KR20040016186A - 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그방법 - Google Patents

플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도가 일정하게 유지되도록 제어하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 일 실시예는 기체 주입구로 공급된 기체가 돔의 내부를 관통하는 터널을 통과한 후 기체 배출구로 유출되면, 온도 센서와 같이 돔의 외부 표면에 부착되어 돔의 온도(Td)를 측정하는 온도 측정부(10); 상기 측정된 돔의 온도(Td)와 기 설정된 기준값(T)의 차분값(△T)를 산출(Td-T=△T)하는 △T 산출부(20); 상기 산출된 차분값이 양(+)인지 음(-)인지의 여부에 따라 기체 가열/냉각부(60)의 상태를 가열모드 또는 냉각모드로 절환시키는 절환신호를 출력하고, 상기 산출된 차분값의 절대값에 상응하는 제어신호를 전원 조절부(50)로 인가하는 제어부(30); 상기 제어부(30)로부터 인가된 제어신호에 상응하도록 전원 공급부(40)로부터 공급된 전원을 강압 또는 승압시키는 전원 조절부(50); 및 상기 제어부(30)로부터 출력된 절환신호에 의해 가열모드 또는 냉각모드로 절환되고 나면, 상기 전원 조절부(50)에 의해 조절된 전원에 의해 기체 발생부(70)로부터 발생된 기체를 가열 또는 냉각하는 기체 가열/냉각부(60)를 포함하여 구성된다.

Description

플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그 방법{Apparatus and Method for controlling temperature of dome in Plasma etching system}
본 발명은 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그 방법에 관한 것이다.
보다 상세하게는, 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도가 일정하게 유지되도록 제어함으로써 보다 안정된 에칭공정이 수행되도록 한 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자의 제조 공정에서 웨이퍼 표면에 회로의 배선 패턴을 형성하여 식각(蝕刻)하는 것을 에칭(etching)이라고 한다.
에칭은, 대규모 집적 회로(LSI) 등 반도체 디바이스를 제조하는 공정에서 반도체 단결정 웨이퍼에 박막 형성·포토리소그래피(photolithorgraphy)·에칭·이온(ion) 주입 등의 요소 기술이 가해지는 요소 프로세스 중의 한 공정으로서, 종전에는 화학 약품을 사용하는 웨트 에칭(wet ething)법으로 시행하였으나 1970년대 중반부터 회로 패턴의 미세화·고정밀도화의 요구에 따라 드라이 에칭(dry etching)법이 진척되었다.
웨트 에칭은 강산(强酸)에 의한 화학적 작용으로 등방성(等方性) 에칭이 진행되기 때문에 마스크(mask)의 아래 부분도 식각되는 단점이 있으나, 드라이 에칭은 할로겐화물 등의 화학적 활성 가스를 플라즈마 상태로 하여 플라즈마 중의 이온의 작용에 의해 에칭하는 반응성 이온 에칭법으로서, 기판면의 수직 방향으로만 식각이 진행되는 이방성(異方性) 에칭이 실현되기 때문에 초대규모 집적 회로(VLSI) 등 고정밀도의 미세 가공에 적합하다.
웨트 에칭 또는 드라이 에칭(이하에서는 "에칭"이라 통칭함)을 수행하는 종래의 플라즈마 에칭시스템은 도 1에 도시된 바와 같다.
내부에 웨이퍼(wafer)가 놓여지며 내벽에는 산화피막된 알루미늄층이 뒤덮혀 있는 원통형의 챔버(chamber); 상기 챔버의 상단을 덮고 있는 둥근 형상으로 윗면과 밑면이 공정에 따라 여러 형상이 있으며, 소정의 유전율(ε1)을 갖는 단일층의 돔{세라믹 플레이트(Ceramic Plate라고도 함)}; 및 상기 돔의 윗면에 안착되며 유도 전원(inductive supply)을 인가받아 전기장을 발생시키는 나선형의 코일(coil)을 포함하여 구성된다.
상기 돔은 유전율(ε1)이 9.3∼9.8 범위내의 값을 갖는 알루미나(Al2O3)로 이루어져 있다.
따라서, 상기 코일에 의해 발생된 전기장은 소정의 유전율(ε1)을 갖는 돔을 통과하여 챔버 내부로 유기된다.
이와 같이 유기된 전기장은 챔버 내부의 가스(gas)속에 방전을 일으켜 가스를 플라즈마(plasma)화하고 이로부터 발생된 중성의 라디칼(radical) 입자들과 전하를 띤 이온(ion)간의 화학반응에 의해 웨이퍼 표면에 마스킹되어 있지 않은 부분이 깎이게 된다.
이때, 상기 돔은 일정한 온도(돔의 두께나 플라즈마 에칭시스템의 다른 구성요소들에 의해서 달라질 수 있지만, 본 실시예에서는 80℃인 것으로 가정함.)를 유지하지 못하여 에칭시 발생된 부산물(Byproduct)이 상기 돔에 부착되었다가 다시 웨이퍼 상부로 떨어져 안정된 에칭 공정을 수행하지 못하였다.
이를 해결하기 위하여, 돔의 상부에 고가의 램프나 전기 히터(heater)를 장착하여 돔의 온도를 높여 주었으나 램프나 전기 히터를 장착하기 위한 장치가 복잡하며 고가(高價)이므로 적용하기가 쉽지 않았다.
아울러, 램프나 전기 히터를 이용함으로써 돔의 온도가 원하는 온도보다 낮은 경우 원하는 온도만큼 높이는 것이 가능하나 돔의 온도가 원하는 온도보다 높은 경우 원하는 온도만큼 낮추는 것은 불가능하였다.
또한, 전기 히터의 경우에는 챔버내에 플라즈마를 유지시켜 주는 코일에 의해 발생되는 전자기파에 영향을 받으며, 챔버내에 균일한 플라즈마 밀도를 형성해 주는데 장해 요소가 될 수 있다.
또한, 상기 램프로는 주로 할로겐 램프가 이용되는데 할로겐 램프의 수명이 짧아서 번번히 교체해주어야 하며 교체시기를 정확히 판단하기 위해서는 별도의 장치가 더 구비되어야 하는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명의 목적은 이러한 문제점들을 해결하기 위해 창작된 것으로서, 본 발명은 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 내부 또는 외부에 기체를 공급하되 상기 공급되는 기체의 온도를 가변시킴으로써, 상기 돔의 온도를 높이거나 낮춰 일정하게 유지하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 온도제어장치 및 방법을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 내부 또는 외부에 기체를 공급하되 상기 공급되는 기체의 온도를 가변시킴으로써, 플라즈마에칭시스템의 챔버 내부에 유기된 플라즈마가 전자기파가 영향을 받지도 주지도 않도록 한 플라즈마 에칭시스템에 구비된 온도제어장치 및 방법을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 내부 또는 외부에 기체를 공급하되 상기 공급되는 기체의 온도를 가변시킴으로써, 돔의 온도를 조절하기 위해 추가되는 장비를 최소화한 플라즈마 에칭시스템에 구비된 온도제어장치 및 방법을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은, 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 내부 또는 외부에 기체를 공급하되 상기 공급되는 기체의 온도를 가변시킴으로써, 램프를 교체하는 번거로움을 제거한 플라즈마 에칭시스템에 구비된 온도제어장치 및 방법을 제공하는 것이다.
도 1은 종래의 플라즈마 에칭시스템을 도시한 것이고,
도 2는 본 발명에 따라 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치의 일 실시예의 구성도이고,
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법의 흐름도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 온도 측정부 20 : △T 산출부
30 : 제어부 40 : 전원 공급부
50 : 전원 조절부 60 : 기체 가열/냉각부
70 : 기체 발생부
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예는, 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 챔버(chamber), 챔버덮개에 해당하는 돔, 상기 돔의 윗면에 안착되는 코일(coil)을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 있어서, 외부로부터 발생된 기체를 돔의 내부 또는 외부에 공급하고, 상기 돔의 온도가 기준값과 동일하도록 상기 공급되는 기체의 온도를 제어하는 제어수단을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치를 제공한다.
또 본 발명은, 상기 돔의 내부를 관통하는 터널(tunnel)이 형성되고 상기 터널의 양 끝단에는 기체 주입구와 기체 배출구가 각각 구비되어 상기 외부로부터 발생된 기체는 상기 구비된 기체 주입구를 통해 돔의 내부에 공급된 후 터널을 통과하여 상기 기체 배출구로 유출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치로서, 상술한 과제를 해결한다.
또 본 발명에서, 상기 제어수단은, 외부로부터 발생된 기체가 돔의 내부 또는 외부로 공급되면, 상기 돔의 온도를 측정하는 온도 측정수단; 상기 측정된 돔의 온도와 기 설정된 기준값의 차분값을 산출하는 산출수단; 및 상기 산출된 차분값에 근거하여 상기 공급되는 기체의 온도를 가변하는 가변수단을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치로서, 상술한 과제를 해결한다.
또 본 발명에서, 상기 가변수단은, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 높아서 상기 차분값이 양의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 냉각하고, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 낮아서 상기 차분값이 음의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치로서, 상술한 과제를 해결한다.
또 본 발명에서, 상기 가변수단은, 전원을 공급하는 전원 공급부; 상기 공급된 전원을 강압 또는 승압시키는 전원 조절부; 상기 강압 또는 승압된 전원을 인가받아 외부로부터 발생된 기체를 가열 또는 냉각하는 기체 가열/냉각부; 및 상기 산출된 차분값에 근거하여, 상기 전원 조절부에 의한 전원의 강압 또는 승압정도와 상기 기체 가열/냉각부에 의한 기체의 가열 또는 냉각여부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치로서, 상술한 과제를 해결한다.
또, 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예는, 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 챔버(chamber), 챔버덮개에 해당하는 돔(dome), 상기 돔의 윗면에 안착되는 코일(coil)을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도를 조절하는 방법에 있어서, 상기 돔의 내부 또는 외부에 소정 온도의 기체를 공급한 후, 돔의 온도가 기준값과 동일하도록 상기 소정 온도를 가변시키는 온도 제어단계를 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법을 제공한다.
또 본 발명에서, 상기 온도 제어단계는, 외부로부터 발생된 기체를 상기 돔의 내부 또는 외부에 공급하는 제 1 기체 공급단계; 상기 기체가 공급된 후, 상기 돔의 온도를 측정하는 온도 측정단계; 상기 측정된 돔의 온도와 기 설정된 기준값의 차분값을 산출하는 산출단계; 및 상기 산출된 차분값에 근거하여 상기 공급되는 기체의 온도를 가변하는 온도 가변단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법으로서, 상술한 과제를 해결한다.
또 본 발명에서, 상기 온도 가변단계는, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 높아서 상기 차분값이 양의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 냉각하고, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 낮아서 상기 차분값이 음의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법으로서, 상술한 과제를 해결한다.
또 본 발명에서, 상기 온도 가변단계는, 외부로부터 인가된 전원을, 상기 산출된 차분값의 절대값에 상응하도록 승압 또는 강압시켜 조절하는 전원 조절단계; 상기 조절된 전원을 공급받아 기체를 가열 또는 냉각하되, 상기 산출된 차분값이 양의 값을 갖으면 기체를 가열하고 상기 산출된 차분값이 음의 값을 갖으면 기체를 냉각하는 기체 가열/냉각단계; 및 상기 가열 또는 냉각된 기체를 상기 돔의 내부 또는 외부로 공급하는 제 2 기체 공급단계를 포함하여 이루어지되, 사용자에 의한 종료 요청시까지 온도 측정단계 내지 제 2 기체 공급단계를 반복수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법으로서, 상술한 과제를 해결한다.
본 발명의 목적과 특징 및 장점은 첨부된 도면 및 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 더욱 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 2는 본 발명에 따라 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치의 일 실시예의 구성도이다.
본 발명에 따른 실시예에서는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔이 도 2에 도시된 바와 같이, 돔의 내부를 관통하는 터널(tunnel)이 형성되고 상기 터널의 양 끝단에는 기체 주입구와 기체 배출구가 각각 구비되어 상기 외부로부터 발생된 기체는 상기 구비된 기체 주입구를 통해 돔의 내부에 공급된 후 터널을 통과하여 상기 기체 배출구로 유출되는 것으로 제안한다.
본 발명에 따라 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치의 일 실시예는, 상기 기체 주입구로 공급된 기체가 돔의 내부를 관통하는 터널을 통과한 후기체 배출구로 유출되면, 온도 센서와 같이 돔의 외부 표면에 부착되어 돔의 온도(Td)를 측정하는 온도 측정부(10); 상기 측정된 돔의 온도(Td)와 기 설정된 기준값(T)의 차분값(△T)를 산출(Td-T=△T)하는 △T 산출부(20); 상기 산출된 차분값이 양(+)인지 음(-)인지의 여부에 따라 기체 가열/냉각부(60)의 상태를 가열모드 또는 냉각모드로 절환시키는 절환신호를 출력하고, 상기 산출된 차분값의 절대값에 상응하는 제어신호를 전원 조절부(50)로 인가하는 제어부(30); 상기 제어부(30)로부터 인가된 제어신호에 상응하도록 전원 공급부(40)로부터 공급된 전원을 강압 또는 승압시키는 전원 조절부(50); 및 상기 제어부(30)로부터 출력된 절환신호에 의해 가열모드 또는 냉각모드로 절환되고 나면, 상기 전원 조절부(50)에 의해 조절된 전원에 의해 기체 발생부(70)로부터 발생된 기체를 가열 또는 냉각하는 기체 가열/냉각부(60)를 포함하여 구성된다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치의 동작에 대해, 본 발명에 따른 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법의 흐름도인 도 3과 병행하여 상세히 설명하기로 한다.
먼저, 기체 발생부(70)로부터 발생된 기체가 기체 가열/냉각부(60)로 입력되면, 초기상태가 가열모드인 기체 가열/냉각부(60)는 상기 입력된 기체를 80℃로 가열한 뒤 돔에 형성된 기체 주입구를 통해 돔의 내부로 공급(S301)한다.
상기 공급된 기체가 터널을 통과한 뒤 돔에 형성된 기체 배출구로 유출되면, 온도 측정부(10)는 돔의 온도(Td)를 측정(S302)한다.
이어, △T 산출부(20)는 상기 측정된 돔의 온도(Td)와 기 설정된 기준값(T)(통상적으로 기준값은 120∼150℃ 범위내에서 설정된다.)의 차분값(△T)을 산출(S303)한다.(Td-T=△T)
제어부(30)는, 상기 산출된 차분값이 양의 값을 갖는 경우(S304의 "예") 기체 가열/냉각부(60)를 냉각모드로 절환하는 절환신호를 출력하고 상기 산출된 차분값이 음의 값을 갖는 경우(S307의 "예") 상기 기체 가열/냉각부(60)를 가열모드로 절환하는 절환신호를 출력한다.
또한 상기 제어부(30)는, 상기 산출된 차분값의 절대값에 상응하는 상기 산출된 차분값의 절대값에 상응하는 제어신호를 전원 조절부(50)로 인가한다.
따라서, 전원 공급부(40)로부터 전원을 공급받은 전원 조절부(50)는 상기 제어부(30)로부터 인가된 제어신호에 상응하도록 상기 공급된 전원을 강압 또는 승압(S305, S308)시켜 전류의 크기를 조절한다.
기체 가열/냉각부(50)는, 상기 제어부(30)로부터 출력된 절환신호에 의해 냉각모드 또는 가열모드로 절환된 후 상기 전원 조절부(50)에 의해 조절된 전원으로 기체 발생부(70)에 의해 발생된 기체를 냉각(S306) 또는 가열(S307)한 뒤, 냉각 또는 가열된 기체를 돔의 기체 주입구를 통해 돔의 내부로 공급(S310)한다.
또한, 돔의 온도를 측정하는 S302로부터 냉각 또는 가열된 기체를 돔의 기체 주입구를 통해 돔의 내부로 공급하는 S310의 동작은 사용자가 돔의 온도제어동작을 종료할 때까지(S311의 "예") 반복수행된다.
또한, 본 발명의 실시예들은 에칭종류에 관계없이 동일하게 적용될 수 있는데, 특히 웨이퍼의 조성물에 따른 에칭종류 즉 산화물에칭(oxide-etching), 폴리에칭(poly-etching), 메탈에칭(metal-etching)에도 적용될 수 있음은 물론이다.
이상의 본 발명은 상기에 기술된 실시예들에 의해 한정되지 않고, 당업자들에 의해 다양한 변형 및 변경을 가져올 수 있으며, 이는 첨부된 청구항에서 정의되는 본 발명의 취지와 범위에 포함된다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도를 높이거나 낮춤으로써 보다 일정하게 유지하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 플라즈마 에칭시스템의 챔버 내부에 유기된 플라즈마가 전자기파의 영향을 받지 않도록 함으로써 보다 안정적인 에칭동작이 수행되도록 하는 효과가 있다.
또한, 본 발명은 램프나 전기 히터를 이용하는 것에 비해 구조가 간단하여 비용절감과 유지관리가 용이한 효과가 있다.

Claims (9)

  1. 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 챔버(chamber), 챔버덮개에 해당하는 돔(dome), 상기 돔의 윗면에 안착되는 코일(coil)을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 있어서,
    외부로부터 발생된 기체를 돔의 내부 또는 외부에 공급하고, 상기 돔의 온도가 기준값과 동일하도록 상기 공급되는 기체의 온도를 제어하는 제어수단을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 돔의 내부를 관통하는 터널(tunnel)이 형성되고 상기 터널의 양 끝단에는 기체 주입구와 기체 배출구가 각각 구비되어 상기 외부로부터 발생된 기체는 상기 구비된 기체 주입구를 통해 돔의 내부에 공급된 후 터널을 통과하여 상기 기체 배출구로 유출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제어수단은,
    외부로부터 발생된 기체가 돔의 내부 또는 외부로 공급되면, 상기 돔의 온도를 측정하는 온도 측정수단;
    상기 측정된 돔의 온도와 기 설정된 기준값의 차분값을 산출하는 산출수단; 및
    상기 산출된 차분값에 근거하여 상기 공급되는 기체의 온도를 가변하는 가변수단을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 가변수단은,
    돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 높아서 상기 차분값이 양의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 냉각하고, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 낮아서 상기 차분값이 음의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치.
  5. 제 3항 또는 제 4항에 있어서, 상기 가변수단은,
    전원을 공급하는 전원 공급부;
    상기 공급된 전원을 강압 또는 승압시키는 전원 조절부;
    상기 강압 또는 승압된 전원을 인가받아 외부로부터 발생된 기체를 가열 또는 냉각하는 기체 가열/냉각부; 및
    상기 산출된 차분값에 근거하여, 상기 전원 조절부에 의한 전원의 강압 또는 승압정도와 상기 기체 가열/냉각부에 의한 기체의 가열 또는 냉각여부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치.
  6. 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 챔버(chamber), 챔버덮개에 해당하는 돔(dome), 상기 돔의 윗면에 안착되는 코일(coil)을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도를 조절하는 방법에 있어서,
    상기 돔의 내부 또는 외부에 소정 온도의 기체를 공급한 후, 돔의 온도가 기준값과 동일하도록 상기 소정 온도를 가변시키는 온도 제어단계를 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 온도 제어단계는,
    외부로부터 발생된 기체를 상기 돔의 내부 또는 외부에 공급하는 제 1 기체 공급단계;
    상기 기체가 공급된 후, 상기 돔의 온도를 측정하는 온도 측정단계;
    상기 측정된 돔의 온도와 기 설정된 기준값의 차분값을 산출하는 산출단계; 및
    상기 산출된 차분값에 근거하여 상기 공급되는 기체의 온도를 가변하는 온도 가변단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 온도 가변단계는,
    돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 높아서 상기 차분값이 양의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 냉각하고, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 낮아서 상기 차분값이 음의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 가열하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 온도 가변단계는,
    외부로부터 인가된 전원을, 상기 산출된 차분값의 절대값에 상응하도록 승압 또는 강압시켜 조절하는 전원 조절단계;
    상기 조절된 전원을 공급받아 기체를 가열 또는 냉각하되, 상기 산출된 차분값이 양의 값을 갖으면 기체를 가열하고 상기 산출된 차분값이 음의 값을 갖으면 기체를 냉각하는 기체 가열/냉각단계; 및
    상기 가열 또는 냉각된 기체를 상기 돔의 내부 또는 외부로 공급하는 제 2 기체 공급단계를 포함하여 이루어지되,
    사용자에 의한 종료 요청시까지 온도 측정단계 내지 제 2 기체 공급단계를 반복수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법.
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