KR20030084658A - 조명기에서의 광의 각 분포를 필드 위치 함수로서변경함으로써 리소그래피 장치의 선 폭 제어를 개선하는시스템 및 방법 - Google Patents

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KR20030084658A KR10-2003-0025335A KR20030025335A KR20030084658A KR 20030084658 A KR20030084658 A KR 20030084658A KR 20030025335 A KR20030025335 A KR 20030025335A KR 20030084658 A KR20030084658 A KR 20030084658A
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Abstract

전자기 에너지는 리소그래피 장치의 조명원으로부터 방사된다. 방사된 전자기 에너지의 일부는 조명 광학 모듈을 통과한다. 조명 광학 모듈은 퓨필면(pupil plane)을 갖는 1차원 광학 변환 소자를 포함한다. 조절 가능한 개구를 갖는 개구 장치는, 1차원 광학 변환 소자에 의해 수신된 전자기 에너지의 일부가 개구 장치의 개구를 통과하도록, 퓨필면 근처에 위치한다. 조명 광학 모듈을 통과하는 전자기 에너지의 각 분포는 개구 장치를 이용하는 조명 필드 위치의 함수로서 조절되고, 이에 따라 리소그래피 장치의 선 폭 제어를 개선한다.

Description

조명기에서의 광의 각 분포를 필드 위치 함수로서 변경함으로써 리소그래피 장치의 선 폭 제어를 개선하는 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR IMPROVING LINEWIDTH CONTROL IN A LITHOGRAPHY DEVICE BY VARYING THE ANGULAR DISTRIBUTION OF LIGHT IN AN ILLUMINATOR AS A FUNCTION OF FIELD POSITION}
본 발명은 리소그래피에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 리소그래피 장치에서의 선 폭 제어에 관한 것이다.
리소그래피는 반도체 칩 제조에 사용된다. 리소그래피, 보다 상세하게, 포토리소그래피는, 웨이퍼의 감광성 기판 상으로 반도체 회로 마스크 또는 레티클의 하나 이상의 이미지를 투영하는 것에 관여한다. 그 후, 웨이퍼는 하나 이상의 회로를 형성하도록 처리된다. 반도체 칩 제조 공정 기술이 발전하고 반도체 칩 크기가 작아질수록, 리소그래피 장치에서 선 폭 제어를 개선할 필요가 있다.
큰 반도체 칩은 전형적으로 스텝 앤드 스캔(step-and-scan) 리소그래피 장치를 사용하여 제조된다. 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치는, 회로 패턴이 위에 있는 레티클에 대하여 조명 시스템에 의해 정의된 전형적으로 직사각형인 조명 필드를 주사함으로써 동작한다. 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치는 큰 반도체 칩을 제조하는데 사용되는데, 부분적으로는, 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치를 사용하여 제조될 수 있는 반도체 칩의 크기가 그 장치의 투영 광학계의 크기에 제한되지 않기 때문이다.
예를 들어, 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치에서 선 폭 제어를 개선하는 시스템 및 방법은, 참고로 본 명세서에 그 전체가 포함되어 있는 "Illumination System With Spatially Controllable Partial Coherence Compensating For Linewidth Variances In a Photolithography System" 이라는 명칭으로 2000년 6월22일 출원한 McCullough et al의 미국출원번호 09/599,383에 개시되어 있다. McCullogh et al는, 리소그래피 장치의 조명 시스템의 부분 가간섭성을 제어하고 이에 따라 리소그래피 장치의 선 폭 변동을 보상하기 위해, 마이크로렌즈 어레이 또는 회절 광학 소자와 같은 맞춤형 광학 소자를 사용하는 것을 개시하고 있다. McCullogh et al이 개시하고 있는 맞춤형 광학 소자는 특정한 리소그래피 장치와 관련된 소정의 수평 및 수직 바이어스를 보상하도록 설계된다. 그러나, McCullogh et al에 의한 방법은, 일반적으로 맞춤형 광학 소자를 설계 및 제조하기 위해서는 비용이 많이 들며 시간이 걸린다는 점에서 한계가 있다. 따라서, McCullogh et al에 의한 맞춤형 광학 소자는, 예를 들어, 특정한 리소그래피 장치와 관련된 수평 및 수직 바이어스가 시간에 따라 변할 때, 쉽게 조절될 수 없다는 문제점이 있다.
필드 스티칭(field-stitching) 리소그래피 장치 및 스텝 앤드 리피트 리소그래피 장치와 같은 리소그래피 장치의 다른 종류도 선 폭 변동을 야기하는 수평 및 수직 바이어스를 나타낸다. 이러한 리소그래피 장치들에서 수평 및 수직 바이어스를 보상하고 선 폭 제어를 개선하는 것은, 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치에서 수평 및 수직 바이어스를 보상하고 선 폭 제어를 개선하는 것만큼 중요하다.
리소그래피 장치에서 상기 문제점을 극복하는 선 폭 변동을 제어하는 시스템 및 방법이 필요하다.
본 발명은 첨부 도면을 참조하여 설명된다. 본 명세서의 일부로서 포함된 첨부 도면은 상세한 설명과 함께 본 발명을 도시하며, 본 발명의 원리 설명을 보조하며, 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 한다. 도면에서, 유사한 참조 부호는 동일하거나 기능적으로 유사한 소자를 나타낸다. 또한, 도면에서 제일 좌측 번호(들)는 그 참조 부호가 보이는 도면 번호를 의미한다.
도 1은 본 발명의 리소그래피 장치의 일 예를 도시한다.
도 2는 도 1의 리소그래피 장치의 부분 가간섭성을 측정하는 방법을 도시한다.
도 3은 종래의 리소그래피 장치에서 광의 각 분포를 필드 위치 함수로서 도시한다.
도 4a는 감광성 기판 상에 형성된 바이어스되지 않은 수평 및 수직 선을 도시한다.
도 4b는 감광성 기판 상에 형성된 바이어스된 수평 선 및 바이어스되지 않은수직 선을 도시한다.
도 4c는 감광성 기판 상에 형성된 바이어스되지 않은 수평 선 및 바이어스된 수직 선을 도시한다.
도 5는 본 발명에 따라 감광성 기판과 조명 필드 사이의 관계에 대한 예를 도시한다.
도 6은 본 발명에 따른 부분 가간섭성 조절기 모듈의 일 예를 도시한다.
도 7은 도 6의 부분 가간섭성 조절기 모듈의 1차원 광학 변환 소자를 도시한다.
도 8a는 본 발명에 따른 조절 가능한 개구의 제1 예를 도시한다.
도 8b는 본 발명에 따른 조절 가능한 개구의 제2 예를 도시한다.
도 9a 및 9b는 본 발명의 한 실시예에 따른 리소그래피 장치에서 전자기 에너지의 각 분포를 필드 위치 함수로서 제어하는 방법의 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 리소그래피 장치 102 조명원
104 조명 광학 모듈 105 부분 가간섭성 조절기 모듈
106 레티클 스테이지 108 투영 광학 모듈
110 감광성 모듈 112 웨이퍼 스테이지
114 스테이지 제어부
본 발명은 리소그래피 장치에서 선 폭 변동을 제어하는 시스템 및 방법을 제공한다. 전자기 에너지는 조명원으로부터 방사된다. 방사된 전자기 에너지의 일부는 조명 광학 모듈을 통과한다. 한 실시예에서, 조명 광학 모듈은 퓨필면을 갖는 1차원 광학 변환 소자를 포함한다. 개구를 갖는 개구 장치는 퓨필면에 근접하게 위치하여 1차원 광학 변환 소자에 의해 수신된 어떠한 전자기 에너지의 일부라도 개구 장치의 개구를 통과하게 된다. 조명 광학 모듈을 통과하는 전자기 에너지의 각 분포는 개구 장치를 사용하여 제어된다.
한 실시예에서, 조명 광학 모듈을 떠난 전자기 에너지는 레티클 스테이지를 통과한다. 레티클 스테이지는 레티클 또는 마스크를 유지하는데 적합한 마스크 영역을 갖는다. 마스크 영역을 통과하는 어떠한 전자기 에너지의 일부라도 투영 광학 모듈에 의해 수신된다. 레티클 스테이지에 의해 지지되는 마스크 또는 레티클을 통과하는 전자기 에너지는, 투영 광학 모듈로 들어가서 웨이퍼 스테이지에 의해 지지되는 웨이퍼와 같은 감광성 기판 상에 투영 광학 모듈에 의해 이미지 처리된다.
본 발명의 실시예에서, 개구 장치의 개구의 형태는 마스크 또는 레티클 상의 전자기 에너지의 각 분포가 제어되도록 조정된다. 본 발명의 한 실시예에서, 개구의 형태는 정적이다. 이 실시예에서, 개구의 형태는 개구 장치의 적어도 일부를 대체함으로써 변화된다. 다른 실시예에서, 개구의 형태는 동적이다. 이 실시예에서, 개구의 형태는 개구의 형태를 조절하기 위한 개구 제어 모듈을 사용함으로써 변경된다. 개구의 형태는 개방 루프 또는 폐쇄 루프 제어 시스템을 이용하여 자동 조정된다. 한 실시예에서, 전자기 에너지의 각 분포 측정값은 개구의 적절한 형태를 결정하는데 이용된다.
본 발명의 실시예에서, 맞춤형 또는 표준형 광학 소자는, 조명원에 의해 방사되는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 수정하도록 1차원 광학 변환 소자 및 개구 장치에 부가하여 사용된다. 이 광학 소자는, 예를 들어, 1차원 광학 변환 소자 상에 입사하는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변화시키는 마이크로 렌즈 또는 회절 소자를 포함한다.
본 발명의 한 실시예에서, 조절 가능한 디리미터(delimiter)(예를 들어, 조(jaw) 또는 스톱(stop))는 조명 필드의 길이를 제한하는데 사용된다. 이 조절 가능한 디리미터는 개구 장치와는 별개의 장치이다.
실시예
본 발명은 리소그래피 장치에서 선 폭 제어를 개선하기 위한 시스템 및 방법을 제공한다. 상세한 설명에 의해 자명한 바와 같이, 본 발명은 특히 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치 용도에 매우 적합하다.
다음의 상세한 설명에서, 본 발명의 실시예에 대해서는 참조 부호를 상세하게 사용할 것이며, 그 예가 첨부 도면에 도시되어 있다. 본 발명을 실시예와 관련하여 설명하지만, 본 발명이 이러한 실시예에 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 반면, 본 발명은 변경, 수정, 및 등가물을 포함하는 것이며, 이것은 청구범위에 의해 한정되는 본 발명의 사상과 범위 내에 포함될 수 있다. 또한, 다음의 상세한 설명에서, 설명의 편의상, 본 발명의 전체적인 이해를 위해 다양한 특정 세부 사항을 설정하였다. 그러나, 본 명세서를 읽음으로써 본 발명이 이러한 특정 세부 사항 없이도 실시될 수 있다는 것은 당업자에게 명백할 것이다. 다른 예에서, 본 발명의 양태가 모호해지지 않도록 주지의 구조 및 장치는 상세히 설명되지 않는다.
용어
다음의 용어들은 본 발명의 실시예를 설명하는데 사용될 수 있도록 정의된다.
"개구 장치(aperture device)"는 개구의 형태를 변경함으로써 소정의 축을 따라 전자기 에너지의 각 분포를 변경할 수 있는 장치를 의미한다. 개구 장치는, McCullough et al의 미국특허번호 6,013,401에 개시된 발명 및 그 변형물과 같은 동적 장치, 또는 소정의 형태 및 크기의 개구를 갖는 판 또는 디스크와 같은 정적 장치일 수 있다.
"맞춤형 광학 소자(customized optical element)"는 특정 리소그래피 장치의 광학 특성을 보상하도록 특별히 설계된 광학 소자를 의미한다. 맞춤형 광학 소자는 리소그래피 장치를 위해 특별히 설계된 것 이외에는 리소그래피 장치에서 사용되지 않는다.
"조명원(illumination source)"은. 예를 들어, 리소그래피를 수행하기에 적절한 펄스 레이저 또는 램프와 같은 임의의 조명원을 의미한다.
"리소그래피 장치(lithography device)"는, 다른 언급이 없다면, 스텝 앤드 스캔 리소그래피 장치, 스텝 앤드 리피트 리소그래피 장치, 및/또는 필드 스티칭 리소그래피 장치를 포함하는 임의의 리소그래피 장치를 의미한다.
"1차원 광학 변환 소자(one-dimensional optical transform element)"는, 퓨필면을 형성하고 퓨필면에 근접하여 위치한 개구 장치가 소정의 축을 따라 전자기 에너지의 각 분포를 변경하는데 사용되도록 하는 임의의 광 장치 또는 이의 조합을의미한다.
"인접하여 위치함(positioned adjacent to)"이라는 것은, 제1 모듈 또는 장치를 떠나는 전자기 에너지가 제2 모듈 또는 장치에 직접적 또는 간접적으로 들어가도록, 제1 모듈 또는 장치가 제2 모듈 또는 장치에 대하여 위치한다는 것을 의미한다. "인접하여 위치함"이라는 것은, 제1 모듈 또는 장치를 떠난 전자기 에너지가 제2 모듈 또는 장치로 향하도록 하는 하나 이상의 광학 소자가 사용되는 경우를 포함한다.
"레티클 스테이지(reticel stage)"는 반도체 마스크 또는 레티클을 유지하고 위치 맞춤하는데 사용되는 리소그래피 장치의 일부를 의미한다.
"표준형 광학 소자(standardized optical element)"는 리소그래피 장치의 모델 또는 특정 구성에 특정한 광학 특성을 보상하도록 설계된 광학 소자를 의미한다. 표준형 광학 소자들은 특정 구성 또는 모델에 부합하는 모든 리소그래치 장치에서 상호 교환가능도록 사용되는 것이다.
"웨이퍼" 또는 "감광성 기판" 모두는, 반도체 칩을 생산하는 반도체 제조사에 의해 사용되는 종류의 감광성 막(포토레지스트)을 구비하는 웨이퍼를 의미한다.
"웨이퍼 스테이지"는 웨이퍼를 유지하고 위치 맞춤하는데 사용되는 리소그래피 장치의 일부를 의미한다.
본 발명의 시스템 실시예
도 1은 본 발명을 구현하는 리소그래피 장치(100)의 일 예를 도시한다. 조명원(102)은 전자기 에너지를 발생시켜 조명 광학 모듈(104)로 향하게 한다. 본발명에 따라 조명 광학 모듈(104)은 조명원(102)으로부터 수신한 전자기 에너지를 조절하는 부분 가간섭성 조절기 모듈(105)을 포함한다. 조정된 전자기 에너지는 조명 광학 모듈(104)로부터 출력되어 레티클 스테이지(106)에 의해 지지되는 레티클(도시하지 않음)을 통과한다. 이 레티클은 회로 이미지를 웨이퍼 또는 감광성 기판(110) 상으로 투영하는데 사용된다. 레티클을 통과하는 전자기 에너지는 투영 광학 모듈(108)에 들어간다. 투영 광학 모듈(108)은 수신한 전자기 에너지를 감광성 기판(110) 상에 이미지 처리한다. 감광성 기판(110)은 웨이퍼 스테이지(112)에 의해 지지되고 이동하게 된다. 스테이지 제어부(14)는 레티클 스테이지(106) 및 웨이퍼 스테이지(112)의 위치를 제어하고, 이에 따라 레티클(도시하지 않음) 및 감광성 기판(110)의 위치를 제어한다.
조명원(102)은 전자기 에너지원을 포함한다. 조명원(102)은 연속적인 전자기 에너지원 또는 펄스 전자기 에너지원일 수 있다. 예를 들어, 약 1 kHz 내지 4kHz 범위에서 동작하는 펄스 레이저가 사용될 수 있다. 당업자가 이해할 수 있듯이, 조명원(102)에 의해 생성되는 전자기 에너지는 감광성 기판(110)을 노광하는데 사용되기 전에 조정될 필요가 있다.
조명 광학 모듈(104)은 조명원(102)으로부터 수신한 전자기 에너지를 조정하는 광학 소자를 포함한다. 조명 광학 모듈(104)의 일부를 형성하는 광학 소자에 대해서는, 예를 들어, Stanton et al의 미국특허번호 제5,631,721호에 개시되어 있는데, 이 미국특허의 내용은 그대로 본 명세서에 포함되어 있다. 특히, 조명 광학 모듈(104)은 부분 가간섭성 조절기 모듈(105)을 포함한다. 부분 가간섭성 조절기모듈(105)은 조명원(102)에 의해 방사되는 전자기 에너지의 각 분포를 필드 위치 함수로서 변경하는 광학 소자를 포함한다 (예를 들어, 하기하는 바와 같이, 조명 필드(312)의 전자기 에너지의 각 분포를 변경함). 예를 들어, 부분 가간섭성 조절기 모듈(105)은 전자기 에너지의 각 분포를 변경하기 위해 1차원 광학 소자 및 개구 장치를 포함한다. 실시예에서, 부분 가간섭성 조절기 모듈(105)은 전자기 에너지의 각 분포를 변경하기 위한 맞춤형 또는 표준형 광학 소자도 포함한다. 본 발명의 이러한 특징은 아래에서 보다 상세히 설명된다.
조명 광학 모듈(104)로부터 출력되는 전자기 에너지는 레티클 스테이지(106)에 의해 지지되는 레티클(도시하지 않음)을 노광하는데 사용된다. 이 레티클을 노광함으로써, 레티클 상의 회로 패턴이 감광성 기판(110)에 전사된다. 감광성 기판(110)은 하나 이상의 회로를 형성하도록 당업자에게 주지된 방식으로 처리된다.
투영 광학 모듈(108)은 레티클을 통과하는 전자기 에너지를 감광성 기판(110) 상으로 이미지 처리하는데 사용된다. 투영 광학 모듈(108)은 감광성 기판(110) 상에 형성된 레티클 이미지를 감소시키는 데에도 사용된다.
스테이지 제어부(114)는 레티클 스테이지(106) 및 웨이퍼 스테이지(112)의 이동 및 위치 맞춤을 제어한다. 스테이지 제어부(114)로 인하여 리소그래피 장치(100)는 스텝 앤드 스캔 방식, 스텝 앤드 리피트 방식, 및/또는 필드 스티칭 방식에서 동작할 수 있다.
도 2는 리소그래피 장치(100)의 부분 가간섭성을 측정하는 방식을 도시한다.2개의 원뿔(208, 210)이 도 2에 도시되어 있다. 원뿔(210)은, 레티클 스테이지(106)에 의해 지지되는 레티클을 노광하기 위해, 조명원(102)으로부터 전자기 에너지가 통과하는 실제 공간을 나타낸다. 원뿔(208)은 전자기 에너지가 통과하여 웨이퍼(110)를 계속 이미지 처리할 수 있는 최대 원뿔 또는 공간을 나타낸다. 원뿔(210)의 각 분포(즉, 원뿔(210)의 부분 가간섭성 계수 σ)는 수학식 1과 같이 주어진다.
여기서, 도 2에 도시한 바와 같이, 원뿔(208)은 리소그래피 장치(100)의 광축에 대하여 각 θm을 형성하고, 원뿔(210)은 광축에 대하여 각 θ0을 형성한다.
도 3은 종래의 리소그래치 장치(300)에서 광의 각 분포를 필드 위치 함수로서 도시한다. 도 3에서, 전자기 에너지는 조명 광학 모듈(302)로부터 반사되는 것으로 도시되어 있다. 이 방사 전자기 에너지는 본 발명에 따라 조정되지 않는다. 방사된 전자기 에너지는 레티클 스테이지(304)를 통과한다. 레티클 또는 반도체 마스크(도시하지 않음)는 레티클 스테이지(304)의 결상면에 위치하게 된다. 출력되는 전자기 에너지는 투영 광학 모듈(306)을 통과한다. 투영 광학 모듈(306)은 웨이퍼 스테이지에 근접하여 위치한 결상면에서 전자기 에너지를 이미지 처리한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 조명 광학 모듈(302)을 떠난 전자기 에너지는 전자기 에너지 원뿔(예를 들어, 원뿔(310A))을 형성한다. 유사한 전자기 에너지 원뿔(예를 들어, 원뿔 310B)은 전자기 에너지가 투영 광학 모듈(306)로부터 방사될 때 이 전자기 에너지에 의해서도 형성된다. 이러한 전자기 에너지 원뿔(원뿔 310B, 314, 316, 318, 320으로 표시되는)은 조명 필드(312)를 형성한다. 조명 필드(312)는 웨이퍼(330)의 감광성 기판을 노광하는데 사용된다.
조명 필드(312)는 필드 위치 함수로서 변경되지 않는다. 조명 필드(312)의 일부를 형성하는 각 전자기 원뿔(예를 들어, 310B, 314, 316, 318, 320)은 웨이퍼(330) 상의 상이한 점을 노광시킨다. 원뿔(308B)은 웨이퍼(330)의 감광성 기판을 노광시키는데 사용될 수 있는 최대 전자기 에너지 원뿔을 도시한다. 이 원뿔은 원뿔(308A)로서 나타내기도 한다. 전자기 에너지 원뿔의 각각(예를 들어, 310B, 314, 316, 318, 320)의 형태(즉, 단면도)는 조명 필드(312)내의 특정한 점에서의 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 의미한다.
도 3에 도시한 바와 같이, 원뿔(308A)과 원뿔(308B)은 상관 관계를 갖는다. 원뿔(310A)의 형태를 변화시킴으로써 원뿔(310B)에도 유사한 형태 변화가 발생한다. 원뿔(308A, 310A)은 리소그래피 장치(300)의 부분 가간섭성을 계산하는데 사용될 수 있다.
도 4a, 4b, 4c는 수평 선 바이어스 및 수직 선 바이어스를 도시한다. 이러한 선 바이어스는, 예를 들어, 종래의 리소그래피 장치(300)의 레티클 및 광학계의 결함에 의해 발생한다.
도 4a는 웨이퍼(330) 상에 형성된, 폭(WH)을 갖는 바이어스되지 않은 수평선(402) 및 폭(WV)을 갖는 바이어스되지 않은 수직 선(404)을 도시한다.
도 4b는 웨이퍼(330) 상에 형성된, 폭(WH')을 갖는 바이어스된 수평 선(406) 및 폭(WV)을 갖는 바이어스되지 않은 수직 선(404)을 도시한다.
도 4c는 웨이퍼(330) 상에 형성된, 폭(WH)을 갖는 바이어스되지 않은 수평 선(402) 및 폭(WV')을 갖는 바이어스된 수직 선(408)을 도시한다.
당업자에게는 자명하듯이, 본 발명은 조명 필드(312)에서 전자기 에너지의 부분 가간섭성 또는 각 분포를 필드 위치 함수로서 제어하는데 사용될 수 있고, 이에 따라 리소그래피 장치(300)의 성능을 개선할 수 있다. 본 발명에 따라 웨이퍼(330)(예를 들어, 원뿔 310B, 314, 316, 318, 320의 형태)를 노광하는데 사용되는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변경함으로써, 웨이퍼(330) 상에 형성된 선 폭 변동이 감소된다. 본 발명의 실시예는, 웨이퍼를 노광하기 위해, 예를 들어, 정사각형 또는 환상의 슬릿 조명 필드를 사용하는 리소그래피 장치(300) 이외의 리소그래피 장치의 성능을 개선하는데에도 사용된다.
도 5는 웨이퍼(330)와 조명 필드(312)와의 상관 관계를 도시한다. 도 5는 본 발명에 따라 웨이퍼(330)를 노광할 때 사용되는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변경하는데 사용될 수 있는 방법을 도시하며 (예를 들어, 원뿔 504, 506, 508의 형태 참조) 이에 따라 웨이퍼(330) 상에 형성된 선 폭 변동을 감소시킨다.
도 5에 도시한 바와 같이, 조명 필드(312)는 웨이퍼(330)의 스캔 영역(502)을 노광하는데 사용된다. 조명 필드(312)에서 전자기 에너지의 부분 가간섭성 또는 각 분포는 필드 위치 함수로서 변경된다. 웨이퍼(330)의 각 점은, 조명 필드(312)가 스캔 영역(502)에 걸쳐 스캔을 수행할 때, 조명 필드(312)의 길이를 따라 상이하게 노광될 수 있다. 조명 원뿔(504, 506, 508)은 본 발명에 따라 전자기 에너지(예를 들어, 광)의 각 분포가 조명 필드 위치 함수로서 변경될 수 있는 방법을 나타낸다.
도 6은 본 발명에 따라 부분 가간섭성 조절기 모듈(105)의 일 예를 도시한다. 본 명세서에 기재된 바와 같이, 부분 가간섭성 조절기 모듈(105)은 조명 필드(예를 들어, 조명 필드 312)에서 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 필드 위치 함수로서 조절하는데 사용된다. 본 발명의 실시예에 따라, 부분 가간섭성 조절기 모듈(105)은 1차원 광학 변환 소자(602), 조명 필드 디리미터(614), 및 맞춤형 또는 표준형 광학 소자(620)를 포함한다.
도 6에 도시한 바와 같이, 한 실시예에서 광학 변환 소자(602)는 두 개의 광학 소자(604, 606)(예를 들어, 렌즈), 및 개구 장치(608)를 구비한다. 개구 장치(608)는 개구(도시하지 않음)를 구비하며, 이것은 소정의 축을 따라 개구를 통과하는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 조절하는데 사용된다. 예를 들어, 광학 변환 소자(602)는, 도 5에 도시한 바와 같이, 직사각형 조명 필드(312)의 길이에 대하여 정렬된 축을 따라 전자기 에너지의 각 분포를 변경하는데 사용될 수 있다.
한 실시예에서, 개구 장치(608)는 McCullough et al의 미국특허번호 제6,013,401호에 개시된 발명에서의 장치와 유사하다. 이 실시예에서, 개구장치(608)의 개구의 크기 및 형태는, 수평 선 및/또는 수직 선 바이어스를 야기하는 시변(time-varying) 현상을 보상하기 위해 실시간으로 변경될 수 있다. 한 실시예에서, 특정 세트의 파라미터를 위한, 선 폭 변동을 줄이는데 필요한 개구의 크기 및 형태는 미리 계산되어 광 메모리(612)에 저장된다. 그 후, 이 저장 데이터는 리소그래피 장치의 동작 동안 개구 장치(608)의 개구의 형태를 조절하도록 광 개구 제어 모듈(610)에 의해 사용된다. 선 폭 변동을 야기할 수 있는 시변 파라미터에는 온도, 압력, 및 사용되는 레지스트가 포함된다. 본 발명에서 보상될 수 있는 다른 시변 파라미터는 당업자에게 주지되어 있다. 개구 제어 모듈(610)은 개방 루프 또는 폐쇄 루프 방식으로 동작할 수 있다. 개구 제어 모듈(610)을 구현하는 방식은 본 명세서의 당업자에게 자명할 것이다.
다른 실시예에서, 개구 장치(608)는, 정적 개구를 갖는 대체가능한 판 또는 대체가능한 디스크이며, 또는 정적 개구를 갖는 대체가능한 판 또는 대체가능한 디스크를 포함하는 장치이다. 이 실시예에서, 판 또는 디스크는 개구의 형태를 변경하기 위해 손으로 또는 자동적으로 교체될 수 있다. 재생되는 회로 피쳐의 비용 및 크기와 같은 인자는, 선 폭 변동을 제어하도록 그 대체가능한 판 또는 디스크가 변경되는 시기 및 방식을 결정할 것이다. 다른 실시예에서, 대체가능한 판 또는 대체가능한 디스크가 아닌 변경가능한 개구를 형성하는 공지된 수단이 사용된다.
당업자가 이해하는 바와 같이, 특정 세트의 파라미터에 의한 선 폭 변동을 제어하는데 필요한 개구 장치(608)의 개구의 형태는, 시간 및 상이한 조건 하에서 여러 웨이퍼를 노광함으로써 얻은 실험 데이터 분석에 기초하여 결정될 수 있다.필요한 데이터는, 예를 들어, 웨이퍼 상에 형성된 인쇄 선 폭 및 웨이퍼를 노광하는데 사용되는 레티클 상의 대응하는 선 폭의 변동을 분석함으로써 얻을 수 있다. 그러한 데이터를 수집하여 분석하는 방법은 당업자에게 알려져 있다.
조명 필드 디미리터(614)는 웨이퍼(330)를 노광하는데 사용되는 조명 필드의 최대 크기 및 형태를 설정하는데 사용된다. 본 발명의 실시예에서, 디리미터(614)에 의해 형성되는 조명 필드의 크기 및 형태는 선택 주사 필드 제어 모듈(616) 및 선택 메모리(618)에 의해 제어된다. 이러한 특징은, 예를 들어, 특정 레티클을 이미지 처리하는데 사용되는 전자기 에너지 양을 제어하는데 사용된다.
본 발명의 실시예에서, 맞춤형 또는 표준형 광학 소자(620)는, 조명원(102)에 의해 방사되는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 수정하는데 사용된다. 광학 소자(620)는, 예를 들어, 광학 소자(620) 상에 입사하는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변화시키는 마이크로 렌즈 또는 회절 소자를 포함한다. 광학 소자(620)는, 예를 들어, 수평 및 수직 선 폭 바이어스를 야기하는 투영 광학 모듈(108)의 결점에 의해 발생하는 전자기 에너지의 부분 가간섭성 변화를 보상하도록 설계된다.
맞춤형 광학 소자(620)는 McCullough et al의 미국 특허출원번호 제09/599,383호에 상세히 개시되어 있다.
리소그래피 장치의 특정 모델의 일반적인 또는 전형적인 결함을 보상하도록 광학 소자(620)를 설계하는 것은 많은 이점을 갖는다. 예를 들어, 생산 비용 및 생산 시간이 줄어든다. 광학 소자(620)는, 수평 선 및 수직 선 바이어스를 야기하는 시변 현상을 보상하지 않는다.
도 7은 1차원 광학 변환 소자(602)의 두 개의 광학 소자(604, 606)에 의해 형성되는 퓨필면(702)을 도시한다. 개구 장치(608)의 개구는 퓨필면(702)에 근접해 있는 광학 소자(604) 및 광학 소자(606) 사이에 위치한다. 이러한 배치로 인하여 , 본 명세서에서 설명하는 방식으로 개구 장치(608)의 개구를 통과하는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변경하도록(예를 들어, 전자기 방사 704, 706, 708의 원뿔의 형태를 변경함으로써) 그 개구가 사용될 수 있다.
도 8a 및 8b는 한 축을 따라 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변경하도록 본 발명에 따라 사용될 수 있는 2개의 개구(801, 811)를 도시한다. 개구(801 또는 811)가 1차원 변환 소자(602)의 퓨필면에 근접하여 위치할 때, 이 개구는 전자기 에너지(예를 들어, 광)의 각 분포를 조명 필드에서의 필드 위치 함수로서 변경할 것이다. 예를 들어, 본 발명이 리소그래피 장치(300)에 적용될 때, 개구(801, 811)는 전자기 에너지의 각 분포를 조명 필드(312)에서의 필드 위치 함수로서 변경할 것이다.
개구(801)에 대하여, 조명 필드(312)에서의 전자기 에너지의 각 분포는, 개구(801)의 모서리(802) 및 모서리(810) 사이의 영역에서 소정 값 A를 갖는다. 조명 필드(312)의 전자기 에너지의 각 분포는 개구(801)의 모서리(808)와 모서리(810) 사이의 영역에 대응하는 영역에서 A보다 큰 값을 갖는다. 개구(801)의 모서리(802)와 모서리(810) 사이의 영역에 대응하는 영역에서는 A보다 작은 값을 갖는다.
유사하게, 개구(811)에 대하여, 조명 필드(312)에서의 전자기 에너지의 각분포는, 개구(811)의 모서리(812A)와 모서리(812B) 사이의 영역에 대응하는 영역에서 소정 값 B를 갖는다. 조명 필드(312)의 전자기 에너지의 각 분포는 개구(811)의 모서리(818A)와 모서리(818B) 사이 및 모서리(814A)와 모서리(814B) 사이의 영역에 대응하는 영역에서 B보다 큰 값을 갖는다. 개구(811)의 모서리(816A)와 모서리(816B) 사이의 영역에 대응하는 영역에서 B 보다 작은 값을 갖는다. 따라서, 당업자가 본 명세서의 설명에 의해 이해할 수 있듯이, 본 발명은, 조명기의 광의 각 분포를 필드 위치 함수로서 변경함으로써 리소그래피 장치에서의 선 폭 제어를 개선한다.
본 발명의 방법 실시예
도 9a 및 9b는, 본 발명의 한 실시예에 따라 리소그래피 장치에서 전자기 에너지의 각 분포를 필드 위치 함수로서 제어하는 방법(900)의 단계들의 흐름도를 도시한다. 이제, 방법(900)의 단계들을 설명한다.
단계(910)에서, 조명원으로부터 전자기 에너지가 방사된다. 방사된 전자기 에너지(예를 들어, 광)는 연속적인 전자기 에너지원 또는 펄스 전자기 에너지원일 수 있다. 한 실시예에서, 약 1kHz 내지 약 4kHz 범위에서 동작하는 펄스 레이저가 사용된다.
단계(920)에서, 조명원으로부터 방사된 전자기 에너지는 조명 광학 모듈을 통과한다. 이 조명 광학 모듈은 부분 가간섭성 조절기 모듈을 포함한다. 부분 가간섭성 조절기 모듈은 1차원 광학 변환 소자를 포함한다. 광학 모듈의 목적은 레티클 또는 마스크를 노광하고 웨이퍼 상의 회로 패턴을 이미지 처리하는데 사용될수 있도록 전자기 에너지를 조절하는 것이다.
단계(930)에서, 1차원 광학 변환 소자로 들어가는 전자기 에너지의 각 분포는 하나의 축을 따라 가변된다. 이것은 전자기 에너지의 일부가 개구 장치의 개구를 통과하도록 함으로써 달성된다. 개구 장치의 개구는 1차원 광학 변환 소자의 퓨필면에 근접하여 위치한다.
단계(940)에서, 조명 광학 모듈로부터의 전자기 에너지는 레티클 스테이지의 마스크 영역을 통과한다. 동작 중에, 레티클 스테이지의 마스크 영역은 레티클 또는 마스크를 유지한다. 레티클을 노광함으로써, 레티클 상의 회로 패턴은 웨이퍼의 감광성 기판에 전사된다.
단계(950)에서, 레티클 스테이지의 마스크 영역을 통과하는 전자기 에너지는, 웨이퍼 스테이지에 근접한 결상면을 형성하도록, 투영 광학 모듈을 사용하여 이미지 처리된다. 실시예에서, 투영 광학 모듈은 감광성 기판에 전사되는 레티클 피쳐의 크기를 감소시킨다. 예를 들어, 한 실시예에서, 투영 광학 모듈은 감광성 기판에 전사되는 레티클 피쳐의 크기를 1/4로 감소시킨다.
단계(960)에서, 개구 장치의 개구의 형태는 웨이퍼 스테이지에 근접한 결상면에서 전자기 에너지의 각 분포를 제어하도록 조정된다. 한 실시예에서, 개구 장치의 개구는 동적 개구이다. 이 동적 개구는 개구 제어 모듈을 사용하여 개구의 형태를 변경함으로써 조정된다. 개구 제어 모듈은, 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 개방 루프 시스템, 또는 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 폐쇄 루프 제어 시스템일 수 있다. 한 실시예에서, 메모리에 저장되어 있는 미리 계산된 데이터는 개구 장치의 형태를 조절하는데 사용된다. 개구의 형태는 웨이퍼 스테이지에 근접한 결상면에서 전자기 에너지의 각 분포에 기초하여 조정된다. 다른 실시예에서, 개구 장치의 개구는 정적 개구이다. 이 정적 개구는 개구의 형태를 조절하기 위해 개구 장치의 적어도 일부를 대체함으로써 변경된다. 예를 들어, 실시예에서, 소정의 컷아웃(개구)을 갖는 판 또는 디스크는 상이한 형태의 컷아웃(애처퍼)을 갖는 다른 판 또는 디스크에 의해 대체된다.
본 발명의 실시예에서, 개구의 형태는, 웨이퍼 스테이지에 의해 지지되는 감광성 기판(웨이퍼) 상에 형성된 인쇄 선 폭의 변동에 대한 검출 결과에 기초하여 조정된다. 예를 들어, 인쇄 선 폭의 변동에 대한 검출 결과는 감광성 기판을 노광하는데 사용되는 레티클에 비교될 수 있고, 선 폭 변동을 줄이는 본 발명에 따라 개구의 형태가 결정될 수 있다. 이러한 검출 및 분석 공정은, 시간에 대하여 웨이퍼 상의 선 폭 변동 변화를 분석함으로써 연속적으로 실시될 수 있고, 또는 주기적(예를 들어, 때때로)으로 행해질 수 있다. 실시예에서, 개구의 형태는 사용되는 특정 레티클에 대응하도록 조정된다.
당업자가 이해하는 바와 같이, 본 발명에 따라 선 폭 제어를 개선하기 위하여, 개구 장치의 개구가 조절되어야 하는 방법을 결정하는데 사용될 수 있는 여러 인자가 있다. 따라서, 본 명세서에서 설명한 인자는 단지 예일 뿐이며 이에 한정되지 않는다.
본 발명의 다양한 실시예가 설명되었으며, 이러한 실시예는 단지 예일 뿐이며 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 당업자는 청구범위에서 한정된 본 발명의 사상과 범위로부터 벗어나지 않으면서 상기 실시예의 형태 및 세부 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 사상과 범위는 상기 실시예에 의해 한정되지 않으며, 다음의 청구범위 및 그 등가물에 의해서만 한정된다.
본 발명은 조명 필드에서 전자기 에너지의 부분 가간섭성 또는 각 분포를 필드 위치 함수로서 제어하는데 사용될 수 있고, 이에 따라 리소그래피 장치의 성능을 개선한다. 본 발명에 따라 웨이퍼(예를 들어, 원뿔의 형태)를 노광하는데 사용되는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변경함으로써, 웨이퍼 상에 형성된 선 폭 변동이 감소된다.

Claims (29)

  1. 조명원;
    퓨필면을 갖는 1차원 광학 변환 소자; 및 상기 1차원 광학 변환 소자로 하나의 축을 따라 들어가는 전자기 에너지의 각 분포를 변경하는데 사용되는 개구를 갖는 개구 장치 - 상기 개구 장치의 개구는 상기 1차원 광학 변환 소자의 퓨필면에 근접하여 위치함 - 를 포함하는, 부분 가간섭성 조절기 모듈을 갖는 조명 광학 모듈 - 상기 조명 광학 모듈은 상기 조명원에 의해 방사되는 전자기 에너지를 수신함 -;
    상기 조명 광학 모듈에 인접하여 위치하는 레티클 스테이지 - 상기 조명 광학 모듈을 떠난 전자기 에너지는 상기 레티클 스테이지에 의해 유지되는 레티클의 일부를 조사함 -;
    웨이퍼 스테이지; 및
    상기 레티클 스테이지와 상기 웨이퍼 스테이지에 인접하여 위치되도록 하고, 상기 웨이퍼 스테이지에 근접한 결상면을 갖는 투영 광학 모듈 - 상기 레티클 스테이지에 의해 유지되는 레티클을 통과하는 전자기 에너지는 상기 투영 광학 모듈로 들어가서, 상기 웨이퍼 스테이지에 의해 지지되는 웨이퍼의 감광성 기판 상에서 상기 투영 광학 모듈에 의해 이미지 처리됨 - 을 포함하고,
    상기 개구 장치의 개구의 형태는, 상기 웨이퍼 스테이지에 근접한 결상면에서 전자기 에너지의 각 분포를 제어하도록 조정되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 개구의 형태는, 상기 레티클 상의 대응하는 선 폭으로부터 웨이퍼의 감광성 기판 상에 형성된 인쇄 선 폭의 검출된 변동에 기초하여 조절되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 개구의 형태는 정적이며,
    상기 개구의 형태는 상기 개구 장치의 적어도 일부를 대체함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 개구의 형태는 동적이며,
    상기 개구의 형태는 개구 제어 모듈을 이용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    개방 루프 제어 시스템이 상기 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    폐쇄 루프 제어 시스템이 상기 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 개구 장치는 조절 가능한 슬릿 장치인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 개구 장치의 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 미리 계산된 데이터를 저장하는 메모리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 부분 가간섭성 조절기 모듈은, 복수의 상이한 조명 영역을 갖는 광학 소자를 더 포함하며, 상이한 조명 영역 각각은 인쇄 기판 상의 선 폭 변동이 감소하도록 선택된 상이한 조명 특성을 갖고,
    상기 광학 소자는 상기 1차원 광학 변환 소자에 인접하여 위치하며,
    상기 광학 소자를 떠난 전자기 에너지는 상기 1차원 광학 변환 소자에 들어가는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  10. 리소그래피 장치의 전자기 에너지의 각 분포를 필드 위치의 함수로서 제어하는 방법으로서,
    (1) 조명원으로부터 전자기 에너지를 방사하는 단계;
    (2) 퓨필면을 갖는 1차원 광학 변환 소자를 구비하는 조명 광학 모듈을 통해 상기 조명원으로부터 방사된 전자기 에너지를 통과시키는 단계;
    (3) 하나의 축을 따라 상기 1차원 광학 변환 소자에 들어가는 전자기 에너지의 각 분포를 변화시키기 위해 개구 장치의 개구를 통해 상기 전자기 에너지의 일부를 통과시키는 단계 - 상기 개구 장치의 개구는 상기 1차원 광학 변환 소자의 퓨필면에 근접하여 위치함 -;
    (4) 레티클 스테이지의 마스크 영역을 통해 상기 조명 광학 모듈로부터 전자기 에너지를 통과시키는 단계;
    (5) 웨이퍼 스테이지에 근접한 결상면을 형성하기 위해, 적어도 하나의 광학 소자를 포함하는 투영 광학 모듈을 사용하여, 상기 레티클 스테이지의 상기 마스크 영역을 통과하는 전자기 에너지를 이미지 처리하는 단계; 및
    (6) 상기 웨이퍼 스테이지에 근접한 상기 결상면에서 전자기 에너지의 각 분포를 제어하기 위해 상기 개구 장치의 상기 개구의 형태를 조절하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 (6) 단계는, 상기 레티클 스테이지에 의해 유지되는 레티클 상의 대응하는 선 폭으로부터, 상기 웨이퍼 스테이지에 의해 유지되는 감광성 기판 상에 형성된 인쇄 선 폭의 변동에 대한 검출 결과에 기초하여, 상기 개구의 형태를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 (6) 단계는, 상기 개구의 형태를 조절하기 위하여, 정적 개구로 상기 개구 장치의 적어도 일부를 대체하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 (6) 단계는, 동적 개구가 개구 제어 모듈을 사용하여 상기 개구의 형태를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 (6) 단계는, 상기 개구의 형태를 조절하기 위해 개방 루프 제어 시스템을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 (6) 단계는, 상기 개구의 형태를 조절하기 위해 폐쇄 루프 제어 시스템을 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 (6) 단계는, 상기 웨이퍼 스테이지에 근접한 상기 결상면에서 전자기 에너지의 각 분포에 기초하여 상기 개구의 형태를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 (6) 단계는, 상기 개구 장치의 형태를 조절하기 위해 메모리에 저장된 미리 계산된 데이터를 사용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제10항에 있어서,
    복수의 상이한 조명 영역을 갖는 맞춤형 광학 소자를 통해 상기 조명원으로부터 방사된 전자기 에너지를 통과시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제10항에 있어서,
    복수의 상이한 조명 영역을 갖는 표준형 광학 소자를 통해 상기 조명원으로부터 방사된 전자기 에너지를 통과시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 리소그래피 장치의 선 폭 제어를 개선하는 장치로서,
    퓨필면을 갖는 1차원 광학 변환 소자; 및
    하나의 축을 따라 상기 1차원 광학 변환 소자로 들어가는 전자기 에너지의 각 분포를 변경하는데 사용되는 개구를 갖는 개구 장치 - 상기 개구 장치의 개구는 상기 1차원 광학 변환 소자의 퓨필면에 근접하여 위치함 -
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 1차원 광학 변환 소자로 들어가는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변화시키는 맞춤형 광학 소자 - 상기 맞춤형 광학 소자는 복수의 상이한 조명 영역을 구비하며, 상기 상이한 조명 영역 각각은 인쇄 기판 상의 선 폭 변동이 감소되도록 선택된 상이한 조명 특성을 갖춤 - 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제20항에 있어서,
    상기 1차원 광학 변환 소자로 들어가는 전자기 에너지의 부분 가간섭성을 변화시키는 표준형 광학 소자 - 상기 표준형 광학 소자는 복수의 상이한 조명 영역을 구비하며, 상기 상이한 조명 영역 각각은 인쇄 기파 상의 선 폭 변동이 감소되도록 선택된 상이한 조명 특성을 갖춤 - 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 개구의 형태는, 레티클 상의 대응하는 선 폭으로부터 웨이퍼의 감광성 기판 상에 형성된 인쇄 선 폭의 변동에 대한 검출 결과에 기초하여 조절되는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제20항에 있어서,
    상기 개구의 형태는 정적이며,
    상기 개구의 형태는 상기 개구 장치의 적어도 일부를 대체함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제20항에 있어서,
    상기 개구의 형태는 동적이며,
    상기 개구의 형태는 개구 제어 모듈을 사용하여 조절되는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제25항에 있어서,
    개방 루프 제어 시스템이 상기 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제25항에 있어서,
    폐쇄 루프 제어 시스템이 상기 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제20항에 있어서,
    상기 개구 장치는 조절 가능한 슬릿 장치인 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제20항에 있어서,
    상기 개구 장치의 상기 개구의 형태를 조절하는데 사용되는 미리 계산된 데이터를 저장하는 메모리를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
KR1020030025335A 2002-04-23 2003-04-22 조명기에서의 광의 각 분포를 필드 위치 함수로서변경함으로써 리소그래피 장치의 선 폭 제어를 개선하는시스템 및 방법 KR100733547B1 (ko)

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