KR20040022395A - 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 이들을ｘ-선 또는 감마 검출기에 제공하는 방법 - Google Patents

안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 이들을ｘ-선 또는 감마 검출기에 제공하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040022395A
KR20040022395A KR1020030062160A KR20030062160A KR20040022395A KR 20040022395 A KR20040022395 A KR 20040022395A KR 1020030062160 A KR1020030062160 A KR 1020030062160A KR 20030062160 A KR20030062160 A KR 20030062160A KR 20040022395 A KR20040022395 A KR 20040022395A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
collimator
detector
antiscatter grid
grid
antiscatter
Prior art date
Application number
KR1020030062160A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100841123B1 (ko
Inventor
마틴 호하이젤
마틴 셰퍼
하르트무트 슈클레비쯔
Original Assignee
지멘스 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 지멘스 악티엔게젤샤프트 filed Critical 지멘스 악티엔게젤샤프트
Publication of KR20040022395A publication Critical patent/KR20040022395A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100841123B1 publication Critical patent/KR100841123B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/10—Scattering devices; Absorbing devices; Ionising radiation filters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y10/00—Processes of additive manufacturing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y80/00—Products made by additive manufacturing
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G21K1/025—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using multiple collimators, e.g. Bucky screens; other devices for eliminating undesired or dispersed radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B33—ADDITIVE MANUFACTURING TECHNOLOGY
    • B33Y—ADDITIVE MANUFACTURING, i.e. MANUFACTURING OF THREE-DIMENSIONAL [3-D] OBJECTS BY ADDITIVE DEPOSITION, ADDITIVE AGGLOMERATION OR ADDITIVE LAYERING, e.g. BY 3-D PRINTING, STEREOLITHOGRAPHY OR SELECTIVE LASER SINTERING
    • B33Y30/00—Apparatus for additive manufacturing; Details thereof or accessories therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)
  • Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)

Abstract

본 발명은 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 이들의 제공 방법에 관한 것으로 이들을 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트(16)를 갖는 x-선 또는 감마 검출기에 사용하는데, 상기 검출기 엘리먼트는 x-방사선 및/또는 감마 방사선에 민감한 검출 영역(16a)과 민감하지 않은 중간 영역(16b)을 갖는 검출기 표면을 형성한다. 상기 방법에서, 기본 구조물(6)은 우선 급속 주형 기술을 이용하여 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 위해 제조되며, 상기 기술을 통해 적어도 제1 방향으로 동일한 중심-대-중심 간격 또는 상기 검출기(7)의 민감한 검출 영역(16a)의 일체화된 다수의 중심-대-중심 간력을 갖는 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 전송 채널(5)과 중간 벽(6a)이 형성된다. 상기 중간 벽(6a)은 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 완성하기 위해 x-방사선 및/또는 감마 방사선을 강하게 흡수하는 물질(14)로 코팅된다. 실질적으로, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 적어도 상기 제1 방향에 수직으로 뻗은 중간 벽(6a) 또는 이들의 코팅부(14)가 상기 검출기 표면의 민감하지 않은 중간 영역(16b) 위에 위치하는 방식으로 상기 검출기 표면에 제공되고 상기 검출기 표면에 접속된다. 물결 무늬 간섭이 발생하지 않는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 갖는 검출기가 본 발명을 사용하여 간단하게 구현될 수 있다.

Description

안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 이들을 Ｘ-선 또는 감마 검출기에 제공하는 방법{METHOD FOR PRODUCTING AND APPLYING AN ANTISCATTER GRID OR COLLIMATOR TO AN X-RAY OR GAMMA DETECTOR}
본 발명은 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 방법 및 이들을 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트를 갖는 x-선 또는 감마 검출기에 사용하는 방법에 관한 것으로, 상기 검출기 엘리먼트는 x-방사선 및/또는 감마 방사선에 민감한 검출 영역과 민감하지 않은 중간 영역을 갖는 검출기 표면을 형성하며, 본 발명은 또한 상기 방법에 의해 제조되고 사용된 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 갖는 x-선 및 감마 검출기에 관한 것이다.
라디오그래프에서, 현재 x-선 이미지의 화질이 중요한 조건이다. 의학용 x-선 진단법에서 얻어지는 이미지에서, 조사될 대상물은 근사 포인트 복사 소스(approximately point radiation source)로부터의 x-방사선에 노출되고, x-방사선의 감쇠 분포는 x-선 소스로부터 대상물의 마주하는 측에 2차원으로 기록된다(register). 또한 대상물에 의해 감쇠된 x-방사선의 라인-대-라인 획득은 예컨대 컴퓨터 x선 단층 촬영 시스템에서 수행될 수 있다. x-선 필름 과 가스 검출기 이외에, 고체-상태 검출기는 x-선 검출기로서 점차 많이 사용되고 있으며, 이러한 고체-상태 검출기는 일반적으로 광전(photoelectric) 수신기로서 광전(optoelectronic) 반도체 부품의 매트릭스형 장치를 갖는다. x-선 이미지의각 화소는 포인트 x-선 소스로부터 화소에 대응하는 검출기 표면 상의 위치까지의 직선 축상에 있는 대상물에 의해 x-방사선의 감쇠에 해당한다. 상기 축 상의 직선으로 포인트 x-선 소스로부터의 x-선 검출기를 가격하는 X-선은 일차 빔(primary beam)으로 부른다.
그러나, x-선 소스에 의해 방출된 x-방사선은 피할 수 없는 상호작용으로 인해 대상물에서 산란되어, 검출기가 일차 빔에 추가하여 소위 이차 빔으로 불리는 산란된 빔을 수신한다. 대상물의 특성에 따라서 진단용 이미지의 x-선 검출기의 전체 신호 응답중 90% 이상까지 유발할 수 있는 산란된 빔은 추가의 노이즈 소스를 구성하며 세밀한 대조 차의 식별성을 감소시킨다. 이러한 산란된 방사선의 단점은 산란된 방사선의 양자 특성으로 인해 현저한 추가 노이즈 성분이 이미지 레코딩에 유도된다는 사실에 기인한다.
검출기를 가격하는 산란된 방사선 성분을 감소시키기 위하여, 소위 안티스캐터 그리드가 대상물과 검출기 사이에 배치된다. 안티스캐터 그리드는 x-방사선을 흡스하는 규칙적으로 배치된 구조물로 이루어지며, 이들 사이에서 일차 방사선의 최소 감쇠 전달을 위해 전송 채널 또는 전달 슬릿이 형성된다. 포커싱된 안티스캐터 그리드의 경우에, 이러한 전송 채널 또는 전달 슬릿은 포인트 x-선 소스로부터의 거리, 즉 포커스로부터의 거리에 따라서 x-선 튜브의 포커스와 정렬된다. 포커싱되지 않은 안티스캐터 그리드의 경우에, 전송 채널 또는 전달 슬릿은 전체 영역 위에서 안티스캐터 그리드의 표면에 수직으로 향한 방향을 갖는다. 그러나, 입사된 일차 방사선의 상당히 큰 부분이 포인트에서 안티스캐터 그리드의 흡수 영역을가격하기 때문에, 이것은 이미지 레코딩의 에지에서 일차 방사선의 현저한 손실을 유발한다.
고화질을 얻기 위해서는, x-선 안티스캐터 그리드의 특성이 매우 중요하다. 한편으로 산란된 빔은 가능한 양호하게 흡수되어야 하지만, 다른 한편으로 일차 방사선의 가능한 가장 높은 비율이 안티스캐터 그리드를 통과하여 감쇠되지 않고 전달되어야 한다. 전송 채널 또는 전달 슬리의 두께 또는 직경에 대한 안티스캐터 그리드의 높이의 큰 비율, 즉 높은 종횡비에 의해 검출기 표면을 가격하는 산란된 빔 성분의 감소을 얻는 것이 가능하다. 그러나, 전송 채널 또는 전달 슬릿 사이에 높인 흡수 구조물 엘리먼트 또는 벽 엘리먼트의 두께는 일차 방사선의 부분적인 흡수에 의해 이미지 교란을 유발할 수 있다. 특히 고체-상태 검출기가 사용될 때, 그리드의 비동질성, 즉 자신의 이상적인 위치로부터 흡수 영역의 편향은 x-선 이미지내 그리드 투사에 의해 이미지 편향을 유발한다.
안티스캐터 그리드에 의한 이미지 편향을 최소화하기 위해, 레코딩동안 측면 방향으로 그리드를 이동시키는 것이 공지되어 있다. 그러나, 1-3 ms 의 매우 짧은 노출 시간의 경우에, 그리드의 이동 속도가 충분하지 않다면 줄무의가 이미지에 생길 수 있다. 매우 긴 노출 시간의 경우라도, 교란 줄무늬가 노출동안 그리드 이동 방향의 반전으로 인해 발생할 수 있다.
x-선 이미지 레코딩에 있어서, 다수의 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트에 의해 형성된 고체-상태 검출기가 최근에 많이 사용된다. 이 경우 검출기 엘리먼트는 정사각형 또는 직사각형 회절격자(grating)로 배치된다. 이러한 고체-상태 검출기의 경우에도, 검출기 엘리먼트에 의해 형성된 검출기 표면 상의 산란된 빔의 가격을 가능한 한 감소시키기 위해 유효한 억제 방법(effective suppression measures)을 사용할 필요가 있다. 더욱이, 검출기의 검출기 엘리먼트에 의해 형성된 화소의 규칙적인 구조화로 인해, 화소의 구조물과 안티스캐터 그리드 사이의 상호 간섭 위험이 존재한다. 간섭하는 물결 무늬 현상이 발생할 수 있다. 특정 경우에 이러한 것들은 다운스트림 이미지 처리 방법에 의해 확실하게 최소화되거나 제거될 수 있다. 그러나, 이것은 검출기 상의 투사 이미지가 절대로 바뀌지 않을 때만 가능하다.
원자력 의학에서, 특히, 앵거 카메라(Anger camera)와 같은 감마 카메라를 사용할 때 동일한 문제가 발생한다. 또한 x-선 진단법과 같은, 레코딩 기술을 사용할 때, 가능한 가장 적은 수의 감마 양자들이 검출기에 도달하는 것을 보장할 필요가 있다. x-선 진단법과 대조적으로, 감마 양자에대한 방사선 소스는 핵 진단법의 경우에 대상물 내부에 놓여 있다. 이 경우, 환자에게 기관(organ)에 특정한 방식으로 집중되는 특별한 불안정 핵종으로 명명된 대사용 조제약을 투약한다. 신체로부터 대응하여 방출된 쇠퇴된(decay) 양자를 검출함으로써, 기관의 화상이 얻어진다. 시간 기능(function)와 같은 기관의 활동성에 대한 프로파일은 자신의 기능에 대한 결론을 허용한다. 신체 내부의 이미지를 얻기 위해, 이미지 투사 방향을 설정하는 콜리메이터가 감마 검출기의 앞면에 배치될 필요가 있다. 기능성과 구조물의 관점에서, 이러한 콜리메이터는 x-선 진단법의 안티스캐터 그리드에 해당한다. 콜리메이터의 우선적인 방향에 의해 지시된 감마 양자 만이 콜리메이터를 통과할 수 있으며, 콜리메이터에 사선으로 기울어진 양자들은 콜리메이터 벽에 흡수된다. x-선 양자와 비교하여 감마 양자들은 더 큰 에너지를 갖기 때문에, 콜리메이터는 x-방사선용 안태스캐터 그리드 보다 훨씬 많은 횟수로 이루어질 필요가 있다.
예컨대, 산란된 양자는 이미지를 고려하여 특정 에너지를 갖는 양자만을 취함으로써 이미지 레코딩동안 선택되지 않을 수 있다. 그러나, 각각의 검출된 산란된 양자는 1 마이크로초와 같은 감마 카메라의 소멸 시간을 가지며, 이시간 동안 더이상 어떠한 이벤트도 등록되지 않는다. 따라서, 만약 제1 양자가 산란된 양자가 등록된 후 바로 도달한다면, 등록되지 않을 수 있으며 이미지로부터 손실되지 않는다. 산란된 양자가 제1 양자를 갖는 - 임의의 한계값내에서 - 일시적으로 동시에 발생하더라도, 유사한 효과가 발생한다. 이때 평가 전자장치는 더이상 두 개의 이벤트를 분리할 수 없기 때문에, 너무 높은 에너지가 검출되고 이벤트는 등록되지 않는다. 상기 두 상황은 매우 유효한 산란된 빔 억제가 원자력 진단방법에 있어서 얼마나 개선된 양자 효율을 유발하는지를 설명한다. 결과적으로, 사용된 무선핵종(radionuclide)의 동일한 투여에 대해 개선된 화질이 얻어지며, 또는 동일한 화질에 대해 무선핵종이 더 적게 투여될 수 있어, 환자의 빔 노출이 감소될 수 있으며 이미지 레코딩 시간이 더 짧아진다.
또한 미래에는, 다수의 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트에 의해 형성된 고체-상태 검출기의 감마 이미지를 레코딩하는 것이 점차 많이 사용될 것이다. 이 경우, 검출기 엘리먼트는 사각 또는 직사각형 격자로 배치된다. 물론, 이러한고체-상태 검출기의 경우에, 검출기 엘리먼트에 의해 형성된 검출기 표면 위에 산란된 빔의 가격을 가능한 한 감소시키기 위해 유효한 억제 방법을 사용할 필요가 있다. 더욱이, 검출기의 검출기 엘리먼트에 의해 형성된 화소의 규칙적인 구조화로 인해, 화소의 구조물과 콜리메이터 사이에서 상호 간섭의 위험이 존재한다.
일반적으로 감마 카메라용 콜리메이터는 기계적으로 접힌 리드 러멜러(lamellae)에 의해 제조된다. 비록 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트을 갖는 고체-상태 카메라를 사용할 때, 예컨대 카드뮴-아연 텔루르 화합물 검출기의 경우에, 이러한 콜리메이터의 구조물이 비교적 거칠기 때문에 얼리어싱 효과(aliasing effect)가 교란될 수 있는 단점을 갖지만, 이것은 비교적 비용면에서 유효한 해결책이다.
G. A. Kastis 등이 저술한 "A Small-Animal Aamma-Ray Imager Using a CdZnTe Pixel Array and a High Resolution Prallel Hole Collimator"에 감마 방사선용 셀룰러(cellular) 구조 콜리메이터를 제조하는 방법이 개시되어 있다. 이 경우에, 콜리메이터는 광화학적으로 에칭된 텅스텐으로 이루어진 금속 필름의 적층된 층으로 제조된다. 그러나, 다수의 포토리소그래픽 노출과 에칭 단계로 인해, 이러한 제조 방법은 매우 복잡하고 비용이 많이 든다.
고정 형태로 배치된 안티스캐터 그리드와 함께 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트를 갖는 x-선 검출기의 동작동안 물결무늬 구조물을 방지하려는 접근법이 US 6,021,173 A에 개시되어 있다. 상기 공보 문헌에서, 안티스캐터 그리드가 검출기 표면 위에서 x-선 검출기에 직접 제공된다. 안티스캐터 그리드의 흡수 구조물 엘리먼트는 x-선 이미지에서 가장 작은 해상가능한 것보다 더 작은 간격을 서로 갖도록 설계된다. 규칙적으로 배치된 흡수 구조물 엘리먼트는 x-선 검출기의 해상능력을 넘어 배치된 높은 공간 빈도로 종종 형성된다. 안티스캐터 그리드 내 구조물 엘리먼트의 간격은 임의로 작게 선택될 수 없기 때문에, 적합한 방식으로 제한된 공간 해상도를 갖는 검출기를 사용하는 것이 필요하다. 그러나, 이것은 높은 공간 빈도에서 검출용 양자 효율(DQE)이 바람직하지 않게 감소되는 것을 유발한다.
사전 공개된 독일 특허출원 DE 101 51 568에는 안티스캐터 그리드용 기본 구조물이 안티스캐터 그리드의 흡수 영역이 x-선 검출기의 민감하지 않은 중간 영역에 위치하도록 급속 주형 기술을 이용하여 검출기 표면 바로 위에 제조되는 경우에 x-선 검출기에 안티스캐터 그리드를 적용하는 방법이 개시되어 있다. 그러나, 이러한 방법에서 안티스캐터 그리드를 제조할 때 x-선 검출기의 손상을 줄 위험이 존재한다.
상기 종래 기술에 기초하여, 본 발명 목적은 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 방법 및 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트를 갖는 x-선 또는 감마 검출기에 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 사용하는 방법을 구현하는 것이며, 이러한 방법을 이용하여 높은 검출용 양자 효율과 함께 물결무늬 구조물을 가지지 않으면서 이미지를 레코딩할 수 있는 x-선 또는 감마 검출기 상에 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 장치를 구현하는 것이 가능하다.
본 발명의 목적은 청구항 제1항에 개시된 방법에 의해 달성된다. 청구항 제16항과 제17항은 상기 방법에 따라 제조되고 사용된 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 갖는 x-선 및 감마 검출기를 개시하고 있다. 상기 방법의 유리한 세부 사항은 종속항에 기재되어 있으며, 하기 설명과 실시예에서 얻을 수 있다.
도 1은 안티스캐터 그리드를 사용하여 물체의 x-선 이미지를 레코딩할때 상황을 도시한다.
도 2는 원자력 의학에서 콜리메이터를 사용하여 물체를 레코딩할때 상황을 도시한다.
도 3은 구조물을 구성할때 스테레오리소그래피 기술을 나타낸다.
도 4는 본 발명을 수행하는 일실시예를 도시한다.
도 5는 본 방법을 사용하여 실현되는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터 및 검출기의 장치 예를 도시한다.
도 6은 본 방법을 사용하여 실현되는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터 및 검출기의 제 2 실시예를 도시한다.
도 7은 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 제공하기 위한 시스템을 도시한다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
2 : x-선 3 : 대상물
5 : 전송 채널 6 : 기본 구조물
7 : 검출기 12 : UV 레이저
본 발명의 방법에 있어서, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터용 기본 구조물은 스테레오리소그래피 기술을 이용한 빠른 원형 기술을에 의해 우선 제조되며, 이를 통해 전송 채널과 적어도 제1 방향으로 동일한 중심-대-중심 간격을 갖거나 또는 검출기의 감지 검출 영역의 다수의 일체화된 중심-대-중심 영역을 갖는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 중간 벽이 형성된다. 중간 벽은 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 완성하기 위해 x-방사선 및/또는 감마 방사선을 강하게 흡수하는 물질로 코팅된다. 이러한 방식으로 코팅된 기본 구조물, 즉 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 검출기 표면에 제공되고, 적어도 중간 벽이 제1 방향에 수직으로 뻗는 방식으로 검출기 표면과 접속되고, 코팅부는 검출기 표면의 민감하지 않은 중간 영역 위에 위치한다. 덜 민감하거나 민감하지 않은 검출기 표면의 중간 영역은 개별 검출기 엘리먼트가 서로 인접하는 영역에 해당한다. 검출기 엘리먼트가 전체 표면 위에서 방사선에 추가로 민간함지 않기 때문에 이러한 민감하지 않은 중간 영역은 개별 검출기 엘리먼트의 에지 영역에서 발생한다.
본 발명에 따른 방법에 있어서, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 기본 구조물은 적어도 하나의 방향으로 중간 벽 또는 전달 개구부 내부의 중간 벽 위에제공된 흡수 코팅부가 검출기 위의 중간 영역 위에 있는 중간 벽의 일 측부로 연장하는 방식으로 구성된다. 만약 매우 좁은 중간 영역으로 인해 중간 벽이 충분히 작은 두께로 제조될 수 없다면, 이들은 중간 영역 위에서 적어도 부분적으로검출기 표면을 갖는 접촉 영역내에 위치할 수 있다. 바람직하게, 다른 방향으로 연장하는 중간 벽은 중간 벽 또는 중간 벽 코팅부가 검출기 표면의 민감하지 않은 중간 영역 위의 일 측부에 위치하는 방식으로 배치된다. 2차원으로, 중간 벽의 간격은 검출기의 민감한 검출 영역의 다수의 일체형 중심-대-중심 간격 값을 추정할 수 있다. 그러나, 바람직하게 중간 벽의 중심-대-중심 간격은 감지 검출 영역의 대응하는 중심-대-중심 간격에 상호 수직인 방향에 해당한다.
기본 구조물을 구성할 때 급속 주형 기술을 사용함으로써, 세공 구조물이 매 정교하게 제조될 수 있다. 급속 주형 기술에서, 기본 구조물의 기하구조인 3D CAD 설계가 CAD 시스템의 체적 데이터로 변환된다. 빠른 기본형을 위한 3D 체적 모델은 컴퓨터에서 단면으로 분할된다. 단면은 두께가 100 ㎛ 이하인 층을 갖는다. 데이터가 빠른 기본형 시스템으로 전송된 후에, 오리지널 기하구조는 층대 층으로 구성된다. 이런 경우에 본 발명은 층 구성이 방사선, 특히 레이저 방사선의 동작에 의해 수행되는 급속 주형 기술을 사용한다. 특히, 레이저 방사선은 미세 구조물을 제조할 수 있는 장점을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 스테레오리소그래피 기술은 기보 구조물을 구성하는데 사용된다. 이러한 방법에서, 컴퓨터-제어 UV 레이저 빔은 액체 폴리머 수지 위에 기본 구조물의 3D 체적 모델의 개별 층에 대한 각각의 외형을 형성한다.수지는 노출된 포인트 또는 영역에서 레이저의 작용하에서 경화된다. 그 다음 시스템의 구성요소 플랫폼은 하강되고, 새로운 광중합 수지의 얇은 층이 인가된다. 이들 단계를 반복함으로써, 기본 구조물의 완전한 기하구조는 하부에서 위쪽으로 계속적으로 구성된다. 본 방법의 일시예에서, 기본 구조물을 생산하기 위해 마이크로스테레오리소그래피 기술을 사용하는 것 또한 가능하다.
상세한 설명의 도입부에서 기술된 이미 공개된 서류와 비교함으로써, 검출기상에 직접적으로 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 제조 및 인가하는 것은 본 발명에 의해 간략화되고 보다 경제적으로 실현될 수 있다. 총 4개의 중간 벽 또는 그것의 코팅부중 하나 또는 둘이 검출기 화소 사이의 경계 라인과 한쪽 측면상에서 충분히 대응하는 기술된 방식의 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터 구성 및 제안된 애플리케이션으로 인해, 이런 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 사용할때 요구된 주사량(dose)은 감소된다. x-선 또는 감마 방사선에 대해 보다 적은 민감성을 가진 영역에서 이 장치를 바탕으로, 그위에 제공된 중간 벽 또는 흡수 코팅은 거의 또는 전혀 일차 빔을 감쇠하도록 작용하지 않는다. 상기 중간 영역에서 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제안된 구성 및 애플리케이션은 부가적으로 검출기의 화소 구조와 간섭을 배제시킨다.
검출기는 실제로 1보다 작은 충전 팩터를 가진다. 이것은 특히 인으로 코팅된 a-Si 검출기 표면을 홀딩한다. 셀레늄으로 코팅된 검출기 표면의 경우에서 조차, 충전 팩터는 작은 검출 영역 또는 화소에 대한 1과 다르다. 결과적으로, 양적 효율성은 화소 표면 사이의 영역에서 일차적으로 감소된다. 만약 일차 방사선이산란된 빔을 흡수하는 구조에 의해 화소 사이에서만 감쇠되면, 이것은 이들 구조가 임의적으로 배열된 것보다 높은 양적 효율성을 달성하는데 보다 바람직하다. 따라서 화소 및 흡수 구조 사이의 물결무늬 간섭은 불가능하다. 따라서 안티 스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 본 장치는 일차 방사선이 보다 효율적으로 사용 가능하게 만드는데, 그 이유는 검출기의 기하구조 영역에서 이미지 신호에 대한 공헌도가 감소되게 하는 피할 수 없는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 흡수가 우선적으로 발생하기 때문이다.
본 방법의 바람직한 실시예에서, 중간 벽의 단부면은 흡수 코팅이 없거나, 가능하면 요구된 흡수 코팅은 이들 단부면으로부터 제거된다. 여기서, 단부면은 검출기와 면하는 중간 벽의 측면, 및 검출기로부터 면하지 않은 측면, 즉 전송 채널 내부에 자리하지 않은 측면이라고 이해된다. 이들 단부면은 코팅이 인가될때 예를들어 적당한 마스크에 의해 빈 공간으로 유지된다. 그러나, 코팅은 바람직하게 전체 기본 구조물에 인가되고 추후 적당한 화학적 또는 기계적 방법에 의해 제거된다. 게다가 만약 x 방사선 및/또는 감마 방사선에 대해 실질적으로 투명한 재료가 이용되면, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 일차 빔 전송은 중간 벽의 코팅된 내부 표면 사이 재료 영역에서 조차 적당한 일차 방사선이 감쇠없이 또는 약간의 감쇠만을 가지고 통과하고 이미지 구성에 기여하기 때문에, 이런 방법에 의해 증가된다. 기본 구조물을 구성하기 위해 스테레오리소그래피 기술이 이용될때, 상기 고안은 적당한 폴리머를 선택함으로써 어려움없이 실현될 수 있다. 흡수층을 인가하는 것은 다양한 공지된 방법, 예를들어 기상 증착, 스퍼터링 또는 전해질 처리에 의해 수행될 수 있다. 상기 층을 인가하기 위한 한가지 가능성은 층의 연속적인 전해질 증착을 위한 시작 층으로서 사용하는 얇은 금속 층을 인가하기 위하여 스퍼터링을 사용하는 것이다.
본 발명의 추가의 바람직한 고안에서, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 검출기 표면에 인가되고 전송 채널 안쪽 코팅의 모서리 영역이 검출기 엘리먼트의 스위칭 엘리먼트상에 위치되도록 하는 방식으로 검출기 표면에 접속된다. 다이오드 또는 TFT 같은 이런 종류의 스위칭 엘리먼트는 전혀 광을 감지하지 못하므로, 방사선의 검출에 기여하지 못한다. 결과적으로, 이 영역에서 일차 방사선의 감쇠는 이들 스위칭 엘리먼트상에 코팅의 모서리 영역을 배치함으로써 큰 영향을 가지지 못한다.
다양한 기술은 검출기 표면에 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 조절된 인가를 위해 사용될 수 있다. 한가지 기술은 신틸레이터(scintillator)에 인가되는 보호층 또는 검출기의 표면상에 기점 마커 또는 기준 라인으로서 검출기의 아래에 자리한 화소와 관련된 기본 구조물의 정밀한 목표 위치를 마킹하는 것이다. 만약 적당하다면, 목표된 위치는 광학적으로 투영될 수 있다. 목표된 위치의 마킹은 적외선 현미경에 의해 제어될 수 있다. 그 다음, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 예를들어 접착에 의해 검출기 표면에 접속된다. 이 경우, 접착은 화소에 관한 기본 구조물의 위치가 이 영역에서 정확하게 세팅된후 우선 작은 서브 영역이 접착되도록 한단계씩 수행된다. 그후, 인접한 서브 영역에서의 위치는 장착 표면상에 기본 구조물의 목표된 위치를 투영하고 추가로 서브 영역을 서로 접착시키는현미경 제어하에서 및/또는 투영기를 사용함으로써 가시적 지지부의 도움으로 수정된다. 이런 절차 동안, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 예를들어 레이저 빔에 의한 커팅에 의해 인갇되기전 보다 작은 세그먼트로 분할될 수 있다. 이것은 각각의 접착 단계에서 접착을 용이하게 하는데, 그 이유는 추후 작은 영역만을 조절 및 인가하는 것이 각각 필요하기 때문이다. 그러나 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 커팅함으로써 생성된 커팅 갭은 그것들이 임의의 이미지 가공물 혼란을 유도하지 않도록 너무 작게해서는 안된다.
검출기 표면에 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 인가하는 다른 가능성은 반도체 기술로부터 공지된 플립 칩 기술을 사용하는 것이다. 칩 대신, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 기판 대신 검출기 표면에 인가된다. 접착될 그리드 또는 세그먼트가 기계적으로 안정하지 못하기 때문에, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터 또는 세그먼트에 대한 안정한 기계적 홀더를 사용하는 것이 바람직하다. 이 홀더는 예를들어 기본 구조물에 비해 네가티브 부분 높이로 구성된다. 상기 네가티브는 금속 플레이트에서 톱질 슬릿에 의해 형성될 수 있다. 톱질 슬릿 대신, 기본 구조물의 전송 개구부에 삽입될 수 있는 다수의 조절 가능한 핀을 가진 홀딩 플레이트를 설계하는 것이 가능하다.
검출기의 화소에 관련하여 정확하게 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 배치하기 위한 다른 가능성은 x 방사선 또는 감마 방사선의 존재하에서 이들 조절을 수행하는 것이다. 이 경우 화소 장치에 관련하여 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 위치는 검출기의 출력 신호가 이 위치에서 최대라는 것을 가정할때마다최적이다라는 사실이 이용된다. 이런 목적을 위하여, 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 위치는 검출기의 비교적 작은 세그먼트에서 우선적으로 조절되고 접착된다. 그후, 추가 세그먼트가 계속하여 조절 및 접착된다.
다양한 접착은 본 발명에서 사용된다. 따라서, 예를들어, 접착 액체는 상호 접속이 이루어지기 전에, 검출기 표면, 또는 다른 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터위 고정될 영역에 스프레이될 수 있다. 다른 가능성은 검출기 표면 및/또는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터에 장착하기 전에 인가되는 소프트 열적 용융 접착제를 사용하는 것이다. 핫 에어 같은 로컬 열 소스를 사용함으로써, 접착제는 그리드 또는 콜리메이터 및 검출기를 상호접속하기 위하여 올바르게 배치된 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터와 함께 일시적으로 용융된다.
물론, 임의의 목표된 검출기 형태는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터가 본 방법을 사용하여 인가될 수 있는 x-선 또는 감마 검출기로서 가능하다. 따라서, 예를들어 광도전성 재료를 가진 검출기, 또는 신틸레이터 층이 인가된 다른 검출기를 사용하는 것이 가능하다.
본 발명은 일반적인 발명 개념을 제한하지 않고 도면과 관련하여 예시적인 실시예의 도움으로 하기에 다시 짧게 설명될 것이다.
x-선 진단으로 물체(3)의 x-선 이미지를 레코딩할때 통상적인 상황은 도 1의 도움으로 개략적으로 도시된다. 물체(3)는 적당한 포인트 x-선 소스로서 고려될 수 있는 x-선 튜브의 튜브 포커스(1) 및 검출기 표면(7) 사이에 놓여질 수 있다. x-선 소스의 포커스(1)로부터 방사된 x-선(2)는 x-선 검출기(7)의 방향인 직선 방향으로 진행하고 따라서 물체(3)를 통과한다. x-선 포커스(1)로부터 시작하는 직선상 물체(3)를 통과하는 검출기 표면(7)을 때리는 일차 빔(2a)은 검출기 표면(7)상 물체(3)에 대한 위치적으로 분해된 감쇠 값 분배를 유발한다. x-선 포커스(1)로부터 방사된 몇몇의 x-선 빔(1)은 물체(3)에서 산란된다. 이 경우 생성된 산란된 빔(2b)은 목표된 이미지 정보에 기여하지 않고, 그것들이 검출기(7)를 때릴때, 신호 대 노이즈 비율을 상당히 나쁘게 한다. 그러므로, 이미지 품질을 개선하기 위하여, 안티스캐터 그리드(4)는 검출기(7) 정면에 배열된다. 이 안티스캐터 그리드(4)는 종래 기술의 경우에서 흡수 재료로 구성된 전송 채널(5) 및 기본 구조물(6)을 가진다. 전송 채널(5)은 튜브 포커스(1)의 방향으로 정렬되어, 직선 경로상으로 입사되는 일차 방사선(2a)이 검출기 표면을 때리도록 한다. 이런 방향으로 입사되지 않는 빔, 특히 산란된 빔(2b)은 기본 구조물(6)의 흡수 중간 벽에 의해 차단되거나 상당히 감쇠된다. 그러나, 이전에 공지된 제조 기술을 바탕으로, 흡수 중간 벽은 특정 최소 두께로만 생성될 수 있으므로, 상당 부분의 일차 방사선(2a)은 흡수되고 이미지 결과에 영향을 미치지 않는다.
도 2는 원자핵 진단시 이미지를 레코딩할때 상황을 도시한다. 기관(3a)이 표시된 시험될 몸(3)은 도면에 도시될 수 있다. 감마 방사선을 방사하고 기관(3a)에 집중된 매체의 주입에 의해, 감마 양자(8a)는 이 영역으로부터 방사되고 검출기(7), 앵거(Anger) 카메라를 때린다. 감마 방사선을 흡수하는 기본 구조물(6)의 중간 벽 사이에서 직선 방향으로 배열된 전송 채널(5)을 가진 검출기(7)의 전면에 배열된 콜리메이터(4)에 의해, 각각의 이미지 레코딩의 투영방향은 설정된다. 다른 방향으로 방사되거나 산란되고, 이 투영 방향으로부터 직선 경로상으로 도착하지 않는 감마 원자(8b)는 콜리메이터(4)에 의해 흡수된다. 그러나 이 기술에서, 상당 부분의 일차 방사선(8a)은 기본 구조물(6)의 흡수 중간 벽이 임의적으로 얇아지지 않기 때문에 여전히 흡수된다.
본 발명은 전송 채널(5) 사이 매우 얇은 중간 또는 분리된 벽을 가진 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 정밀한 제조를 허용하는 방법을 사용하여 실행될 수 있다. 이 경우, 빠른 원형 기술은 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 제조하는데 사용된다. 상기 기술의 예는 도 3에서 대표적으로 도시된 바와같이 스테레오리소그래피이다. 이 기술에서, UV 레이저 빔(12)은 컨테이너(9)에 배치된 액체 UV 교차결합 폴리머(10)의 표면상으로 지향된다. UV 레이저 빔(12)은 기본 구조물(6) 층 같은 것을 구성하기 위하여 액체 폴리머(10)의 표면상에서 만들어질 기본 구조물(6)의 3차원 체적 모델의 도움으로 이동된다. 하나의 층이 결정화된후, 상기 층이 구성 플랫폼(11)을 사용하여 추가 층 두께만큼 작아져서, UV 레이저(12)는 3차원 체적 모델에 따라 다음 층을 결정화시킬 수 있다. 이런 방식에서, 기본 구조물(6)은 교차 결합된 UV 경화 폴리머(10)로부터 층마다 구성된다. UV 레이저 빔(12)의 우수한 포커스능력으로 인해, 매우 섬세한 구조는 매우 높은 정밀도로 제조된다. 기본 구조물(6)은 구성 플랫폼(11) 또는 부가적인 지지 플레이트(도면에 도시되지 않음)상에 직접적으로 구성될 수 있다. 게다가, 스테레오리소그래피의 기술은 기저판을 직접적으로 구성하기 위하여 사용될 수 있고, 상기 기저판상에 기본 구조물(6)가 목표된 기하구조에 따라 형성된다.
도 4는 본 방법을 수행하는 실시예를 도시한다. 이 실시예에서, 기본 구조물(6)는 x 방사선이 실질적으로 투과되는 구조 재료 예를들어 UV 경화 폴리머로 제조될 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 위해 제조된다. 기본 구조물(6)은 높은 원자 번호의 흡수 물질로 코팅된다(코팅단계(13); 도 4a). 전송 채널(5)과 중간 벽(6a)의 세부 사항 및 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 세부 사항은 각각의 부분도(4a-4b)에서 상부의 단면도 및 하부의 평면도로 도시되어 있다. 상기 코팅 단계(13)는 전송 채널(5)내 중간 벽(6a)의 내부면 및 기본 구조물(6)의 상부 및 하부측부(6b), 즉 중간 벽(6a)의 단부면에 제공된 강한 흡수 코팅부(14)를 갖는 기본 구조물(6)을 형성한다(도4b).
마지막으로, 코팅부(14)는 화학 또는 기계적 방법 단계, 예컨대 화학 에칭 단계(15)에 의해 중간 벽(6a)의 단부면에서 제거된다. 기본 구조물(6)의 중간 벽(6b)의 흡수 코팅부(14)들 사이에 위치한 전송 채널(5)을 갖는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 상기 방식으로 얻어진다. 마찬가지로 중간 벽(6b)는 매우 높은 종횡비를 갖는 일차 방사선에 대한 전송 채널을 제한하는 코팅부(14)에 의해 형성된다.
코팅부(14)를 사용하기 위해, 예컨대 얇은 구리층은 먼저 스퍼터링에 의해 기본 구조물(6)의 표면에 사용된다. 이러한 구리층의 두께는 1/10 ㎛ 범위에 있다. 마지막으로 납-주석 합금이 전해질 증착에 의해 상기 층에 제공된다. 상기 합금의 두께는 이차 방사선의 필수 흡수를 얻을 수 있도록 설계된다.
안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 완성한 후에, 안티스캐터 그리드 또는콜리메이터는 중간 벽(6a)이 검출기의 민감하지 않은 중간 영역(16b) 위에 위치하는 방식으로 검출기(7) 위에 접착된다(도 4e). 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트(16)를 갖는 검출기(7)의 세부 사항이 도 4e에 도시되어 있다. 검출기 엘리먼트(16)는 x-선 또는 감마선에 민감한 영역(16a)과 민감하지 않은 중간 영역(16b)을 갖는 검출기 표면을 형성한다.
도 5는 도 4에 도시된 방법의 결과를 도시한다. 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트(16)와 그 위에 접착된 안티스캐터 그리드를 갖는 x-선 검출기(7)의 세부사항이 도에서 평면도로 도시되어 있다. 검출기 엘리먼트(16)는 방사선-감지 검출기 영역(16a)과 방사선-비감지 중간 영역(16b)으로 조립된다. 또한 검출기 엘리먼트(16)는 화소로 불린다. 예컨대 이러한 x-선 검출기(7)는 143 ×143 ㎛의 크기를 갖는 3000 ×3000 화소을 가질 수 있다. 방사선의 검출에 도움을 주지 않는 예컨대, TFT와 같은 스위칭 엘리먼트(17)가 각각의 검출기 표면의 왼쪽 구석 영역에 도시되어 있다. 도 5는 대략 20 ㎛의 벽 두께가 안티스캐터 그리드의 기본 구조물(6)의 중간 벽(6a)을 위해 구현된 실시예이다. 도에서 볼 수 있는 바와 같이, 검출기(7)의 방사선-비감지 영역(16b) 위에 중간 벽(6a)을 갖는 안티스캐터 그리드가 위치해 있다. 흡수 코팅부(14)는 전송 채널(5)의 내부에만 존재하며 일차 방사선의 감쇠가 이 지점에서만 발생한다. 상기 코팅부(14)들 사이의 넓은 벽 영역(6a)은 일차 방사선에 대해 비교적 높게 전달되며, 마찬가지로 이들은 전달 영역으로서 간주된다. 이러한 중간 벽(6a)은 비실질적으로만 x-방사선을 감쇠하는 폴리머로부터 본 실시예에 형성된다. 흡수 코팅부(14)가 보 실시예에서 위치한 해당 스위칭 엘리먼트(17)는 검출기(7)의 방사선-비감지 영역(16b)의 횡단 부분에 배치되어 있다.
안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 장치 및 검출기의 제조는 간단하고 절감된 비용으로 제조된다. 특히, 그리드 제조시 고장이 전체 검출기 파손을 자동적으로 유발하는 경우에 유리하다. 흡수 코팅부(14)로부터 자유로운 중간 벽(6a)의 단부면을 유지함으로써, 종래 그리드 보다 투명한 일차 빔을 얻을 수 있다. 중간 벽(6a)과 화소 경계내의 구조물의 부분적인 해당부분과 함께 그리드와 검출기의 영구적인 접속이 검출기의 개선된 감도를 달성하며, 조사량(dosage)이 절약될 수 있다. 물결 무늬 간섭이 상기 구성에 의해 동일한 방식으로 방지된다. 일반적으로 도에서 백색으로 도시된 전송 채널(5)은 공기 또는 가스로 채워진다.
도 6은 안티스캐터 그리드의 중간 벽(6a)이 약 70 ㎛의 두께를 가지며, 스테레오리소그래피에 의해 용이하게 제조될 수 있는 경우의 추가 실시예를 도시한다. 이 경우에, 중간 벽(6a)의 단부면 위의 흡수 코팅부(14)가 제거되고, 또한 일차 방사선이 상기 포인트에서 검출기(7)를 가격할 수 있기 때문에, 유사한 일차 빔 투명도는 도 5의 구성의 경우에서 처럼 얻어진다.
도 7은 플립-칩 기술을 이용하여 검출기에 완성된 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 사용하는 시스템을 도시한다. 조작기 암(18) 또는 이들의 세그먼트를 이용하여 들어 올려진 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 정확한 위치가 마이크로스코프(19)를 통해 제어되고, 이것을 이용하여 빔 스플리터(20)에 의해 중첩된, 검출기 표면과 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 두 개의 이미지가 보여지고 교체하여 일치될 수 있다. 필요하다면, 상기 목적을 위해 검출기의 제한된 회전이 이루어질 수 있다. 만약 상호간의 위치가 조절된다면, 안티스캐터 그리드는 조작기에 의해 정교하게 위치되는 방식으로 준비된 접착 결합부에 제공된다. 해당 엊제 또는 홀딩 핀을 갖는 적절하게 설계된 캐리어 플레이트가 그리드를 홀딩하는데 사용된다.
본 발명에 의해 구현된 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터와 이들이 제공된 x-선 검출기 또는 감마 검출기에 의해 높은 검출용 양자 효율과 함께 물결 무늬가 생기지 않으면서 이미지를 레코딩할 수 있다.

Claims (17)

  1. 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 x-방사선 및/또는 감마 방사선에 민감한 검출 영역(16a)과 민감하지 않은 중간 영역(16b)을 갖는 검출기 표면을 형성하는 매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트(16)를 갖는 x-선 또는 감마 검출기에 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 제공하는 방법으로서,
    먼저 기본 구조물(6)이 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 위해 급속 주형 기술을 이용하여 제조되고, 상기 급속 주형 기술에 의해 적어도 제1 방향으로 동일한 중심-대-중심 간격 또는 상기 검출기의 민감한 검출 영역(16a)의 다수의 일체형 중심-대-중심 간격을 갖는 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 중간 벽(6a)가 형성되며,
    실질적으로 상기 중간 벽(6a)은 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 완성하기 위해 x-방사선 및/또는 감마 방사선을 강하게 흡수하는 물질(14)로 코팅되며,
    마지막으로 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 적어도 상기 제1 방향에 수직으로 뻗은 중간 벽(6a) 또는 상기 중간 벽의 코팅부(14)가 상기 검출기 표면의 민감하지 않은 중간 영역(16b) 위에 위치하는 방식으로 상기 검출기 표면에 제공되고 상기 검출기 표면에 접속되는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 스테레오리소그래피 방법이 급속 주형 기술로서 사용된 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 기본 구조물(6)의 기하구조는 셀룰러 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 제조하도록 상기 검출기 엘리먼트(16)의 매트릭스형 배치에 대응하여 선택되고 x-방사선 및/또는 감마 방사선에 투과적인 전송 채널(5)의 배치가 상기 민감한 검출 영역(16a)의 배치에 대응하는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기본 구조물(6)은 x-방사선 및/또는 감마 방사선에 실질적으로 투명한 물질로 제조되고, 상기 중간 벽(6a)의 단부면은 상기 흡수 물질(14)을 가진 코팅부로부터 자유롭게 유지되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 3 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기본 구조물(6)은 x-방사선 및/또는 감마 방사선에 실질적으로 투명한 물질로 제조되고, 상기 흡수 물질(14)을 가진 코팅부는 상기 중간 벽(6a)의 단부면으로부터 제거되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 코팅부는 스퍼터링 및/또는 전해질 증착에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 각각 상기 전송 채널(5)의 흡수 물질(14)을 갖는 상기 코팅부의 구석 영역이 검출기 엘리먼트(16)의 스위칭 엘리먼트(17) 위에 위치하는 방식으로 상기 검출기 표면에 제공되고 상기 검출기 표면에 접속되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 상기 검출기 표면에 접착되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 접착은 상기 검출기 표면의 병렬배치된 서브영역에 대해 연속적으로 수행되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 제공되기 이전에 상기 서브영역에 해당하는 세그먼트로 분할되고 개별 형식으로 연속적으로 제공되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 플립-칩 기술을 이용하여 상기 검출기 표면에 제공되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터는 상기 기본 구조물(6)을 지지하는 홀더를 이용하여 상기 검출기 표면에 제공되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 있어서, 접착 목적을 위해 접착액이 상기 검출기 표면 및/또는 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터 위로 뿌려지는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  14. 제 1 항 내지 제 12 항중 어느 한 항에 있어서, 접착 목적을 위해 열 용융 접착제가 상기 검출기 표면 및/또는 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터에 제공되고 상기 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 상기 검출기 표면에 제공한 후에 열 소스에 의해 간단하게 용융되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항중 어느 한 항에 있어서, 상기 기본 구조물(6)은 포커싱된 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터를 제조하기 위해 구성되는 것을 특징으로 하는 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 제공 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 15 항에 따라서 제조되고 제공된 x-선 검출기로서,
    매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트, 전송 채널(5)을 갖는 안티스캐터 및 흡수 코팅부(14)를 갖는 중간 벽(6a)을 갖는 x-선 검출기.
  17. 제 1 항 내지 제 15 항에 따라서 제조되고 제공된 감마 검출기로서,
    매트릭스형으로 배치된 검출기 엘리먼트, 전송 채널(5)을 갖는 콜리메이터 및 흡수 코팅부(14)를 갖는 중간 벽(6a)을 갖는 감마 검출기.
KR1020030062160A 2002-09-06 2003-09-05 산란방지와 콜리메이팅을 수행하기 위한 장치를 제조하여 ｘ-방사선 또는 감마 검출기에 제공하는 방법 KR100841123B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10241423A DE10241423B4 (de) 2002-09-06 2002-09-06 Verfahren zur Herstellung und Aufbringung eines Streustrahlenrasters oder Kollimators auf einen Röntgen- oder Gammadetektor
DE10241423.8 2002-09-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040022395A true KR20040022395A (ko) 2004-03-12
KR100841123B1 KR100841123B1 (ko) 2008-06-24

Family

ID=31724460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030062160A KR100841123B1 (ko) 2002-09-06 2003-09-05 산란방지와 콜리메이팅을 수행하기 위한 장치를 제조하여 ｘ-방사선 또는 감마 검출기에 제공하는 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7149283B2 (ko)
EP (1) EP1400984A2 (ko)
KR (1) KR100841123B1 (ko)
DE (1) DE10241423B4 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101238023B1 (ko) * 2010-07-21 2013-03-04 주식회사 디알텍 엑스선 산란 방지용 그리드 및 엑스선 검출 장치
KR101652200B1 (ko) * 2015-06-08 2016-08-30 장희철 연속가압방식을 이용한 x선 그리드 제조장치
CN107242879A (zh) * 2017-05-17 2017-10-13 上海六晶科技股份有限公司 一种防散射格栅

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7138638B2 (en) * 2003-11-20 2006-11-21 Juni Jack E Edge effects treatment for crystals
DE102004014445B4 (de) 2004-03-24 2006-05-18 Yxlon International Security Gmbh Sekundärkollimator für eine Röntgenstreuvorrichtung sowie Röntgenstreuvorrichtung
FR2877761B1 (fr) * 2004-11-05 2007-02-02 Gen Electric Grilles anti-diffusantes a multiples dimensions d'ouverture
DE102005037860A1 (de) * 2005-08-10 2007-02-22 Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy Röntgendetektormodul
US20080023636A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Samir Chowdhury Tungsten polymer collimator for medical imaging
WO2011100044A2 (en) * 2010-02-10 2011-08-18 The Regents Of The University Of California, San Francisco Spect targeted volume molecular imaging using multiple pinhole apertures
FR2969918B1 (fr) 2010-12-29 2013-12-13 Gen Electric Procede et dispositif de mise en oeuvre d'une grille anti-diffusante
DE102011006421A1 (de) * 2011-03-30 2012-10-04 Siemens Aktiengesellschaft Digitaler Röntgendetektor
CN202408923U (zh) * 2011-11-25 2012-09-05 母治平 一种用于发射层析的准直装置
JP5963576B2 (ja) * 2012-07-04 2016-08-03 キヤノン株式会社 金属構造体の製造方法、及びｘ線光学素子の製造方法
KR101364339B1 (ko) 2013-01-22 2014-02-19 고려대학교 산학협력단 가변형 핀홀 타입 콜리메이터 장치 및 이를 이용한 방사선 영상 장비
US10295485B2 (en) 2013-12-05 2019-05-21 Sigray, Inc. X-ray transmission spectrometer system
USRE48612E1 (en) * 2013-10-31 2021-06-29 Sigray, Inc. X-ray interferometric imaging system
AT14686U1 (de) * 2015-01-27 2016-04-15 Plansee Se Streustrahlenraster
CN104851936B (zh) * 2015-04-23 2017-07-14 上海奕瑞光电子科技有限公司 一种平板探测器防伪影结构及其制作方法
EP3291968A1 (en) * 2015-05-07 2018-03-14 Addifab ApS Additive manufacturing yield improvement
US10082473B2 (en) * 2015-07-07 2018-09-25 General Electric Company X-ray filtration
US10807187B2 (en) * 2015-09-24 2020-10-20 Arcam Ab X-ray calibration standard object
US10646176B2 (en) * 2015-09-30 2020-05-12 General Electric Company Layered radiation detector
DE102017202312B4 (de) * 2017-02-14 2018-10-04 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Röntgen-Streustrahlenrasters
US11130281B2 (en) * 2018-02-26 2021-09-28 Formlabs, Inc. Heating techniques in additive fabrication and related systems and methods
US10845491B2 (en) 2018-06-04 2020-11-24 Sigray, Inc. Energy-resolving x-ray detection system
EP3584803A1 (en) 2018-06-20 2019-12-25 Siemens Healthcare GmbH Method for producing a grid-like beam collimator, grid-like beam collimator, radiation detector and medical imaging device
GB2591630B (en) 2018-07-26 2023-05-24 Sigray Inc High brightness x-ray reflection source
DE112019004478T5 (de) 2018-09-07 2021-07-08 Sigray, Inc. System und verfahren zur röntgenanalyse mit wählbarer tiefe
DE102018215376B4 (de) * 2018-09-11 2021-11-04 Siemens Healthcare Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Kollimatorelements, Kollimatorelement, Verfahren zur Herstellung eines Streustrahlkollimators, Streustrahlkollimator, Strahlungsdetektor und CT-Gerät
US11217357B2 (en) 2020-02-10 2022-01-04 Sigray, Inc. X-ray mirror optics with multiple hyperboloidal/hyperbolic surface profiles
US11779296B2 (en) 2020-03-20 2023-10-10 Canon Medical Systems Corporation Photon counting detector based edge reference detector design and calibration method for small pixelated photon counting CT apparatus

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3021173A (en) * 1960-03-07 1962-02-13 Levin Leon Glare reducer for oncoming headlights
GB1536497A (en) * 1975-03-17 1978-12-20 Galileo Electro Optics Corp X and gamma radiation collimator and method of manufacturing such collimator
US4575330A (en) * 1984-08-08 1986-03-11 Uvp, Inc. Apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
US5059359A (en) * 1988-04-18 1991-10-22 3 D Systems, Inc. Methods and apparatus for production of three-dimensional objects by stereolithography
US4951305A (en) 1989-05-30 1990-08-21 Eastman Kodak Company X-ray grid for medical radiography and method of making and using same
US5127037A (en) * 1990-08-15 1992-06-30 Bynum David K Apparatus for forming a three-dimensional reproduction of an object from laminations
US5231655A (en) * 1991-12-06 1993-07-27 General Electric Company X-ray collimator
US5418833A (en) * 1993-04-23 1995-05-23 The Regents Of The University Of California High performance x-ray anti-scatter grid
US5481883A (en) 1994-10-20 1996-01-09 Harkness, Jr.; Charles A. Method and apparatus for reduction of refrigerant gases escaping from refrigeration systems
US5481833A (en) * 1994-11-16 1996-01-09 Williams; Steve L. Attic hatchway cover
US5606589A (en) * 1995-05-09 1997-02-25 Thermo Trex Corporation Air cross grids for mammography and methods for their manufacture and use
JP2000512084A (ja) 1997-04-02 2000-09-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ センサマトリックスを有するｘ線装置
US6309581B1 (en) * 1998-02-13 2001-10-30 Milwaukee School Of Engineering Method of making a three dimensional object
US6175615B1 (en) * 1999-04-12 2001-01-16 General Electric Company Radiation imager collimator
US6627376B1 (en) * 1999-04-27 2003-09-30 Teijin Seiki Co., Ltd. Stereolithographic apparatus and method for manufacturing three-dimensional object with photohardenable resin
US6438210B1 (en) * 2000-03-28 2002-08-20 General Electric Company Anti-scatter grid, method, and apparatus for forming same
US6459771B1 (en) * 2000-09-22 2002-10-01 The University Of Chicago Method for fabricating precision focusing X-ray collimators
DE10147949A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Aufbringung eines Kollimators auf einen Gammadetektor
DE10147947C1 (de) * 2001-09-28 2003-04-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Streustrahlenrasters oder Kollimators
FR2830976B1 (fr) * 2001-10-17 2004-01-09 Ge Med Sys Global Tech Co Llc Grilles anti-diffusantes a faible attenuation et procede de fabrication de telles grilles
DE10151568A1 (de) * 2001-10-23 2003-05-08 Siemens Ag Verfahren zum Aufbringen eines Streustrahlenrasters auf einen Röntgendetektor
DE10151562B4 (de) * 2001-10-23 2004-07-22 Siemens Ag Anordnung aus Röntgen- oder Gammadetektor und Streustrahlenraster oder Kollimator
US6936212B1 (en) * 2002-02-07 2005-08-30 3D Systems, Inc. Selective deposition modeling build style providing enhanced dimensional accuracy
DE10241424B4 (de) * 2002-09-06 2004-07-29 Siemens Ag Streustrahlenraster oder Kollimator sowie Verfahren zur Herstellung

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101238023B1 (ko) * 2010-07-21 2013-03-04 주식회사 디알텍 엑스선 산란 방지용 그리드 및 엑스선 검출 장치
KR101652200B1 (ko) * 2015-06-08 2016-08-30 장희철 연속가압방식을 이용한 x선 그리드 제조장치
CN107242879A (zh) * 2017-05-17 2017-10-13 上海六晶科技股份有限公司 一种防散射格栅
CN107242879B (zh) * 2017-05-17 2023-09-15 上海六晶科技股份有限公司 一种防散射格栅

Also Published As

Publication number Publication date
DE10241423A1 (de) 2004-03-18
KR100841123B1 (ko) 2008-06-24
EP1400984A2 (de) 2004-03-24
US20040131158A1 (en) 2004-07-08
US7149283B2 (en) 2006-12-12
DE10241423B4 (de) 2007-08-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20040022395A (ko) 안티스캐터 그리드 또는 콜리메이터의 제조 및 이들을ｘ-선 또는 감마 검출기에 제공하는 방법
KR100882035B1 (ko) 산란 방지 및 콜리메이팅을 수행하기 위한 장치와 상기 장치의 제조 방법
US6951628B2 (en) Method for producing a scattered radiation grid or collimator
US20060055087A1 (en) Method for producing an anti-scatter grid or collimator made from absorbing material
US5949850A (en) Method and apparatus for making large area two-dimensional grids
US5303282A (en) Radiation imager collimator
JP6460226B2 (ja) Ｘ線撮影装置
US7462854B2 (en) Collimator fabrication
JP4746245B2 (ja) 散乱線除去格子
US8536552B2 (en) Collimator for a radiation detector and method for manufacturing such a collimator as well as method for manufacturing a radiation detector comprising collimators
US6408054B1 (en) Micromachined x-ray image contrast grids
US6778632B2 (en) X-ray detector/stray radiation grid and gamma detector/collimator arrangements
JP2001208855A (ja) Ｘ線検出器
WO2012026223A1 (ja) 放射線画像撮影用グリッド及びその製造方法、並びに放射線画像撮影システム
US6847701B2 (en) X-ray detector with an applied stray radiation grid, and method for applying a stray radiation grid to an X-ray detector
JP2001066369A (ja) 電磁放射の検出器
JPH0682604B2 (ja) Ｘ線マスク
US6968041B2 (en) Antiscatter grid or collimator
Tang et al. Anti-scattering X-ray grid
JP2001188096A (ja) ２次元アレイ型放射線検出器及びｘ線遮蔽壁の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120511

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee