KR20040035368A - 반도체 및 ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정제 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자 및 액정표시소자의 제조에 사용되는 세정제 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 특정의 알칸올아민 화합물, 유기용매, 킬레이트 화합물, 비이온계 계면활성제, 물을 포함하는 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물에 관한 것이다.
본 발명은 포토레지스트(photoresist) 스트립(strip) 공정 후 유리기판 또는 실리콘 웨이퍼 위의 포토레지스트 스트립 잔사, 표면 오염에 대해 우수한 세정력을 가지며, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등 부식에 취약한 금속에 대한 부식 방지력이 우수하여, 종래 사용되어온 이소프로판올을 대체 가능한 수계 세정제를 제공할 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 여러 가지 금속막에 대한 부식 방지와 유기물, 입자성 물질의 제거에 탁월한 성능을 나타내어 종래 사용되는 이소프로판올을 대체하는 수계 세정제로 사용할 수 있는 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물에 관한 것이다.
반도체 및 LCD용 TFT 회로 제조에 있어서 포토레지스트를 활용한 포토리소그라피 방법이 폭넓게 사용되고 있다. 포토레지스트는 금속층 에칭의 베리어(barrier)로 사용된 후에는 완전히 제거되어야 하며, 이를 위해 여러 조성의 스트리퍼가 사용된다. 주성분으로는 모노에탄올아민 등과 같은 알칸올아민류, N-메틸피롤리돈, 디메틸설폭시드 등과 같은 극성 용매류, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 비극성 용매류로 구성되어 있다. 스트리퍼로서의 중요한 특성으로는 우수한 박리력과 더불어 금속막질에 대한 부식력이 없어야 한다는 것이다. 특히 알루미늄이나 알루미늄 합금, 동 등과 같은 금속은 알칼리 성분에 의해 부식되기 쉬워 스트립 공정 및 스트립 후 세정공정에서 세심한 주의를 필요로 하고 있다. 알칸올아민류는 물과 반응하여 하이드록시드 이온을 형성하고, 이러한 알칼리 성분이 금속층의 부식을 일으키는 것으로 알려져 있다. 그래서 일반적으로 스트립 공정과 물 세정 공정 사이에 이소프로판올과 같은 용매를 사용하는 중간 세정공정을 추가한다. 그러나, 이소프로판올은 유기용매로서 폐용매 처리가 필요로 하고, 환경문제와 가격에 있어서 불리한 측면이 많다.
지금까지 이소프로판올을 대체한 조성물로 부식문제를 해결하기 위한 다양한 방법이 제안되었다. 예를 들면 미국특허 제4,786,578호는 물과 트리에탄올아민 및 에톡실레이티드 노닐페놀계 계면활성제로 이루어진 조성물에 대해 기재되어 있으나, 여전히 알루미늄 등의 금속에 대한 부식이 충분히 제어되지는 못하고 있다. 미국특허 제5,885,901호에서는 이소프로판올에 아세트산을 소량 투입하여 스트리퍼의 아민 성분을 중화시켜 부식억제 효과를 도모하고자 했지만, 스트리퍼가 함유하고 있는 포토레지스트 성분의 잔사가 남는 문제가 있다. 미국특허 제6,153,018호에서도 희석시킨 질산수용액을 이소프로판올 대용으로 사용하였으나 부식이나, 포토레지스트 잔사 제거에 있어서 효과가 불충분하였다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 고려하여, 이소프로판올을 대체할 수 있는 수계세정제로, 여러 가지 금속막에 대한 부식 방지능이 매우 우수한 새로운 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적은 포토레지스트 유기물과 입자성 물질 등의 제거에 탁월한 성능을 가지는 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물을 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1의 세정제 조성물로 세정한 Al-Nd/Mo 이중막의 단면 사진이고,
도 2는 본 발명의 실시예 1의 세정제 조성물로 세정한 Al-Nd/Mo 이중막의 정면 사진이고,
도 3은 비교예 2의 세정제 조성물로 세정한 Al-Nd/Mo 이중막의 단면 사진이고,
도 4는 비교예 3의 세정제 조성물로 세정한 Al-Nd/Mo 이중막의 정면 사진이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a) 하기 화학식 1로 표시되는 알칸올아민 화합물 0.01 ∼ 5 중량%, b) 하기 화학식 2로 표시되는 유기용매 2 ∼ 30 중량%, c) 하기 화학식 3으로 표시되는 킬레이트 화합물 0.01 ∼ 5 중량%, 및 d) 잔량의 물을 포함하는 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
R1R2-N-R3
상기 화학식 1의 식에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자 또는 메틸기, 에틸기, 하이드록시메틸기, 또는 하이드록시에틸기이며; R3는 하이드록시메틸기, 또는 하이드록시에틸기이며,
[화학식 2]
R4-O-(CkH2kO)ℓ-R5
상기 화학식 2의 식에서, R4및 R5는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자 또는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 또는 부틸기이며; k은 2 내지 3의 정수이고; ℓ은 1 내지 3의 정수이며,
[화학식 3]
HOOC-(CH2)m-COOH
상기 화학식 3의 식에서, m은 0 내지 4의 정수이다.
이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 상기 과제를 달성하기 위해 기술적 검토를 거듭한 결과, 특정의 알칸올아민 화합물, 유기용매, 킬레이트 화합물, 비이온계 계면활성제, 물을 포함하는 세정용 조성물이 탁월한 성능을 발휘하는 것을 발견하였다.
본 발명에서 사용하는 알칸올아민 화합물은 세정용 조성물에서 pH를 일정수준으로 유지하여 스트리퍼 액내의 포토레지스트 잔류물이 침전 형태로 석출되지 않도록 하는 역할을 하는 것으로, 상기 화학식 1의 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 1의 알칸올아민 화합물로는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, N-메틸아미노에탄올, 및 N,N-디메틸아미노에탄올로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 모노에탄올아민 또는 모노이소프로판올아민보다 약알칼리인 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, N-메틸아미노에탄올, N,N-디메틸아미노에탄올 등의 유기산염 형태의 화합물을 세정 조성물에 포함하는 경우 포토레지스트 잔사 제거효율의 감소 없이, 알루미늄 및 알루미늄 합금, 동 기판의 부식이 더욱 억제된다. 이는 포토레지스트 스트리퍼에 포함되어 있는 상대적으로 강알칼리인 모노에탄올아민이 이들 약알칼리염의 버퍼 작용에 의해 하이드록사이드 이온의 발생 효율을 억제하는 메커니즘에 기인한 것이다.
따라서, 상기 알칸올아민을 단독으로 사용할 경우에는 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, N-메틸아미노에탄올, 및 N,N-디메틸아미노에탄올로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 알칸올아민의 혼합물을 사용할 경우에는 전체 알칸올아민 중 모노에탄올아민 또는 모노이소프로판올아민 1 내지 99 중량%와 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, N-메틸아미노에탄올, 및 N,N-디메틸아미노에탄올로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물 99 내지 1 중량%를 사용하는 것이 바람직하다. 특히 바람직한 알칸올아민은 모노에탄올아민, 모노이소프로판올아민, N-메틸아미노에탄올이다.
상기 알칸올아민의 바람직한 pH 범위는 4 ∼ 10, 더욱 바람직하게는 pH 7 ∼ 9.5 수준이 좋다. 상기 알칸올아민의 pH가 4 미만일 경우 세정능력의 손실 및 부식이 있을 수 있으며, 10을 초과할 경우 금속막의 부식을 일으킬 수 있다.
상기 알칸올아민의 함량은 상기의 pH 범위내에 들어가도록 하되, 킬레이트 화합물의 투입량에 따라 조절이 된다. 바람직한 알칸올아민의 투입량은 0.01 내지 5 중량%이며, 더욱 바람직하게는 0.03 내지 2.0 중량%가 좋다.
또한, 본 발명은 세정능력의 향상을 위해 상기 화학식 2의 유기용매 화합물을 사용한다.
상기 화학식 2의 유기용매는 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 및 에틸렌글리콜모노부틸에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하며, 이중에서도 특히 디에틸렌글리콜모노부틸에테르가 더욱 좋다. 상기와 같은 글리콜알킬에테르의 경우 스트리퍼의 구성 성분이기도 하여 세정액과 스트리퍼의 혼화성 향상에 기여함과 동시에 포토레지스트 성분의 용해상태를 유지하는 역할을 한다.
상기 유기용매의 함량은 2 내지 30 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 5 내지 20 중량%이다. 상기 유기용매의 함량이 2 중량% 미만일 경우, 스트리퍼와의 혼화성이 떨어져 세정 후 기판 표면에 오염물질이 남는 등 문제가 발생한다. 또한 30 중량%를 초과할 경우 추가적인 세정효과를 기대할 수 없게 되며, 폐용제 처리 문제, 제조 단가 상승 등의 부정적인 측면이 많게 된다.
또한, 본 발명에서 사용하는 킬레이트 화합물은 여러 가지 금속막에 대한 부식방지 기능을 한다. 스트리퍼 액내의 아민은 세정액의 물과 접촉시 알칼리 하이드록시드 이온을 생성하게 되는데, 유기산계 킬레이트 화합물은 하이드록시드 이온 생성의 완충효과로 금속기판의 부식을 억제한다. 또한 폴리하이드록시벤젠계 킬레이트 화합물은 금속표면, 특히 금속 옥사이드 표면에 흡착하여 화학적 결합을 함으로써 금속표면을 보호하는 역할을 한다. 또한, 상기 킬레이트 화합물은 세정액내의 금속성 입자와 이온을 효율적으로 제거할 수 있다. 즉, 상기 킬레이트 화합물을 사용함으로써 세정후 기판표면 위에 파티클을 효과적으로 제거시킬 수 있다.
상기 킬레이트 화합물은 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
상기 화학식 3의 킬레이트 화합물은 유기산계 킬레이트 화합물 및 폴리하이드록시벤젠계 킬레이트 화합물로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것을 사용할 수 있다. 상기 유기산계 킬레이트 화합물로는 옥살산, 말론산, 석신산, 글루탈산, 아디프산, 구연산, 락트산, 살리실산, 갈산, 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하다. 상기 폴리하이드록시벤젠계 킬레이트 화합물로는 카테콜, t-부틸카테콜, 레조시놀, 및 피로갈롤로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하다. 특히, 바람직한 킬레이트 화합물은 갈산, 구연산, 락트산, 카테콜, 또는 4-t-부틸카테콜이다.
상기 킬레이트 화합물의 함량은 알칸올아민의 함량과 pH 범위에 따라서 결정되며, 바람직하게는 0.01 내지 5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.04 내지 3 중량%로 사용한다. 상기 킬레이트 화합물의 함량이 0.01 중량% 미만이면 금속막의 부식을 유발하고 기판표면위의 금속성 파티클의 제거 효과가 떨어지는 문제가 있으며, 5중량%를 초과하면 추가적인 부식방비 효과 및 파티클 제거 효과가 없다.
또한, 본 발명의 세정제 조성물에 있어서, 나머지 잔량의 성분으로 사용하는 물은 이온교환수지를 거친 고순도의 탈이온수를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물은 비이온계 계면활성제를 더욱 포함할 수 있다. 상기 비이온계 계면활성제는 스트리퍼 액내의 포토레지스트 잔사 등의 오염물질 방지와 금속표면으로의 재흡착 방지를 효율적으로 행할 수 있다.
본 발명에 있어서 비이온계 계면활성제는 하기 화학식 4로 표시되는 화합물을 사용하는 것이 바람직하다.
[화학식 4]
R6-C6H4-O-(C2H4O)n-H
상기 화학식 4의 식에서, R6는 탄소수 8 내지 16의 알킬기이며; n은 3 내지 20의 정수이다.
상기 화학식 4의 비이온계 계면활성제 화합물은 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 및 폴리옥시에틸렌도데실페닐에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하며, 표면장력 저하와 소포기능의 효과를 고려하여 2가지 이상의 혼합물로 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 이때 단위 분자구조내에 에틸렌옥사이드 부가량이 3 내지 20몰인 화합물을 사용하는 것이 가장 바람직하다.
상기 비이온계 계면활성제 함량은 0.01 내지 0.5 중량%가 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.02 내지 0.1 중량%이다. 상기 비이온계 계면활성제의 함량이 0.01 중량% 미만이면 계면활성제로서 오염물질 방지나, 재흡착 방지 효과가 없고, 0.5 중량%를 초과하면 오염물질 방지나 재흡착 방지 기능의 향상 효과가 없으며, 오히려 세정공정이나, 후속공정에서 거품 발생 문제가 심해지며, 세정후에도 기판 표면에 계면활성제 성분이 남는 등의 문제가 발생한다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 한정하는 것은 아니다. 하기의 실시예에 있어서 특별히 명시되지 않는 한 혼합비와 백분율은 중량비와 중량%를 기준으로 한 것이다.
[실시예 1]
모노에탄올아민 1g, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 150g, 카테콜 15g, 초순수 834g을 반응기에 투입한 후 상온에서 2시간 동안 교반하여 세정용액 A를 제조하였다. 제조 후 용액의 pH는 8.83으로 측정되었다.
상기 세정용액 A에 대하여 다음과 같은 방법으로 세정력 및 부식성을 평가하였다. 이때, 금속부식성 및 세정효과 평가에 사용한 기판은 LCD의 TFT 게이트공정을 거친 글라스로서, 글라스 위에 Al/Nd막 200nm 및 상부에 Mo막 50nm를 형성한 후 포지티브 포토레지스트를 도포, 건조 후 포토리소그라피에 의해 패턴을 형성하고, 습식에칭까지 완료한 상태이다.
1) 세정력 평가 : 건조된 DNQ형 포지티브 포토레지스트 4g을 완전 용해한NMP계 스트리퍼(MEA 10%, NMP 40%, BDG 50%) 200g에 위의 글라스를 3cm×3cm 크기로 잘라서 70℃에서 3분간 스트립을 한 후 세정용액 A 200g에 상온에서 5분간 침적 후 빼내어, 초순수에 1분간 세척 후 질소로 건조하였다. 건조완료 후 표면의 포토레지스트 잔존 여부를 FE SEM으로 확인하였다.
2) 부식 평가 : 위의 글라스를 3cm×3cm 크기로 잘라서 NMP계 스트리퍼 200g에 70℃에서 3분간 스트립을 한 후 세정용액 A 200g과 NMP계 스트리퍼 20g의 혼합물에 40℃에서 5분간 침적 후 빼내어, 초순수에 1분간 세척 후 질소로 건조하였다. 건조완료 후 표면의 부식을 FE SEM으로 확인하였다.
상기 세정력 및 부식성의 평가 기준은 하기와 같다.
매우 우수: ◎, 우수: ○, 양호: △, 불량:×
상기 세정력 및 부식성 평가결과는 하기 표 1에 나타내었다. 또한, 실시예 1의 세정제 조성물로 세정한 Al-Nd/Mo 이중막의 단면 사진과 정면 사진을 각각 도 1 및 2에 나타내었다.
[실시예 2]
모노에탄올아민 1g, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 150g, 피로갈롤 15g, 초순수 834g을 반응기에 투입한 후 상온에서 2시간 교반하여 세정용액 B를 제조하였다. 제조 후 용액의 pH는 8.95으로 측정되었다.
상기 세정용액 B에 대하여 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 세정력 및 부식성을 평가하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 3 내지 8 및 비교예 1 내지 4]
하기 표 1에 나타낸 조성과 같이 세정용액을 제조하여, 실시예 1과 동일한 방법으로 세정력 및 부식을 평가하였으며, 결과는 표 1에 나타내었다.
또한, 비교예 2의 세정제 조성물로 세정한 Al-Nd/Mo 이중막의 단면 사진은 도 3에 나타내었고, 비교예 3의 세정제 조성물로 세정한 Al-Nd/Mo 이중막의 정면 사진은 도 4에 나타내었다.
| 구 분 | 실시예 | 비교예 | |||||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 1 | 2 | 3 | 4 | ||
| 조성성분(wt%) | MEA | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.2 | - | - | - | - | - | 0.1 | 0.1 | 6 |
| AIP | - | - | - | - | 0.1 | - | - | - | - | - | - | - | |
| MAE | - | - | - | - | - | 0.1 | 0.2 | - | - | - | - | - | |
| DEA | - | - | - | - | - | - | - | 0.2 | - | - | - | - | |
| IPA | - | - | - | - | - | - | - | - | 100 | - | - | - | |
| EDG | 15 | 15 | 30 | 30 | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| BDG | - | - | - | - | 10 | 10 | 15 | 15 | - | 15 | - | 15 | |
| CTC | 1.5 | - | - | 1.0 | 1.0 | 0.5 | 1.0 | 1.5 | - | - | 1.5 | 1.5 | |
| PYG | - | 1.5 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| GLA | - | - | 0.5 | 0.1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| LTA | - | - | - | - | 0.2 | - | - | - | - | - | - | - | |
| FC430 | - | - | - | - | - | - | 0.01 | - | - | - | - | - | |
| NP10 | - | - | - | - | - | - | - | 0.1 | - | - | - | - | |
| UPW | 83.4 | 83.4 | 69.4 | 68.7 | 88.7 | 89.4 | 83.79 | 83.2 | - | 84.9 | 98.4 | 77.5 | |
| 세정력 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ○ | ◎ | × | ◎ | |
| 부식억제 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | × | ◎ | △ |
주)
1. MEA : 모노에탄올아민
2. AIP : 1-아미노이소프로판올
3. MAE : 2-메틸아미노에탄올
4. DEA : 디에탄올아민
5. IPA: 이소프로판올
6. EDG : 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르
7. BDG : 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르
8. CTC : 카테콜
9. PYG : 피로갈롤
10. GLA : 갈산
11. LTA: 락트산
12. FC430 : IBM사 불소계 계면활성제
13. NP10 : 한농화성사 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르(EO=10)
14. NMP : N-메틸피롤리돈
15. UPW : 초순수, 고순도탈이온수
상기 표 1에서 보면, 본 발명의 실시예 1 내지 8은 비교예 1 내지 4와 비교하여 모두 포토레지스트 잔사 및 Al-Nd 및 Mo의 금속막 부식이 전혀 없는, 양호한 세정 및 부식 방지 결과를 얻었다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 포토레지스트(photoresist) 스트립(strip) 공정 후 유리기판 또는 실리콘 웨이퍼 위의 포토레지스트 스트립 잔사, 표면 오염에 대해 우수한 세정력을 가지며, 알루미늄(Al), 구리(Cu) 등 부식에 취약한 금속에 대한 부식 방지력이 우수하여, 종래 사용되어온 이소프로판올을 대체 가능한 수계 세정제를 제공할 수 있다.
Claims (9)
- a) 하기 화학식 1로 표시되는 알칸올아민 화합물 0.01 ∼ 5 중량%, b) 하기 화학식 2로 표시되는 유기용매 2 ∼ 30 중량%, c)하기 화학식 3으로 표시되는 킬레이트 화합물 0.01 ∼ 5 중량%, 및 d) 잔량의 물을 포함하는 반도체 및 TFT-LCD용 세정제 조성물:[화학식 1]R1R2-N-R3상기 화학식 1의 식에서, R1및 R2는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자 또는 메틸기, 에틸기, 하이드록시메틸기, 또는 하이드록시에틸기이며; R3는 하이드록시메틸기, 또는 하이드록시에틸기이며,[화학식 2]R4-O-(CkH2kO)ℓ-R5상기 화학식 2의 식에서, R4및 R5는 각각 독립적으로 또는 동시에 수소원자 또는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 또는 부틸기이며; k은 2 내지 3의 정수이고; ℓ은 1 내지 3의 정수이며,[화학식 3]HOOC-(CH2)m-COOH상기 화학식 3의 식에서, m은 0 내지 4의 정수이다.
- 제 1 항에 있어서, 상기 a)의 알칸올아민 화합물이 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, N-메틸아미노에탄올, 및 N,N-디메틸아미노에탄올로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 세정제 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 a)의 알칸올아민 화합물이 모노에탄올아민 또는 모노이소프로판올아민 1 내지 99 중량%와 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 디이소프로판올아민, N-메틸아미노에탄올, 및 N,N-디메틸아미노에탄올로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물 99 내지 1 중량%를 포함하는 혼합물인 세정제 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 b)의 유기용매가 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노프로필에테르, 및 에틸렌글리콜모노부틸에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 세정제 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 c)의 킬레이트 화합물이 유기산계 킬레이트 화합물 및 폴리하이드록시벤젠계 킬레이트 화합물로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 세정제 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 유기산계 킬레이트 화합물이 옥살산, 말론산, 석신산, 글루탈산, 아디프산, 구연산, 락트산, 살리실산, 갈산, 및 에틸렌디아민테트라아세트산으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 세정제 조성물.
- 제 5 항에 있어서, 상기 폴리하이드록시벤젠계 킬레이트 화합물이 카테콜, t-부틸카테콜, 레조시놀, 및 피로갈롤로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 세정제 조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 세정제 조성물이 하기 화학식 4로 표시되는 비이온계 계면활성제 0.01 ∼ 0.5 중량%를 더욱 포함하는 세정제 조성물:[화학식 4]R6-C6H4-O-(C2H4O)n-H상기 화학식 4의 식에서, R6은 탄소수 8 내지 16의 알킬기이며;n은 3 내지 20의 정수이다.
- 제 8 항에 있어서, 상기 비이온계 계면활성제가 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에테르, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 및 폴리옥시에틸렌도데실페닐에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 세정제 조성물.
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|---|---|---|---|---|
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| KR101101378B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-02 | 주식회사 엘지화학 | Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정액 조성물 |
| KR101225723B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2013-01-23 | 에스케이케미칼주식회사 | 크린룸 세정용 세정제 조성물 |
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| KR101292497B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2013-08-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 |
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| KR102246300B1 (ko) * | 2021-03-19 | 2021-04-30 | 제이엔에프 주식회사 | 반도체 및 디스플레이 제조공정용 세정제 조성물 |
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Families Citing this family (3)
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| KR19990007139A (ko) * | 1997-06-19 | 1999-01-25 | 이시하라 고로 | 포토레지스트 박리용 조성물 |
| KR100410612B1 (ko) * | 2001-04-03 | 2003-12-18 | 동우 화인켐 주식회사 | 스트립후 세정제 |
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Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8012921B2 (en) | 2004-09-24 | 2011-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for stripping photoresist and method for manufacturing thin transistor array panel using the same |
| US7294518B2 (en) | 2004-09-24 | 2007-11-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composition for stripping photoresist and method for manufacturing thin film transistor array panel using the same |
| KR101136026B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2012-04-18 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
| US7658803B2 (en) | 2005-12-06 | 2010-02-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Manufacturing and cleansing of thin film transistor panels |
| US8389454B2 (en) | 2005-12-06 | 2013-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Manufacturing and cleansing of thin film transistor panels |
| KR101225723B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2013-01-23 | 에스케이케미칼주식회사 | 크린룸 세정용 세정제 조성물 |
| KR101272795B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2013-06-10 | 에스케이케미칼주식회사 | 크린룸 세정용 세정제 조성물 |
| KR101292497B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2013-08-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 |
| KR100873370B1 (ko) * | 2008-04-02 | 2008-12-10 | 주식회사 이생테크 | 알루미늄 거푸집용 세척제 |
| KR101101378B1 (ko) * | 2009-12-31 | 2012-01-02 | 주식회사 엘지화학 | Ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정액 조성물 |
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| CN112175759A (zh) * | 2019-07-04 | 2021-01-05 | 易安爱富科技有限公司 | 金属残渣去除用洗涤剂组合物及利用其的半导体元件的制造方法 |
| CN112175759B (zh) * | 2019-07-04 | 2023-12-19 | 易安爱富科技有限公司 | 金属残渣去除用洗涤剂组合物及利用其的半导体元件的制造方法 |
| KR102246300B1 (ko) * | 2021-03-19 | 2021-04-30 | 제이엔에프 주식회사 | 반도체 및 디스플레이 제조공정용 세정제 조성물 |
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