JPH05303954A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH05303954A JPH05303954A JP8431692A JP8431692A JPH05303954A JP H05303954 A JPH05303954 A JP H05303954A JP 8431692 A JP8431692 A JP 8431692A JP 8431692 A JP8431692 A JP 8431692A JP H05303954 A JPH05303954 A JP H05303954A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- ion beam
- wafer
- ion
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】水平方向にイオンビームを走査しながら、垂直
方向にウェハーをメカニカルにスキャンして注入するイ
オン注入装置において、垂直方向に広がった分のイオン
ビームだけをマスクにてカットするのでなく、水平方向
にイオンビームの広がった分も全てマスクにてカット
し、ウェハー上のあらゆる点におけるイオンビームの入
射角を一様にする。 【構成】イオンビーム１の断面より若干小さな円形の穴
を開けたマスク４と、このマスク４を往復直線運動させ
る機構とを、真空シール１３を付属するマスク駆動軸５
にて直結して、コントローラー１２によりイオンビーム
１の位置とマスク４に開けられた穴の位置とを一致させ
る。これにより、イオンビーム１の広がった分は全てマ
スク４にてカットされるので、ウェハー１０へのイオン
ビーム１の入射角が異なるのを防ぐ。
方向にウェハーをメカニカルにスキャンして注入するイ
オン注入装置において、垂直方向に広がった分のイオン
ビームだけをマスクにてカットするのでなく、水平方向
にイオンビームの広がった分も全てマスクにてカット
し、ウェハー上のあらゆる点におけるイオンビームの入
射角を一様にする。 【構成】イオンビーム１の断面より若干小さな円形の穴
を開けたマスク４と、このマスク４を往復直線運動させ
る機構とを、真空シール１３を付属するマスク駆動軸５
にて直結して、コントローラー１２によりイオンビーム
１の位置とマスク４に開けられた穴の位置とを一致させ
る。これにより、イオンビーム１の広がった分は全てマ
スク４にてカットされるので、ウェハー１０へのイオン
ビーム１の入射角が異なるのを防ぐ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路製造工程
に用いられるイオン注入装置に関する。
に用いられるイオン注入装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置は、図２の模式図
に示すように三角波電圧を発生するＨ側走査電源３と、
Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２及びＨ２電
極６と、ＧＮＤ電位で長方形の穴を開けてイオンビーム
１の垂直方向の広がりを抑制するマスク４と、ウェハー
１０を保持してメカニカルスキャンするための直線往復
運動機構と機械的に接続されたプラテン８と、電流計７
と電気接続されてプラテン８と同一平面上にあるファラ
デー９とを有している。
に示すように三角波電圧を発生するＨ側走査電源３と、
Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２及びＨ２電
極６と、ＧＮＤ電位で長方形の穴を開けてイオンビーム
１の垂直方向の広がりを抑制するマスク４と、ウェハー
１０を保持してメカニカルスキャンするための直線往復
運動機構と機械的に接続されたプラテン８と、電流計７
と電気接続されてプラテン８と同一平面上にあるファラ
デー９とを有している。
【０００３】次に、動作について説明する。イオンビー
ム１は、Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２へ
印加される三角波電圧により水平方向に走査された後、
Ｈ側走査電源３と電気接続されたＨ２電極６へ印加され
る逆向きの三角波電圧によりイオビーム１を水平方向へ
走査して軌道をパラレルにし、マスク４にて垂直方向に
広がった分のイオンビーム１をカットする。このマスク
４を通過したイオンビーム１は、プラテン８に固定され
て垂直方向にメカニカルスキャンしているウェハー１０
へ入射しながら、ウェハー１０と同一平面にあるファラ
デー９にも入射して、このファラデー９と電気接続され
た電流計７で注入するビーム電流値を間接的に測定して
いる。
ム１は、Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２へ
印加される三角波電圧により水平方向に走査された後、
Ｈ側走査電源３と電気接続されたＨ２電極６へ印加され
る逆向きの三角波電圧によりイオビーム１を水平方向へ
走査して軌道をパラレルにし、マスク４にて垂直方向に
広がった分のイオンビーム１をカットする。このマスク
４を通過したイオンビーム１は、プラテン８に固定され
て垂直方向にメカニカルスキャンしているウェハー１０
へ入射しながら、ウェハー１０と同一平面にあるファラ
デー９にも入射して、このファラデー９と電気接続され
た電流計７で注入するビーム電流値を間接的に測定して
いる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来のイオン注入
装置では、垂直方向に広がった分のイオンビームをマス
クにてカットしているが、水平方向の広がりに関しては
何も考えられていなかった。そのため、ウェハーへのイ
オンビーム入射は、垂直方向のみ入射角が一様であり、
水平方向はイオンビームが広がった分だけ入射角に差が
生じるという問題点があった。
装置では、垂直方向に広がった分のイオンビームをマス
クにてカットしているが、水平方向の広がりに関しては
何も考えられていなかった。そのため、ウェハーへのイ
オンビーム入射は、垂直方向のみ入射角が一様であり、
水平方向はイオンビームが広がった分だけ入射角に差が
生じるという問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、水平方向にイオンビームを走査しながら、垂直方向
にウェハーをメカニカルスキャンして注入するイオン注
入装置において、イオンビーム断面より若干小さな円形
の穴を開けたマスクと、このマスクを駆動するためのマ
スク駆動軸と、前記マスクを往復直線運動させる機構
と、マスク穴の位置とイオンビームの位置が一致する様
に走査電源出力と同期をとりながらマスク位置を制御す
るコントローラーと、前記マスク駆動軸が貫通するチャ
ンバー壁にチャンバーの内部と外部の圧力差を維持する
真空シールとを備えている。
は、水平方向にイオンビームを走査しながら、垂直方向
にウェハーをメカニカルスキャンして注入するイオン注
入装置において、イオンビーム断面より若干小さな円形
の穴を開けたマスクと、このマスクを駆動するためのマ
スク駆動軸と、前記マスクを往復直線運動させる機構
と、マスク穴の位置とイオンビームの位置が一致する様
に走査電源出力と同期をとりながらマスク位置を制御す
るコントローラーと、前記マスク駆動軸が貫通するチャ
ンバー壁にチャンバーの内部と外部の圧力差を維持する
真空シールとを備えている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例のイオン注入装置の模式図
である。
る。図１は本発明の一実施例のイオン注入装置の模式図
である。
【０００７】三角波電圧を発生するＨ側走査電源３と、
Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２及びＨ２電
極６と、ＧＮＤ電位でイオンビーム断面より若干小さな
円形の穴を開けたマスク４と、このマスク４とマスク駆
動軸５を介して直結したリニアモーター１１と、Ｈ側走
査電源３と電気接続されてリニアモーター１１の駆動を
制御するコントローラー１２と、マスク駆動軸５が貫通
したチャンバー１４の内部と外部の圧力差を維持するた
めにマスク駆動軸５に接している真空シール１３と、ウ
ェハー１０を保持してメカニカルスキャンするための直
線往復運動機構と機械的に接続されたプラテン８と、電
流計７と電気接続されてプラテン８と同一平面上にある
ファラデー９とを有している。
Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２及びＨ２電
極６と、ＧＮＤ電位でイオンビーム断面より若干小さな
円形の穴を開けたマスク４と、このマスク４とマスク駆
動軸５を介して直結したリニアモーター１１と、Ｈ側走
査電源３と電気接続されてリニアモーター１１の駆動を
制御するコントローラー１２と、マスク駆動軸５が貫通
したチャンバー１４の内部と外部の圧力差を維持するた
めにマスク駆動軸５に接している真空シール１３と、ウ
ェハー１０を保持してメカニカルスキャンするための直
線往復運動機構と機械的に接続されたプラテン８と、電
流計７と電気接続されてプラテン８と同一平面上にある
ファラデー９とを有している。
【０００８】次に、動作について説明する。イオンビー
ム１は、Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２へ
印加される三角波電圧により水平方向に走査された後、
Ｈ側走査電源３と電気接続されたＨ２電極６へ印加され
る逆向きの三角波電圧によりイオンビーム１を水平方向
に走査して軌道をパラレルにする。つまり、Ｈ側走査電
源３から出力される三角波電圧によってイオンビーム１
の走査位置は決定されるから、コントローラー１２はＨ
側走査電源３からの三角波信号を取り込み、この信号に
対応する位置へマスク４に開けられた穴が来るようにリ
ニアモーター１１を制御する。従って、イオンビーム１
の広がった分は、水平方向や垂直方向を問わずにマスク
４によりイオンビーム断面外周部でカットされる。この
広がり分をマスク４にてカットされたイオンビーム１
は、プラテン８に固定されて垂直方向にメカニカルスキ
ャンしているウェハー１０へ入射しながら、ウェハー１
０と同一平面にあるファラデー９にも入射して、このフ
ァラデー９と電気接続された電流計７で注入するビーム
電流値を間接的に測定している。
ム１は、Ｈ側走査電源３に電気接続されたＨ１電極２へ
印加される三角波電圧により水平方向に走査された後、
Ｈ側走査電源３と電気接続されたＨ２電極６へ印加され
る逆向きの三角波電圧によりイオンビーム１を水平方向
に走査して軌道をパラレルにする。つまり、Ｈ側走査電
源３から出力される三角波電圧によってイオンビーム１
の走査位置は決定されるから、コントローラー１２はＨ
側走査電源３からの三角波信号を取り込み、この信号に
対応する位置へマスク４に開けられた穴が来るようにリ
ニアモーター１１を制御する。従って、イオンビーム１
の広がった分は、水平方向や垂直方向を問わずにマスク
４によりイオンビーム断面外周部でカットされる。この
広がり分をマスク４にてカットされたイオンビーム１
は、プラテン８に固定されて垂直方向にメカニカルスキ
ャンしているウェハー１０へ入射しながら、ウェハー１
０と同一平面にあるファラデー９にも入射して、このフ
ァラデー９と電気接続された電流計７で注入するビーム
電流値を間接的に測定している。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、イオンビ
ームの位置とマスクに開けられた円形穴の位置が一致す
るように、イオンビームの走査と同期を取りながらマス
ク穴の位置を制御するので、イオンビームの広がった分
は全てマスクにてカットされる。このため、ウェハー上
のあらゆる点におけるイオンビームの入射角は水平，垂
直方向を問わず一様になるという効果を有する。
ームの位置とマスクに開けられた円形穴の位置が一致す
るように、イオンビームの走査と同期を取りながらマス
ク穴の位置を制御するので、イオンビームの広がった分
は全てマスクにてカットされる。このため、ウェハー上
のあらゆる点におけるイオンビームの入射角は水平，垂
直方向を問わず一様になるという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の模式図である。
【図２】従来のイオン注入装置の模式図である。
１ イオンビーム ２ Ｈ１電極 ３ Ｈ側走査電源 ４ マスク ５ マスク駆動軸 ６ Ｈ２電極 ７ 電流計 ８ プラテン ９ ファラデー １０ ウェハー １１ リニアモーター １２ コントローラー １３ 真空シール １４ チャンバー
Claims (1)
- 【請求項１】 水平方向にイオンビームを走査しなが
ら、垂直方向にウェハーをメカニカルスキャンして注入
するイオン注入装置において、イオンビーム断面より若
干小さな円形の穴を開けたマスクと、このマスクを駆動
するためのマスク駆動軸と、前記マスクを往復直線運動
させる機構と、マスク穴の位置とイオンビームの位置が
一致する様に走査電源出力と同期をとりながらマスク位
置を制御するコントローラーと、前記マスク駆動軸が貫
通するチャンバー壁にチャンバーの内部と外部の圧力差
を維持する真空シールとを備えることを特徴とするイオ
ン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8431692A JPH05303954A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8431692A JPH05303954A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05303954A true JPH05303954A (ja) | 1993-11-16 |
Family
ID=13827110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8431692A Withdrawn JPH05303954A (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05303954A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100734308B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 가변 스크린 어퍼쳐를 갖는 이온 주입 시스템 및 이를이용한 이온 주입 방법 |
| US20110049383A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-03 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implanter and ion implant method thereof |
| US20130130484A1 (en) * | 2009-09-03 | 2013-05-23 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implanter and ion implant method thereof |
| US8900982B2 (en) | 2009-04-08 | 2014-12-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for processing a substrate |
| US9006688B2 (en) | 2009-04-08 | 2015-04-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for processing a substrate using a mask |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP8431692A patent/JPH05303954A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100734308B1 (ko) * | 2006-01-26 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 가변 스크린 어퍼쳐를 갖는 이온 주입 시스템 및 이를이용한 이온 주입 방법 |
| US8900982B2 (en) | 2009-04-08 | 2014-12-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for processing a substrate |
| US9006688B2 (en) | 2009-04-08 | 2015-04-14 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for processing a substrate using a mask |
| US9863032B2 (en) | 2009-04-08 | 2018-01-09 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for processing a substrate |
| US20110049383A1 (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-03 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implanter and ion implant method thereof |
| US20130130484A1 (en) * | 2009-09-03 | 2013-05-23 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implanter and ion implant method thereof |
| US8987691B2 (en) | 2009-09-03 | 2015-03-24 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Ion implanter and ion implant method thereof |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990608 |