KR20040039009A - 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법 - Google Patents

이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040039009A
KR20040039009A KR1020020066624A KR20020066624A KR20040039009A KR 20040039009 A KR20040039009 A KR 20040039009A KR 1020020066624 A KR1020020066624 A KR 1020020066624A KR 20020066624 A KR20020066624 A KR 20020066624A KR 20040039009 A KR20040039009 A KR 20040039009A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
motor
encoder
decoder
ion implantation
signal
Prior art date
Application number
KR1020020066624A
Other languages
English (en)
Inventor
임태섭
채승원
윤재임
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020020066624A priority Critical patent/KR20040039009A/ko
Publication of KR20040039009A publication Critical patent/KR20040039009A/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/20Means for supporting or positioning the objects or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20214Rotation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법에 대해 개시되어 있다, 그 장치 및 방법은, 반도체 기판을 회전명령에 의해 회전시키는 모터와 모터가 회전하는 지 여부를 소정의 시간간격마다 검지하여 신호를 발생하는 엔코더(Encoder)와 엔코더에 발생되는 신호를 판독하는 디코더(Decoder)를 이용하여 모터의 회전여부를 판단하고 디코더에 의해 모터가 회전하지 아니하는 것으로 판단되면 작동불량신호를 발생하는 제어부에 의하여 제어한다. 모터가 회전하지 않는 상태를 검지할 수 있는 디코더를 장착함으로써 모터가 회전하지 않는 경우에 이를 제어부에서 확인하여 적절한 조치를 취할 수 있다.

Description

이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법{Ion injection apparatus and ion injection method using the same}
본 발명의 반도체 소자의 제조장치 및 그에 의한 제조방법에 관한 것으로서, 특히 웨이퍼를 회전시키는 이온주입장치 및 이에 의한 이온주입방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자의 고집적화, 고밀도화에 대응하여 보다 정밀한 불순물 제어가 요구되며, 더욱이 양산 기술면에서는 재현성의 향상 및 처리능력의 향상이 요구되고 있다. 이에 따라 이온주입 기술에 대한 활용이 커지고 있다.
이온주입 기술이란 불순물을 이온 상태로 만든 후, 이를 가속하여 반도체 기판상의 특정부위에 주사함으로써 원하는 영역에 적정량의 불순물을 이온 주입시키는 반도체 기술이다. 이온주입 기술은 선택적 불순물 주입 및 순도 높은 불순물 주입이 가능하며, 정밀한 불순물 제어가 가능하여 재현성 및 균일성이 우수하다.
이온주입공정에서는 반도체 기판에 이온에 의한 섀도우(shadow)효과를 방지하기 위하여 기판을 회전시킨다. 이를 위하여 기판이 안착된 지지대를 모터에 의하여 회전시킨다. 모터에 회전명령을 가하면 모터가 회전하고 모터의 회전상태는 엔코더(Encoder)에 의하여 검지된다.
모터에 회전명령을 가했음에도 불구하고 모터가 회전하지 않는 경우에 엔코더에는 신호가 검지되지 않은다. 그런데, 이러한 상태는 이온주입장치의 주변에 설치되어 모터의 회전여부를 표시할 수 있는 제어부에 전달되지 않는다. 이렇게 되면, 모터가 회전하지 않은 상태를 제어부에서 확인할 수 없다.
따라서, 본 발명에 이루고자 하는 기술적 과제는 모터의 회전상태를 확인할 수 있는 이온주입장치를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명에 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 모터의 회전상태를 확인할 수 있는 이온주입방법을 제공하는 데 있다.
도 1은 본 발명에 의한 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법을 설명하기 위하여 도시한 개략도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
100 ; 챔버 102 ; 반도체 기판
104 ; 지지대 106 ; 모터
108 ; 엔코더 110 ; 축
112 ; 디코더 114 ; 제어부
116 ; 조절부
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 이온주입장치는, 반도체 기판을 회전시키는 모터와 모터가 회전하는 지 여부를 소정의 시간간격마다 검지하여 신호를 발생하는 엔코더(Encoder)와 엔코더에 발생되는 신호를 판독하는 디코더(Decoder) 및 디코더에 의해 모터가 회전하지 아니하는 것으로 판단되면 작동불량신호를 발생하는 제어부를 포함한다.
본 발명에 의한 이온주입장치는 제어부의 신호발생을 조절하는 조절부를 더 포함할 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 이온주입방법은, 반도체 기판을 회전하기 위하여 모터에 회전명령을 가하는 단계와 모터가 회전하는 지의 여부를 엔코더를 사용하여 소정의 시간간격마다 검지하는 단계와 엔코더의 검지결과를 디코더를 이용하여 판독하는 단계 및 디코더에 의하여 모터가 회전하지 아니하는 것으로 판단되면 제어부에 의하여 작동불량신호를 발생하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 이온주입방법은, 제어부의 신호발생을 조절하는 조절부를 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정하는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법을 설명하기 위하여 도시한 개략도이다.
도 1을 참조하면, 이온주입장치는, 챔버(100)내에 설치된 지지대(104)에 안착된 반도체 기판(102)을 회전시키는 모터(106)와 모터(106)가 회전하는 지 여부를 소정의 시간간격마다 검지하여 신호를 발생하는 엔코더(Encoder, 108))와 엔코더(108)에 발생되는 신호를 판독하는 디코더(Decoder, 112) 및 디코더(112)에 의해 모터(106)가 회전하지 아니하는 것으로 판단되면 작동불량신호를 발생하는 모터(106)의 회전여부를 표시할 수 있는 제어부(114)를 포함한다. 참조번호 110은 모터(106)를 회전시키는 축을 나타낸다. 경우에 따라서는 제어부(114)의 신호발생을 조절하는 조절부(116)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 이온주입방법은, 먼저 지지대(104)에 안착된 반도체 기판(102)을 회전하기 위하여 모터(106)에 회전명령을 가한다. 이어서, 모터(106)가 회전하는 지의 여부를 엔코더(108)를 사용하여 소정의 시간간격마다 검지한다. 나아가, 엔코더(108)의 검지결과를 디코더(112)를 이용하여 판독한다. 만일 디코더(112)에 의하여 모터(106)가 회전하지 아니하는 것으로 판단되면 모터(106)의 회전여부를 표시할 수 있는 제어부(114)에 의하여 작동불량신호를 발생한다. 경우에 따라서는 제어부(114)의 신호발생을 조절하는 조절부(116)를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 모터가 회전하지 않는 상태를 제어부에서 확인하여 작업중단 등의 실시간에 적절한 조치를 취할 수 있다. 따라서, 작업불량에 대해 적절하게 대처할 수 있으며 나아가 제품의 수율을 향상시킬 수 있다.
이상 본 발명을 상세히 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고 당업자에 의해 많은 변형 및 개량이 가능하다.
상술한 본 발명에 의한 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법에 따르면, 모터가 회전하지 않는 상태를 검지할 수 있는 디코더를 장착함으로써 모터가 회전하지 않는 경우에 이를 제어부에서 확인하여 적절한 조치를 취할 수 있다.

Claims (4)

  1. 반도체 기판을 회전시키는 모터;
    상기 모터가 회전하는 지 여부를 소정의 시간간격마다 검지하여 신호를 발생하는 엔코더(Encoder)
    상기 엔코더에 발생되는 신호를 판독하는 디코더(Decoder); 및
    상기 디코더에 의해 상기 모터가 회전하지 아니하는 것으로 판단되면 작동불량신호를 발생하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 이온주입장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어부의 신호발생을 조절하는 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 이온주입장치.
  3. 반도체 기판을 회전하기 위하여 모터에 회전명령을 가하는 단계;
    상기 모터가 회전하는 지의 여부를 엔코더를 사용하여 소정의 시간간격마다 검지하는 단계;
    상기 엔코더의 검지결과를 디코더를 이용하여 판독하는 단계; 및
    상기 디코더에 의하여 상기 모터가 회전하지 아니하는 것으로 판단되면 제어부에 의하여 작동불량신호를 발생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 이온주입방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부의 신호발생을 조절하는 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 이온주입방법.
KR1020020066624A 2002-10-30 2002-10-30 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법 KR20040039009A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020066624A KR20040039009A (ko) 2002-10-30 2002-10-30 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020066624A KR20040039009A (ko) 2002-10-30 2002-10-30 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20040039009A true KR20040039009A (ko) 2004-05-10

Family

ID=37336865

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020066624A KR20040039009A (ko) 2002-10-30 2002-10-30 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20040039009A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6903348B2 (en) Wafer holding apparatus for ion implanting system
WO2007142912A2 (en) Non-uniform ion implantation
JP4867113B2 (ja) イオン注入方法およびイオン注入装置
KR20040039009A (ko) 이온주입장치 및 이를 이용한 이온주입방법
JP3965605B2 (ja) イオン注入装置及びイオン注入方法
JP2006245506A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JPH08315762A (ja) イオン注入装置およびイオン注入方法
JPH05303954A (ja) イオン注入装置
JP2002158211A (ja) イオンビームエッチング装置
KR20020083601A (ko) 반도체 장치 제조용 고에너지 이온 주입기
KR100835831B1 (ko) 이온 주입 장치
JPH0451444A (ja) イオン注入装置
KR20010036836A (ko) 스윙 암 어셈블리를 갖는 이온 주입기
KR20050074760A (ko) 반도체 공정 챔버
KR20040098333A (ko) 이온 주입 설비의 디스크 어셈블리
KR20010057709A (ko) 이온 주입 공정용 웨이퍼의 로딩 상태 감지 장치
JPS61208738A (ja) イオン注入装置
KR20040051222A (ko) 빔 트랩을 위한 이온주입장치
KR200340240Y1 (ko) 이온주입기의이온빔입사각제어장치
KR20000024763A (ko) 반도체 웨이퍼의 이온주입장치의 디스크 및 이를 이용한 이온주입방법
KR20030078441A (ko) 이온주입장치
KR20000026343A (ko) 플레이트 기울기를 감지하는 이온주입 장치 및이를 이용한 이온주입 방법
JPH0258826A (ja) イオンビーム照射装置
KR20070040190A (ko) 반도체소자 제조용 이온주입설비의 진공압 모니터링장치
KR20030090409A (ko) 이온 주입 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination