KR20040004069A

KR20040004069A - Ｉｃ 카드

Info

Publication number: KR20040004069A
Application number: KR1020030042874A
Authority: KR
Inventors: 다까하시히데끼
Original assignee: 코니카가부시끼가이샤
Priority date: 2002-07-02
Filing date: 2003-06-28
Publication date: 2004-01-13
Also published as: JP2004038449A; US7059534B2; JP4062728B2; US20040031855A1; CN1490762A

Abstract

IC 카드는 제1 지지체, 제2 지지체, 제1 및 제2 지지체 사이에 제공되고, IC 칩, IC 칩에 인접한 보강 구조물 및 안테나를 포함하는 IC 모듈, 제1 지지체와 보강 구조물 사이에 제공되는 제1 접착층 및 제2 지지체와 IC 칩 사이에 제공되는 제2 접착층을 포함한다. R1'이 IC 카드의 최외층의 곡률 반경, R2가 상기 보강 구조물의 곡률 반경, R3가 상기 IC 칩의 곡률 반경이고, 상기 IC 카드가 곡률 반경(R1)으로 만곡되었을 경우, R1 ＜ R1' ＜ R2 ≤ R3을 만족한다.

Description

ＩＣ 카드 {IC CARD}

본 발명은 위조, 변조 방지 등의 안전성(세큐리티)이 요구되는 개인 정보 등을 기억하는 비접촉식의 전자 카드, 혹은 시트에 적용하여 적합한 개인 인증 카드에 관한 것이다.

신분 증명서 카드(ID 카드)나 크레디트 카드 등에는 종래 자기 기록 방식에 의해 데이터를 기록하는 자기 카드가 널리 이용되어 왔다. 그러나, 자기 카드는 데이터의 재기록을 비교적 용이하게 할 수 있으므로 데이터의 위조 방지가 충분하지 않은 것, 자기로 인해 외적인 영향을 받기 쉬워 데이터의 보호가 충분하지 않은 것, 또한 기록할 수 있는 용량이 적은 것 등의 문제점이 있었다.

그래서, 최근 IC 칩을 내장한 IC 카드가 보급되기 시작하고 있다. IC 카드는 표면에 설치된 전기 접점이나 카드 내부의 루프 안테나를 거쳐서 외부 기기와 데이터의 기록 및 판독을 한다. IC 카드는 자기 카드에 비해 기억 용량이 크고, 안전성도 크게 향상되어 있다. 특히, 카드 내부에 IC 칩과 외부와의 정보 교환을 하기 위한 안테나를 내장하고, 카드 외부에 전기 접점을 갖지 않는 비접촉식 IC 카드는 전기 접점을 카드 표면에 갖는 접촉식 IC 카드에 비해 안전성이 우수하여 IC 카드와 같이 데이터의 기밀성과 위조 변조 방지성을 높게 요구하는 용도로 계속 사용되고 있다.

이와 같은 IC 카드로서, 예를 들어 제1 시트재와 제2 시트재가 접착제를 거쳐서 접착되어 그 접착제층 속에 IC 칩 및 안테나를 갖는 IC 모듈을 밀봉하는 것이 있다.

IC 카드는 안전성이 높으므로 내구성이 위조 변조의 관점으로부터도 중요하게 되어 있다. 특히, 카드 내부에 IC 칩과 외부와의 정보 교환을 하기 위한 안테나 등의 전기 부품이 내장되어 있으므로, 그 내구성을 확보하기 위해 다양한 시도가 행해지고 있다. 그러나, 다양한 용도로 사용되고 보급되고 있는 동안, 더욱 높은 내구성이 필요해져 왔다. 카드라는 특성상, 항상 휴대하여 바지의 포켓 등에서의 반복 굽힘, 낙하, 코인 등의 압력에 대해 강한 내구성이 요구된다. 이에 대해 IC 칩에 견고한 보강 구조물을 설치하는 등의 개량이 제안되어 있다.

그러나, 일정한 내구성의 향상은 보이지만, 다양한 상황에 대해 충분한 내구성을 얻을 수 없고, 예를 들어 급격한 응력이 가하는 충격에의 내구성, 반복하여 응력이 가해지는 반복 굽힘 내구성, 반복 국소 하중 등에 대해 IC 칩이 깨어지거나, 카드가 파손되고, 나아가서는 전기 동작이 불가능해지는 등의 문제가 발생하고 있었다.

본 발명은 이러한 점에 비추어 이루어진 것으로, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호하는 것이 가능한 IC 카드를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.

도1은 IC 카드의 개략 층구성을 도시한 도면.

도2는 IC 카드의 곡률 반경을 설명한 도면.

도3a 및 도3b는 IC 카드의 접착제 두께와 보강 구조물의 최대 길이와의 관계 규정을 설명한 도면.

도4는 금속 보강판과 IC 칩 상단부면까지를 연결하였을 때의 각도 규정을 설명한 도면.

도5는 IC 카드의 금속 보강판과 IC 칩 상단부면까지를 연결하였을 때의 각도 규정을 설명한 도면.

도6은 IC 카드의 다른 실시 형태의 개략 층구성을 도시한 도면.

도7은 IC 카드의 접착제 두께와 보강 구조물의 최대 길이와의 관계 규정을 설명한 도면.

도8은 IC 모듈의 구성을 도시한 도면.

도9는 IC 모듈의 다른 실시 형태의 구성을 도시한 도면.

도10은 IC 카드, 개인 인증 카드의 적층 구성의 일예를 나타낸 도면.

도11은 카드 제조 장치를 도시한 도면.

도12는 IC 카드의 개략 층구성을 도시한 도면.

도13은 펀칭 금형 장치의 전체 개략 사시도.

도14는 펀칭 금형 장치의 주요부의 정면 단면도.

도15는 IC 카드의 굽힘을 도시한 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 제1 지지체

2 : 제2 지지체

3, 4 : 접착제

5a : IC 칩

5b : 보강 구조물

5c : 안테나

5 : IC 모듈

6 : 수상층

7 : 개인 식별 정보

8 : 보호층

9 : 필기층

10a, 10b : 부직포 시트

상기 과제를 해결하고, 또한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 이하와 같이 구성하였다.

제1항에 기재된 발명은, 대향하는 표면측과 이면측의 2개의 지지체 사이의 소정 위치에 IC 칩, IC 칩에 인접한 보강 구조물, 안테나로 이루어지는 IC 모듈을 포함하는 부품이 접착제를 개재하여 배치되는 IC 카드에 있어서,

상기 IC 카드에 곡률 반경(R1)을 부여하였을 때, 카드 최외층의 곡률 반경을 R1', 상기 IC 칩에 인접한 보강 구조물, 상기 IC 칩이 각각 R2, R3의 곡률 반경을 갖고, R1 ＜ R1' ＜ R2 ≤ R3인 것을 특징으로 하는 IC 카드이다.

이 제1항에 기재된 발명에 따르면, IC 카드에 곡률 반경을 부여하였을 때, 카드 최외층, 보강 구조물, IC 칩의 각각의 곡률 반경을 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제2항에 기재된 발명은 상기 보강 구조물과 상기 표면측 지지체 사이의 접착제 두께(D1), 상기 보강 구조물의 최대 길이(T1)로 하였을 때, D1/T1이 0.001 이상 0.05 이하인 것을 특징으로 하는 제1항에 기재된 IC 카드이다. D1/T1은 0.002 이상 0.04 이하인 것이 바람직하다.

이 제2항에 기재된 발명에 따르면, 보강 구조물과 표면측 지지체 사이의 접착제 두께와, 보강 구조물의 최대 길이와의 관계를 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제3항에 기재된 발명은, 상기 보강 구조물이 상기 IC 칩에 인접하여 접합된 금속 보강판이고, 면적이 IC 칩 면적보다 크고, 금속 보강판 수평면에 대해 금속 보강판 상단부면으로부터 IC 칩 상단부면까지를 연결하였을 때의 각도(θ)로 하였을 때, 0.02 ＜ tanθ ＜ 0.2인 것을 특징으로 하는 제1항에 기재된 IC 카드이다. 0.03 ＜ tanθ ＜ 0.15인 것이 바람직하다.

이 제3항에 기재된 발명에 따르면, 보강 구조물의 구조를 금속 보강판으로 하고, 이 금속 보강판과 IC 칩 상단부면까지를 연결하였을 때의 각도(θ)로 하였을때, 0.02 ＜ tanθ ＜ 0.2인 것으로 IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제4항에 기재된 발명은, 상기 IC 칩과 상기 표면측 지지체 사이의 접착제 두께(D2), 상기 보강 구조물의 최대 길이(T1)로 하였을 때, D2/T1이 0.001 이상 0.05 이하인 것을 특징으로 하는 제1항에 기재된 IC 카드이다. D2/T1은 0.002 이상 0.04 이하인 것이 바람직하다.

이 제4항에 기재된 발명에 따르면, IC 칩과 표면측 지지체 사이의 접착제 두께, 보강 구조물의 최대 길이와의 관계를 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제5항에 기재된 발명은, 상기 IC 칩 및 상기 보강 구조물에 인접하는 접착제의 2 ％ 탄성율이 5 ㎏/㎟ 이상 55 ㎏/㎟ 이하, 파단 신도 200 ％ 이상 1300 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 IC 카드이다. 2 ％ 탄성율이 6 ㎏/㎟ 이상 50 ㎏/㎟ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 보강 구조물의 영율이 150 ㎬ 이상 450 ㎬ 이하인 것이 바람직하다.

이 제5항에 기재된 발명에 따르면, IC 칩 및 보강 구조물에 인접하는 접착제의 2 ％ 탄성율, 파단 신도를 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제6항에 기재된 발명은, 상기 IC 칩의 두께가 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 IC 카드이다.

이 제6항에 기재된 발명에 따르면, IC 칩의 두께를 규정함으로써, IC 카드의굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제7항에 기재된 발명은, 대향하는 표면측과 이면측의 2개의 지지체 표면 중 적어도 한 쪽에 수상층을 갖고, 이 수상층에 성명, 얼굴 화상으로 이루어지는 개인 식별 정보가 마련되고, 다른 쪽에 필기 가능한 필기층을 갖는 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 IC 카드이다.

이 제7항에 기재된 발명에 따르면, 수상층 및 필기층을 갖고, 위조, 변조 방지 등의 안전성(세큐리티)이 요구되는 개인 정보 등을 기억하는 비접촉식 전자 카드, 혹은 시트에 적용하여 적합한 개인 인증 카드로서 이용할 수 있다.

제8항에 기재된 발명은, 상기 접착제가 반응형 핫멜트 접착제인 것을 특징으로 하는 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 IC 카드이다.

이 제8항에 기재된 발명에 따르면, 접착제가 반응형 핫멜트 접착제인 것으로 응력을 완화하여 높은 내구성을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 IC 카드의 실시 형태를 도면에 의거하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 본 실시 형태에 한정되지 않는다. 도1은 IC 카드의 개략 층구성을 도시한 도면, 도2는 IC 카드의 다른 실시 형태의 개략 층구성을 도시한 도면이다.

본 발명의 IC 카드는 대향하는 2개의 지지체인 표면측과 이면측의 제1 지지체(1)와 제2 지지체(2) 사이의 소정 위치에 접착제(3, 4)를 개재하여 IC 칩(5a), IC 칩(5a)에 인접한 보강 구조물(5b), 안테나(5c)로 이루어지는 IC 모듈(5)을 포함하는 부품이 설치되어 있다. 이 부품은 IC 모듈(5)을 협지하는 부직포 시트(10a, 10b)를 갖는다.

보강 구조물(5b)은 IC 칩(5a)의 비회로면(5a1)에 접착제(20)를 거쳐서 밀착시킨 금속 보강판이고, IC 칩(5a)의 회로면(5a2)에 안테나(5c)가 접속되어 있다. 접착제(3, 4)로서, 반응형 핫멜트 접착제가 바람직하다.

또한, 대향하는 2개의 지지체(1, 2) 중 적어도 한 쪽은, 본 실시 형태에서는 제1 지지체(1)가 수상층(6)을 갖고, 이 수상층(6)에 성명, 얼굴 화상으로 이루어지는 개인 식별 정보(7)가 마련된다. 이 수상층(6)에는 보호층(8)이 설치되어 있다. 또한, 다른 쪽의 제2 지지체(2)는 필기 가능한 필기층(9)을 갖는다.

또한, IC 카드에는 수상층(6)과 제1 지지체(1) 사이에 쿠션층을 설치해도 좋다.

본 발명은, 도2에 도시한 바와 같이 IC 카드에 곡률 반경(R1)을 부여했을 때, 카드 최외층의 곡률 반경을 R1', IC 칩(5a)에 인접한 보강 구조물(5b), IC 칩(5a)이 각각 R2, R3의 곡률 반경을 갖고, R1 ＜ R1' ＜ R2 ≤ R3이다. IC 카드에 곡률 반경을 부여하였을 때, 도2에 도시한 바와 같이 IC 카드가 구부러지지만, 제1 지지체(1)와 제2 지지체(2)의 카드 최외층, 보강 구조물(5b), IC 칩(5a) 각각의 곡률 반경을 R1 ＜ R1' ＜ R2 ≤ R3로 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩(5a)을 보호할 수 있다.

또한, 본 발명은 도3a 및 도3b에 도시한 바와 같이 보강 구조물(5b)과 표면측 지지체(1) 사이의 접착제 두께(D1), 보강 구조물(5b)의 최대 길이(T1)로 하였을 때, D1/T1이 0.001 이상 0.05 이하이다. 이 보강 구조물(5b)과 표면측 지지체(1) 사이의 접착제 두께(D1)와, 보강 구조물(5b)의 최대 길이(T1)와의 관계가 규정 이하에서는 보강 구조물(5b)이 지나치게 크고, 또한 규정 이상에서는 보강 구조물(5b)이 지나치게 작지만, D1/T1이 0.001 이상 0.05 이하인 것으로 보강 구조물(5b)이 소정의 크기이고, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩(5a)을 보호할 수 있다.

또한, 보강 구조물(5b)은 도4 및 도5에 도시한 바와 같이 IC 칩(5a)에 인접하여 접합된 금속 보강판이고, 면적이 IC 칩 면적보다 크고, 금속 보강판 수평면에 대해 금속 보강판 상단부면으로부터 IC 칩 상단부면까지를 연결하였을 때의 각도(θ)라 하였을 때, 0.02 ＜ tanθ ＜ 0.2이다.

이 보강 구조물(5b)의 구조를 금속 보강판으로 하고, 이 금속 보강판과 IC 칩 상단부면까지를 연결하였을 때의 각도(θ)로 하였을 때, 0.02 ＜ tanθ ＜ 0.2인 것으로 보강 구조물(5b)이 소정의 크기이고, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩(5a)을 보호할 수 있다.

또한, 본 발명은 도6 및 도7에 도시한 바와 같이 PET 시트(10c)에 IC 칩(5a), IC 칩(5a)에 인접한 보강 구조물(5b), 안테나(5c)로 이루어지는 IC 모듈(5)을 설치하고, IC 칩(5a)과 표면측 지지체(1) 사이의 접착제 두께(D2), 보강 구조물(5b)의 최대 길이(T1)로 하였을 때, D2/T1이 0.001 이상 0.05 이하이다. 이 IC 칩(5a)과 표면측 지지체(1) 사이의 접착제 두께(D2), 보강 구조물(5b)의 최대 길이(T1)와의 관계가 규정 이하에서는 보강 구조물(5b)이 지나치게 크고, 또한 규정 이상에서는 보강 구조물(5b)이 지나치게 작지만, D2/T1이 0.001 이상 0.05 이하인 것으로 보강 구조물(5b)이 소정의 크기이고, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어IC 칩(5a)을 보호할 수 있다.

또한, 본 발명에서는 IC 칩(5a) 및 보강 구조물(5b)에 인접하는 접착제의 2 ％ 탄성율이 5 ㎏/㎟ 이상 55 ㎏/㎟ 이하, 파단 신도 200 ％ 이상 1300 ％ 이하이고, 접착제의 2 ％ 탄성율, 파단 신도를 규정함으로써 IC 칩에 가해지는 외적 응력을 분산할 수 있어, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다. 또한, IC 칩(5a)의 두께가 5 ㎛ 이상 100 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.

또한, IC 카드는 수상층(6) 및 필기층(9)을 갖고, 위조, 변조 방지 등의 안전성(세큐리티)이 요구되는 개인 정보 등을 기억하는 비접촉식 전자 카드, 혹은 시트에 적용하여 적합한 개인 인증 카드로서 이용할 수 있다.

또한, 접착제(3, 4)로서 반응형 핫멜트 접착제를 이용함으로써, 응력을 완화하여 높은 내구성을 얻을 수 있다.

이하, 본 발명의 IC 카드의 구성을 상세하게 설명한다.

<지지체>

지지체로서는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리브틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트/이소프탈레이트 공중합체 등의 폴리에스테르 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀 수지, 폴리불화비닐, 폴리불화비닐리덴, 폴리4불화에틸렌, 에틸렌-4불화에틸렌 공중합체 등의 폴리불화에틸렌계 수지, 나일론(6), 나일론(6.6) 등의 폴리아미드, 폴리염화비닐, 염화비닐/초산비닐 공중합체, 에틸렌/초산비닐 공중합체, 에틸렌/비닐알코올 공중합체, 폴리비닐알코올, 비닐론 등의 비닐 중합체, 생분해성 지방족 폴리에스테르, 생분해성 폴리카보네이트, 생분해성 폴리유산, 생분해성 폴리비닐알코올, 생분해성 셀룰로오스아세테이트, 생분해성 폴리카프로락톤 등의 생분해성 수지, 삼초산셀룰로오스, 셀로판 등의 셀룰로오스계 수지, 폴리메타아크릴산메틸, 폴리메타아크릴산에틸, 폴리아크릴산에틸, 폴리아크릴산부틸 등의 아크릴계 수지, 폴리스틸렌, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리이미드 등의 합성 수지 시트, 또는 상질지, 박엽지, 글라신지, 황산지 등의 종이, 금속박 등의 단층체, 혹은 이들 2층 이상의 적층체를 들 수 있다.

본 발명의 지지체의 두께는 30 내지 300 ㎛, 바람직하게는 50 내지 200 ㎛이다. 50 ㎛ 이하이면 제1 지지체와 제2 지지체의 접합시에 열수축 등이 일어나 문제이다. 본 발명에 있어서는, 지지체는 150 ℃/30분에 있어서의 열수축률이 세로(MD) 1.2 ％ 이하, 가로(TD) 0.5 ％ 이하가 바람직하다.

제1 지지체와 제2 지지체의 양쪽면측으로부터 접착제를 도포 시공하거나, 또는 접합시켜 생산한 경우, 온도에 따라 지지체가 열수축을 일으켜 버려 그 후의 재단 공정, 인쇄 공정에서의 위치 맞춤이 곤란하였으므로, 저온에서 접착하는 접착제와 150 ℃/30분에 있어서의 열수축률이 세로(MD) 1.2 ％ 이하, 가로(TD) 0.5 ％ 이하의 지지체를 이용함으로써 지지체의 수축이 일어나지 않아 바람직하다.

본 발명에 있어서는 은폐성을 향상시키기 위해 백색의 안료를 혼입시키거나, 열수축률을 저감시키기 위해 어닐 처리를 행하거나 하여 얻게 된 150 ℃/30분에 있어서의 열수축률이 세로(MD) 1.2 ％ 이하, 가로(TD) 0.5 ％ 이하의 지지체를 이용하는 것이 바람직하다. 세로(MD) 1.2 ％ 이상, 가로(TD) 0.5 ％ 이상이면 지지체의 수축에 의해 상기한 후가공이 곤란해지는 것이 확인되었다. 또한, 상기 지지체 상에 후가공상 밀착성 향상을 위해 역접 처리를 행해도 좋고, 칩 보호를 위해 대전 방지 처리를 행해도 좋다.

구체적으로는, 데이진듀퐁필름 가부시끼가이샤제의 U2시리즈, U4시리즈, UL시리즈, 도요보세끼 가부시끼가이샤제 크리스파 G 시리즈, 도레 가부시끼가이샤제의 E00 시리즈, E20 시리즈, E22 시리즈, X20 시리즈, E40 시리즈, E60 시리즈 QE 시리즈를 적절하게 이용할 수 있다.

제2 지지체는 경우에 따라서, 상기 카드 이용자의 얼굴 화상을 형성하기 위해 수상층, 쿠션층을 설치해도 좋다. 개인 인증 카드 기체 표면에는 화상 요소가 설치되고, 얼굴 화상 등의 인증 식별 화상, 속성 정보 화상, 포맷 인쇄로부터 선택되는 것 중 적어도 1개가 설치된 것이 바람직하다.

<수상층>

수상층용으로서는 공지의 수지를 이용할 수 있고, 예를 들어 폴리염화비닐 수지, 염화비닐과 다른 모노머(예를 들어, 이소부틸에테르, 프로피온산비닐 등)와의 공중합체 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리(메타)아크릴산에스테르, 폴리비닐피롤리든, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄계 수지, 폴리비닐알코올, 폴리카보네이트, 삼초산셀룰로오스, 폴리스틸렌, 스틸렌과 다른 모노머(예를 들어, 아크릴산에스테르, 아크릴로니트릴, 염화에틸렌 등)와의 공중합체, 비닐톨루엔아크릴레이트 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리아미드 수지, 요소 수지, 에폭시, 페녹시 수지, 폴리카프로락톤 수지, 폴리아크릴로니트릴 수지 및 그들의 변성물 등을 들 수 있지만, 바람직한 것은 폴리염화비닐 수지, 염화비닐과 다른 모노머와의 공중합체, 폴리에스테르 수지, 폴리비닐아세탈계 수지, 폴리비닐부티랄계 수지, 스틸렌과 다른 모노머와의 공중합체, 에폭시 수지이다.

<쿠션층>

본 발명의 쿠션층을 형성하는 재료로서는 폴리올레핀이 바람직하다. 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌초산비닐 공중합체, 에틸렌 - 아크릴산에틸 공중합체, 스틸렌부타디엔스틸렌블럭 공중합체, 스틸렌 - 이소푸렌 - 스틸렌블럭 공중합체, 스틸렌 - 에틸렌 - 부타디엔 - 스틸렌블럭 공중합체, 스틸렌 - 수소 첨가 이소푸렌 - 스틸렌블럭 공중합체, 폴리부타디엔, 광경화형 수지층과 같은 유연성을 갖고, 열전도성이 낮은 것이 적합하다. 구체적으로는, 일본 특허 출원 평2001-16934 등의 쿠션층을 사용할 수 있다.

본 발명에서 말하는 쿠션층이라 함은, 지지체와 화상을 수용하는 수상층 사이에 위치하여 IC 모듈 등의 전자 부품에 의한 요철 영향을 완화하는 역할을 감당하는 연질의 수지층을 의미한다.

이 쿠션층은 수상층과 전자 부품 사이에 쿠션층을 갖는 형태이면 특별히 제한은 없지만, 지지체의 한 쪽면, 혹은 양면 상에 도포 설치 혹은 접착되어 형성되는 것이 특히 바람직하다.

<필기층>

필기층은 ID 카드의 이면에 필기를 할 수 있도록 한 층이다. 이와 같은 필기층으로서는, 예를 들어 탄산칼슘, 타르크, 규조토, 산화티탄, 황산바륨 등의 무기 미세 분말을 열가소성 수지(폴리에틸렌 등의 폴리올레핀류나, 각종 공중합체 등)의 필름에 함유시켜 형성할 수 있다. 일본 특허 공개 평1-205155호 공보에 기재된「기입층」을 갖고 형성할 수 있다. 상기 필기층은 지지체에 있어서의 복수의 층이 적층되어 있지 않은 쪽의 면에 형성된다.

<접착제>

본 발명의 IC 카드에 이용되는 핫멜트 접착제는 일반적으로 사용되고 있는 것을 이용할 수 있다. 핫멜트 접착제의 주성분으로서는, 예를 들어 에틸렌 ·초산비닐 공중합체(EVA)계, 폴리에스테르계, 폴리아미드계, 열가소성 엘라스토머계, 폴리올레핀계 등을 들 수 있다. 단, 본 발명에 있어서는 카드 기체가 휘기 쉽다든지, 카드 표면에 감열 전사에 의한 화상 형성을 위한 수상층 등 고온 가공에 약한 층이 설치되어 있는 경우에 층이 손상을 입는다. 혹은 고온에서 접합하기 위해 기체가 열수축 등을 일으켜 치수 및 접합시의 위치 정밀도가 열화하는 등의 문제점으로부터 접착제를 거쳐서 접합하는 경우에 80 ℃ 이하에서 접합하는 것이 바람직하고, 또는 10 내지 80 ℃, 더욱 바람직하게는 20 내지 80 ℃인 것이 바람직하다. 저온 접착제 중에서도 구체적으로는 반응형 핫멜트 접착제가 바람직하다. 반응형 핫멜트 접착제로서 습기 경화형의 재료로 일본 특허 공개 2000-036026, 일본 특허 공개 2000-219855, 일본 특허 공개 평2000-211278, 일본 특허 공개 평2000-219855, 일본 특허 출원 평2000-369855에 개시되어 있다. 광경화형 접착제로서 일본 특허 공개 평10-316959, 일본 특허 공개 평11-5964 등이 개시되어 있다.

이들 접착제 중 어떤 것을 사용해도 좋고, 본 발명에는 제한이 없는 재료를이용하는 것이 바람직하다. 접착제의 막 두께는 본 발명의 범위이면 전자 부품을 포함한 두께 10 내지 600 ㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 내지 50 ㎛, 더욱 바람직하게는 10 μ내지 450 ㎛이다. 본 발명에서는 탄성율이 5 내지 55 ㎏/㎟인 범위와 같이 낮은 접착제를 이용함으로써 응력을 완화하여 높은 내구성을 얻을 수 있다.

<전자 부품(IC 모듈)>

전자 부품이라 함은, 정보 기록 부재인 것을 나타내고, 구체적으로는 상기 전자 카드의 이용자 정보를 전기적으로 기억하는 IC 칩 및 IC 칩에 접속된 코일형의 안테나 부재로 이루어지는 IC 모듈이다. IC 칩은 메모리만이나 그에 더하여 마이크로 컴퓨터 등이다. 경우에 따라서 전자 부품에 콘덴서를 포함해도 좋다.

본 발명은 이에 한정되는 것은 아니고, 정보 기록 부재에 필요한 전자 부품이면 특별히 한정되는 것은 아니다. IC 모듈은 안테나 코일을 갖는 것이지만, 안테나 패턴을 갖는 경우, 도전성 페이스트 인쇄 가공, 혹은 동박 엣칭 가공, 권선 용착 가공 등 중 어느 한 방법을 이용해도 좋다.

프린트 기판으로서는, 폴리에스테르 등의 열가소성 필름이 이용되고, 또한 내열성이 요구되는 경우는 폴리이미드가 유리하다. IC 칩과 안테나 패턴과의 접합은 은 페이스트, 동 페이스트, 카본 페이스트 등의 도전성 접착제(히다찌가세이고교의 EN-4000 시리즈, 도시바케미컬의 XAP 시리즈 등)나, 이방성 도전 필름(히다찌가세이고교제 아니솔무 등)을 이용하는 방법, 혹은 땜납 접합을 행하는 쪽이 알려져 있지만 어떠한 방법을 이용해도 좋다.

이미 IC 칩을 포함하는 부품을 소정의 위치에 적재한 후 접착제를 충전하므로, 접착제의 유동에 의한 전단력으로 접합부가 분리되거나, 접착제의 유동이나 냉각에 기인하여 표면의 평활성을 손상시키거나 안정성이 떨어지는 것을 해소하기 위해, 미리 기판 시트에 접착제층을 형성해 두고 상기 접착제층 내에 부품을 밀봉하므로 전자 부품을 다공질의 수지 필름, 다공질의 발포성 수지 필름, 가요성 수지 시트, 다공성 수지 시트 또는 부직포 시트형으로 하여 사용되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 일본 특허 출원 평11-105476호 등에 기재되어 있는 방법 등을 이용할 수 있다.

예를 들어, 부직포 시트 부재로서 부직포 등의 메쉬형 직물이나, 평직, 능직, 수자직의 직물 등이 있다. 또한, 모켓, 플러쉬 벨로어, 밀봉, 벨벳, 스웨이드라 불리우는 파일을 갖는 직물 등을 이용할 수 있다. 재질로서는, 나일론(6), 나일론(6.6), 나일론(8) 등의 폴리아미드계, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀계, 폴리비닐알코올계, 폴리염화비닐리덴계, 폴리염화비닐계, 폴리아크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아미드 등의 아크릴계, 폴리시안화비닐리덴계, 폴리플루오로에틸렌계, 폴리우레탄계 등의 합성 수지, 비단, 솜, 양모, 셀룰로오스계, 셀룰로오스에스테르계 등의 천연 섬유, 재생 섬유(레이온, 아세테이트), 아라미드 섬유 중에서 선택되는 1종류 또는 2종류 이상을 조합한 섬유를 들 수 있다.

이들의 섬유 재료에 있어서, 바람직하게는 나일론(6), 나일론(6.6) 등의 폴리아미드계, 폴리아크릴로니트릴, 아크릴아미드, 메타크릴아이드 등의 아크릴계,폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르계, 재생 섬유로서의 셀룰로오스계, 셀룰로오스에스테르계인 레이온 및 아세테이트, 아라미드 섬유를 들 수 있다. 또한, IC 칩은 점압 강도가 약하므로 IC 칩 근방에 보강 구조물인 금속 보강판을 갖는 것이 바람직하다. 전자 부품의 전체 두께는 10 내지 300 ㎛가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 내지 300 ㎛, 더욱 바람직하게는 30 내지 250 ㎛가 바람직하다.

[제1 지지체와, 제2 지지체 사이에 소정 두께의 전자 부품을 구비하는 방법]

본 발명의 제1 지지체와 제2 지지체 사이에 소정의 전자 부품을 구비하기 위해 제조 방식으로서는 열접착법, 접착제 접착법 및 사출 성형법이 알려져 있지만, 어떠한 방법으로 접착해도 좋다. 또한, 제1 지지체와 제2 지지체는 접착하기 전후 어느 쪽에 포맷 인쇄 또는, 정보 기록을 행해도 좋고, 오프셋 인쇄, 그라비아 인쇄, 실크 인쇄, 스크린 인쇄, 오목판 인쇄, 볼록판 인쇄, 잉크젯 방식, 승화 전사 방식, 전자 사진 방식, 열용융 방식 등 중 어느 한 방식에 의해 형성할 수 있다.

본 발명의 IC 카드의 제조 방법은 적어도 상온 상태에서는 고형물 또는 점조체이고, 가열 상태에서는 연화하는 접착 부재를 카드용 지지체에 설치하는 공정과, 전자 부품을 이 지지체 상에 배치하는 공정과, 이 지지체 상의 전자 부품을 씌우도록 접착 부재를 설치한 표면용 지지체를 배치하는 공정과, 소정의 가압 가온 조건 하에서 지지체, 전자 부품 및 표면용 지지체를 접착하는 공정을 갖고 접착하는 것이 바람직하다.

이 고형물 또는 점조체의 가열 상태에서 연화하는 접착 부재라 함은, 접착제자신을 시트형으로 형성하여 구비하는 방법과, 접착제 자신을 가열 또는 상온에서 용융하여 사출 성법에 의해 접착하는 것이 바람직하다.

제1 지지체와 제2 지지체 사이에 소정 전자 부품의 접착 가능한 온도는 80 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0 내지 80 ℃, 더욱 바람직하게는 20 ℃ 내지 70 ℃이다. 접착 후에 지지체의 휨 등을 저감시키기 위해 냉각 공정을 마련하는 것이 바람직하다. 냉각 온도는 70 ℃ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 －10 내지 70 ℃, 더욱 바람직하게는 10 내지 60 ℃이다.

접착시에는 기체의 표면 평활성, 제1 지지체와 제2 지지체 사이에 소정의 전자 부품의 밀착성을 높이기 위해 가열 및 가압을 행하는 것이 바람직하고, 상하 프레스 방식, 라미네이트 방식 등으로 제조하는 것이 바람직하다. 또는 IC 칩의 균열을 고려하여 선 접촉에 가깝게 약간의 어긋남이라도 무리한 굽힘 힘이 가해지는 롤러를 피하여 평면 프레스형으로 하는 것이 바람직하다. 가열은 10 내지 120 ℃가 바람직하고, 보다 바람직하게는 30 내지 100 ℃이다. 가압은 0.1 내지 300 ㎏f/㎠가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.1 내지 100 ㎏f/㎠이다. 이보다 압력이 높은 IC 칩이 파손된다. 가열 및 가압 시간은, 바람직하게는 0.1 내지 180초, 보다 바람직하게는 0.1 내지 120초이다.

본 발명의 IC 카드에서는 IC 칩에 직접 접착제를 설치하는 것이 바람직하다. IC 칩에 가하는 응력을 완화시켜 내구성이 향상된다.

상기 접착제 접착법이나 수지 사출법으로 연속 시트로서 형성된 접착한 낱장 시트 또는 연속 도포 시공 라미롤은 접착제의 소정 경화 시간에 맞춘 시간 내 방치후, 인증 식별 화상이나 서지 사항을 기록해도 좋고, 그 후 소정의 카드 사이즈로 성형해도 좋다. 소정 카드 사이즈에 형성하는 방법으로서는 펀칭하는 방법, 재단하는 방법 등이 주로 선택된다.

<화상 기록체의 화상 형성 방법의 일반 기재>

본 발명의 IC 카드의 화상 기록체에는 화상 요소가 설치되고, 얼굴 화상 등의 인증 식별 화상, 속성 정보 화상, 포맷 인쇄로부터 선택되는 적어도 1개가 설치된 기체 상의 화상 또는 인쇄면측에 형성한 것이다. 얼굴 화상은 통상의 경우, 계조를 갖는 풀컬러 화상으로, 예를 들어 승화형 감열 전사 기록 방식, 할로겐화은 컬러 사진 방식 등에 의해 제작된다. 또한, 문자 정보 화상은 2치 화상으로 이루어지고, 예를 들어 용융형 감열 전사 기록 방식, 승화형 감열 전사 기록 방식, 할로겐화은 컬러 사진 방식, 전자 사진 방식, 잉크젯 방식 등에 의해 제작되어 있다.

본 발명에 있어서는, 승화형 감열 전사 기록 방식에 의해 얼굴 화상 등의 인증 식별 화상, 속성 정보 화상을 기록하는 것이 바람직하다. 속성 정보는 성명, 주소, 생년월일, 자격 등이 있고, 속성 정보는 통상 문자 정보로서 기록되어 용융형 감열 전사 기록 방법이 일반적이다. 포맷 인쇄 또는, 정보 기록을 행해도 좋고, 오프셋 인쇄, 그라비아 인쇄, 실크 인쇄, 스크린 인쇄, 오목판 인쇄, 볼록판 인쇄, 잉크젯 방식, 승화 전사 방식, 전자 사진 방식, 열용융 방식 등 중 어느 한 방식에 의해 형성할 수 있다.

또한, 위변조 방지의 목적에서는 투명 인쇄, 홀로그램, 세문(細文) 등이 채용되어도 좋다. 위조 변조 방지층으로서는 인쇄물, 홀로그램, 바코드, 매트 형상무늬, 세문, 지문(地文), 요철 패턴 등이 적시에 선택되어，가시광 흡수색재, 자외선 흡수재, 적외선 흡수재, 형광증백재, 금속 증착층, 유리 증착층, 비즈층, 광학 변화 소자층, 펄 잉크층, 인편 안료층 등으로 이루어진다.

승화 화상 형성 방법 승화형 감열 전사 기록용 잉크 시트는 지지체와 그 위에 형성된 승화성 색소 함유 잉크층으로 구성할 수 있다.

-지지체-

지지체로서는 치수 안정성이 좋고, 감열 헤드에서의 기록시에 열에 견디는 한, 특별히 제한이 없어 종래부터 공지의 것을 사용할 수 있다.

-승화성 색소 함유 잉크층-

상기 승화성 색소 함유 잉크층은 기본적으로 승화성 색소와 바인더를 함유한다. 상기 승화성 색소로서는 시안 색소, 마젠타 색소 및 옐로 색소를 예로 들 수 있다. 상기 시안 색소로서는, 일본 특허 공개 소59-78896호 공보, 일본 특허 공개 소59-227948호 공보, 일본 특허 공개 소60-24966호 공보, 일본 특허 공개 소60-53563호 공보, 일본 특허 공개 소60-130735호 공보, 일본 특허 공개 소60-131292호 공보, 일본 특허 공개 소60-239289호 공보, 일본 특허 공개 소61-19396호 공보, 일본 특허 공개 소61-22993호 공보, 일본 특허 공개 소61-31292호 공보, 일본 특허 공개 소61-31467호 공보, 일본 특허 공개 소61-35994호 공보, 일본 특허 공개 소61-49893호 공보, 일본 특허 공개 소61-148269호 공보, 일본 특허 공개 소62-191191호 공보, 일본 특허 공개 소63-91288호 공보, 일본 특허 공개 소63-91287호 공보, 일본 특허 공개 소63-290793호 공보 등에 기재되어 있는 나프토퀴논계 색소,안트라퀴논계 색소, 아조메틴계 색소 등을 들 수 있다.

상기 마젠타 색소로서는 일본 특허 공개 소59-78896호 공보, 일본 특허 공개 소60-30392호 공보, 일본 특허 공개 소60-30394호 공보, 일본 특허 공개 소60-253595호 공보, 일본 특허 공개 소61-262190호 공보, 일본 특허 공개 소63-5992호 공보, 일본 특허 공개 소63-205288호 공보, 일본 특허 공개 소64-159호, 일본 특허 공개 소64-63194호 공보 등의 각 공보에 기재되어 있는 안트라퀴논계 색소, 아조 색소, 아조메틴계 색소 등을 들 수 있다. 옐로 색소로서는 일본 특허 공개 소59-78896호 공보, 일본 특허 공개 소60-27594호 공보, 일본 특허 공개 소60-31560호 공보, 일본 특허 공개 소60-53565호 공보, 일본 특허 공개 소61-12394호 공보, 일본 특허 공개 소63-122594호 공보 등의 각 공보에 기재되어 있는 메틴계 색소, 아조계 색소, 키노프타론계 색소 및 안트라이소티아졸계 색소를 들 수 있다.

또한, 승화성 색소로서 특히 바람직한 것은, 개방형 또는 폐쇄형의 활성 메틸렌기를 갖는 화합물을 p-페닐렌디아민 유도체의 산화체 또는 p-아미노페놀 유도체의 산화체와의 커플링 반응에 의해 얻을 수 있는 아조메틴 색소 및 페놀 또는 나프톨 유도체 또는 p-페닐렌디아민 유도체의 산화체 또는 p-아미노페놀 유도체의 산화체와의 커플링 반응에 의해 얻을 수 있는 인도어닐린 색소이다.

또한, 수상층 속에 금속 이온 함유 화합물이 배합되어 있을 때에는, 이 금속 이온 함유 화합물과 반응하여 킬레이트를 형성하는 승화성 색소를 승화성 색소 함유 잉크층 속에 포함시켜 두는 것이 좋다. 이와 같은 킬레이트 형성 가능한 승화성 색소로서는, 예를 들어 일본 특허 공개 소59-78893호, 일본 특허 공개 소59-109349호, 상기 일본 특허 출원 평2-213303호, 일본 특허 출원 평2-214719호, 일본 특허 출원 평2-203742호에 기재되어 있는 것 중 적어도 2자리의 킬레이트를 형성할 수 있는 시안 색소, 마젠타 색소 및 옐로 색소를 예로 들 수 있다. 킬레이트의 형성 가능한 바람직한 승화성 색소는 하기 일반식으로 나타낼 수 있다.

X1 － N ＝ N － X2 － G

단, 식 중 X1은 적어도 1개의 고리가 5 내지 7개의 원자로 구성되는 방향족의 탄소환, 또는 복소환(複素環)을 완성하는 데 필요한 원자의 모임을 나타내고, 아조 결합으로 결합하는 탄소 원자의 인접위 중 적어도 1개가 질소 원자 또는 킬레이트화기로 치환된 탄소 원자이다. X2는 적어도 1개의 고리가 5 내지 7개의 원자로 구성되는 방향족 복소환 또는, 방향족 탄소환을 나타낸다. G는 킬레이트화기를 나타낸다.

어떠한 승화성 색소에 관해서도 상기 승화성 색소 함유 잉크층에 함유되는 승화성 색소는 형성하고자 하는 화상이 단색이면, 옐로 색소, 마젠타 색소 및 시안 색소 중 어떠한 것이라도 좋고, 형성하고자 하는 화상의 색조에 따라서는 상기 3종류의 색소 중 2종류 이상 혹은 다른 승화성 색소를 포함하고 있어도 좋다. 상기 승화성 색소의 사용량은, 통상 지지체 1 ㎡당 0.1 내지 20 g, 바람직하게는 0.2 내지 5 g이다. 잉크층의 바인더로서는 특별히 제한이 없어 종래부터 공지의 것을 사용할 수 있다. 또한 상기 잉크층에는 종래부터 공지의 각종 첨가제를 적절히 첨가할 수 있다. 승화형 감열 전사 기록용 잉크 시트는 잉크층을 형성하는 상기 각종 성분을 용매에 분산 내지 용해하여 이루어지는 잉크층 형성용 도포 시공액을 조제하고, 이를 지지체의 표면에 도포 시공하여 건조함으로써 제조할 수 있다. 이렇게 하여 형성된 잉크층의 막 두께는, 통상 0.2 내지 10 ㎛이고, 바람직하게는 0.3 내지 3 ㎛이다.

<파단 신도, 2 ％ 탄성율의 측정 방법>

접착제를, 두께 500 ㎛의 경화 후의 접착제 시트를 작성하여 이 접착제 시트를 가부시끼가이샤 오리엔텍텐실론 만능 시험기 RTA-100을 이용하여 ASTMD 638에 준하여 인장 탄성율, 인장 파단 신도를 측정하였다.

[실시예]

이하, 실시예를 들어 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명의 태양은 이에 한정되지 않는다. 또한, 이하에 있어서「부」는「중량부」를 나타낸다.

(접착제의 작성)

제1 접착제

헹켈샤제 마크로플러스트 QR3460(습기 경화형 접착제)을 사용하였다.

(IC 모듈의 제작)

제1 IC 모듈 ;

두께 50 ㎛, 3 x 3 ㎜ 각의 IC 칩을 SUS301로 이루어지는 두께 120 ㎛의 4 x 4 ㎜ 각판형의 제1 보강판을 회로면과 반대측에 에폭시계 수지로 접착하고, 권선 타입의 안테나를 형성하여 IC 칩에 형성한 범프에 접합하였다. 계속해서, IC 모듈을 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유로 이루어지는 부직포로 양측으로부터 협지하여 IC 모듈(1)을 제작하였다.

IC 칩 상단부면과 보강판 상단부면과의 최대 각도(θ)로 하였을 때, tanθ ＝ 0.11이었다. 도8에 나타낸다.

제2 IC 모듈 ;

두께 25 ㎛, 3 x 3 ㎜ 각의 IC 칩을 SUS301로 이루어지는 두께 120 ㎛의 5 x 5 ㎜ 각판형의 제1 보강판을 회로면과 반대측에 에폭시계 수지로 접착하고, 권선 타입의 안테나를 형성하여 IC 칩에 형성한 범프에 접합하였다. 계속해서, IC 모듈을 폴리에틸렌테레프타레이트 섬유로 이루어지는 부직포로 양측으로부터 협지하여 IC 모듈 시트를 제작하여 IC 모듈(2)을 얻었다. IC 칩 상단부면과 보강판 상단부면과의 최대 각도(θ)로 하였을 때, tanθ ＝ 0.03이었다.

제3 IC 모듈 ;

두께 120 ㎛, 3 x 3 ㎜ 각의 IC 칩을 SUS301로 이루어지는 두께 120 ㎛의 4 x 4 ㎜ 각판형의 제1 보강판을 회로면과 반대측에 에폭시계 수지로 접착하고, 권선 타입의 안테나를 형성하여 IC 칩에 형성한 범프에 접합하였다. 계속해서, IC 모듈을 폴리에틸렌테레프탈레이트 섬유로 이루어지는 부직포로 양측으로부터 협지하여 IC 모듈 시트를 제작하여 IC 모듈(2)을 얻었다. IC 칩 상단부면과 보강판 상단부면과의 최대 각도(θ)로 하였을 때, tanθ ＝ 0.25였다.

제4 IC 모듈 ;

엣칭에 의해 안테나 패턴이 형성된 두께 38 ㎛의 지지체에 안테나 프린트 5 ㎛을 설치하고, 두께 60 ㎛, 3 x 3 ㎜ 각의 IC 칩을 도전성 접착제 두께 20 ㎛ 접합하고, SUS301로 이루어지는 두께 120 ㎛의 4 x 4 ㎜ 각판형의 제1 보강판을 회로면과 반대측에 에폭시계 수지를 10 ㎛의 두께로 접착시켜 IC 모듈(5)을 얻었다. IC 칩 상단부면과 보강판 상단부면과의 최대 각도(θ)로 하였을 때, tanθ ＝ 0.14였다. 도9에 나타낸다.

<제1 실시예>

(IC 카드의 작성)

도10은 본 발명의 IC 카드, 개인 인증 카드의 적층 구성의 일예이다.

제1 지지체 ;

표면측의 제1 지지체 및 이면측의 제2 지지체는 두께 125 ㎛의 백색 폴리에스테르 시트를 사용하였다.

제2 지지체 ;

표면측의 제1 지지체 및 이면측의 제2 지지체는 두께 188 ㎛의 백색 폴리에스테르 시트를 사용하였다.

(표면측 지지체의 작성)

<제1 지지체>

125 ㎛로 코로나 방전 처리한 면에 하기 조성의 제1 수상층 형성용 도포 시공액, 제2 수상층 형성용 도포 시공액 및 제3 수상층 형성용 도포 시공액을 이 순서로 도포 건조하여 각각의 두께가 0.2 ㎛, 2.5 ㎛, 0.5 ㎛가 되도록 적층함으로써 수상층을 형성하였다.

<제1 수상층 형성용 도포 시공액>

폴리비닐부티랄 수지9부

〔세끼스이가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 에스레크 BL-1〕

이소시아네이트1부

〔니뽄폴리우레탄고교 가부시끼가이샤제 : 콜로네이트 HX〕

메틸에틸케톤80부

초산부틸10부

<제2 수상층 형성용 도포 시공액>

폴리비닐부티랄 수지6부

〔세끼스이가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 에스레크 BX-1〕

금속 이온 함유 화합물(화합물 MS)4부

메틸에틸케톤80부

초산부틸10부

<제3 수상층 형성용 도포 시공액>

폴리에틸렌 왁스2부

〔도호가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 하이테크 E1000〕

우레탄 변성 에틸렌아크릴산 공중합체8부

〔도호가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 하이테크 S6254〕

메틸셀룰로오스〔신에츠가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : SM15〕0.1부

물90부

(포맷 인쇄)

수지 볼록판 인쇄법에 의해, 로고와 0P 니스를 차례로 인쇄하였다.

(이면측의 제1 지지체 작성)

(필기층 작성)

상기 지지체 이면 시트 125 ㎛로 코로나 방전 처리한 면에 하기 조성의 제1 필기층 형성용 도포 시공액, 제2 필기층 형성용 도포 시공액 및 제3 필기층 형성용 도포 시공액을 이 순서로 도포 건조하여 각각의 두께가 5 ㎛, 15 ㎛, 0.2 ㎛가 되도록 적층함으로써 필기층을 형성하였다.

<제1 필기층 형성용 도포 시공액>

폴리에스테르 수지〔도요보세끼 가부시끼가이샤제 : 바이론 200〕8부

이소시아네이트1부

〔니뽄폴리우레탄고교 가부시끼가이샤제 : 콜로네이트 HX〕

카본 블랙미량

이산화티탄 입자〔이시하라산교 가부시끼가이샤제 : CR80〕1부

메틸에틸케톤80부

초산부틸10부

<제2 필기층 형성용 도포 시공액>

폴리에스테르 수지4부

〔도요보세끼 가부시끼가이샤제 : 바이로날 MD1200〕

실리카5부

물90부

<제3 필기층 형성용 도포 시공액>

폴리아미드 수지

〔산와가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 산마이드 55〕5부

메탄올95부

이렇게 얻게 된 필기층의 중심선 평균 거칠기는 1.34 ㎛였다.

(IC 카드용 시트의 작성)

도11은 본 발명의 IC 카드 제조 장치의 예이다.

IC 카드의 제조 장치(100)에는 제1 지지체(1)를 송출하는 송출축(110)이 설치되고, 이 송출축(110)으로부터 송출되는 제1 지지체(1)는 가이드 롤러(111), 구동 롤러(112)에 걸쳐서 공급된다. 송출축(110)과 가이드 롤러(111) 사이에는 어플리케이터 코터(113)가 배치되어 있다. 어플리케이터 코터(113)는 접착제(3)를 소정의 두께로 시트에 도포 시공한다.

또한, IC 카드의 제조 장치(100)에는 제2 지지체(2)를 송출하는 송출축(114)이 설치되고, 이 송출축(114)으로부터 송출되는 제2 지지체(2)는 가이드 롤러(115), 구동 롤러(116)에 걸쳐서 공급된다. 송출축(114)과 가이드 롤러(115) 사이에는 어플리케이터 코터(117)가 배치되어 있다. 어플리케이터 코터(117)는 접착제(4)를 소정의 두께로 시트에 도포 시공한다.

접착제가 도포 시공된 제1 지지체(1)와, 제2 지지체(2)는 이격하여 대향하는 상태로부터 접촉하여 반송로(118)에 따라서 반송된다. 제1 지지체(1)와, 제2 지지체(2)의 이격하여 대향하는 위치에는 IC 모듈(5)이 삽입된다. IC 모듈(5)은 단일부재 혹은 시트나 롤형으로 복수로 공급된다. IC 카드의 제조 장치(100)의 반송로(118) 중에는 제1 지지체(1)와, 제2 지지체(2)의 반송 방향에 따라서 가열 라미네이트부(119), 절단부(120)가 배치된다. 가열 라미네이트는 진공 가열 라미네이트인 것이 바람직하다. 또한, 가열 라미네이트부(119)의 전방에는 보호 필름 공급부를 설치해도 좋고, 반송로(118)의 상하에 대향하여 배치되는 것이 바람직하다. 가열 라미네이트부(119)는 반송로(118)의 상하에 대향하여 배치되는 평형 가열 라미네이트 상부형(121)과 가열 라미네이트 하부형(122)으로 이루어진다. 가열 라미네이트 상부형(121)과 하부형(122)은 서로 접촉 분리하는 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 가열 라미네이트부(119)를 경유한 후에는 절단부에서 시트재로부터 소정의 크기로 컷트한다.

(제1 IC 카드용 시트의 작성)

도11의 카드 제조 장치를 사용하여 제1 지지체 및 제2 지지체로서 이면측의 제2 지지체 및 수상층을 갖는 표면측의 제1 지지체를 사용하였다. 수상층을 갖는 표면측의 제1 지지체에 접착제(1)를 T다이를 사용하여 두께가 80 ㎛가 되도록 도포 시공하고, 이면측의 제2 지지체에 접착제(1)를 T다이를 사용하여 두께가 380 ㎛가 되도록 도포 시공하고, 상기 접착제 부착 표면측의 제1 지지체에 도8에 도시한 구성의 IC 모듈(1)을 도12와 같이 회로면이 이면측의 제2 지지체측이 되도록 적재하여 상하 시트로 협입하여 70 ℃에서 1분간 라미네이트하여 제작하였다.

이와 같이 작성된 IC 카드용 시트의 두께는 760 ㎛였다. 제작 후에는 25 ℃ 50 ％ RH의 환경화에서 7일간 보존하였다. 도3a 및 도3b에 도시한 바와 같이 보강판과 지지체 사이의 접착제의 두께(D1)는 70 μ이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D1/T1 ＝ 0.012였다. IC 칩과 지지체 사이의 접착제의 두께(D2)는 210 μ이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D2/T1 ＝ 0.037이었다.

(펀칭)

이와 같이 작성된 IC 카드용 시트를 이하의 IC 카드를 펀칭하여 금형 장치에 의해 펀칭 가공을 실시하였다.

도13은 펀칭 금형 장치의 전체 개략 사시도이고, 도14는 펀칭 금형 장치의 주요부의 정면 단부면도이다.

이 펀칭 금형 장치는 상부 날(210) 및 하부 날(220)을 갖는 펀칭 금형을 갖는다. 그리고, 상부 날(210)은 외연의 내측에 릴리프(241)가 설치된 펀칭용 펀치(211)를 포함하고, 하부 날(220)은 펀칭용 다이스(221)를 갖는다. 펀칭용 펀치(211)를 펀칭용 다이스(221)의 중앙에 마련된 다이스 구멍(222)으로 하강시킴으로써, 다이스 구멍(222)과 동일한 사이즈의 IC 카드를 펀칭한다. 또한, 이로 인해, 펀칭용 펀치(211)의 사이즈는 다이스 구멍(222)의 사이즈보다 약간 작게 되어 있다.

[개인 인증용 카드에의 개인 정보 기재 방법 및 표면 보호 방법]

상기 펀칭 가공을 실시한 IC 카드에 하기에 의해 얼굴 화상과 속성 정보와 포맷 인쇄를 설치한 개인 인증 카드의 작성을 행하였다.

(승화형 감열 전사 기록용 잉크 시트의 작성)

이면에 융착 방지 가공한 두께 6 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트에 하기 조성의 옐로 잉크층 형성용 도포 시공액, 마젠타 잉크층 형성용 도포 시공액, 시안 잉크층 형성용 도포 시공액을 각각의 두께가 1 ㎛가 되도록 설치하여 옐로, 마젠타, 시안의 3색의 잉크 시트를 얻었다.

(옐로 잉크층 형성용 도포 시공액)

옐로 염료(화합물 Y-1)3부

폴리비닐아세탈5.5부

〔덴끼가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 덴카부티랄 KY-24〕

폴리메틸메타아크릴레이트 변성 폴리스틸렌1부

〔도아고세이가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 레제다 GP-200〕

우레탄 변성 실리콘 오일0.5부

〔다이이찌세이까고교 가부시끼가이샤제 : 다이아로마 SP-2105〕

메틸에틸케톤70부

톨루엔20부

<마젠타 잉크층 형성용 도포 시공액>

마젠타 염료(화합물 M-1)2부

폴리비닐아세탈5.5부

〔덴끼가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 덴카부티랄 KY-24〕

폴리메틸메타아크릴레이트 변성 폴리스틸렌2부

우레탄 변성 실리콘 오일0.5부

메틸에틸케톤70부

톨루엔20부

<시안 잉크층 형성용 도포 시공액>

시안 염료(화합물 C-1)1.5부

시안 염료(화합물 C-2)1.5부

폴리비닐아세탈5.6부

〔덴끼가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 덴카부티랄 KY-24〕

폴리메틸메타아크릴레이트 변성 폴리스틸렌1부

우레탄 변성 실리콘 오일0.5부

메틸에틸케톤70부

톨루엔20부

(용융형 감열 전사 기록용 잉크 시트의 작성)

이면에 융착 방지 가공한 두께 6 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트에 하기 조성의 잉크층 형성용 도포 시공액을 두께가 2 ㎛가 되도록 도포 건조하여 잉크 시트를 얻었다.

<잉크층 형성용 도포 시공액>

카르나바 왁스1부

에틸렌초산비닐 공중합체1부

〔미쯔이듀퐁케미컬샤제 : EV40Y〕

카본 블랙3부

페놀 수지〔아라까와가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 타마놀 521〕5부

메틸에틸케톤90부

(얼굴 화상의 형성)

수상층과 승화형 감열 전사 기록용 잉크 시트의 잉크측을 포개어 잉크 시트측으로부터 서멀 헤드를 이용하여 출력 0.23 W/도트, 펄스 폭 0.3 내지 4.5 m초, 도트 밀도 16 도트/㎜의 조건으로 가열함으로써 화상에 계조성이 있는 인물 화상을 수상층에 형성하였다. 이 화상에 있어서는 상기 색소와 수상층의 니켈이 착체를 형성하고 있다.

(문자 정보의 형성)

0P 니스부와 용융형 감열 전사 기록용 잉크 시트의 잉크측을 포개어 잉크 시트측으로부터 서멀 헤드를 이용하여 출력 0.5 W/도트, 펄스 폭 1.0 m초, 도트 밀도 16 도트/㎜의 조건으로 가열함으로써 문자 정보를 0P 니스 상에 형성하였다.

[표면 보호 방법]

[표면 보호층 형성 방법]

(제1 활성 광선 경화형 전사박의 작성)

0.1 ㎛의 불소 수지층의 이형층을 설치한 두께 25 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(2)의 이형층 상에 하기 조성물을 적층하여 활성 광선 경화형 전사박(1)의 작성을 행하였다.

(활성 광선 경화성 화합물)

신나까무라가가꾸샤제 A-9300/신나까무라가가꾸샤제

E A － 1020 ＝ 35/11.75부

반응 개시제

일가큐어 184 니뽄 치바가이기샤제5부

첨가제 불포화기 함유 수지48부

그 밖의 첨가제

다이니뽄 잉크 경계면 활성제 F-179 0.25부

(중간층 형성 도포 시공액)막 두께 1.0 ㎛

폴리비닐부티랄 수지〔세끼스이가가꾸 가부시끼가이샤제 : 에스레크 BX-1〕3.5부

터프텍스 M-1913(아사히가세이)5부

경화제

폴리이소시아네이트[콜로네이트 HX 니뽄 폴리우레탄제]1.5부

메틸에틸케톤90부

도포 후 경화제의 경화는 50 ℃, 24 시간에 행하였다.

<접착층 형성 도포 시공액>막 두께 0.5 ㎛

우레탄 변성 에틸렌에틸아크릴레이트 공중합체

〔도호가가꾸고교 가부시끼가이샤제 : 하이테크 S6254B〕8부

폴리아크릴산에스테르 공중합체

〔니뽄준야꾸 가부시끼가이샤제 : 쥬리머 AT510〕2부

물45부

에탄올

또한 화상, 문자가 기록된 상기 수상체 상에 상기 구성으로 이루어지는 활성 광선 경화형 전사박(1)을 이용하여 표면 온도 200 ℃로 가열한 직경 5 ㎝ 고무 경도 85의 히트 롤러를 이용하여 압력 150 ㎏/㎠로 1.2초간 열을 가하여 전사를 행하였다 .

제작한 IC 카드를 도3(a), 도3(b), 도5, 도15와 같이 긴 변 방향으로 표면, 이면측 모두 R ＝ 25 ㎜로 각각 원통에 강하게 권취 고정하여 24 시간 후, IC가 동작하였다. 반복 굽힘 시험을 100회 행한 후 변형없이 IC가 동작하였다.

반복 굽힘 시험 ; JISK의 굽힘 시험 장치를 이용하여 칩 상을 클램프하여 진폭 50 ㎜, 간극 30 ㎜, 120회/분으로 반복 굽힘을 100회 행하였다.

선단부 직경 R ＝ 1 ㎜의 강구로 1 ㎏ 하중을 IC 칩의 회로면, 비회로면 각각 경도 50의 고무 시트 상에서 10회 걸어서 파괴하지 않았다. 이렇게 제작한 IC 카드를 곡률 반경 R ＝25 ㎜의 원통에 권취하여 고정하고, 그대로 재단하여 재단면을 화상 해석 장치로 해석한 바, 도2에 도시한 곡률 반경(R)은 카드의 굽힘 내측의 R1 ＝ 25 ㎜, 카드 최외층의 R1' ＝ 26 ㎜, 보강판의 R2 ＝ 31 ㎜, IC 칩의 R3 ＝ 32.5 ㎜였다.

<제2 실시예>

표리 지지체를 <제2 지지체)>를 사용하여 IC 카드용 시트(2)를 이하와 같이 작성한 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하였다.

(제2 IC 카드용 시트의 작성)

도11의 카드 제조 장치를 사용하여 제1 지지체 및 제2 지지체로서 <제2 지지체)>를 이용하여 작성한 상기 이면 지지체 및 수상층을 갖는 표면 지지체를 사용하였다.

수상층을 갖는 표면측의 제1 지지체에 접착제(1)를 T다이를 사용하여 두께가 34 ㎛가 되도록 도포 시공하고, 이면측의 제2 지지체에 접착제(1)를 T다이를 사용하여 두께가 300 ㎛가 되도록 도포 시공하고, 상기 접착제 부착 표면측의 제1 지지체에 도8에 도시한 구성의 IC 모듈(1)을 도12와 같이 회로면이 이면측의 제2 지지체측이 되도록 적재하고, 상하 시트로 협입하여 70 ℃에서 1분간 라미네이트하여 제작하였다.

이와 같이 작성된 IC 카드용 시트의 두께는 760 ㎛였다. 제작 후에는 25 ℃ 50 ％ RH의 환경화에서 7일간 보존하였다. 도3a 및 도3b에 도시한 바와 같이 보강판과 지지체 사이의 접착제의 두께(D1)는 30 ㎛이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D1/T1 ＝ 0.005였다.

IC 칩과 지지체 사이의 접착제의 두께(D2)는 120 ㎛이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D2/T1 ＝ 0.022였다.

제작한 IC 카드를 긴 변 방향으로 표면, 이면측 모두 R ＝ 25 ㎜로 각각 원통에 강하게 권취 고정하여 24 시간 후, IC가 동작하였다. 반복 굽힘 시험을 100회 행한 후 변형없이 IC가 동작하였다. 선단부 직경 R ＝ 1 ㎜의 강구로 1 ㎏ 하중을 IC 칩의 회로면, 비회로면 각각 경도 50의 고무 시트 상에서 10회에 걸쳐 파괴하지 않았다. 이렇게 제작한 IC 카드를 곡률 반경 R ＝ 25 ㎜의 원통에 권취하여 수지로 고정하고, 그대로 재단하여 재단면을 화상 해석 장치로 해석한 바, 곡률 반경(R)은 카드의 굽힘 내측의 R1 ＝ 25 ㎜, 카드 최외층의 R1' ＝ 25.9 ㎜, 보강판의 R2 ＝ 29 ㎜, IC 칩의 R3 ＝ 30.5 ㎜였다.

<제3 실시예>

IC 모듈을 IC 모듈(2)로 한 것 이외에, 제2 실시예와 마찬가지로 하였다. 보강판과 지지체 사이의 접착제의 두께(D1)는 30 ㎛이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D1/T1 ＝ 0.004였다. IC 칩과 지지체 사이의 접착제의 두께(D2)는 149 ㎛이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D2/T1 ＝ 0.021이었다.

제작한 IC 카드를 긴 변 방향으로 표면, 이면측 모두 R ＝ 25 ㎜로 각각 원통에 강하게 권취 고정하여 24 시간 후, IC 칩이 동작하였다. 반복 굽힘 시험을 100회 행한 후 변형없이 IC 칩이 동작하였다. 선단부 직경 R ＝ 1 ㎜의 강구로 1 ㎏ 하중을 IC 칩의 회로면, 비회로면 각각 경도 50의 고무 시트 상에서 10회에 걸쳐 파괴하지 않았다. 이렇게 제작한 IC 카드를 곡률 반경 R ＝ 25 ㎜의 원통에 권취하여 수지로 고정하고, 그대로 재단하여 재단면을 화상 해석 장치로 해석한 바, 곡률 반경(R)은 카드의 굽힘 내측의 R1 ＝ 25 ㎜, 카드 최외층의 R1' ＝ 25.9 ㎜,보강판의 R2 ＝ 29 ㎜, IC 칩의 R3 ＝ 29 ㎜였다.

<제4 실시예>

표리 지지체를 <제2 지지체>를 사용하여 IC 카드용 시트(3)를 이하와 같이 작성하고, IC 모듈을 IC 모듈(4)로 한 것 이외에는 제1 실시예와 마찬가지로 하였다.

(제3 IC 카드용 시트의 작성)

도11의 카드 제조 장치를 사용하여 제1 지지체 및 제2 지지체로서 <제2 지지체>를 이용하여 작성한 상기 이면측의 제2 지지체 및 수상층을 갖는 표면측의 제1 지지체를 사용하였다. 수상층을 갖는 표면측의 제1 지지체에 접착제(1)를 T다이를 사용하여 두께가 30 ㎛가 되도록 도포 시공하고, 이면측의 제2 지지체에 접착제(1)를 T다이를 사용하여 두께가 266 ㎛가 되도록 도포 시공하고, 상기 접착제 부착 표면측의 제1 지지체에 도8에 도시한 구성의 IC 모듈(1)을 도6과 같이 회로면이 표면 지지체측이 되도록 적재하여 상하 시트로 협입하여 70 ℃에서 1분간 라미네이트하여 제작하였다. 이와 같이 작성된 IC 카드용 시트의 두께는 760 ㎛였다. 제작 후에는 25 ℃ 50 ％ RH의 환경화에서 7일간 보존하였다.

도7에 도시한 바와 같이 보강판과 지지체 사이의 접착제의 두께(D1)는 51 ㎛이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D1/T1 ＝ 0.009였다. IC 칩과 지지체 사이의 접착제의 두께(D2)는 30 ㎛이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D2/T1 ＝ 0.009였다.

제작한 IC 카드를 긴 변 방향으로 표면, 이면측 모두 R ＝ 25 ㎜로 각각 원통에 강하게 권취 고정하여 24 시간 후, IC가 동작하였다. 반복 굽힘 시험을 100회 행한 후 변형없이 IC가 동작하였다. 선단부 직경 R ＝ 1 ㎜의 강구로 1 ㎏ 하중을 IC 칩의 회로면, 비회로면 각각 경도 50의 고무 시트 상에서 10회에 걸쳐 파괴하지 않았다.

제작한 IC 카드를 곡률 반경 R ＝ 25 ㎜의 원통에 권취하여 접착제로 고정하고, 그 상태에서 재단하여 재단면을 화상 해석 장치로 해석한 바, 곡률 반경(R)은 카드의 굽힘 내측의 R1 ＝ 25 ㎜, 카드 최외층의 R1' ＝ 25.9 ㎜, 보강판의 R2 ＝ 28.5 ㎜, IC 칩의 R3 ＝ 29 ㎜였다.

<제5 실시예>

IC 모듈을 IC 모듈(3)로 한 것 이외에, 제2 실시예와 마찬가지로 하였다. 보강판과 지지체 사이의 접착제의 두께(D1)는 30 ㎛이고, 보강 구조물인 보강판의 최대 길이(T1)와의 비, D1/T1 ＝ 0.004, IC 칩과 지지체 사이의 접착제의 두께 D2 ＝ 54 ㎛이고 D2/T1 ＝ 0.01이었다.

제작한 IC 카드를 긴 변 방향으로 표면, 이면측 모두 R ＝ 25 ㎜로 각각 원통에 강하게 권취 고정하여 24 시간 후, IC가 동작하였다. 반복하여 굽힘 시험을 100회 행한 후 변형없이 IC가 동작하였다. 선단부 직경 R ＝ 1 ㎜의 강구로 1 ㎏ 하중을 IC 칩의 회로면, 비회로면 각각 경도 50의 고무 시트 상에서 10회에 걸쳐 8회에서 파괴하였다.

제작한 IC 카드를 곡률 반경 R ＝25 ㎜의 원통에 권취하여 접착제로 고정하고, 그 상태에서 재단하여 재단면을 화상 해석 장치로 해석한 바, 곡률 반경(R)은카드의 굽힘 내측의 R1 ＝ 25 ㎜, 카드 최외층의 R1' ＝ 25.9 ㎜, 보강판의 R2 ＝ 29 ㎜, IC 칩의 R3 ＝ 29 ㎜였다.

<제1 비교예>

접착제를 얼론알파 GEL-10(2 ％ 탄성율 60 ㎏/㎟, 파단 신도 5 ％, 도아고세이샤제)으로 하고, 접착제 도포 시공 후 바로 23 ℃에서 라미네이트한 것 이외에는 제5 실시예와 동일하게 하였다. 제작한 IC 카드를 긴 변 방향으로 표면, 이면측 모두 R ＝ 25 ㎜로 각각 원통에 강하게 권취 고정하여 24 시간 후, IC가 동작하지 않았다. 반복 굽힘 시험을 100회 행한 후, 카드가 접혀 IC가 동작하지 않았다. 선단부 직경 R ＝ 1 ㎜의 강구로 1 ㎏ 하중을 IC 칩의 회로면, 비회로면 각각 경도 50의 고무 시트 상에서 1회에서 파괴되어 동작하지 않게 되었다.

제작한 IC 카드를 곡률 반경 R ＝25 ㎜의 원통에 권취하여 접착제로 고정하고, 그 상태에서 재단하여 재단면을 화상 해석 장치로 해석한 바, 곡률 반경(R)은 카드의 굽힘 내측의 R1 ＝ 25 ㎜, 카드 최외층의 R1' ＝ 25.8 ㎜, 보강판의 R2 ＝ 25.5 ㎜, IC 칩의 R3 ＝ 25.7 ㎜였다.

상기한 바와 같이, 제1항에 기재된 발명에서는 IC 카드에 곡률 반경을 부여하였을 때, 카드 최외층, 보강 구조물, IC 칩 각각의 곡률 반경을 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제2항에 기재된 발명에서는 보강 구조물과 표면측의 지지체 사이의 접착제 두께와, 보강 구조물의 최대 길이와의 관계를 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제3항에 기재된 발명에서는 보강 구조물의 구조를 금속 보강판으로 하고, 이 금속 보강판과 IC 칩 상단부면까지를 연결하였을 때의 각도(θ)로 하였을 때, 0.02 ＜ tanθ ＜ 0.2인 것으로 IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제4항에 기재된 발명에서는 IC 칩과 표면측 지지체 사이의 접착제 두께, 보강 구조물의 최대 길이와의 관계를 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제5항에 기재된 발명에서는 IC 칩 및 보강 구조물에 인접하는 접착제의 2 ％ 탄성율, 파단 신도를 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제6항에 기재된 발명에서는 IC 칩의 두께를 규정함으로써, IC 카드의 굽힘 강도가 향상되어 IC 칩을 보호할 수 있다.

제7항에 기재된 발명에서는 수상층 및 필기층을 갖고, 위조, 변조 방지 등의 안전성(세큐리티)이 요구되는 개인 정보 등을 기억하는 비접촉식 전자 카드, 혹은 시트에 적용하여 적합한 개인 인증 카드로서 이용할 수 있다.

제8항에 기재된 발명에서는 접착제가 반응형 핫멜트 접착제인 것으로 응력을 완화하여 높은 내구성을 얻을 수 있다.

Claims

제1 지지체와,

제2 지지체와,

제1 및 제2 지지체 사이에 제공되고, IC 칩, IC 칩에 인접한 보강 구조물 및 안테나를 포함하는 IC 모듈과,

제1 지지체와 보강 구조물 사이에 제공되는 제1 접착층과,

제2 지지체와 IC 칩 사이에 제공되는 제2 접착층을 포함하고,

R1'이 IC 카드의 최외층의 곡률 반경, R2가 보강 구조물의 곡률 반경, R3가 IC 칩의 곡률 반경이고, IC 카드가 곡률 반경(R1)으로 만곡되었을 경우, R1 ＜ R1' ＜ R2 ≤ R3을 만족하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, D1이 제1 접착층의 두께이고 T1이 보강 구조물의 최대 길이인 경우, D1/T1이 0.001 내지 0.05인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제2항에 있어서, D1/T1이 0.002 내지 0.04인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, 상기 보강 구조물이 IC 칩이 장착되는 상단부면을 가지는 금속 보강판이고 금속 보강판의 상단부면의 면적이 IC 칩의 면적보다 크고,

각도(θ)가 금속 보강판의 상단부면과 금속 보강판의 상단부면의 에지를 IC칩의 상단부면의 에지와 연결하는 라인 사이의 각도인 경우, 0.02 ＜ tanθ ＜ 0.2를 만족하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제4항에 있어서, 0.03 ＜ tanθ ＜ 0.15를 만족하는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, D2가 제2 접착층의 두께이고 T1이 보강 구조물의 최대 길이인 경우, D2/T1이 0.001 내지 0.05인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제6항에 있어서, D1/T1은 0.002 내지 0.04인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 접착층은 5 ㎏/㎟ 내지 55 ㎏/㎟의 2 ％ 탄성율 및 200 ％ 내지 1300 ％의 파단 신도를 가지는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제8항에 있어서, 2 ％ 탄성율이 6 ㎏/㎟ 내지 50 ㎏/㎟인 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, 상기 보강 구조물은 150 ㎬ 내지 450 ㎬의 영률을 가지는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, 상기 IC 카드는 5 ㎛ 내지 100 ㎛의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, 수상층이 제1 지지체 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, 필기층이 제2 지지체 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 IC 카드.
제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 접착층은 반응형 핫멜트 접착제에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 IC 카드.