KR100468203B1 - 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그방법 - Google Patents
플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치 및 그방법 Download PDFInfo
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- 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 챔버(chamber), 챔버덮개에 해당하는 돔(dome), 상기 돔의 윗면에 안착되는 코일(coil)을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 있어서,돔의 내부를 관통하고, 양 끝단에 기체 주입구와 기체 배출구가 각각 구비되어 외부로부터 발생된 기체가 돔의 내부를 통과하도록 하는 터널(tunnel);외부로부터 발생된 기체를 상기 터널을 통해 돔의 내부 또는 외부에 공급하고, 상기 돔의 온도가 기준값과 동일하도록 상기 공급되는 기체의 온도를 제어하는 제어수단을 포함하며,상기 제어수단은:외부로부터 발생된 기체가 돔의 내부 또는 외부로 공급되면, 상기 돔의 온도를 측정하는 온도 측정수단;상기 측정된 돔의 온도와 기 설정된 기준값의 차분값을 산출하는 산출수단; 및돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 높아서 상기 차분값이 양의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 냉각하고, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 낮아서 상기 차분값이 음의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 가열하는 가변수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치.
- 제 4항에 있어서, 상기 가변수단은:전원을 공급하는 전원 공급부;상기 공급된 전원을 강압 또는 승압시키는 전원 조절부;상기 강압 또는 승압된 전원을 인가받아 외부로부터 발생된 기체를 가열 또는 냉각하는 기체 가열/냉각부; 및상기 산출된 차분값에 근거하여, 상기 전원 조절부에 의한 전원의 강압 또는 승압정도와 상기 기체 가열/냉각부에 의한 기체의 가열 또는 냉각여부를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어장치.
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- 반도체 소자의 제조 공정에 이용되는 장비 가운데 챔버(chamber), 챔버덮개에 해당하는 돔(dome), 상기 돔의 윗면에 안착되는 코일(coil)을 포함하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도를 조절하는 방법에 있어서,상기 돔의 내부 또는 외부에 소정 온도의 기체를 공급한 후, 돔의 온도가 기준값과 동일하도록 상기 소정 온도를 가변시키는 온도 제어단계를 포함하며,상기 온도 제어단계는:외부로부터 발생된 기체를 상기 돔의 내부 또는 외부에 공급하는 제 1 기체 공급단계;상기 기체가 공급된 후, 상기 돔의 온도를 측정하는 온도 측정단계;상기 측정된 돔의 온도와 기 설정된 기준값의 차분값을 산출하는 산출단계; 및돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 높아서 상기 차분값이 양의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 냉각하고, 돔의 온도가 기 설정된 기준값보다 낮아서 상기 차분값이 음의 값을 갖으면 상기 공급되는 기체를 상기 차분값의 절대값에 상응하는 만큼 가열하는 온도가변단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법.
- 제 8항에 있어서,상기 온도 가변단계는,외부로부터 인가된 전원을, 상기 산출된 차분값의 절대값에 상응하도록 승압 또는 강압시켜 조절하는 전원 조절단계;상기 조절된 전원을 공급받아 기체를 가열 또는 냉각하되, 상기 산출된 차분값이 양의 값을 갖으면 기체를 가열하고 상기 산출된 차분값이 음의 값을 갖으면 기체를 냉각하는 기체 가열/냉각단계; 및상기 가열 또는 냉각된 기체를 상기 돔의 내부 또는 외부로 공급하는 제 2 기체 공급단계를 포함하여 이루어지되,사용자에 의한 종료 요청시까지 온도 측정단계 내지 제 2 기체 공급단계를 반복수행하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 에칭시스템에 구비된 돔의 온도제어방법.
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