KR101571753B1 - 전자재료용 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 - Google Patents

전자재료용 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법 Download PDF

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KR101571753B1 KR1020150037413A KR20150037413A KR101571753B1 KR 101571753 B1 KR101571753 B1 KR 101571753B1 KR 1020150037413 A KR1020150037413 A KR 1020150037413A KR 20150037413 A KR20150037413 A KR 20150037413A KR 101571753 B1 KR101571753 B1 KR 101571753B1
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Abstract

본 발명은 전자재료용 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 우수한 세정력으로 전자재료 표면에 부착되어 있는 미세한 오염 입자나 변질 경화된 유기 잔류물 등을 용이하게 제거할 수 있는 동시에 부식에 취약한 금속에 대한 부식 방지력이 탁월하고, 인화 안정성이나 저장성이 개선된 환경친화적인 전자재료용 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것이다.

Description

전자재료용 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법{Water Based Cleaning Solution Composition for Electronic Material and Cleaning Method Using the Same}
본 발명은 전자재료용 수계 세정액 조성물 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체소자, 액정표시소자 등의 전자재료 제조공정에 있어서, 전자재료 표면에 부착되어 있는 미세한 오염 입자, 습식 또는 건식 식각 공정, 드라이 에싱 공정 후 발생하는 변질, 경화된 포토레지스트, 유기잔류물 등을 제거하기 위한 전자 재료용 세정액 및 이를 이용한 세정방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정 중에는 소자의 제조시 영향을 줄 수 있는 입자(particle)이나, 오염물질을 제거하고, 표면을 다른 불순물로부터 보호하기 위한 표면 세척 공정이 있는데, 이를 통상 세정 공정이라 한다.
상기 오염물질은 탄소 및 그 계열로서, 폴리머, 포토레지스트, 왁스, 오일 등이 그 원인이 되는 유기성 잔류물과, 산화물, 질화물, 케미칼 자체에서 함유한 파티클, 기타 장비 파티클 등이 원인이 되는 무기성 잔류물 및 대기, 수중에서 저절로 성장한 자연 산화막, 알루미늄(Al), 바륨(Ba), 카드뮴(Cd), 칼슘(Ca), 크롬(Cr), 코발트(Co), 구리(Cu), 철(Fe), 납(Pb), 리튬(Li), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 니켈(Ni), 칼륨(K), 나트륨(Na), 스트론튬(Sr), 주석(Sn), 아연(Zn) 등으로 케미칼 자체에서 함유한 경우 또는 장비 소스 등이 원인이 되는 금속 불순물로 나눌 수 있다.
상기 오염 물질을 세척하지 않고 방치할 경우, 이는 소자 불량의 원인이 되는데, 이는 오염 물질의 종류에 따라 그 불량 내용도 달라지게 된다. 유기 물질의 경우는 결정 결함 및 핀 홀, 콘택 통전 불량의 발생 원인이고, 무기 물질의 경우는 배선 단선, 저항 증대 등에 의한 패턴 불량 및 스팟(Spot) 이상 돌기의 발생원인이며, 금속 불순물의 경우는 접합 누설전류(Junction Leakage)의 발생, 수명감소 및 문턱전압(Threshold Voltage)의 이전 등의 불량을 일으키는 원인이 되며, 또한 자연 산화막의 경우는 막의 특성을 열화시키는 불량을 야기한다. 따라서, 이러한 오염물질의 제거를 위한 세정 공정은 소자의 특성의 향상을 위하여 필수적인 공정이다.
최근 그 사용량이 급격히 증가하고 있는 액정표시장치 제조공정에서는 디스플레이 화면의 하판에 해당하는 박막트랜지스터 제조공정, 상판에 해당하는 칼라필터 제조 공정에 의하여 완성된 기판에 배향막 도포공정 및 기판 사이의 공간을 액정을 주입하는 셀(cell) 제조공정으로 나뉘어지는데, 특히 액정의 배향성을 결정하는 배향막 도포공정은 기판의 청정 상태가 성능을 좌우하므로 매우 중요하다. 따라서 배향막을 도포하기 전 박막트랜지스터 및 칼라필터 유리기판을 세정하게 되며 이 때에 오염물은 각종 유기물이나 크기가 1 이하인 무기 파티클(Particle)이다. 또한 배향막을 도포한 뒤 잘못된 제품을 다시 세정하여 배향막 도포공정 전 상태로 되돌릴 필요가 있는데, 이때에도 세정액을 사용하여 도포된 배향막 제거 후의 잔류물 및 각종 오염물을 제거하게 된다.
반도체용 실리콘기판, 액정용 유리기판, 포토 마스크용 석영기판 등의 표면 세정은 주로, 과산화수소수와 황산의 혼합액(SPM), 과산화수소수와 암모니아수와 물의 혼합액(SC-1), 과산화수소수와 염산과 물의 혼합액(SC-2), 희석 불산(DHF) 등의 농후한 약액을 사용해서 고온에서 세정한 후에 초순수에 의해 헹구는, 소위 RCA(Radio Corporation of America) 세정법에 의해서 각각의 오염원인에 대해 행하여져 왔다. RCA세정법에 있어서, 황산과 과산화수소수를 1:4로 혼합하여 제조하는 SPM 약액은 유기 오염 물질의 제거에 효과적이며, SC-1, SC-2는 각각 염기성과 산성 용액으로 산화물 내의 파티클과 금속 오염 물질의 제거에 효과적이다.
반도체, LCD, 포토마스크 등의 제조 공정 중에 사용되는 포토레지스트는 유기 고분자 화합물(Organic polymer)이고, 이를 분해하려면 강산이나 강염기 또는 강한 산화제가 필요하다. 통상 포토레지스트를 제거하기 위하여 황산과 과산화수소수가 혼합된 SPM을 사용하며, 이는 탈수소화 반응과 산화 반응을 통하여 유기 화합물을 이산화탄소와 수분으로 분해한다. 또한, 금속 성분을 제거하기 위해서는 통상 염산과 과산화수소수와 물의 혼합액인 SC-2를 사용하는데, 이는 Cl 라디칼과 금속이 반응하여 염산을 형성하여 금속 오염 물질을 제거한다.
그러나, 상기의 RCA세정법은 피식각층 패턴이 금속 패턴인 경우에는 무기용매의 조성에 의해 금속이 심하게 손상되고, 부식되어 패턴 프로파일이 불량하게 되고, 또한, 불순물을 제거하는 과정이 50 내지 120 정도의 고온에서 이루어져야 하므로, 불산, 암모니아수, 황산 및 과산화수소수 등과 같은 물질을 세정액으로 사용하는 경우에는 많은 주의가 필요하다.
이에 따라 전자재료의 금속 부식성을 방지하기 위해 대한민국 공개특허 제10-2010-0090847호에서는 불소계 화합물, 수용성 유기용매, 카르복실산계 공중합체 및 물을 포함하는 평판표시장치 세정용 조성물을 제시하고 있고, 대한민국 공개특허 제10-2011-0137196호에서는 실세스퀴옥산, 유기산, 유기아민 및 부식방지제를 포함하는 전자재료용 세정액 조성물을 제시하고 있다.
그러나, 상기 조성물은 불소계 화합물을 포함함으로써 환경 안전에 유익하지 못하다는 문제점이 있고, 알루미늄, 구리 등의 금속 배선의 부식 방지에는 효과가 있으나, 그 밖의 다른 금속막질에 대한 부식 문제가 발생되었다.
또한 대한민국 공개특허 제10-2010-0054033호는 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 모노에탄올아민, 잔부의 물을 포함하여 모든 막에 대한 세정효과가 우수하고 부식방지가 뛰어난 박막트랜지스터 액정표시장치(TFT-LCD) 또는 반도체 소자용 세정제 조성물을 제시하였다. 상기 조성물은 테트라메틸암모늄하이트록사이드와 모노에탄올아민의 비율이 중요하기 때문에, 제조 공정에서 장시간 사용할 시 상기 비율의 변화가 초래되어 세정력과 금속막의 부식 문제가 생길 수 있다.
이에 금속의 부식을 억제하면서 우수한 세정효과로 반도체 소자 표면에 부착되어 있는 미세한 오염 입자나, 변질 경화된 유기잔류물 등을 용이하게 제거할 수 있으면서 안전적이고 환경친화적인 전자재료용 세정액 조성물의 개발이 절실하다.
대한민국 공개특허 제10-2010-0090847호 대한민국 공개특허 제10-2011-0137196호 대한민국 공개특허 제10-2010-0054033호
본 발명의 주된 목적은 우수한 세정력으로 전자재료 표면에 부착되어 있는 미세한 오염 입자나 변질 경화된 유기 잔류물 등을 용이하게 제거할 수 있는 동시에 부식에 취약한 금속에 대한 부식 방지력이 탁월하고, 인화 안정성이나 저장성이 개선된 환경친화적인 전자재료용 수계 세정액 조성물을 제공하는데 있다.
본 발명은 또한 상기 수계 세정액 조성물을 사용하여, 전자재료 표면에 부착되어 있는 변질, 경화된 오염물질, 유기잔류물 등을 제거하는 전자재료의 세정방법을 제공하는데 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 일 구현예는, 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 장쇄 글리콜 화합물; 모노에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 디에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜에서 선택되는 1종 이상의 단쇄 글리콜 화합물; 알칸올 아민 화합물; 유기 알칼리 화합물; 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물을 제공한다.
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본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 전자 재료용 세정액 조성물은 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(EDG), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 장쇄 글리콜 화합물 10 ~ 50중량%; 모노에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 디에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜에서 선택되는 1종 이상의 단쇄 글리콜 화합물 5 ~ 20중량%; 알칸올 아민 화합물 0.1 ~ 10 중량%; 유기 알칼리 화합물 0.001 ~ 1중량% 및 탈이온수 20 ~ 80 중량%를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 전자 재료용 세정액 조성물은 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 장쇄 글리콜 화합물 20 ~ 40중량%; 모노에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 디에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜에서 선택되는 1종 이상의 단쇄 글리콜 화합물 5 ~ 15중량%; 알칸올 아민 화합물 3 ~ 7 중량%; 유기 알칼리 화합물 0.1 ~ 0.5중량%; 및 탈이온수 40 ~ 70 중량%를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
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본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 알칸올 아민 화합물은 모노에탄올아민, 모노프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-아미노 에탄올, 2-아미노-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-아미노-1-프로판올, 2-아미노-2-프로판올, 3-아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-1-부탄올, 1-아미노-2-부탄올, 3-아미노-2-부탄올 및 2-아미노부탄-2-올로 구성된 군에서 선택되는 1급 알칸올 아민; 디에탄올아민, 디부탄올아민, 2-(에틸아미노)에탄올, 2-(메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(메틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(에틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(에틸아미노)에탄올, 2-(부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(부틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(부틸아미노)에탄올, 2-(펜틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(펜틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(펜틸아미노)에탄올, 2-(헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(헥실아미노)에탄올 및 1-에틸-2-(헥실아미노)에탄올로 구성된 군에서 선택되는 2급 알칸올 아민; 및 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 2-(메틸아미노)에탄올, , 디에틸아미노에탄올, 1-메틸-2-(디메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디에틸아미노)에탄올, 2-(디프로필아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디프로필아미노)에탄올, 2-(디이소프로필아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소프로필아미노)에탄올, 2-(디부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디부틸아미노)에탄올, 2-(디이소부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소부틸아미노)에탄올, 2-(디-n-아밀아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디-n-아밀아미노)에탄올, 2-(디이소아밀아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소아밀아미노)에탄올, 2-(디헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디헥실아밀아미노)에탄올, 2-(디-2-헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디-2-헥실아밀아미노)에탄올, 2-(디시클로헥실아미노)에탄올 및 1-메틸-2-(디시클로헥실아미노)에탄올로 구성된 군에서 선택되는 3급 알칸올 아민 중에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 알칸올 아민 화합물은 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 유기 알칼리 화합물은 제4급 암모늄 수산화물 또는 히드록실아민계 화합물인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 제4급 암모늄 수산화물은 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라프로필암모늄 및 수산화테트라부틸암모늄으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일 구현예에서, 상기 히드록실아민계 화합물은 디메틸히드록실아민, 디에틸히드록실아민, 디부틸히드록실아민 및 메틸페닐히드르록실아민으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 다른 구현예는, 전자재료 제조시, 상기 전자재료용 수계 세정액 조성물을 사용하여 세정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 다른 구현예에서, 상기 전자재료는 반도체소자 또는 액정표시소자인 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 바람직한 다른 구현예에서, 상기 전자재료의 세정방법은 반도체소자 또는 액정표시소자 제조공정에서 배향막의 도포 과정 전 또는 후에 전자재료용 수계 세정액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따른 수계 세정액 조성물은 전자재료 표면에 부착되어 있는 미세한 오염입자나 변질 경화된 유기잔류물에 대한 세정력이 탁월하고, 전자재료를 구성하고 있는 금속막에 대한 부식 방지 효과가 우수한 동시에 종래의 세정액 조성물에 비해 탈이온수의 함량이 높아 취급이 용이하고 환경친화적이며 세정액의 코스트(cost)가 낮아 경제적으로 유리한 효과를 얻을 수 있다.
다른 식으로 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법은 본 기술분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본원 명세서 전체에서, "전자재료"는 반도체, 액정재료, 자성재료 등을 비롯 저항재료, 접점재료, 유전체재료, 도전재료 등 전자기계에 사용되는 광범위한 재료를 의미한다.
본 발명은 일 관점에서, 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG) 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 장쇄 글리콜 화합물; 모노에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 디에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜에서 선택되는 1종 이상의 단쇄 글리콜 화합물; 알칸올 아민 화합물; 유기 알칼리 화합물; 및 탈이온수를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물에 관한 것이다.
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본 발명은 다른 관점에서, 반도체 소자나 액정표시소자 등을 포함하는 전자재료 제조시 상기한 수계 세정액 조성물을 이용하여 세정을 수행하는 것을 특징으로 하는 세정방법을 제공한다.
보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 소자나 액정표시소자 등의 전자재료 제조시 특정 조성과 함량으로 구성된 수계 세정액 조성물을 이용하여 전자재료를 세정시킴으로써, 전자재료 표면에 부착되어 있는 미세한 오염입자나 변질 경화된 유기잔류물의 제거율을 향상시킬 수 있고, 전자재료를 구성하고 있는 금속막에 대한 부식을 방지할 수 있으며, 종래의 세정액 조성물에 비해 탈이온수의 함량이 높아 취급이 용이하고 안정적이며 환경적으로 유리한 효과가 있다.
이하에서 상기 전자재료용 수계 세정액 조성물을 구성하고 있는 각각의 화합물에 대하여 상세히 설명한다.
<장쇄 글리콜 화합물>
본 발명에 따른 장쇄 글리콜 화합물은 유기 오염물을 팽윤시키거나, 용해시키는 용매역할과 더불어 세정액의 표면장력을 저하시켜 전자재료 표면에 대한 습윤성을 증가시키고 세정력을 향상시키는 역할을 하는 것으로, 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물일 수 있으며, 세정력을 향상시키는 측면에서 바람직하게는 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르일 수 있다.
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본 발명에 따른 수계 세정액 조성물 중 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG)로 나타내어지는 장쇄 글리콜 화합물은 조성물 총 중량에 대하여 10 내지 50중량%로 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 20 내지 40중량%로 포함하는 세정력을 향상시키는 측면에서 좋다. 상기 장쇄 글리콜 화합물이 10중량% 미만으로 포함할 경우, 글리콜유도체 화합물의 포함에 기인한 세정액 조성물의 유기 오염물에 대한 용해력 증가를 기대할 수 없고, 50중량%를 초과할 경우에는 습윤성 증가에 대한 효과를 기대할 수 없으며 비용 측면에서도 바람직하지 않다.
<단쇄 글리콜 화합물>
본 발명에 따른 단쇄 글리콜 화합물은 전자재료 표면의 오일성분 제거력을 향상시키고, 물에 대한 용해력을 개선시켜 유기 오염물에 대한 세정력과 린스성을 향상시키는 역할로, 모노에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜 중에서 선택된 1종 이상이 사용된다.
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상기 단쇄 글리콜 화합물은 나열된 것 중 어느 것이나 사용할 수 있으나, 세정력과 린스성 측면에서 바람직하게는 모노에틸렌글리콜 일 수 있다.
상기 단쇄 글리콜 화합물은 세정액 조성물 총 중량에 대하여, 5 내지 20중량%로 포함되는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 내지 15중량%로 포함될 수 있다. 만일 본원 발명의 단쇄 글리콜 화합물이 5중량% 미만으로 포함될 경우, 단쇄 글리콜 화합물의 포함에 기인한 세정액 조성물의 세정력 향상을 기대할 수 없고, 20중량%를 초과할 경우에는 용량 추가에 의한 유기 오염물 세정력과 린스성에 대한 효과를 기대할 수 없다.
<알칸올 아민>
본 발명에 따른 알칸올 아민은 조성물에서 pH를 일정수준으로 유지하여 세정액 내의 오염물질이 침전형태로 석출되지 않도록 하는 역할을 하는 것으로, 상기 알칸올 아민은 조성물 총 중량%에 대하여 0.1 ~ 10중량%로 포함하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3 ~ 7중량%로 포함하는 것이 좋다. 만일 0.1 중량% 미만으로 포함될 경우, 알칸올 아민에 대한 세정력을 기대할 수 없고, 10중량%를 초과할 경우에는 금속의 부식이 발생한다.
상기 알칸올 아민은 질소 원자에 붙어있는 수소 원자가 탄화수소기로 치환된 수에 따라 제1급 알칸올 아민, 제2급 알칸올 아민 및 제3급 알칸올 아민으로 구분할 수 있고, 이러한 알칸올 아민은 조성물내에서 급수에 따라 화합물의 특성이나 성질에 차이가 있다.
상기 1급 알칸올 아민의 구체적인 예로는 모노에탄올아민, 모노프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-아미노 에탄올, 2-아미노-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-아미노-1-프로판올, 2-아미노-2-프로판올, 3-아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-1-부탄올, 1-아미노-2-부탄올, 3-아미노-2-부탄올, 2-아미노부탄-2-올 등일 수 있다.상기 2급 알칸올 아민의 구체적인 예로는 디에탄올아민, 디부탄올아민, 2-(에틸아미노)에탄올, 2-(메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(메틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(에틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(에틸아미노)에탄올, 2-(부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(부틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(부틸아미노)에탄올, 2-(펜틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(펜틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(펜틸아미노)에탄올, 2-(헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(헥실아미노)에탄올, 1-에틸-2-(헥실아미노)에탄올 등일 수 있다.
또한, 상기 3급 알칸올 아민의 구체적인 예로는 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 2-(메틸아미노)에탄올, 디에틸아미노에탄올, 1-메틸-2-(디메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디에틸아미노)에탄올, 2-(디프로필아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디프로필아미노)에탄올, 2-(디이소프로필아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소프로필아미노)에탄올, 2-(디부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디부틸아미노)에탄올, 2-(디이소부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소부틸아미노)에탄올, 2-(디-n-아밀아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디-n-아밀아미노)에탄올, 2-(디이소아밀아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소아밀아미노)에탄올, 2-(디헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디헥실아밀아미노)에탄올, 2-(디-2-헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디-2-헥실아밀아미노)에탄올, 2-(디시클로헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디시클로헥실아미노)에탄올 등일 수 있다.
이때, 상기 2종 이상의 알칸올 아민 함량비는 상기의 pH 범위내에 들어가도록 조절할 수 있다.
<유기 알칼리 화합물>
상기 유기 알칼리 화합물은 미세입자, 유기오염물, 무기오염물 등에 대한 세정능력을 더욱 향상시키는 역할로, 제4급 암모늄수산화물 및 히드록실아민계 화합물일 수 있다.
상기 제4급 암모늄수산화물의 구체적인 예로는 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라프로필암모늄, 수산화테트라부틸암모늄 등일 수 있고, 상기 히드록실아민계 화합물로는 디메틸히드록실아민, 디에틸히드록실아민, 디부틸히드록실아민, 메틸페닐히드르록실아민 등일 수 있다.
상기 유기 알칼리 화합물의 함량은 조성물 총 중량에 대하여, 0.001 ~ 1중량%로 포함하고, 바람직하게는 0.1 내지 0.5 중량%로 포함될 수 있다. 만일 유기 알칼리 화합물이 0.001중량%로 포함될 경우, 유기 알칼리 화합물 포함에 대한 세정능력을 기대할 수 없고, 1중량%를 초과할 경우에는 금속 부식이 발생될 수 있다.
<탈이온수>
본 발명에 따른 수계 세정액 조성물에 포함되는 탈이온수는 전자재료 표면상에 잔존하는 유기 오염물질 등을 빠르고 완전하게 제거시키는 역할을 수행하는 것으로, 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니나, 반도체 공정용으로 바람직하게는 비저항값이 18Ω/cm 이상인 탈이온수를 사용할 수 있다.
상기 탈이온수의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 20 ~ 80중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 40 ~ 70중량%로 포함된다.
만일, 탈이온수가 조성물 총 중량에 대하여 20중량% 미만으로 첨가될 경우, 조성물의 가격이 상승하여 가격대비 성능면에서 비효율적이며 환경 안정성 측면에서도 불리하고, 80중량%를 초과할 경우에는 오염물 제거 능력이 저하되는 문제점이 있다.한편 본 발명의 전자재료용 수계 세정액 조성물은 본 발명의 효과에 악영향을 미치지 않는 한, 당 업계에서 통상적으로 사용되는 첨가제를 함유할 수 있으며, 본 발명의 전자재료용 세정액 조성물을 수득하기 위하여, 상술한 화합물은 소정의 양으로 유리하게 혼합될 수 있으며, 혼합 방법은 특별히 제한되는 것이 아니며, 여러 가지 공지 방법을 적용할 수 있다.
또한, 본 발명의 전자 재료용 수계 세정액 조성물은 단결정 실리콘, 비결정(amorphous) 실리콘, 다결정 실리콘 등의 실리콘 및 산화실리콘 절연막, 또한 실리콘 이외의 금속, 예를 들어 알루미늄, 텅스텐 등에 대한 부식성을 억제한 세정액이므로, 액정디스플레이, 실리콘기판을 사용한 집적회로 디바이스 등의 전자부품의 세정공정에 적용이 가능하다.
본 발명의 전자 재료용 수계 세정액 조성물은 실리콘 및 실리콘 이외의 금속, 예를 들어 알루미늄, 텅스텐, 티타늄 등과 같은 물질에 대하여 매우 낮은 부식성을 가지며, 특히 알루미늄, 텅스텐을 포함하는 금속 막질에 우수한 방식성을 가진다.
또한, 반도체소자 표면에 부착되어 있는 미세한 오염 입자, 습식 또는 건식 식각공정, 드라이 에칭 공정 후 발생하는 변질, 경화된 포토레지스트 및 폴리머 잔류물에 대하여 침적, 분무법, 매엽 방식에 의하여 저온에서, 단시간 내에 용이하게 세정하여 제거할 수 있으며, 반도체소자 및 액정표시소자를 구성하고 있는 금속막, 산화막과 같은 무기재료 물질에 대하여 부식성이 매우 낮으며, 결과적으로 반도체소자 및 액정표시소자의 제조 공정 중 배향막의 도포 과정 전이나 후의 세정 공정에서 사용될 수 있다.
또한, 본 발명은 본 발명의 수계 세정액 조성물을 이용하여 반도체 소자 및 액정표시소자 등을 포함하는 전자재료 제조시 세정을 실시하는 것을 특징으로 하는 세정 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 세정방법은 당 업계에 통상적으로 알려진 세정 방법에 의하여 수행할 수 있으며, 세정액 조성물과, 포토레지스트 및 폴리머 잔류물이 형성되어 있는 기판이 접촉할 수 있는 방법이면, 양호한 결과를 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 세정 방법으로는, 침적, 분무법, 매엽 방식 및 에어 나이프 방식을 이용한 방법 등이 적용된다. 상기 침적, 분무법, 매엽 방식 및 에어 나이프 방식에 의하여 세정하는 경우, 세정 조건으로서 온도는 10 내지 80, 바람직하게는 상온 내지 60이고, 침적 및 분무시간은 대개 10초 내지 30분, 바람직하게는 30초 내지 10분이지만, 본 발명에 있어서 엄밀하지 않으며, 당업자에 의해 용이하게 적합화될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예를 통해 더욱 상세히 설명하고자 한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 26]
하기 표 1에 기재된 조성과 배합비로 혼합하여 세정액 조성물을 제조하였다. 이때, 탈이온수의 비저항값은 18Ω/cm이다.

 제1 알칸올 아민 제2 알칸올 아민 장쇄 글리콜
화합물		 단쇄 글리콜 화합물 유기 알칼리
화합물		 탈이온수
종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)
실시예1 MIPA 3 MEA 2 EDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예2 DMEA 3 MPA 2 EDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예3 MDEA 3 DBA 2 EDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예4 MIPA 3 DMEA 2 EDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예5 DEMA 3 TEA 2 BDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예6 MDEA 3 TEA 2 BDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예7 MIPA 3 DMEA 2 BDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예8 DMEA 3 DBA 2 EDG 35 DEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예9 MIPA 3 TEA 2 EDG 35 DEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예10 MDEA 3 DMEA 2 EDG 35 TEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예11 DEMA 3 TEA 2 EDG 35 MEG 12 TEAH 0.3 DI 47.7
실시예12 MIPA 3 DBA 2 EDG 35 MEG 12 TEAH 0.3 DI 47.7
실시예13 MPA 3 DMEA 2 EDG 35 MEG 12 TEAH 0.3 DI 47.7
실시예14 MIPA 5 - - EDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 47.7
실시예15 MIPA 7 - - EDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 45.7
실시예16 MDEA 3 DMEA 2 EDG 55 MEG 12 TMAH 0.3 DI 27.7
실시예17 MDEA 3 DMEA 2 EDG 12 MEG 12 TMAH 0.3 DI 70.7
실시예18 MDEA 3 DEMA 2 EDG 35 MEG 18 TMAH 0.3 DI 41.7
실시예19 MIPA 3 DEMA 2 EDG 35 MEG 12 TMAH 0.8 DI 47.2
실시예20 MEA 2 TEA 5 EDG 35 MEG 10 TEAH 0.5 DI 47.5
실시예21 MEA 5 TEA 2 EDG 35 MEG 10 TEAH 0.5 DI 47.5
실시예22 DMEA 5 MEA 2 EDG 35 MEG 10 TEAH 0.5 DI 47.5
실시예23 DEA 2 MEA 5 EDG 35 MEG 10 TEAH 0.5 DI 47.5
실시예24 DEA 5 MEA 2 EDG 35 MEG 10 TEAH 0.5 DI 47.5
실시예25 MEA 5 TEA 2 EDG 42 MEG 10 TEAH 0.5 DI 40
실시예26 MEA 5 TEA 2 EDG 22 MEG 10 TEAH 0.5 DI 60
주) MEA: 모노에탄올아민;
TEA: 트리에탄올아민;
DEA: 디에탄올아민;
DMEA: 디메틸에탄올아민;
MIPA: 모노이소프로판올아민;
MPA: 모노프로판올아민;
DBA: 디부탄올아민;
MDEA: 메틸디에탄올아민
DEMA: 디에틸메탄올아민;
EDG: 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르;
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르;
MEG: 모노에틸렌글리콜;
DEG: 디에틸렌글리콜;
TEG: 트리에틸렌글리콜
TMAH: 수산화테트라메틸암모늄
TEAH: 수산화테트라에틸암모늄
DI: 탈이온수
[비교예 1 내지 4]
하기 표 2에 기재된 조성과 배합비로 혼합하여 세정액 조성물을 제조하였다. 이때, 탈이온수의 비저항값은 18Ω/cm이다.

 제1 알칸올 아민 제2 알칸올 아민 장쇄 글리콜 화합물 단쇄 글리콜 화합물 유기 알칼리
화합물		 탈이온수
종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)		 종류 중량
(wt%)
비교예1 - - - - EDG 35 MEG 12 TMAH 0.3 DI 52.7
비교예2 MIPA 3 DMEA 2 - - MEG 12 TMAH 0.3 DI 82.7
비교예3 MIPA 3 DMEA 2 EDG 35 - - TMAH 0.3 DI 59.7
비교예4 MIPA 3 DMEA 2 EDG 35 MEG 12 - - DI 48
실시예 1 내지 26 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 수계 세정액 조성물에 대하여 하기와 같은 방법으로 접촉각, 유기오염물 제거력 및 금속 부식도를 측정하여, 그 결과를 표 3에 기재하였다.
(1) 접촉각 측정
유리기판을 대기중에 24시간 방치하여 대기중의 각종 유기물, 무기물, 파티클 등에 오염시킨 후 스프레이식 유리 기판 세정장치를 이용하여 1분 동안 40℃에서 상기의 실시예 1 내지 26 및 비교예 1 내지 4의 세정액 조성물로 세정 후, 초순수로 30초간 세척한 후 질소로 건조하였다. 상기 유리기판 위에 0.3mg의 초순수 방울을 떨어뜨려 세정전/후의 접촉각을 측정하였다.
이때, 세정전/후의 접촉각 평가는 세정전과 세정후의 접촉각 감소량으로 평가하였으며, ◎: 우수(40이상 감소), ○: 양호(40~30감소), △:보통(30~20감소), X:불량(20미만 감소)으로 표시하였다.
(2) 세정력(유기 오염물 제거력)측정
2cm × 7cm 크기로 형성된 유리기판 위에 유성펜 및 네임펜으로 오염시키고, 오염된 기판을 실시예 1 내지 26 및 비교예 1 내지 4의 세정액 조성물이 담긴 세정조에 1분간 침지시켜 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초 세척한 후 질소로 건조하였다.
이때, 유기오염물의 제거 정도는 할로겐 램프를 이용하여 빛의 반사되는 유리 기판의 표면을 목시(육안 관찰)로 제거력을 평가하였으며, 유기 오염물의 제거가 매우 우수하였을 때 '◎', 제거가 양호하였을 때 '○', 제거가 미흡하였을 때 '△', 제거가 되지 않았을 때 'X'로 표시하였다.
(3) 금속 부식방지력 측정
금속배선에 대한 부식 방지능력을 평가는 Mo/Al/Mo과 Cu/Mo-Ti 배선이 노출된 기판을 사용하였으며, 상기 기판을 실시예 1 내지 26 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 수계 세정액 조성물이 담긴 세정조에 40℃에서 30분간 침지시켜 세정하였다. 세정 후 초순수에 30초 동안 세척하고, 질소로 건조한 후에 광학현미경(ECLIPSE LV100, Nikon)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 3에 나타냈으며 매우 양호는 '◎', 양호는 '○', 미흡은 '△', 불량은 '×'로 표시하였다.
구분 접촉각 세정력 금속부식방지
실시예 1 ◎ ◎ △
실시예 2 ◎ ◎ ◎
실시예 3 ◎ ◎ ◎
실시예 4 ◎ ◎ ◎
실시예 5 ◎ ◎ ◎
실시예 6 ◎ ◎ ◎
실시예 7 ◎ ◎ ◎
실시예 8 ◎ ◎ ◎
실시예 9 ◎ ◎ ◎
실시예 10 ◎ ◎ ◎
실시예 11 ◎ ◎ ◎
실시예 12 ◎ ◎ ◎
실시예 13 ◎ ◎ ◎
실시예 14 ◎ ○ ○
실시예 15 ◎ ○ ○
실시예 16 ◎ ○ ○
실시예 17 ◎ ○ ○
실시예 18 ◎ ○ ○
실시예 19 ◎ ○ △
실시예 20 ◎ ◎ ○
실시예 21 ◎ ◎ ○
실시예 22 ◎ ◎ △
실시예 23 ◎ ◎ △
실시예 24 ◎ ◎ △
실시예 25 ◎ ◎ ○
실시예 26 ◎ ○ △
비교예 1 △ X X
비교예 2 ○ X X
비교예 3 ○ X X
비교예 4 △ X △
그 결과, 표 3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 26의 수계 세정액 조성물은 세정력이 우수하고, 부식성도 비교적 나타나지 않음을 확인하였다. 반면 비교예 1 내지 4에서 제조한 수계 세정액 조성물은 유기물 제거나 금속 부식성이 심해 사용이 불가함을 확인할 수 있었다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는 바, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적인 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.

Claims (17)

  1. 에틸렌글리콜모노부틸에테르(BG), 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르(MDG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(carbitol), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BDG), 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르(DPM), 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르(MFDG), 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르(BTG), 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르(MTG), 프로필렌글리콜 모노메틸에테르(MFG) 중에서 선택된 1종 이상의 장쇄 글리콜 화합물 20 ~ 40중량%;
    모노에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 1,3-프로판디올, 디에틸렌글리콜 및 트리에틸렌글리콜 중에서 선택된 1 종 이상의 단쇄 글리콜화합물 5 ~ 15중량%;
    알칸올 아민 화합물 0.1 ~ 10 중량%;
    유기 알칼리 화합물 0.001 ~ 1중량% ; 및
    탈이온수 40 ~ 70 중량% 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 알칸올 아민 화합물의 함량은 3 ~ 7 중량%;
    유기 알칼리 화합물의 함량은 0.1 ~ 0.5중량% 인 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 알칸올 아민 화합물은 모노에탄올아민, 모노프로판올아민, 모노이소프로판올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-아미노 에탄올, 2-아미노-1-프로판올, 1-아미노-2-프로판올, 1-아미노-1-프로판올, 2-아미노-2-프로판올, 3-아미노-2-메틸-1-프로판올, 1-아미노-1-부탄올, 1-아미노-2-부탄올, 3-아미노-2-부탄올 및 2-아미노부탄-2-올로 구성된 군에서 선택되는 1급 알칸올 아민; 디에탄올아민, 디부탄올아민, 2-(에틸아미노)에탄올, 2-(메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(메틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(에틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(에틸아미노)에탄올, 2-(부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(부틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(부틸아미노)에탄올, 2-(펜틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(펜틸아미노)에탄올, 1-에틸-2-(펜틸아미노)에탄올, 2-(헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(헥실아미노)에탄올 및 1-에틸-2-(헥실아미노)에탄올로 구성된 군에서 선택되는 2급 알칸올 아민; 및 트리에탄올아민, 메틸디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 2-(메틸아미노)에탄올, 디에틸아미노에탄올, 1-메틸-2-(디메틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디에틸아미노)에탄올, 2-(디프로필아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디프로필아미노)에탄올, 2-(디이소프로필아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소프로필아미노)에탄올, 2-(디부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디부틸아미노)에탄올, 2-(디이소부틸아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소부틸아미노)에탄올, 2-(디-n-아밀아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디-n-아밀아미노)에탄올, 2-(디이소아밀아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디이소아밀아미노)에탄올, 2-(디헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디헥실아밀아미노)에탄올, 2-(디-2-헥실아미노)에탄올, 1-메틸-2-(디-2-헥실아밀아미노)에탄올, 2-(디시클로헥실아미노)에탄올 및 1-메틸-2-(디시클로헥실아미노)에탄올로 구성된 군에서 선택되는 3급 알칸올 아민 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 알칸올 아민 화합물은 2종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 유기 알칼리 화합물은 제4급 암모늄 수산화물 또는 히드록실아민계 화합물인 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제4급 암모늄 수산화물은 수산화테트라메틸암모늄, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라프로필암모늄 및 수산화테트라부틸암모늄으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 히드록실아민계 화합물은 디메틸히드록실아민, 디에틸히드록실아민, 디부틸히드록실아민 및 메틸페닐히드르록실아민으로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전자재료용 수계 세정액 조성물.
  15. 전자재료 제조시, 제1항, 제3항, 제10항 내지 제14항 중 어느 한 항의 전자재료용 수계 세정액 조성물을 사용하여 세정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 전자재료는 반도체소자 또는 액정표시소자인 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 전자재료의 세정방법은 반도체소자 또는 액정표시소자 제조공정에서 배향막의 도포 과정 전 또는 후에 전자재료용 수계 세정액 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 전자재료의 세정방법.

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