된 공진기를 경유하여 그라운드에 접속된다.
도 5를 다시 참조하면, 증폭 회로(3) 내의 바이어스 저항(R3)은 트랜지스터(Tr2)의 베이스에 전기적으로 접속된 일단을 가지고 그리고 그라운드에 직접 접속된 다른 일단을 가진다. 바이어스 저항(R3)을 그라운드에 접속하는 하나의 방법은, 바이어스 저항(R3)을 그라운드 단자(G)에 전기적으로 접속하기 위해, 도 6에 도시되는 대로, 회로 기판(10) 상에 제공되는 배선 패턴(12a)을 경유하는 것이다.
그러나, 영역(S1)이 배선 패턴(12a)을 오버랩하기 때문에 이 방법은 칩 구성요소들이 영역(S1) 내에 탑재되는 것으로부터 금지한다. 그러므로, 이 방법은 전압제어 발진기(1)의 소형화에 적합하지 않다. 이 방법의 또 다른 단점은 마이크로스트립 라인에 이용할 수 있는 공간이 감소되는 것이고, 이것은 공진기(SL2)를 손실이 작은 마이크로스트립 라인을 이용하여 형성하는 것을 어렵게 한다.
도 7에 도시되는 대로, 또 다른 방법은 회로 기판(10) 내부에 관통홀(11b)을 형성하여 관통홀(11b)이 전기적으로 바이어스 저항(R3)을 회로 기판(10)의 하부 표면 상의 그라운드 전극(도시되지 않음)에 접속한다. 이 방법은 회로 기판(10) 상에 배선 패턴(12a)을 형성할 필요가 없기 때문에 바이어스 저항(R1)과 같은 칩 구성요소가 영역(S1) 내에 탑재될 수 있게 한다.
불행하게도, 이 방법은 도 8에서 도시되는 대로, 회로 기판(10) 내부의 공진기(스트립 라인 또는 마이크로스트립 라인)(SL2)에 대한 영역이 관통홀(11b)에 의해 제약을 받는 단점을 가지고, 이것은 영역(S2)이 이용되는 것으로부터 금지한다. 그러므로, 이 방법은 전압제어 발진기(1)의 소형화에 또한 적합하지 않다. 특히, 스트립 라인에 의해 정의된 공진기(SL2)는 회로 기판(10)의 표면들 및 내부층들 상의 스트립 라인들 사이에서 전기적으로 접속하는 비어 홀(11a)의 형성을 필요로 하기 때문에, 구성요소 배치 및 내부층 패턴들을 더 제약한다.
상술한 문제점들을 해결하기 위해, 본 발명의 바람직한 실시형태들은 소형화가 가능하고 제약이 적은 구성요소 배치들 및 내부층 패턴들을 이룩하는 전압제어발진기, 복합 모듈 및 통신 장치를 제공한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시형태에 따른 전압제어 발진기의 전기 회로도이고;
도 2는 도 1에 도시된 전기 회로를 내장한 다층 전압제어 발진기의 외부 사시도이고;
도 3은 도 2에 도시된 다층 전압제어 발진기의 내부층의 평면도이고;
도 4는 본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따른 통신 장치의 전기 회로 블록도이고;
도 5는 통상의 전압제어 발진기의 전기 회로도이고;
도 6은 도 5에 도시된 전기 회로를 내장한 다층 전압제어 발진기의 외부 사시도이고;
도 7은 도 6에 도시된 다층 전압제어 발진기의 변형예의 외부 사시도이고; 그리고
도 8은 도 7에 도시된 다층 전압제어 발진기의 내부층의 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 간단한 설명>
2...공진 회로
3...증폭 회로
10...회로 기판
21...전압제어 발진기
Tr1...버퍼 증폭 트랜지스터
Tr2...발진 트랜지스터
R3...바이어스 저항
SL2...공진기 (인덕터 소자)
120...휴대 전화
138...전압제어 발진기
139...로컬 대역 통과 필터
140...복합 모듈
본 발명의 바람직한 실시형태에 따르면, 전압제어 발진기는, 그라운드에 전기적으로 접속된 일단을 가지는 인덕터 소자를 포함하는 공진 회로, 및 트랜지스터 및 저항을 포함하는 증폭 회로를 포함한다. 이 전압제어 발진기에서, 저항은 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속된 일단을 가지고 그리고 인덕터 소자를 경유하여 그라운드에 전기적으로 접속된 다른 일단을 가진다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 전압제어 발진기는 복수의 절연층들 및 복수의 전극들의 적층판을 포함하는 회로 기판을 포함한다. 회로 기판은 그라운드에 전기적으로 접속된 일단을 가지는 인덕터 소자를 포함하는 공진 회로, 및 트랜지스터 및 저항을 포함하는 증폭 회로를 더 포함한다. 트랜지스터 및 저항 중 적어도 하나가 회로 기판 상에 탑재된다. 이 전압제어 발진기에서, 저항은트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속된 일단 및 인덕터 소자를 경유하여 그라운드에 전기적으로 접속된 다른 일단을 가진다. 인덕터 소자는 마이크로스트립 라인, 스트립 라인, 또는 칩 코일 또는 다른 적합한 소자로 형성될 수 있다.
상술한 인덕터 소자는 고주파수(AC) 범위에서 인덕터 또는 공진기로서 기능하고, 그리고 게다가, DC 범위에서 단락 소자로서 기능한다. 그러므로, DC 범위에서, 인덕터 소자는 상술한 대로 저항이 접속되는 그라운드 전극으로서 이용된다. 이 장점은 그라운드로의 배선을 단축시킨다. 게다가, 회로 기판 내에서 배선 패턴 또는 관통홀을 제공하는 것이 필요하지 않다. 이 장점은 전기적 구성요소를 탑재하고 그리고 회로 패턴을 형성하기 위해 회로 기판의 표면 및 내부에 빈 공간을 제공하고, 그것에 의해 소형화된 전압제어 발진기가 설계될 수 있다.
본 발명의 또 다른 바람직한 실시형태에 따르면, 복합 모듈 또는 통신 장치는 상술한 바람직한 실시형태들에 따른 소형화된 전압제어 발진기를 포함한다. 그러한 복합 모듈 및 통신 장치는 소형화되고 그리고 향상된 전기적 특성들을 가지도록 또한 설계된다.
본 발명의 상술한 소자 및 다른 소자들, 특성들, 특징들, 단계들 및 장점들은 수반된 도면들을 이용하여 얻어진 바람직한 실시형태들의 다음 기술로부터 명확해질 것이다.
(본 발명의 바람직한 실시형태들)
본 발명에 따른 전압제어 발진기, 복합 모듈, 및 통신 장치의 바람직한 실시형태들은 첨부된 도면들을 참조하여 기술될 것이다.
(제 1 실시형태)
도 1을 참조하면, 전압제어 발진기(21)는 공진 회로(2) 및 증폭 회로(3)를 포함한다. 공진 회로(2)의 공진 주파수는 제어 단자(4)에 인가되는 제어 전압 Vc에 따라 변화한다. 증폭 회로(3)는 공진 회로(2)의 공진 주파수에 근거한 신호를 생성하고 그리고 신호를 증폭한다.
도 2를 참조하면, 전압제어 발진기(21)의 회로들(2 및 3)은, 회로 패턴들 또는 인쇄된 그라운드(ground) 전극들을 가지는 다층 세라믹 시트들을 동시에 소성함으로써 생성되는 회로 기판(10) 상에 탑재되거나 내부에 제공된 (이하에서 기술된) 다양한 전기적 구성요소들을 전형적으로 포함한다. 도 2에서, 회로 기판(10)은 제어 단자(4), 구동용 전원 단자(5), 출력 단자(6), 층간 접속용 단자들(7 내지 9), 및 그라운드 단자(G)를 포함한다. 회로 기판(10)은 배선 패턴들(12b 내지 12f), 비어 홀(via hole)(22)을 더 포함한다. 상술한 구성요소들에 덧붙여, 회로 기판(10)은 상부 표면 상에 도 2에 도시되지 않은 다른 배선 패턴들, 비어 홀들, 및 관통홀들을 포함한다.
공진 회로(2)는 초크 코일(L4), 가변커패시턴스 다이오드(D1), 커플링 커패시터들(C9 및 C10), 공진 커패시터(C11), 인덕터 소자인 공진기(SL2), 및 바이패스 커패시터(C12)를 포함한다.
가변커패시턴스 다이오드(D1), 커플링 커패시터들(C9 및 C10), 공진 커패시터(C11), 및 바이패스 커패시터(C12)에 대한 칩 구성요소들이 제공된다. 이 칩 구성요소들은 회로 기판(10)의 표면에 탑재된다. 초크 코일(L4) 및 공진기(SL2)는 절연 세라믹 시트 상에 인쇄된 회로 패턴들에 의해 정의된다. 이 회로 패턴들은 회로 기판(10) 내부에 제공된다. 특히, 도 3에서 도시되는 대로, 공진기(SL2)는 스트립 라인 또는 마이크로스트립 라인에 의해 정의된다.
스트립 라인은, 신호 선로 및 그라운드 전극이 절연 세라믹 시트에 의해 서로 분리되고, 상부 또는 하부에 대향하는 그라운드 전극을 가지는 신호 선로로서 정의된다. 마이크로스트립 라인은, 그라운드 전극들 각각이 절연 세라믹 시트에 의해 신호 선로로부터 분리되고 상부에 하나의 그라운드 전극을 가지고 하부에 또 다른 그라운드 전극을 가지는 신호 선로로서 정의된다.
제어 단자(4)에 인가되는 제어 전압 Vc는 초크 코일(L4)을 경유하여 가변커패시턴스 다이오드(D1)에 공급된다. 제어 단자(4)는 고주파수 범위에서 고주파 바이패스 커패시터(C12)를 경유하여 접지된다. 가변커패시턴스 다이오드(D1), 공진 커패시터(C11), 및 공진기(SL2)는 그라운드에 대하여 병렬로 전기적으로 접속된다. 공진기(SL2)의 일단이 접지되는 것이 주목된다.
증폭 회로(3)는 버퍼 증폭 트랜지스터(Tr1), 발진 트랜지스터(Tr2), 바이어스 저항들(R1, R2, R3, 및 R4), 콜피츠 커패시터들(C4, C5, C6 및 C7), 바이패스 커패시터들(C1 및 C3), 커플링 커패시터(C2), 초크 코일(SL1), 공진 커패시터(C8), 및 공진 인덕터(SL3)를 포함한다.
버퍼 증폭 트랜지스터(Tr1) 및 발진 트랜지스터(Tr2)를 내장하는 집적 회로 구성요소(IC), 바이어스 저항들(R1, R2 및 R3), 콜피츠 커패시터들(C4 내지 C7), 바이패스 커패시터들(C1 및 C3), 커플링 커패시터(C2), 및 공진 커패시터(C8)에 대한 칩 구성요소들이 이용된다. 이 칩 구성요소들은 회로 기판(10)의 표면에 탑재된다. 초크 코일(SL1), 바이어스 저항(R4), 및 공진 인덕터(SL3)는 절연 세라믹 시트 상에 인쇄된 회로 패턴들 또는 저항들에 의해 정의된다. 이 회로 패턴들 및 인쇄된 저항들은 회로 기판(10) 내부에 제공된다. 특히, 초크 코일(SL1) 및 공진 인덕터(SL3)는 스트립 라인 또는 마이크로스트립 라인에 의해 정의된다.
공진 인덕터(SL3) 및 공진 커패시터(C8)는 함께 병렬 공진 회로부를 정의한다. 공진 인덕터(SL3)의 인덕턴스 값은, 발진 주파수에서 공진 커패시터(C8)와 병렬 공진하는 값을 가진다. 이 방법으로, 바이어스 저항(R4)을 경유하여 발진 트랜지스터(Tr2)의 에미터로부터 그라운드로 보여지는 임피던스는 발진 주파수에서 증가된다.
바이어스 저항(R4)은 발진 트랜지스터(Tr2)의 에미터에 인가된 DC 바이어스를 규정한다. 즉, 에미터는 전류 출력 단자를 정의한다. 구동 전압(Vb)이 종속접속된(cascade-connected) 버퍼 증폭 트랜지스터(Tr1) 및 발진 트랜지스터(Tr2)에 인가되는 구동용 전원 단자(5)는 고주파수 범위에서 고주파 바이패스 커패시터(C1)를 경유하여 접지된다.
도 2 및 3을 참조하면, 바이어스 저항(R3)은 발진 트랜지스터(Tr2)의 베이스에 전기적으로 접속된 일단 및 회로 기판(10) 내에 제공된 배선 패턴(12f) 및 비어 홀(22)을 통하여 접지된 다른 일단을 가지고 그리고 공진기(SL2)를 경유하여 그라운드에 전기적으로 접속된 일단을 더 가진다. 그라운드에 전기적으로 접속된 일단을 가지는 공진기(SL2)는 고주파수 범위(AC 범위)에서 공진기로서 기능하고 그리고DC 범위에서 그라운드로서 기능한다. 그러므로, 바이어스 저항(R3)의 접지된 일단이 DC 범위의 그라운드로서 기능하는 공진기(SL2)의 일단에 접속되고, 이 공진기(SL2)는 그라운드 전극으로서 이용된다. 이 방법은 그라운드로의 배선을 유리하게 감축한다.
도 6 및 7에 도시된 통상의 전압제어 발진기(1)와 달리, 배선 패턴(12a) 또는 관통홀(11b)을 제공하는 것이 필요하지 않고, 이것은 바이어스 저항(R1)과 같은 구성요소가 회로 기판(10)의 상부 표면의 영역(S1) 내에 탑재되고 그리고 공진기(SL2)가 회로 기판(10) 내부의 영역(S2) 내에 제공되는 것을 가능하게 한다. 결과적으로, 전압제어 발진기(21)의 크기는 크게 감소된다.
게다가, 회로 기판(10)의 표면 상의 빈 공간이 증가되어 공진기(SL2)의 상부 및 하부에 그라운드 전극을 위한 공간이 확보된다. 결과적으로, 공진기(SL2)는 손실이 작은 마이크로스트립 라인 구조를 채용할 수 있고, 그것에 의해 노이즈 특성의 개선을 실현할 수 있다.
바이어스 저항(R3)은 그것을 통과하는 고주파 신호를 허용하지 않고, 그러므로, 상술한 구조는 공진기(SL2)의 본래의 기능에 악영향을 미치지 않는다. 게다가, 공진기(SL2)를 통과하는 고주파 신호는 바이어스 저항(R3)을 경유하여 발진 트랜지스터(Tr2)의 베이스에 들어가는 것으로부터 금지된다.
이 전압제어 발진기(21)는 다음과 같이 작동한다: 공진 회로(2)를 정의하는 가변커패시턴스 다이오드(D1)의 커패시턴스는 제어 전압(Vc)의 값에 따라 변화하고; 공진 회로(2)의 공진 주파수가 변화하고; 증폭 회로(3)는 공진 주파수에 근거한 신호를 발진하고 그리고 신호를 증폭하고; 그리고 마지막으로, 신호는 출력 단자(6)를 경유하여 출력된다.
(제 2 실시형태)
제 2 실시형태는 본 발명에 따른 통신 장치로서 휴대 전화를 예로 들어 기술될 것이다.
도 4는 휴대 전화(120)의 RF부의 전기 회로 블록도이다. 휴대 전화(120)는 안테나 소자(122), 듀플렉서(123), 송신측 아이솔레이터(transmitter isolator)(131), 송신측 증폭기(132), 송신측 단간용 대역 통과 필터(transmitter inter-stage band pass filter)(133), 송신측 믹서(134), 수신측 증폭기(135), 수신측 단간 대역 통과 필터(136), 수신측 믹서(137), 전압제어 발진기(138) 및 로컬 대역 통과 필터(local band pass filter)(139)를 포함한다.
휴대 전화(120)에서, 전압제어 발진기(138) 및 로컬 대역 통과 필터(139)는 회로 블록으로서 단일 회로 기판 상에 집적되고, 이것이 복합 모듈(140)이다. 전압제어 발진기(138)에 대해, 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 전압제어 발진기(21)는 바람직하게 이용된다. 이 복합 모듈(140)을 이용하는 것에 의해, 휴대 전화(120)는 전기적 특성들을 향상시키고, 소형화되고, 그리고 신뢰성을 크게 향상시켰다.
본 발명은 상술한 바람직한 실시형태들을 참조하여, 이에 제한되지 않고 전형적으로 설명되어진다. 다양한 변형예들을 본 발명의 범위 내에서 생각할 수 있다. 예를 들어, 제 1 실시형태에서 기술된 바이어스 저항(R3)은 적층체의 표면 또는 내부에 형성된 인쇄된 저항일 수 있다. 공진기(SL2) 및 공진 인덕터(SL3)는 칩코일들일 수 있다.
버퍼 증폭 트랜지스터(Tr1) 및 발진 트랜지스터(Tr2)는 종속접속이 아닌 방식으로 서로 접속될 수 있고 그리고 공진기(SL2) 및 가변커패시턴스 다이오드(D1)는 직렬로 접속될 수 있다. 게다가, 2개의 전압제어 발진기들(21)은 병렬로 접속될 수 있고, 그것들은 스위칭 수단에 의해 바뀌어질 수 있다.
바이어스 저항(R3)의 접지된 일단은 DC 범위의 그라운드로서 기능하는 공진기(SL2)의 중간 지점에 접속할 수 있다. 이것은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 전압제어 발진기(21)와 같은 효과를 생성한다.
본 발명은 상술한 바람직한 실시형태들 각각에 제한되지 않고, 그리고 다양한 변형예들이 청구항들에서 기술된 범위 이내에서 가능하다. 다른 바람직한 실시형태들 각각에서 설명된 기술적 특징들을 적합하게 결합하는 것에 의해 얻어진 실시형태가 본 발명의 기술적 범위 내에 포함된다.
본 발명에 의하면, 증폭 회로의 트랜지스터의 베이스와 그라운드 사이에 전기적으로 접속된 저항은, 일단이 그라운드에 전기적으로 접속된 인덕터 소자를 경유하여 접지했기 때문에 그라운드까지의 배선을 단축할 수 있다. 또, 통상의 전압제어 발진기와 같은 배선 패턴이나 관통홀을 설치할 필요가 없어지고 회로 기판의 표면이나 내부에 생긴 빈 공간에 전기적 구성요소들을 탑재하거나 회로 패턴을 설치할 수 있다. 따라서, 소형의 전압제어 발진기, 복합 모듈 및 통신 장치를 얻을 수 있다.

Claims (14)

  1. 전압제어 발진기에 있어서, 상기 전압제어 발진기는:
    그라운드에 전기적으로 접속된 일단을 가지는 인덕터 소자를 포함하는 공진 회로; 및
    트랜지스터 및 저항을 포함하는 증폭 회로를 포함하고,
    상기 저항은 상기 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속된 일단을 가지고 그리고 상기 인덕터 소자를 경유하여 상기 그라운드에 전기적으로 접속된 다른 일단을 가지는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 인덕터 소자는 마이크로스트립 라인 및 스트립 라인 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 인덕터 소자는 칩 코일인 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 증폭 회로는 버퍼 증폭 트랜지스터, 발진 트랜지스터, 바이어스 저항들, 콜피츠 커패시터들, 바이패스 커패시터들, 커플링 커패시터, 초크 코일, 공진 커패시터, 및 공진 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  5. 제 1 회로 블록 및 제 2 회로 블록을 포함하는 회로 기판을 포함하는 복합 모듈에 있어서, 상기 제 1 회로 블록은 제 1 항에 따른 전압제어 발진기인 것을 특징으로 하는 복합 모듈.
  6. 제 1 항에 따른 전압제어 발진기를 포함하는 통신 장치.
  7. 제 5 항에 따른 복합 모듈을 포함하는 통신 장치.
  8. 전압제어 발진기에 있어서, 상기 전압제어 발진기는:
    회로 기판을 포함하고, 상기 회로 기판은:
    복수의 절연층들 및 복수의 전극들의 적층판;
    그라운드에 전기적으로 접속된 일단을 가지는 인덕터 소자를 포함하는 공진 회로; 및
    트랜지스터 및 저항을 포함하는 증폭 회로를 포함하고,
    상기 트랜지스터 및 상기 저항 중 적어도 하나가 상기 회로 기판 상에 탑재되고 그리고
    상기 저항은 상기 트랜지스터의 베이스에 전기적으로 접속된 일단 및 상기 인덕터 소자를 경유하여 상기 그라운드에 전기적으로 접속된 다른 일단을 가지는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 인덕터 소자는 마이크로스트립 라인 및 스트립 라인 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 인덕터 소자는 칩 코일인 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 증폭 회로는 버퍼 증폭 트랜지스터, 발진 트랜지스터, 바이어스 저항들, 콜피츠 커패시터들, 바이패스 커패시터들, 커플링 커패시터, 초크 코일, 공진 커패시터, 및 공진 인덕터를 포함하는 것을 특징으로 하는 전압제어 발진기.
  12. 제 1 회로 블록 및 제 2 회로 블록을 포함하는 회로 기판을 포함하는 복합 모듈에 있어서, 상기 제 1 회로 블록은 제 8 항에 따른 전압제어 발진기인 것을 특징으로 복합 모듈.
  13. 제 8 항에 따른 전압제어 발진기를 포함하는 통신 장치.
  14. 제 12 항에 따른 복합 모듈을 포함하는 통신 장치.
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