KR20040067077A - 포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 수분제거 장치 - Google Patents
포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 수분제거 장치 Download PDFInfo
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Abstract
포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 이에 적용되는 수분제거 장치가 개시되어 있다. 상기 방법은 포토레지스트 막이 형성된 기판에 제1선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 공정을 수행한 후 이를 베이킹 처리한다. 베이킹 처리된 기판을 현상 및 세정함으로서 제1선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 세정된 기판을 진공 상태의 조건하에서 열 제공 없이 건조시킴으로서 상기 포토레지스트 패턴의 열적 변형 없이 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 제거한다. 이후 상기 포토레지스트 패턴을 리플로우 시킴으로서 제2선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상술한 방법으로 형성된 포토레지스트 패턴은 재현성 및 공정 마진 등을 우수하여 반도체 장치의 신뢰도를 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.
Description
본 발명은 포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 이에 적용되는 수분제거 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 미세한 선폭을 갖고, 해상도가 우수한 포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 이에 적용되는 포토레지스트 패턴의 수분제거 장치에 관한 것이다.
근래에 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 장치도 비약적으로 발전하고 있다. 그 기능 면에 있어서, 상기 반도체 장치는 고속으로 동작하는 동시에 대용량의 저장 능력을 가질 것이 요구된다. 이러한 요구에 부응하여 상기 반도체 장치는 집적도, 신뢰도 및 응답 속도 등을 향상시키는 방향으로 제조 기술이 발전되고 있다. 이에 따라 상기 반도체 장치의 집적도 향상을 위한 주요한 기술로서 포토리소그라피(photo-lithography) 기술과 같은 미세 가공 기술에 대한 요구도 엄격해지고 있다.
상기 포토리소그라피 기술은 단일 노광공정과 이중노광 공정으로 크게 구분되는데, 단일 노광 공정은 유기적인 포토레지스트를 사용하여 포토레지스트 막을 형성한 후, 1개의 마스크에 형성된 패턴의 상을 포토레지스트 막에 전사될 수 있도록 자외선을 조사하는 기술이다. 그리고, 이중노광 공정은 반도체 장치의 디자인 룰이 감소하면서 반도체 장치의 패턴 피치(pitch)를 감소시키기 위한 목적으로 최종 패턴을 형성하기 위한 2개의 마스크를 적용하여 이중노광(double expose)을 수행함으로서 최종 생성되는 포토레지스트 패턴의 해상도(resolution)를 향상시킬 수 있는 기술이다.
도 1은 종래의 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 공정순서도 이다.
도 1을 참조하면, 절연막 또는 도전막 등과 같은 막들을 포함하는 반도체 기판 상에 자외선(UV : ultraviolet)또는 X-선과 같은 광을 조사하면 알칼리성 용액에 대해 용해도 변화가 일어는 포토레지스트 막을 도포한 후 90 내지 120℃ 정도의 온도에서 상기 포토레지스트 막을 소프트 베이킹(baking)처리함으로서 상기 포토레지스트 막에 존재하는 솔벤트(solvent)를 제거한다.(S10) 이어서, 상기 포토레지스트 막의 상부에 선택적으로 광을 조사할 수 있는 마스크 패턴을 적용하여 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광한다.(S20) 이어서, 90 내지 130℃ 정도의 온도에서 선택적으로 노광된 포토레지스트 막을 제2베이킹처리 함으로서 노광된 포토레지스트 막의 용해도를 증가시킨다.(S30) 이어서, 제2베이킹 처리된 포토레지스트 막을 현상하여 제1포토레지스트 패턴을 형성한 후 포토레지스트 패턴에 존재하는 현상액을 제거하기 위한 세정공정을 수행한다.(S40,S50) 상기 세정 공정으로 인해 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 제거하기 위해 베이킹 장치에 상기 기판을 로딩시킨후 상기 기판을 회전 및 가열시킴으로서 상기 수분을 제거한다.(S60) 그리고, 제1포토레지스트 패턴의 프로파일을 개선하기 위해 리플로우 공정을 수행한다.(S70)
여기서, 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 제거하기 위한 수분제거 장치는 도면에 도시하지 않았지만 상기 장치는 포토레지스트 패턴이 형성된 반도체 기판을 지지하는 플레이트 및 상기 플레이트를 수용하는 챔버가 구비되어 있다. 그리고, 상기 플레이트는 포토레지스트 막을 소정의 온도로 가열시키기 위한 열 제공부를 더 포함하고 있다.
상기 도 1에 도시되어 있는 방법으로 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭(After Develop Inspection - critical dimension; 이하 ADI-CD라 한다)이 180nm 정도로 형성될 때 이후 공정에서 포토레지스트 패턴을 리플로우시키는 공정을 적용하였을 경우에는 큰 문제가 발생하지 않았다. 그러나 상기 ADI-CD가 150nm로 형성된 포토레지스트 패턴을 리플로우 시킬 때 상기 포토레지스트 패턴의 리플로우가 제대로 되지 않아 빅 콘택이 발생된다.
이러한 원인은 상기 세정 공정에서 포토레지스트 패턴 내에 잔류하는 수분이 완전히 제거되지 않거나, 상기 포토레지스트의 수분을 제거하기 위해 제공되는 열로 인해 상기 포토레지스트의 가수반응 및 열적 변형이 발생하여 상기 포토레지스트 패턴의 리플로우가 용이하지 못하였기 때문이다.
따라서, 상기 균일한 선폭을 갖는 포토레지스트 패턴의 재현성 및 상기 포토레지스트 패턴의 공정마진 등을 확보하지 못하여 반도체 장치의 신뢰도가 저하되는 문제점이 발생된다.
상기 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 노광, 현상 및 세정 공정으로 형성된 포토레지스트 패턴에 잔류하는 수분을 가열하지 않고 제거함으로서 미세한 선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 노광, 현상 및 세정공정으로 형성된 포토레지스트 패턴에 잔류하는 수분을 가열하지 않고 제거하기 위한 포토레지스트 패턴의 수분제거 장치를 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 공정순서도 이다.
도 2는 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이다.
도 3a 내지 도 3b는 도 2의 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 적용되는 수분제거 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 챔버 110 : 상면
120 : 저면 130a,130b : 양 측면
140 : 플레이트 150 : 배기부
160 : 진공 펌프 170 : 오링
200 : 기판 212 : 게이트 산화막
214 : 텅스텐 실리사이드막 216 : 텅스텐막
218 : 질화막 220 : 게이트 전극
222: 층간절연막 224a :포토레지스트 패턴
230 : 콘택홀
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명은,
포토레지스트 막이 형성된 기판에 제1선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 공정을 수행한다. 상기 노광 공정이 수행된 기판을 제1베이킹처리 한다. 상기 제1베이킹 처리된 기판을 현상함으로서 제1선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판에 잔류하는 현상액을 제거하기 위해 상기 기판을 세정액을 적용하여 세정한다. 이어서, 상기 세정된 기판을 진공 상태의 조건하에서 열 제공 없이 건조시킴으로서 상기 포토레지스트 패턴의 열적변형 없이 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 제거한다. 그리고, 상기 수분이 제거된 포토레지스트 패턴을 리플로우시킴으로서 제2선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 제공한다.
여기서, 상기 포토레지스트 패턴의 제1선폭은 상기 제2선폭보다 크고, 상기 포토레지스트 패턴의 제1선폭은 상기 포토레지스트 패턴에 형성된 개구부의 저면에해당하는 선폭이며, 상기 제2선폭은 상기 리플로우 공정이 수행된 포토레지스트 패턴에 형성된 개구부의 저면에 해당하는 선폭이다.
또한, 상기 다른 목적을 달성하기 위한 본 발명의 장치는,
개폐되는 구조를 갖는 챔버와 상기 챔버내 저면 상에 위치하고, 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 지지하는 플레이트 및 상기 챔버의 저면 또는 양 측면 단부에 위치하는 배기부를 포함하고 있다. 상기 배기부에는 진공펌프가 구비되어 있어 포토레지스트 패턴에 포함되어 있는 수분을 열 제공 없이 보다 용이하게 제거할 수 있도록 상기 챔버의 압력을 진공상태로 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴으로부터 증발되는 수분을 배출시키기 역할을 한다.
상기와 같이 열의 제공 없이 진공 조건하에서 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 완전히 제거함으로서 포토레지스트 패턴의 리플로우가 균일하게 일어날 수 있도록 할 뿐만 아니라 상기 수분 제거시 포토레지스트 패턴의 열적 변화를 방지함으로서 미세한 선폭을 갖는 포토레지스트 패턴의 재현성 및 공정 마진 등을 보다 용이하게 확보하여 반도체 장치의 신뢰도를 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 포토레지스트 패턴의 형성 방법을 설명하기 위한 공정 순서도이고, 도 3a 내지 도 3b는 도 2의 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 적용되는 수분제거 장치를 설명하기 위한 구성도이다.
도 2를 참조하면, 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판을 마련한다.(S100)상기 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판을 마련하기 위한 단계를 구체적으로 설명하면, 소정의 배선 패턴이 형성된 반도체 기판 표면에 존재하는 습기 및 오염물질을 제거하기 위해 상기 반도체 기판을 표면처리한다. 여기서 상기 표면처리 공정은 반도체 기판에 도포되는 포토레지스트 막의 밀착성이 감소되는 것을 방지하기 위해서 수행되고, 그 공정은 반도체 기판을 회전척에 고정시킨 다음 회전섬유 브러시로 회전하는 반도체 기판 상에 접촉시켜 상기 브러시의 움직임으로 고속 세척하는 단계를 포함한다.
이어서, 상기 표면처리 공정이 수행된 반도체 기판 상에 포토레지스트 물질을 균일하게 도포하여 포토레지스트 막을 형성한다. 여기서, 포토레지스트 막의 형성은 반도체 기판을 지지하는 회전척을 고속으로 회전시켜 상기 반도체 기판이 회전하는 동안 포토레지스트 물질을 반도체 기판 상에 균일하게 도포하는데 있다.
이후에, 상기 반도체 기판 상에 도포된 포토레지스트 막 내에 함유된 용제(Solvent)를 휘발시켜 상기 반도체 기판과 포토레지스트 막의 밀착성을 증가시키기 위해 소프트 베이킹(Soft baking) 공정을 수행한다.
그리고, 상기 포토레지스트 막이 도포된 반도체 기판을 제1광원을 포함하는 조명계 및 레티클이 구비되어 있는 노광장치에 로딩시킨 후 상기 반도체 기판 상에 레티클을 투과한 빛을 조사함으로서 포토레지스트 막 노광한다.(S200) 상기 레티클은 노광마스크를 나타낸다.
이를 구체적으로 설명하면, 상기 반도체 기판에 최종으로 형성될 포토레지스트 패턴의 개구부들을 형성하기 위한 레티클을 적용하여 노광 공정을 수행하기 위해서는 먼저, 노광장치의 레티클 스테이지 상에 소정의 패턴이 형성된 레티클을 위치시키고, 상기 포토레지스트 막이 형성된 반도체 기판 상에 상기 레티클을 얼라인시킨다.
이어서, 반도체 기판에 얼라인된 레티클에 광원으로부터 생성된 광을 일정시간 조사하면, 상기 반도체 기판에 도포된 포토레지스트 막은 상기 레티클 투과한 광과 반응하여 이후 형성되는 포토레지스트 패턴의 개구부와 대응되는 영역에 해당하는 포토레지스트 막이 노광된다.
그리고, 상기 노광된 포토레지스트 막을 베이킹 처리하는 공정을 수행한다.(S300) 상기 반도체 기판을 베이킹 처리하는 공정을 구체적으로 설명하면, 상기 노광 공정을 통하여 노광된 반도체 기판을 베이크 장치에 투입하여 80 내지 150℃의 온도하에서 베이킹 처리한다. 이때 상기 베이킹 처리로 인해 광과 반응한 포토레지스트 막은 용해되기 쉬운 상태로 형성된다.
그리고, 상기 베이킹 처리된 반도체 기판을 현상액을 이용하여 상기 노광된 포토레지스트 막을 제거함으로서 반도체 기판에 제1선폭을 갖는 개구부들을 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성한다.(S400).
이어서, 상기 개구부들을 포함하는 포토레지스트 패턴이 형성된 반도체 기판에 잔류하는 현상액을 제거하기 위해 상기 반도체 기판을 세정한다.(S500) 상기 세정 공정은 세정액이 채워져 있는 세정조에 상기 현상 공정이 수행된 반도체 기판을 딥핑시켜 세정함으로 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 현상액을 제거하는데 있다.
이후에, 세정 공정이 수행된 반도체 기판을 진공 조건하에서 열의 제공 없이 건조시킴으로서 반도체 기판의 포토레지스트 패턴에 함유되어 있는 수분을 상기 포토레지스트 패턴의 열적변형 없이 모두 제거한다.(S600)
상기 포토레지스트 패턴의 수분을 제거하기 위한 수분제거 장치가 도 3a에 도시되어 있다. 상기 도 3a에 도시되어 있는 수분제거 장치는 상부 즉 상면(110)이 개폐되는 구조를 갖는 챔버(100)와 상기 챔버(100)내 저면(120) 상에 존재하고, 포토레지스트 패턴이 형성된 기판(W)을 지지하는 플레이트(140)를 포함하고 있다. 그리고, 상기 챔버(100)의 저면(120) 또는 양측면(130a,130b)의 일측 단부에 위치한 배기부(150)를 포함하고 있다. 여기서 상기 상면(110)은 챔버의 상부에 해당하고, 저면(120)은 챔버의 하부에 해당하며, 양측면(130a,130b)은 챔버의 양측부에 해당한다.
여기서, 도 3b에 도시된 바와 같이 챔버 상면(110)의 외측면과 챔버 양측면(130a,130b)의 외측면에는 서로 억지끼움 결합할 수 있는 구조를 갖는 단차가 형성되어 있다. 또한, 상기 억지 끼움 결합되는 단차 사이에는 상기 챔버의 진공을 유지하기 위한 오링(170)이 더 구비되어 있다.
상기 배기부(150)에는 진공펌프(160)가 연결되어 있고, 상기 배기부(150)은 챔버 저면(120)의 양측에 2개가 구비되는 것이 바람직하다. 또한, 도면에 도시되어 있지는 않지만 상기 반도체 기판(W)을 지지하는 플레이트(140)를 회전시키기 위해 상기 플레이트의 중심축에 구동부가 연결되어 있다.
상기 배기부(150)는 상기 포토레지스트 패턴에 포함되어 있는 수분을 열 제공 없이 보다 용이하게 제거할 수 있도록 상기 챔버(100)내의 압력을 진공상태로 형성하여 상기 포토레지스트 패턴으로부터 증발되는 수분을 보다 용이하게 배출시키는 역할을 한다.
즉, 상기와 같은 구조를 갖는 수분제거 장치를 적용하여 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 제거할 때 상기 챔버(100)내의 압력이 진공의 조건으로 형성되기 때문에 상기 수분의 기화점이 낮게 형성되어 열의 제공 없이도 상기 포토레지스트 패턴으로부터 상기 수분을 보다 용이하게 제거할 수 있다.
이어서, 상기 수분이 제거된 포토레지스트 패턴을 포토레지스트의 유리전이온도 이하로 가열함으로서 상기 포토레지스트 패턴을 리플로우시킨다.(S700) 상기 유리전이온도 이하로 가열됨으로 인해 제1선폭을 갖는 개구부가 형성된 포토레지스트 패턴은 제2선폭을 갖는 개구부가 형성된 포토레지스트 패턴으로 변형되어 형성된다.
여기서, 상기 포토레지스트 패턴의 제2선폭은 상기 제1선폭보다 작게 형성되기 때문에 제2선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 적용하여 반도체 기판에 배선을 형성할 때 보다 미세하고 공정마진이 우수한 배선을 형성할 수 있다. 여기서, 상기 포토레지스트 패턴의 제1선폭은 상기 포토레지스트 패턴에 형성된 개구부의 저면에 해당하는 선폭이며, 상기 제2선폭은 상기 리플로우 공정이 수행된 포토레지스트 패턴에 형성된 개구부의 저면에 해당하는 선폭이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 장치의 콘택홀 형성방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 게이트 산화막(212) 텅스텐 실리사이드막(214), 텅스텐막(216) 및 질화막(218)을 순차적으로 적층되어 있는 게이트 전극들(220) 상에 산화물질을 매몰시키면서 형성한 후 평탄화 공정을 진행함으로서 층간절연막(222)을 형성한다. 여기서 게이트 전극(220)이 존재하지 않는 기판(200)에는 소오스/드레인 영역(210)이 형성되어 있다.
이어서, 상기 층간절연막(222)의 상부에 포토레지스트 막(도시하지 안음)을 형성한 후, 상기 포토레지스트 막이 형성된 기판에 노광, 베이킹, 현상공정을 수행함으로서 게이트 전극(220)들 사이에 존재하는 소오스/드레인 영역(210)을 노출시키기 위한 콘택홀을 형성하기 위해 제1선폭(A)을 갖는 개구부(H)를 포함하는 포토레지스트 패턴(224)을 형성한다.
도 4b를 참조하면, 상기 제1선폭(A)을 갖는 개부구(H)를 포함하는 포토레지스트 패턴(224)이 형성된 기판(200)을 진공 조건하에서 수분을 제거하는 공정을 수행한 후 이에 소정의 열을 제공하여 리플로우 공정을 수행함으로서 제2선폭(B)을 갖는 개구부(H')가 형성된 포토레지스트 패턴(224a)을 형성한다. 상기 리플로우 공정이 수행된 포토레지스트 패턴(224a)의 개구부(H')는 슬러프가 발생하여 상기 제1선폭(A)을 갖는 개구부(H)는 제1선폭 보다 작은 제2선폭(A')을 갖는 개구부(H')로 형성된다. 여기서 제1선폭(A)은 상기 개구부의 저면에 해당하는 선폭이다.
도 4c 내지 4d를 참조하면, 상기 포토레지스트 패턴(224a)을 식각마스크로 이용하여 포토레지스트 패턴(224a)에 의해 노출된 산화막(222)을 이방성 식각함으로서 상기 반도체 기판에 형성된 소오스/드레인 영역(210)을 노출시키는 콘택홀(230)을 형성한다. 그리고, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한다.
따라서, 상술한 바와 같이 열의 제공 없이 진공의 조건하에서 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 완전히 제거함으로서 상기 포토레지스트 패턴의 리플로우가 균일하게 진행될 수 있도록 하고, 상기 포토레지스트 패턴의 열적 변화를 방지함으로서 미세한 선폭을 갖는 포토레지스트 패턴의 재현성 및 공정 마진 등을 용이하게 확보하여 반도체 장치의 신뢰도를 향상시키는 효과를 기대할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (8)
- (a) 포토레지스트 막이 형성된 기판에 제1선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 공정을 수행하는 단계;(b) 상기 노광 공정이 수행된 기판을 베이킹처리 하는 단계;(c) 상기 베이킹 처리된 기판을 현상함으로서 제1선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판에 잔류하는 현상액을 제거하기 위해 상기 기판을 세정하는 단계;(e) 상기 세정된 기판을 진공 상태의 조건하에서 열 제공 없이 건조시킴으로서 상기 포토레지스트 패턴의 열적변형 없이 상기 포토레지스트 패턴에 존재하는 수분을 제거하는 단계; 및(f) 상기 수분이 제거된 포토레지스트 패턴을 리플로우시킴으로서 제2선폭을 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 기판에 포토레지스트 막을 형성하는 공정은,상기 기판 상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 및상기 포토레지스트에 포함된 용제를 제거하기 위해 상기 기판을 소프트 베이킹처리 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 베이킹 공정은 80 내지 150℃의 온도하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 (e)단계 이후, 하드 베이킹 공정을 더 수행하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1선폭은 제2선폭보다 크고, 상기 제1선폭은 상기 포토레지스트 패턴에 형성된 개구부의 저면에 해당하는 선폭이며, 상기 제2선폭은 상기 리플로우 공정이 수행된 포토레지스트 패턴에 형성된 개구부의 저면에 해당하는 선폭인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법.
- 개폐되는 구조를 갖는 챔버;상기 챔버내 저면 상에 위치하고, 포토레지스트 패턴이 형성된 기판을 지지하는 플레이트; 및상기 챔버의 저면 또는 양 측면 단부에 위치하고, 상기 포토레지스트 패턴에 포함되어 있는 수분을 열 제공 없이 보다 용이하게 제거되도록 상기 챔버의 압력을 진공상태로 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴으로부터 증발되는 수분을 배출시키기 위한 배기부를 포함하는 포토레지스트 패턴의 수분 건조장치.
- 제6항에 있어서, 상기 챔버는 상기 챔버의 상면이 개폐되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 수분 건조장치.
- 제6항에 있어서, 상기 배기부에는 상기 챔버의 압력은 진공상태로 형성하기 위한 진공펌프가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 패턴의 수분 건조장치.
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|---|---|---|---|
| KR1020030004044A KR20040067077A (ko) | 2003-01-21 | 2003-01-21 | 포토레지스트 패턴의 형성 방법 및 수분제거 장치 |
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| KR20040067077A true KR20040067077A (ko) | 2004-07-30 |
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ID=37356666
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| KR (1) | KR20040067077A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101442566B1 (ko) * | 2006-12-25 | 2014-09-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법, 패턴형성방법에 사용되는 다중현상용 레지스트 조성물, 패턴형성방법에 사용되는 네가티브 현상용 현상액 및 패턴형성방법에 사용되는 네가티브 현상용 세정액 |
-
2003
- 2003-01-21 KR KR1020030004044A patent/KR20040067077A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR101442566B1 (ko) * | 2006-12-25 | 2014-09-19 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법, 패턴형성방법에 사용되는 다중현상용 레지스트 조성물, 패턴형성방법에 사용되는 네가티브 현상용 현상액 및 패턴형성방법에 사용되는 네가티브 현상용 세정액 |
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