KR200162281Y1 - 반도체 증착장비의 노즐고정장치 - Google Patents

반도체 증착장비의 노즐고정장치 Download PDF

Info

Publication number
KR200162281Y1
KR200162281Y1 KR2019960024730U KR19960024730U KR200162281Y1 KR 200162281 Y1 KR200162281 Y1 KR 200162281Y1 KR 2019960024730 U KR2019960024730 U KR 2019960024730U KR 19960024730 U KR19960024730 U KR 19960024730U KR 200162281 Y1 KR200162281 Y1 KR 200162281Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
nozzle
semiconductor deposition
fixing
boat
deposition equipment
Prior art date
Application number
KR2019960024730U
Other languages
English (en)
Other versions
KR19980011228U (ko
Inventor
김노현
Original Assignee
김영환
현대반도체주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김영환, 현대반도체주식회사 filed Critical 김영환
Priority to KR2019960024730U priority Critical patent/KR200162281Y1/ko
Publication of KR19980011228U publication Critical patent/KR19980011228U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200162281Y1 publication Critical patent/KR200162281Y1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 고안은 반도체 증착장비의 노즐고정장치에 관한 것으로, 종래 증착장비는 공정진행시 노즐의 휨이 발생하여 상,하로 이동하는 보트와 충돌함으로써 노즐이 파손되어 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 증착장비의 노즐고정장치는 내측튜브의 내벽에 "L"자형 노즐을 고정시키기 위한 고정고리를 설치하여, 공정진행시 수백도의 고온에 의하여 노즐의 휨이 발생하면 상기 고정고리에 의하여 노즐을 지지하게 되어 휨이 방지되고, 따라서 종래와 같이 노즐의 휨에 의하여 보트와 충돌함으로써 노즐이 파손되어 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지하는 효과가 있다.

Description

반도체 증착장비의 노즐고정장치
제1도는 종래 반도체 증착장비의 구성을 보인 종단면도.
제2도는 종래 증착장비의 노즐에 휨이 발생한 상태를 보인 종단면도.
제3도는 본 고안의 요부인 노즐고정장치가 구비된 증착장비의 구성을 보인 종단면도.
제4도는 제3도의 A부 상세도.
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
11 : 내측튜브 12 : 외측튜브
13 : 보트 14 : 노즐
20 : 고정고리
[고안의 상세한 설명]
본 고안은 반도체 증착장비의 노즐(NOZZLE)고정장치에 관한 것으로, 특히 노즐의 휨을 방지하여 보트(BOAT)의 간섭에 의한 노즐의 파손을 방지할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 증착장비의 노즐고정장치에 관한 것이다.
제1도는 종래 반도체 증착장비의 구성을 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 종래 반도체 증착장비는 내,외측튜브(1)(2)의 내부에 웨이퍼(W)들을 탑재한 보트(3)가 설치되어 있고, 상기 내측튜브(1)의 내부 일측면에는 "L" 자형 노즐(4)이 설치되어 있으며, 상기 내,외측튜브(1)(2)의 하단부에는 외측으로 배기라인(5)이 설치되어 있다.
상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 증착장비는 보트(3)에 웨이퍼(W)들을 탑재하고, 내,외측튜브(1)(2)의 내부로 웨이퍼(W)들을 이동시킨 다음, 상기 "L"자형 노즐(4)을 통하여 내,외측 튜브(1)(2)의 내부로 반응가스를 공급한다.
상기와 같이 내,외측튜브(1)(2)의 내부로 반응가스가 공급되면 웨이퍼(W)의 상면에 증착이 일어나고, 이와 같이 증착공정이 진행된 후의 배기가스와 반응부산물은 배기라인(5)을 통하여 장비의 외부로 방출된다.
그러나, 상기와 같은 증착공정을 진행시에 내,외측튜브(1)(2)의 내부는 수백도의 고온상태가 유지되며, 제2도와 같이 상기 "L"자형 노즐(4)이 내측으로 휨이 발생하여 상,하로 이동하는 보트(3)와의 접촉으로 파손이 발생하고, 이로 인하여 웨이퍼(W)에 이물질을 발생시키는 문제점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 노즐의 휨을 방지하여 노즐의 파손에 따른 웨이퍼의 이물질이 발생하는 것을 방지할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 증착장비의 노즐고정장치가 제공된다.
상기와 같은 본 고안의 목적을 달성하기 위하여 내,외측튜브의 내측에 웨이퍼들을 탑재하기 위한 보트가 설치되어 있고, 그 내측튜브의 내측에 일정간격을 두고 반응가스를 공급하기 위한 노즐이 설치되어 있는 반도체 증착장비에 있어서, 상기 내측튜브의 내벽에 노즐을 고정시켜 열에 의한 노즐의 휨을 방지하기 위한 내열성재질의 고정고리를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비의 노즐고정장치가 제공된다.
이하, 상기와 같이 구성되는 본 고안 반도체 증착장비의 노즐고정장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 고안의 요부인 노즐고정장치가 구비된 증착장비의 구성을 보인 종단면도이고, 제4도는 제3도의 A부 상세도이다.
도시된 바와 같이, 증착장비를 이루는 구성은 공정튜브인 내,외측튜브(11)(12)와, 그 내,외측튜브(11)(12)의 내부에 설치되며 다수개의 웨이퍼(W)들을 적재하기 위한 보트(13)와, 상기 내측튜브(11)의 내부 일측면에 설치되며 내,외측튜브(11)(12)의 내부로 반응가스를 공급하기 위한 "L"자형 노즐(14)과, 상기 내,외측 튜브(11)(12)의 일측 하단부에 설치되며 배기가스와 반응분산물을 장비의 외부로 배출하기 위한 배기라인(15)으로 이루어진다.
그리고, 상기 내측튜브(11)의 일측 벽면에는 상기 "L"자형 노즐(14)을 고정시키기 위한 고정고리(20)가 설치된 것을 특징으로 한다.
상기 고정고리(20)는 가능하면 "L"자형 노즐(14)의 상단부를 고정하는 것이 바람직하며, 이를 위하여 내측튜브(11)의 내측벽 상단부에 설치하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 고정고리(20)의 재질은 고온에 견딜 수 있도록 내열성이 강한 재질로 사용하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 구성되는 본 고안 노즐고정장치가 구비된 증착장비의 작용을 설명하면 다음과 같다.
일반적인 증착공정이 진행되는 동작은 종래와 동일하다. 즉, 보트(13)에 다수개의 웨이퍼(W)들을 적재하고, 그 웨이퍼(W)들을 내,외측튜브(11)(12)의 내부로 이동시킨다. 이와 같은 상태에서 "L"자형 노즐(14)을 통하여 내,외측튜브(11)(12)의 내부로 반응가스를 공급하게 되는데, 이와 같은 반응가스가 웨이퍼(W)의 상면에 증착을 하게 되며, 반응을 하고난 후의 배기가스와 반응부산물은 상기 배기라인(15)을 통하여 장비의 외부로 방출된다.
또한, 상기와 같이 고정이 진행되는 동안에 내,외측튜브(11)(12)의 내부는 수백도의 고온상태가 유지되는데, 이와 같은 고온상태에서 노즐(14)의 휨이 발생할 경우에는 상기 내측튜브(11)의 내벽에 설치된 고정고리(20)에 의해 노즐(14)이 지지되어 휨이 방지되고, 따라서 종래와 같이 휨이 발생한 노즐(14)이 상,하로 이동하는 보트(13)와 충돌하는 것을 방지할 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 고안 반도체 증착장비의 노즐고정장치는 내측튜브의 내벽에 "L"자형 노즐을 고정시키기 위한 고정고리를 설치하여, 공정진행시 수백도의 고온에 의하여 노즐의 휨이 발생하면 상기 고정고리에 의하여 노즐을 지지하게 되어 휨이 방지되고, 따라서 종래와 같이 노즐의 휨에 의하여 보트와 충돌함으로써 노즐이 파손되어 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지하는 효과가 있다.

Claims (1)

  1. 내,외측튜브의 내측에 웨이퍼들을 탑재하기 위한 보트가 설치되어 있고, 그 내측튜브의 내측에 일정간격을 두고 반응가스를 공급하기 위한 노즐이 설치되어 있는 반도체 증착장비에 있어서, 상기 내측튜브의 내벽에 노즐을 고정시켜서 열에 의한 노즐의 휨을 방지하기 위한 내열성 재질의 고정고리를 설치한 것을 특징으로 하는 반도체 증착장비의 노즐고정장치.
KR2019960024730U 1996-08-19 1996-08-19 반도체 증착장비의 노즐고정장치 KR200162281Y1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960024730U KR200162281Y1 (ko) 1996-08-19 1996-08-19 반도체 증착장비의 노즐고정장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR2019960024730U KR200162281Y1 (ko) 1996-08-19 1996-08-19 반도체 증착장비의 노즐고정장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR19980011228U KR19980011228U (ko) 1998-05-25
KR200162281Y1 true KR200162281Y1 (ko) 1999-12-15

Family

ID=19464038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2019960024730U KR200162281Y1 (ko) 1996-08-19 1996-08-19 반도체 증착장비의 노즐고정장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR200162281Y1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR19980011228U (ko) 1998-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6524650B1 (en) Substrate processing apparatus and method
US4943235A (en) Heat-treating apparatus
US6170496B1 (en) Apparatus and method for servicing a wafer platform
KR200162281Y1 (ko) 반도체 증착장비의 노즐고정장치
US20050022742A1 (en) Chemical vapor deposition processing equipment for use in fabricating a semiconductor device
JP2575851B2 (ja) 熱処理装置
KR20070023406A (ko) 열배기덕트를 채택하는 반도체 제조장비
KR100433106B1 (ko) 피처리체의 가스처리장치
JPH04280420A (ja) 熱処理装置
KR100697266B1 (ko) 이송 로봇의 척 세정장치
KR100236715B1 (ko) 반도체 제조설비의 열 배기시스템
KR100280541B1 (ko) 반도체 웨이퍼 산화막형성장치의 번 튜브 설치구조
JP3080398B2 (ja) 縦型熱処理装置
KR100269606B1 (ko) 반도체제조용식각장치의파티클제거기
KR200284170Y1 (ko) 반도체 웨이퍼 증착장비용 보트
KR19990036735U (ko) 반도체 에싱장치의 써머커플 설치구조
JPH04196523A (ja) 熱処理装置
KR200375236Y1 (ko) 열처리 장치
KR200177068Y1 (ko) 저압 화학증착장비용 종형로
KR20060029921A (ko) 종형확산로
KR200165872Y1 (ko) 종형식 확산로의 인너튜브 지지대 구조
KR20000025470A (ko) 반도체 제조장비의 가열장치
KR20050015879A (ko) 열처리장치의 웨이퍼 언로딩시스템
KR19990031092U (ko) 반도체 종형 확산로의 웨이퍼 미스로딩 검출장치
KR20040029528A (ko) 화학 기상 증착 장비의 웨이퍼 지지 어셈블리

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100825

Year of fee payment: 12

EXPY Expiration of term