KR200303027Y1

KR200303027Y1 - 반도체저압화학기상증착장치의노즐설치구조

Info

Publication number: KR200303027Y1
Application number: KR2019970034666U
Authority: KR
Inventors: 이승희
Original assignee: 주식회사 하이닉스반도체
Priority date: 1997-11-29
Filing date: 1997-11-29
Publication date: 2003-03-28
Also published as: KR19990021170U

Abstract

본 고안은 반도체 저압화학기상증착장치의 노즐설치구조에 관한 것으로, 종래에는 내측 튜브의 내부 일측에 설치되어 있는 롱 노즐의 기울어짐이 발생되어, 보트와의 접촉에 의하여 파손되는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 저압화학기상증착장치는 내측 튜브(22)의 내측면에 상,하방향으로 롱 노즐 피난홈(40)을 형성하고, 그 롱 노즐 피난홈(40)에 롱 노즐(25)을 삽입고정함으로서, 공정 진행시 롱 노즐이 기울어져서 보트에 부딪치는 것이 방지되어, 롱 노즐의 파손을 방지하게 되는 효과가 있다.

Description

반도체 저압화학기상증착장치의 노즐설치구조

본 고안은 반도체 저압화학기상증착장치에 관한 것으로, 특히 보트의 로딩/언로딩시 내측 튜브의 내부 일측에 설치되는 롱 노즐이 기울어져서 부딪치는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 저압화학기상증착장치의 노즐설치구조에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼 제조공정 중 불순물이 도핑된 다결정막을 웨이퍼의 상면에 형성시키는 저압화학기상증착장치가 도 1과 도 2에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 저압화학기상증착장치의 구조를 보인 종단면도이고, 도 2는 도 1의 A-A'를 절취하여 보인 횡단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 저압화학기상증착장치는 외측 튜브(1)의 내측에 내측 튜브(2)가 설치되어 있고, 그 내, 외측 튜브(2)(1)의 하면은 플랜지(3)에 의하여 지지되어 있으며, 그 플랜지(3)의 일측에는 숏 노즐(4)과 롱 노즐(5)이 설치되어 있고, 타측에는 배기라인(6)이 연결설치되어 있다.

그리고, 상기 내측 튜브(2)의 내부에는 웨이퍼(7)들을 탑재하기 위한 보트(8)가 설치되어 있고, 그 보트(8)의 하부는 보트 받침대(9)에 의하여 지지되어 있으며, 그 보트 받침대(9)의 하부는 캡(10)에 의하여 지지되어 있고, 그 캡(10)의 하부에는 엘리베이터(11)가 승강가능하도록 설치되어 있어서, 보트(8)를 상,하방향으로 승강시킬 수 있도록 되어 있다.

또한, 상기 롱 노즐(5)는 내측 튜브(2)의 내측면에 접촉되도록 설치되어 있고, 그 롱 노즐(5)의 내측면에는 수개의 가스분사공(5a)이 상,하방향의 소정 간격으로 형성되어 있어서, 보트(8)의 상측에 위치하는 웨이퍼(7)와 하측에 위치하는 웨이퍼(7)들에 균일하게 가스를 공급할 수 있도록 되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 저압화학기상증착장치는 보트(8)에 웨이퍼(7)를 탑재한 상태에서 엘리베이터(11)를 상승시켜서 내,외측 튜브(2)(1)의내측에 보트(8)를 로딩시킨다. 그런 다음, 상기 숏 노즐(4)와 롱 노즐(5)을 통하여 내,외측 튜브(2)(1)의 내측에 공정가스를 주입하며 웨이퍼(7)의 상면에 증착막을 형성하며, 반응하고난 후의 반응가스는 배기라인(6)을 통하여 펌프(미도시)로 펌핑하여 배출한다. 상기와 같이 일정시간 증착작업을 실시한 다음, 엘리베이터(11)를 이용하여 보트(8)를 내,외측 튜브(2)(1)에서 언로딩하여 증착작업을 완료한다.

그러나, 상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 저압화학기상증착장치에서는 롱 노즐(5)이 내측 튜브(2)의 내부 일측에 설치되어 있으나, 부품에 의하여 고정되어 있는 상태가 아니므로 종종 기울어짐이 발생되고, 이와 같이 기울어짐이 발생된 상태에서 공정을 진행하기 위하여 보트(8)를 상승시키는 경우에 보트(8)에 롱 노즐(5)이 부딪쳐서 파손되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 롱 노즐의 기울어짐을 방지하여 공정진행시 보트에 부딪쳐서 파손되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 저압화학기상증착장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 저압화학기상증착장치의 구조를 보인 종단면도.

도 2는 도 1의 A-A'를 절취하여 보인 횡단면도.

도 3은 본 고안의 노즐설치구조를 가지는 반도체 저압화학기상증착장치의 구성을 보인 종단면도.

도 4는 도 3의 B-B'를 절취하여 보인 횡단면도.

* * 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 * *

21 : 외측 튜브 22 : 외측 튜브

23 : 플랜지 24 : 숏 노즐

25 : 롱 노즐 40 : 롱 노즐 피난홈

상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 외측 튜브의 내측에 내측 튜브가 설치되어 있고, 그 내,외측 튜브의 하부에 플랜지가 설치되어 있으며, 그 플랜지의 일측에는 숏 노즐과 롱 노즐이 설치되어 있는 반도체 저압화학기상증착장치에 있어서, 상기 내측 튜브의 내측면에는 롱 노즐을 피난시키기 위한 롱 노즐 피난홈을 상,하방향으로 길게 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 저압화학기상증착장치의 노즐설치구조가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 저압화학기상증착장치의 노즐설치구조를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 고안의 노즐설치구조를 가지는 반도체 저압화학기상증착장치의 구성을 보인 종단면도이고, 도 4는 도 3의 B-B'를 절취하여 보인 횡단면도로서, 도시된 바와 같이, 외측 튜브(21)의 내측에 내측 튜브(22)가 설치되어 있고, 그 내,외측 튜브(22)(21)는 플랜지(23)에 의하여 지지되어 있으며, 그 플랜지(23)의 일측에는 숏 노즐(24)과 롱 노즐(25)이 설치되어 있고, 타측에는 배기라인(26)이 연결설치되어 있으며, 상기 내측 튜브(22)의 내측에는 웨이퍼(27)를 탑재하기 위한 보트(28)가 설치되어 있고, 그 보트(28)의 하부에는 보트 받침대(29)와 실링 캡(30)이 엘리베이터(31)에 의하여 승강가능하도록 지지되어 있다.

그리고, 상기 내측 튜브(22)의 내측면에는 상,하방향으로 롱 노즐(25)을 지지시키기 위한 롱 노즐 피난홈(40)이 일체로형성되어 있어서, 롱 노즐(25)의 설치시 그 롱 노즐 피난홈(40)에 삽입된 상태로 설치할 수 있도록 되어 있다.

상기 롱 노즐 피난홈(40)의 반경은 상기 롱 노즐(25) 보다 약간 크게 하여, 그 롱 노즐 피난홈(40)에 롱 노즐(25)을 삽입한 상태에서는 유격이 거의 없도록 하여 견고하게 삽입하는 것이 바람직하다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 고안 반도체 저압화학기상증착장치는 보트(28)에 100∼150매의 웨이퍼(27)를 탑재하고, 엘리베이터(31)를 이용하여 보트(28)을 상승시켜서, 내,외측 튜브(22)(21)의 내측에 보트(28)를 로딩시킨다.그런 다음, 숏 노즐(24)과 롱 노즐(25)을 통하여 내,외측 튜브(22)(21)의 내측에 반응가스를 주입하며 웨이퍼(27)들에 증착막을 형성시키게 되는데, 본 고안에서는 내측 튜브(22)의 내측면에 상,하방향으로 형성되어 있는 롱 노즐 피난홈(40)어 롱 노즐(25)이 삽입설치되어 있기 때문에 종래와 같이 롱 노즐(25)의 기울어짐이 발생되지 않는다. 따라서, 본 고안에서는 롱 노즐(25)의 기울어짐에 의하여 로딩되는 보트(28)에 부딪치는 것이 방지되게 된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 고안 반도체 저압화학기상증착장치의 노즐설치구조는 내측 튜브의 내측면에 상,하방향으로 롱 노즐 피난홈을 형성하고, 그 롱 노즐 피난홈에 롱 노즐을 삽입고정함으로서, 공정 진행시 롱 노즐이 기울어져서 보트에 부딪치는 것이 방지되어, 롱 노즐의 파손을 방지하게 되는 효과가 있다.

Claims

외측 튜브의 내측에 내측 튜브가 설치되어 있고, 그 내,외측 튜브의 하부에 플랜지가 설치되어 있으며, 그 플랜지의 일측에는 숏 노즐과 롱 노즐이 설치되어 있는 반도체 저압화학기상증착장치에 있어서, 상기 내측 튜브의 내측면에는 롱 노즐을 피난시키기 위한 롱 노즐 피난홈을 상,하방향으로 길게 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 저압화학기상증착장치의 노즐설치구조.