KR100860328B1 - 4분의 1 파장의 리소그래피에서 초점심도를 향상시키는 모델 기반 스캐터링 바아 배치를 위한 방법, 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 및 장치 - Google Patents
4분의 1 파장의 리소그래피에서 초점심도를 향상시키는 모델 기반 스캐터링 바아 배치를 위한 방법, 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100860328B1 KR100860328B1 KR1020050077709A KR20050077709A KR100860328B1 KR 100860328 B1 KR100860328 B1 KR 100860328B1 KR 1020050077709 A KR1020050077709 A KR 1020050077709A KR 20050077709 A KR20050077709 A KR 20050077709A KR 100860328 B1 KR100860328 B1 KR 100860328B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- features
- assist
- feature
- interference
- determining
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims abstract description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 17
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- 238000004141 dimensional analysis Methods 0.000 description 9
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 3
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
- G03F7/70441—Optical proximity correction [OPC]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
광근접보정피처들을 구비한 마스크를 생성하는 방법이 개시된다. 본 방법은, (a) 기판 상에 묘화될 피처들을 구비한 원하는 타겟 패턴을 획득하는 단계; (b) 상기 마스크를 묘화할 때에 사용될 제1의 포커스 세팅을 결정하는 단계; (c) 상기 타겟 패턴 및 상기 제1의 포커스 세팅을 토대로, 제1의 간섭 맵을 결정하는 단계; (d) 상기 제1의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제1의 시딩 사이트를 결정하는 단계; (e) 상기 제1의 포커스 세팅에 대하여 사전정의된 양의 디포커스를 나타내는 제2의 포커스 세팅을 선택하는 단계; (f) 상기 타겟 패턴 및 상기 제2의 포커스 세팅을 토대로, 제2의 간섭 맵을 결정하는 단계; (g) 상기 제2의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 상기 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제2의 시딩 사이트를 결정하는 단계; 및 (h) 상기 제1의 시딩 사이트 및 상기 제2의 시딩 사이트 모두를 둘러싸는 형상을 갖는 어시스트 피처를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따라 마스크 패턴에 어시스트 피처들을 적용하는 방법을 예시한 예시적인 플로우차트이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 제1실시예의 프로세스에 따라 콘택 홀에 어시스트 피처들을 적용하는 예시를 도시한 도면이다.
도 3은 마스크 패턴 내에 어시스트 피처들을 배치시키기 위하여 앞선 프로세스를 이용한 결과의 예시를 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따라 어시스트 피처들을 성장시키는 방법을 예시한 예시적인 플로우차트이다.
도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 제2실시예의 프로세스에 따라 콘택 홀에 어시스트 피처들을 적용하는 예시를 도시한 도면이다.
도 6은 인접한 피처가 주어진 어시스트 피처의 성장을 실행할 수 있는 방법의 예시를 도시한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제3실시예에 따라 묘화될 피처들을 묘화 프로세스에 대해 약한 피처 또는 강한 피처로 정의하는 방법을 기술하는 플로우차트를 예시한 도면이다.
도 8a는 주어진 NA 및 조명 세팅에 대한 예시적인 부분 간섭 맵을 예시하고, 도 8b는 묘화 성능을 개선하도록 보정이 적용된 후의 동일한 부분 간섭 맵을 예시한 도면이다.
도 9는 개시된 개념들의 도움을 받아 디자인된 마스크를 사용하기에 적합한 예시적인 리소그래피 투영장치의 개략도이다.
본 특허 출원 및 그로부터 나온 여타의 특허(들)은, 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조되고 있는 2005년 8월 24일 출원된, "Method Of Model Based Scattering Bars For Enhanced Depth Of Focus In Quarter-Wavelength Lithography"라는 제목의 U.S. 가특허출원 제 60/603,560호를 우선권 주장한다.
본 발명의 기술분야는 일반적으로 OPC를 제공하고 전반적인 묘화 성능을 개선시키기 위하여 타겟 패턴 내에 어시스트 피처들을 생성 및 배치시키기 위한 방법, 프로그램물 및 장치에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 예를 들어, 집적회로(ICs)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 제조에 사용되는 마스크는 IC의 개별층에 대응하는 회로패턴을 포함하고, 이 패턴은 방사선감응재(레지스트)층으로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타 겟 노광 필드(예를 들어, 하나 이상의 다이로 구성) 상으로 묘화(image)될 수 있다. 일반적으로, 단일 웨이퍼는 투영시스템에 의해 한번에 하나씩 연속적으로 조사되는 인접한 타겟 노광 필드들의 전체적인 네트워크를 포함할 것이다. 일 형태의 리소그래피 투영장치에서, 타겟 노광 필드 상에 전체 마스크 패턴을 한번에 노광함으로써 각각의 타겟 노광 필드가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라 칭한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라 불리는 대안적인 장치에서, 투영빔하에서 주어진 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하면서, 상기 방향과 평행하게 또는 반평행하게 기판 테이블을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟 노광 필드가 조사된다. 일반적으로 투영시스템이 배율인자(Ｍ)(일반적으로<1)를 가지므로, 기판 테이블이 스캐닝되는 속도(Ｖ)는 마스크 테이블이 스캐닝되는 속도의 인자(Ｍ)배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피 장치에 관련된 추가 정보는 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택된 US 제6,046,792호로부터 얻을 수 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조 프로세스에서, 마스크 패턴은 적어도 부분적으로 방사선감응재(레지스트)층으로 도포된 기판상에 묘화된다. 이러한 묘화 단계(imaging step)에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 코팅, 소프트 베이크와 같은 다양한 절차를 거칠 수 있다. 노광 후에, 기판은 노광-후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 묘화된 피처(imaged feature)의 측정/검사와 같은 기타 절차를 거칠 수 있다. 이러한 일련의 절차는, 예를 들어 IC와 같은 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음, 이러한 패터닝된 층은 에칭, 이온주 입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은 개별층을 마무리하기 위한 다양한 프로세스를 거친다. 여러 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체 절차 또는 그 변형 절차가 반복되어져야만 할 것이다. 종국에는, 디바이스의 배열이 기판(웨이퍼)상에 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스가 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로 격리된 후에, 각각의 디바이스는 캐리어에 탑재되고, 핀 등에 접속될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위해, 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 수 있다. 하지만, 이 용어는 예를 들어, 굴절 광학기, 반사 광학기 및 카타디옵트릭 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한, 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어를 하기 위한 설계유형 중의 어느 하나에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이러한 구성요소들도 아래에서 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급될 수 있다. 또한, 상기 리소그래피 장치는 두개 이상의 기판 테이블 (및/또는 두개 이상의 마스크 테이블)을 구비하는 형태가 될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서, 추가적인 테이블들이 병행하여 사용될 수 있거나, 하나 이상의 다른 테이블들이 노광을 위하여 사용되고 있는 동안에 하나 이상의 테이블에서 준비단계가 수행될 수 있다. 트윈 스테이지 리소그래피 장치는 예를 들어, 본 명세서에서 참고자료로 채택된 US 제5,969,441호에 개시되어 있다.
상기 언급된 포토리소그래피 마스크는 실리콘 웨이퍼상으로 집적되는 회로 구성요소에 대응하는 기하학적인 패턴들을 포함한다. 이러한 마스크를 형성하는데 사용되는 상기 패턴들은, CAD(컴퓨터 지원 설계 : Computer-Aided Design) 프로그램을 사용하여 생성될 수 있고, 이 프로세스는 종종 EDA(전자설계 자동화 : Electronic Design Automation)로 언급된다. 대부분의 CAD 프로그램은 기능적인 마스크를 생성하기 위해 미리 결정된 설계규칙의 세트를 따른다. 이들 규칙은 처리 및 설계 제한에 의해 설정된다. 예를 들어, 설계규칙들은, 회로 디바이스들(게이트들, 캐패시터들 등과 같은) 또는 상호접속 라인들 사이의 간격 허용오차를 정의하여, 상기 회로 디바이스들 또는 라인들이 바람직하지 않은 방식으로 서로 상호 작용하지 않도록 한다. 통상적으로, 상기 설계규칙 제한을 "임계치수"(CD : Critical Dimensions)로 칭한다. 회로의 임계치수는 라인의 최소폭 또는 두개의 라인들 사이의 최소간격으로 정의될 수 있다. 따라서, 상기 CD는 설계된 회로의 전체적인 크기 및 밀도를 결정한다.
레지스트 및 궁극적으로는 현상된 디바이스 상으로 투영되는 이미지를 개선시키기 위하여 마스크들에 "어시스트 피처들"이 사용될 수도 있다. 레지스트에서 현상된 패턴에는 나타나지 않도록 되어 있지만 마스크에는 제공되는 어시스트 피처들은, 현상된 이미지가 원하는 회로 패턴에 보다 근접하게 닮도록 회절 효과들의 장점을 가지는 것을 특징으로 한다. 어시스트 피처들은 일반적으로 "서브-분해능" 또는 "딥 서브-분해능"인데, 이는 그들이 실제로 웨이퍼 상에서 분해되는 마스크 내의 가장 작은 피처보다 적어도 하나의 디멘전으로 보다 작다는 것을 의미한다. 어시스트 피처들은 임계치수의 비율(fractions)로서 정의된 치수를 가질 수 있다. 다시 말해, 마스크 패턴은 일반적으로 1 보다 작은 배율로, 예컨대 1/4 또는 1/5로 투영되기 때문에, 마스크 상의 어시스트 피처는 웨이퍼 상의 가장 작은 피처보다 큰 물리적인 크기를 가질 수 있다.
물론, 집적회로 제조에서의 여러 목적 중의 하나는, (마스크를 통해) 웨이퍼 상에 원래의 회로 디자인을 정확하게 재현하는 것으로, 이는 어시스트 피처들의 사용으로 개선된다. 이들 어시스트 피처들의 배치는 일반적으로 사전-정의된 세트의 규칙들을 따른다. 이 방법을 따르면, 디자이너들은 예컨대 한 라인을 바이어싱하는 방법을 결정하고, 어시스트 피처들의 배치는 한 세트의 사전설정된 규칙들에 따라 결정된다. 상기 한 세트의 규칙들을 생성하는 경우, 테스트 마스크들은 상이한 조명 세팅들 및 NA 세팅들에 노광되고, 이는 반복된다. 상기 테스트 마스크들의 세트를 토대로, 한 세트의 규칙들이 어시스트 피처 배치를 위해 생성된다.
하지만, 이들 규칙들은 1차원 분석 또는 1과 1/2차원 분석(a one-and-a-half-dimensional analysis)을 토대로 생성된다. 1차원 분석을 이용하여 생성된 규칙들은 평행한 라인들의 분석을 기초로 한다. 1과 1/2차원 분석을 이용하여 생성된 규칙들은 2개의 평행한 라인들 사이의 간격, 라인 폭 및 평행한 라인들 부근의 라인들을 고려한다. 상기 1과 1/2차원 접근법은 종종 평행한 라인들 사이의 균일하지 않은 피치에 유용하다. 보다 많은 인자들을 고려할 수록, 상기 규칙들이 보다 복잡해진다는 사실은 명백하다.
규칙-기반 접근법은 그 자체로, 2차원 분석이 선호되는 복잡한 디자인들에 순응하지 못한다. 2차원 분석은 1차원 분석 및 1과 1/2차원 분석에서 고려되는 모든 인자들을 기초로 하지만, 또한 주변(surroundings)의 완전 분석, 즉 전체 디자인 레이아웃 또는 여타 부분의 분석을 기초로 한다. 그 결과, 2차원 분석에 기초한 규칙들은 공식 및 식으로 표현하기가 매우 어렵고, 일반적으로 매우 복잡한 다차원 매트릭스를 유도한다. 설계자들은 종종 1차원 또는 1과 1/2차원 접근법을 사용하는 것을 선호한다.
출원 계속 중인, 즉 본 명세서에서 그 전문이 인용 참조되고 있는, 2004년 1월 14일에 출원된 USP 출원 일련번호 제 10/756,830호에서, 출원인들은 묘화될 피처들의 주변의 완전 분석을 고려하는 어시스트 피처들을 생성하는 간단한 방법을 개시하였다. 보다 상세하게는, 출원인들은 어시스트 피처들 또는 스캐터링 바아(SB)들을 마스크 디자인 내에 배치시키기 위한 곳을 정의하는 "시딩(seeding)" 사이트들을 식별하기 위하여 간섭 맵을 이용하는 방법을 개시하였다. 상기 방법은 풀-칩 데이터 처리를 위한 신뢰할 만한 SB의 생성을 참작하는 한편, 간섭 맵을 생성할 때에 사용되는 리소그래피 프린팅 성능은 최고의 포커스 세팅이라고 가정된다.
하지만, 45nm 및 32nm 기술 노드들과 같은 조명 파장(λ)의 1/3을 넘는 (하프 피처 피치로 표현된) IC 디자인 규칙들에 있어서는, 종래의 광학기(개구수, 또는 NA<1)가 리소그래피 제조에 있어서 충분한 분해능 및 원하는 초점심도(DOF)를 더 이상 달성할 수 없다. 하이퍼 NA 광학기(즉, NA>1) 또는 개구수가 1.0보다 큰 노광 툴에서의 렌즈들이 IC 제조에 제안되어 왔다. 이론상, 하이퍼 NA는, 프린팅 매체가 공기(1.0 정도의 굴절률 n을 가짐) 하에 있지 않고 공기보다 큰 굴절률 n(n>1.0)을 갖는 물과 같은 매질 하에 있는 경우 성취될 수 있다.
하이퍼 NA를 갖는 침지 리소그래피를 이용하면, 다음과 같은 수학식을 통해, 조명 파장의 1/4에서 피처들의 프린팅이 가능하다:
k1~0.3을 가정하면, 광근접보정(OPC), 193nm 노광 파장, 물(193nm에서 n=1.43)에 의한 침지, NA=1.2와 함께 위상-시프트 마스크(PSM)를 이용하여 성취가능하고, 이론적으로는 하프 피치 피처 CD~33nm를 프린트하는 것도 가능하다. 상응하는 DOF는 다음과 같이 계산될 수 있다:
동일한 프린팅 조건이 주어지면, 라인 및 공간을 프린트하기 위해 통상적으로 k2~1.0이 가정되고, 예상되는 이론적인 DOF는 190nm 정도 또는 0.2㎛ 보다 작다. 이는 진보된 기계적 웨이퍼 스테이지에 의한 초점평면 레벨링 능력의 관점에서 볼 때 적절하지 않다.
콘택 홀 마스크를 프린트하기 위하여, 통상적인 k2는 라인 및 공간을 프린트하기 위해 성취가능한 것의 1/2일 수도 있다. k2~0.5에서, 추정된 DOF는 0.1㎛ 보다 크지 않으며, 이는 좋지 않다. 선형 편광 조명을 사용하면 k2를 개선시킬 수도 있는데, 이는 라인 및 공간과 같은 방향성 1D 피처들에 대한 에어리얼 이미지 콘트라스 트를 향상시킬 수 있기 때문이다. 하지만, 콘택 홀 패턴들은 다소 2D 구조 타입이다.
따라서, 피처들의 원하는 임계치수(CD)가 계속 감소됨에 따라, 실제 제조 프로세스에서는 이러한 감소된 CD들을 갖는 피처들의 프린팅을 허용하기 위하여 DOF의 저하를 방지할 필요가 있다.
상기 관점에서, 본 명세서의 목적은, 상술된 문제점들을 해결하고 DOF를 향상시키기 위하여 마스크 디자인 내에 SB들의 형상 및 배치를 최적화하는 방법을 제공하는 것이다.
보다 상세하게는, 본 발명은 DOF 성능을 최적화하기 위한 방식으로 광근접보정피처들이 그 안에 배치된 마스크를 생성하는 방법에 관한 것이다. 상기 방법은, (a) 기판 상에 묘화될 피처들을 구비한 원하는 타겟 패턴을 획득하는 단계; (b) 상기 마스크를 묘화할 때에 사용될 제1의 포커스 세팅을 결정하는 단계; (c) 상기 타겟 패턴 및 상기 제1의 포커스 세팅을 토대로, 제1의 간섭 맵을 결정하는 단계; (d) 상기 제1의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제1의 시딩 사이트를 결정하는 단계; (e) 상기 제1의 포커스 세팅에 대하여 사전정의된 양의 디포커스를 나타내는 제2의 포커스 세팅을 선택하는 단계; (f) 상기 타겟 패턴 및 상기 제2의 포커스 세팅을 토대로, 제2의 간섭 맵을 결정하는 단계; (g) 상기 제2의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 상기 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제2의 시딩 사이트를 결정하는 단계; 및 (h) 상기 제1의 시딩 사이트 및 상기 제2의 시딩 사이트 모두를 둘러싸는 형상을 갖는 어시스트 피처를 생성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 방법은 종래 기술에 비해 중요한 장점들을 제공한다. 보다 중요하게는, 본 발명은 묘화 시스템의 파장의 1/4 정도의 치수를 갖는 피처들을 묘화할 때에도 결과적인 초점심도를 향상시키는 OPC 어시스트 피처 배치 기술을 제공한다.
더욱이, 본 발명은 디자인 내에 어시스트 피처들을 배치시키기 위한 곳을 결정하기 위한 모델-기반 방법을 제공함으로써, OPC를 수행하기 위한 숙련된 마스크 디자이너들이 필요 없을 뿐만 아니라, 허용가능한 OPC 솔루션을 결정하는데 필요한 시간을 실질적으로 줄일 수도 있다.
본 발명의 또 다른 장점은, 어시스트 피처들의 최적(즉, 최대) 크기를 결정하기 위한 모델-기반 시스템을 제공함으로써, 결과적인 OPC 성능을 더욱 향상시킬 수 있다.
또 다른 장점에 있어서, 본 발명은 묘화될 타겟 패턴의 피처들 각각이 디자인 톨러런스(tolerance) 내에 용이하게 프린트될 "강한(strong)" 피처인지의 여부, 또는 그들이 디자인 톨러런스로 프린트하기 위해 추가 OPC 처리를 요구하기 쉬운 "약한(weak)" 피처들인지의 여부를 식별하기 위한 간단한 방법을 제공한다.
본 발명의 추가 장점들은 당업계의 당업자에게는 본 발명의 예시적인 실시예들의 후술하는 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
비록 본 명세서에서는 본 발명을 사용함에 있어 IC의 제조에 대해서만 특정 하여 언급하였으나, 이러한 장치가 여러 다른 응용례를 가지고 있음은 명백히 이해될 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학 시스템, 자기영역 메모리용 유도 및 검출 패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 사용될 수 있다. 당업자라면, 전술한 기타 응용분야들을 고려할 때, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어가 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 각각 대체되는 것으로 간주되어야 함을 이해할 것이다.
본 발명 자체는, 추가 목적 및 장점들과 함께, 아래의 상세한 설명 및 첨부 도면들을 참조하여 보다 잘 이해할 수 있다.
보다 상세히 후술되겠지만, 본 발명의 OPC SB 배치 기술은 묘화시스템의 파장의 1/4 정도의 치수를 갖는 묘화 피처들을 묘화하는 경우에도 그에 따른 초점심도를 향상시키도록 운용된다. 본 발명을 요약하기 위하여, 단일 초점 평면을 기초로 하는 어시스트 피처(SB)들의 배치를 결정하는 대신에, 본 발명의 프로세스는 다중 초점 평면들(즉, 다중 디포커스 세팅들)을 기초로 하는 최적의 어시스트 피처 배치를 결정한다. 각각의 후속하는 디-포커스 세팅을 위한 최적의 어시스트 피처 배치 사이트(시딩 사이트라고 칭하기도 함)는 이전 것과는 약간 상이하다는 것이 판정되어 왔다. 광학 간섭 범위내에서 이웃하는 피처 또는 주변 환경의 배치 및 형상과 조명에 따라, 일련의 디포커스 세팅하에 결정될 경우 어시스트 피처에 대한 최적의 시딩 사이트가 "이동한다". 각각의 대응되는 어시스트 피처 시딩 사이트에서, 주어진 시딩 사이트에서의 어시스트 피처의 배치는 특정 디포커스 세팅에 대한 최적의 프린팅 성능을 생성한다. 이와 같이, 전체 DOF를 강화시키기 위해서는, 시딩 사이트들 모두에 어시스트 피처들을 배치시킬 필요가 있다. 이는, 다양한 디포커스 세팅들에 대해 결정되는 일련의 최적의 시딩 사이트들을 트레이싱한 다음, 시딩 사이트 모두를 포괄하는 최종 어시스트 피처 구조체를 형성하도록 시딩 사이트들을 함께 그룹핑함으로써 달성될 수 있다. 그 결과로 생성된 단일 어시스트 피처는 묘화시스템에 대한 DOF 성능을 최적화하도록 하는 역할을 한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 마스크 패턴에 어시스트 피처를 적용하는 방법을 나타낸 예시적인 플로우차트이다. 이 프로세스에서의 제1단계(단계 10)는 패턴을 묘화하는데 활용될 세팅들과 조명시스템 및 타겟 마스크 패턴을 식별하는 것이다. 콘택 홀(210)들을 포함하는 예시적인 타겟 패턴이 도 2a에 도시되어 있다. 상기 프로세스의 다음 단계(단계 12)는 주어진 묘화시스템을 활용하는 타겟 패턴을 묘화하기 위한 최적의 포커스 세팅을 결정하는 것이다. 알려져 있는 바와 같이, 최적의 포커스 세팅은 캘리브레이션 또는 시뮬레이션 프로세스에 의해 결정될 수 있다. 상기 프로세스의 다음 단계(단계 14)는 최적의 포커스 세팅을 활용하는 타겟 패턴에 대한 간섭 맵(IM)을 생성시키는 것이다. 상술된 바와 같이, 간섭 맵은 USP 출원 일련번호 제 10/756,830호에 개시된 방식으로 생성될 수 있다. 간섭 맵이 생성되면, 그것은 주어진 포커스 세팅에 대해 타겟 패턴에서 피처들 각각에 대한 어시스트 피처들을 위한 최적의 시딩 사이트들을 결정하는(단계 16)데 활용된다. 도 2b를 참조하면, 콘택 홀 "x"에 대해, 최적의 초점 조건에서의 어시스트 피처에 대한 최적의 시딩 사이트는 (상술된 바와 같이 간섭 맵을 분석함으로써 결정되는) 위치 "1"로 나타낸다. 도 2b에 나타낸 예시는 단일 콘택 홀에 적용되는 앞선 프로세스만을 나타내고 있으나, 실제 구현상황에서는 어시스트 피처들이 수많은 콘택 홀들에 인접하여 배치될 수 있다는데 유의해야 한다.
계속해서, 상기 프로세스의 다음 단계는, 디포커스 세팅을 변화시키고, 새로운 디포커스 세팅을 위한 간섭 맵을 재연산(recompute)하며, 새로운 디포커스 세팅에 대한 어시스트 피처를 위한 최적의 시딩 사이트들을 결정하는 것이다. 통상적으로, 결과적으로 나타나는 간섭 맵은 디포커스 세팅 변화에 따라 변화할 것이며, 그러므로, 어시스트 피처의 최적의 배치는 디포커스 세팅 변화에 따라 변화한다. 간섭 맵이 계산되어야 하는 디포커스 세팅의 수는 최소 2이다. 하지만, 보다 많은 수의 디포커스 세팅이 고려된다면, 보다 나은 결과가 얻어질 수도 있다. 통상적으로, 3 또는 4개의 디포커스 세팅들이 적절한 것으로 고려된다. 디포커스 세팅간의 변동은, 예를 들어 활용되는 묘화시스템의 NA에 따라 결정된다. 일 예시로서, 0.85의 NA를 가정하면, 디포커스 조정에 대해 0.2㎛의 증분이 보통이다. 0.93의 NA를 가정하면, 0.15㎛의 증분이 통상적이다. 상술한 수들은 예시에 불과한 것으로 제한의 의도는 없다는데 유의해야 한다.
상술한 프로세스는 도 1의 단계 18 및 20에 나타나 있다. 특히, 어시스트 피처들에 대한 최적의 시딩 사이트들이 최상의 초점 조건을 위해 결정되고 나면, 상기 프로세스는, 또 다른 디포커스 세팅을 위해 간섭 맵이 생성될 필요가 있는 경우 결정되는 단계 18로 진행한다. 결과가 yes라면, 상기 프로세스는, 디포커스 세팅이 조정되는 단계 20으로 진행하고, 새로운 디포커스 세팅을 활용하여 간섭 맵이 재연 산되는 단계 14로 다시 진행한다. 그 다음, 상기 프로세스는, 새로운 디포커스 세팅에 대한 어시스트 피처들에 대한 최적의 시딩 사이트들이 결정되는 단계 16으로 다시 진행한다. 이 루프는 디포커스 세팅 모두가 처리될 때까지 반복된다.
도 2b를 다시 참조하면, 상술한 프로세스의 결과가 그 안에 나타난다. 특히, 주어진 예시에서는, 상술된 바와 같이 위치 "1"은 최상의 초점(즉, 디포커스는 0㎛)에서 콘택 "X"에 대한 어시스트 피처를 위한 시딩 사이트를 나타낸다. 위치 "2"는 제1디포커스(즉, 디포커스는 0.075㎛)에서 콘택 "X"에 대한 어시스트 피처를 위한 시딩 사이트를 나타낸다. 위치 "3"은 제2디포커스(즉, 디포커스는 0.150㎛)에서 콘택 "X"에 대한 어시스트 피처를 위한 시딩 사이트를 나타낸다. 위치 "4"는 제3디포커스(즉, 디포커스는 0.225㎛)에서 콘택 "X"에 대한 어시스트 피처를 위한 시딩 사이트를 나타낸다.
숙고 하에 디포커스 조건들에 대한 시딩 사이트들이 결정되면, 상기 프로세스의 다음 단계(단계 22)는 디포커스 조건들 각각에 대해 식별되는 시딩 사이트들 각각을 포괄하는 어시스트 피처를 형성하는 것이다. 이 결과의 어시스트 피처는 실제 마스크 디자인에서 활용될 어시스트 피처를 나타낸다. 도 2c를 참조하면, 주어진 실시예에서, 어시스트 피처는 상술한 프로세스에서 식별된 각각의 시딩 사이트 주위에 작은 정방형 어시스트 피처(220)들을 형성시킴으로써 생성된다. 상기 작은 정방형 어시스트 피처(220)들은 도 2d에 나타낸 바와 같이 하나의 어시스트 피처(230)를 형성하기 위해 함께 그룹핑된다. 디포커스 세팅들을 변화시키는 경우에 증분들이 보다 작을수록, 결과적으로 나타나는 어시스트 피처는 계단(stair-step) 형상을 덜 나타낼 것이라는데 유의해야 한다. 또한, 주어진 실시예가 정방형 피처들의 그룹에 의해 형성되는 어시스트 피처를 예시하고 있으나, 최종 어시스트 피처를 형성하는데에는 어떠한 타입의 형상도 활용할 수 있는데, 시딩 사이트들 모두는 어시스트 피처로 둘러싸여야(encompassed) 하며 어시스트 피처는 서브-분해능을 유지해야 한다는 제약이 있다는데 유의해야 한다.
도 3은 마스크 패턴내에 어시스트 피처를 배치시키기 위해 상술한 프로세스를 활용한 결과의 실제 예시를 나타내고 있다. 도 3을 참조하면, 요소(320)들은 상술된 방식으로 시딩 사이트들의 그룹을 둘러싸도록 형성된 SB(즉, 어시스트 피처)를 나타내고, 요소(340)들은 의도된 콘택 홀들을 나타내며, 요소(360)들은 OPC로 수정/처리된 의도된 콘택 홀을 나타낸다.
끝으로, 미국특허 출원 일련번호 제 10/756,830호에 개시된 바와 같이, 보강 간섭 영역 또는 상쇄 간섭 영역들 중 하나 또는 둘 모두에 어시스트 피처들을 배치시킬 수 있다. 상쇄 간섭 영역에서의 어시스트 피처들의 배치를 위해, 어시스트 피처는 묘화될 콘택 홀에 대해 동일한 위상을 갖도록 형성되는 반면, 상쇄 간섭 영역에서의 어시스트 피처들의 배치를 위해서는, 어시스트 피처들이 묘화될 콘택 홀에 대해 π-위상 시프트를 갖도록 형성된다. 도 3에는 두 타입 모두의 어시스트 피처들이 도시되어 있다.
본 발명의 제2실시예에서는, 타겟 패턴에 배치된 어시스트 피처들의 크기 및 형상을 최적화시키기 위한 프로세스가 개시되어 있다. 알려져 있는 바와 같이, 최대로 뛰어난 어시스트 피처의 성능을 위해서는 가능한 큰 어시스트 피처를 형성시키는 것이 바람직하다. 더욱이, 보다 큰 어시스트 피처는 마스크 제조 프로세스를 보다 용이하게 한다. 하지만, 상술된 바와 같이, 어시스트 피처는 CD 타겟 피처들 에 대한 공칭 프린팅 조건들하에서는 프린팅가능하지 않아야 한다. 공지된 종래 기술의 방법들은, 사전정의되는 경우 X & Y 크기를 제한하는 어시스트 피처의 크기를 정하는데 통상적으로 전통적 규칙-기반 접근법을 활용한다. 이러한 접근법들은 효과적이나, 특히 도 3에 도시된 것과 같은 매우 불규칙한 형상을 갖는 어시스트 피처들을 생성시킬 수 있는, 상술된 어시스트 피처 생성 방법을 활용하는 경우, 광학 네이버(neighbor)들에 따라 어시스트 피처의 X 및 Y 크기를 조율할 수 있도록 하는 것이 더욱 바람직하다. 실제로는, 본 발명의 어시스트 피처 생성 방법을 활용하는 경우, 어시스트 피처들에 대한 X 및 Y의 크기 한계를 정하는 사전설정된 규칙들을 사용하는 것은 매우 어렵다.
본 발명의 제2실시예에 따르면, 타겟 패턴내에서 어시스트 피처들의 크기 및 형상을 최대화시키는 모델-기반 방법이 개시되어 있다. 보다 특별하게는, 에어리얼 이미지 분석을 활용하여 어시스트 피처가 사전정의된 임계치에 이를때까지 성장되며, 이는 주어진 묘화시스템 및 활용되는 프로세스에 대한 프린팅 임계치보다 몇 퍼센트 작다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따라 어시스트 피처들을 성장시키는 방법을 나타낸 예시적 플로우차트를 도시하고 있다. 이 프로세스의 제1단계(단계 410)는 활용될 조명시스템 및 타겟 패턴을 정의하는 것이다. 상기 프로세스의 다음 단계(단계 420)는 묘화될 피처들에 대한 어시스트 피처들에 대하여 최적의 시딩 사이트들을 결정하는 것이다. 단계 420은 상술된 본 발명의 제1실시예에 개시된 프로세스를 활용하여 수행될 수 있다. 하지만, 단계 420은 미국특허 출원 일련번호 제 10/756,830호에 개시된 시딩 사이트 식별 프로세스를 활용하여 수행될 수 있다는데 유의해야 한다. 시딩 사이트들이 식별되고 나면, 어시스트 피처들이 사전정의된 임계치 아래의 크기를 갖도록, 시딩 사이트들 주위에 어시스트 피처를 형성시키기 위해 다음 단계(단계 430)가 수행된다.
사전정의된 임계치는 어시스트 피처가 웨이퍼상에서 묘화되지 않도록 하기 위해 어떠한 어시스트 피처도 가질 수 있는 최대 세기를 나타낸다는데 유의해야 한다. 통상적으로는, 상술된 바와 같이, 사전정의된 임계치는 타겟 피처의 CD에 대한 프린팅 임계치의 몇 퍼센트 아래로 설정된다. 예를 들어, CD 타겟 피처에 대한 공칭 프린팅 임계치가 (오픈-프레임 노광 세기에 대해) 0.3이라면, 어시스트 피처들에 대한 최대 세기(즉, 사전 설정된 임계치)는 프린팅 임계치 아래인 0.15로 설정될 수 있다. 당업자들이라면 이해할 수 있듯이, 이 프로세스에서 활용되는 사전정의된 임계치는 활용되는 묘화시스템 및 묘화될 피처들의 크기에 종속적이다.
계속해서, 단계 430이 완료된 후에, 어시스트 피처들은 시딩 사이트들에 대해 위치되고, 어시스트 피처들의 크기는 사전정의된 임계치보다 작은 대응 이미지 세기를 초래하는 초기의 크기를 갖도록 형성된다. 어시스트 피처들의 이미지 세기는 ASML MaskTools사가 판매하고 있는 MaskWeaverTM과 같은 공지된 OPC 시뮬레이션 시스템을 활용하여 결정될 수 있다는데 유의해야 한다.
상기 프로세스의 다음 단계(단계 440)는, 제1어시스트 피처를 선택하고 주어진 어시스트 피처의 이미지 세기가 사전정의된 임계치에 이를때까지 어시스트 피처 의 크기를 증대시키는 것이다. 사전정의된 임계치와 동일한 이미지 세기에 대응되는 주어진 어시스트 피처의 크기는 마스크에서 활용될 주어진 어시스트 피처의 크기를 정의한다. 제1어시스트 피처의 최대 크기가 결정되면, 상기 프로세스는 다음 어시스트 피처로 진행하고, 이 어시스트 피처와 연관된 이미지 세기가 사전설정된 임계치와 동일해질 때까지 이 어시스트 피처의 크기를 증대시킨다. 이 프로세스는 단계 430에서 마스크 패턴에 배치되는 어시스트 피처들 모두가 처리될 때까지 계속된다. 이 루프는 도 4에 나타낸 바와 같이 단계 440, 450 및 460에 의해 나타나 있다. 보다 민감한(즉 프린팅하기에 쉬운) 어시스트 피처들은, 덜 민감한 어시스트 피처들보다 빨리 사전정의된 세기에 이를 것이고, 따라서 최종 마스크 패턴에서 덜 민감한 어시스트 치터들에 대해 보다 작은 크기를 가질 것이라는데 유의해야 한다.
주어진 실시예에서, 어시스트 피처들은 다음의 프로세스를 이용하여 크기가 증대된다. 우선, 어시스트 피처들의 크기는 X 방향으로 증대되고 이미지의 세기가 모니터링된다. 상술된 바와 같이, 주어진 어시스트 피처의 이미지 세기는 OPC 시뮬레이션 소프트웨어를 활용하여 모니터링될 수 있다. 그 크기는 X-한계에 도달될 때까지 X-방향으로 증대된다. 일단 X-한계에 도달하게 되면, 어시스트 피처는 Y-방향으로 증대된다. 이와 유사하게, 어시스트 피처들의 크기는 Y-한계에 도달할 때까지 Y-방향으로 증대된다. 서브-분해능 요건에 더하여, X-한계 및 Y-한계는 또한 타겟 패턴과 서브-분해능 어시스트 피처 사이에 필요한 최소 거리와 디자인 내의 타겟 패턴 사이의 공간의 양에 의한 지배를 받는다. 상술된 바와 같이, 그 목적은 X-방향 및 Y-방향 모두를 최대화시키는 것이지만, 전체 어시스트 피처의 크기 및 형상이 사전정의된 임계치 한계를 초과하는 세기를 생성하도록 하지는 않는다. 또한, 상술한 예시는 먼저 X-방향으로 성장한 다음 Y-방향으로 성장되는 어시스트 피처를 예시하고 있으나, 본 발명은 이러한 프로세스로만 제한되는 것은 아니다. 상술한 것의 변형례로서, 어시스트 피처를 Y-방향으로 먼저 성장시키고, 이어서 X-방향으로 성장시키는 것도 가능하며, 또는 대안적으로는 어시스트 피처의 X 및 Y의 크기 모두를 동시에 성장시킬 수도 있다.
도 5a-5d는 어시스트 피처들을 성장시키는 상술한 프로세스를 예시하고 있다. 보다 특별하게는, 도 5a는, 어시스트 피처들이 (단계 410에 대응되는) 묘화를 개선시키도록 생성될 예시적인 콘택 홀(510)을 예시하고 있다. 도 5b는 상술된 방식(단계 420)으로 간섭 맵으로부터 결정되는 어시스트 피처들의 배치를 위한 시딩 사이트(520)를 예시하고 있다. 도 5c는 상기 시딩 사이트(단계 430) 주위에 배치되는 초기 어시스트 피처(540)를 예시하고 있다. 도 5d는 허용가능한 최대 크기까지 성장되는 어시스트 피처들을 예시하고 있다.
도 6은 인접한 피처들이 주어진 어시스트 피처의 성장에 어떠한 영향(이 경우에는 한계)을 미치는지를 예시하고 있다. 주어진 예시에서는, 도 5a에 도시된 패턴에 제2콘택 홀(610)이 부가된다. 제2콘택 홀(610)의 결과로서, 제1콘택 홀(510)과 제2콘택 홀(610) 사이에 배치되는 어시스트 피처(620)의 성장이 제한된다.
본 발명의 제3실시예에서는, 타겟 패턴에 주어진 피처들이 묘화 성능에 대해 강하거나 약한 피처들을 나타내는지의 여부를 결정하는데 간섭 맵이 활용된다. 보다 특별하게는, 상기 마스크내의 피처들의 위치에서의 간섭의 세기를 결정하기 위해 간섭 맵이 분석된다. 높은 레벨의 간섭을 갖는 위치에 배치된 피처들은 쉽게 묘화될 강한 피처들이 고려된다. 대안적으로는, 저감된 레벨의 간섭을 나타내는 위치 에 배치된 피처들은 허용불가능한 묘화 결과를 나타낼 수도 있다. 일단 정의되면, 후술되는 바와 같이, 약한 피처들의 허용가능한 프린팅을 가능하게 하기 위한 추가적인 단계들이 취해질 수 있다.
도 7은 묘화 프로세스에 대해 약한 피처 또는 강한 피처로서 묘화될 피처들을 정의하는 방법들을 나타낸 플로우차트를 예시하고 있다. 제1단계(단계 710)는 활용될 조명시스템 및 타겟 패턴을 정의하는 것이다. 이 프로세스의 다음 단계(단계 720)는 활용될 프로세스 및 조명시스템을 기초로 하는 타겟 패턴에 대한 간섭 맵을 생성시키는 것이다. 그 후, 상기 간섭 맵이 활용되어 각각의 피처 위치에서의 간섭의 크기를 결정한다(단계 730). 다음 단계(단계 740)에서는, 묘화될 각각의 피처가, 주어진 피처 위치에서의 간섭의 크기가 사전정의된 간섭값을 상회하는지 또는 밑도는지의 여부를 토대로 약한 피처나 강한 피처 중 어느 하나로서 정의된다. 사전정의된 간섭값보다 큰 간섭의 크기를 갖는 이들 피처들은 강한 피처(그리고 쉽게 프린팅되는 피처를 나타냄)로서 정의되는 한편, 사전정의된 간섭값보다 작은 간섭 크기를 갖는 피처들은 약한 피처(프린팅이 어려운 피처들을 나타냄)로서 정의된다. 피처가 강한 간섭 피처인지 또는 약한 간섭 피처인지의 여부를 정의하는데 활용되는 사전설정된 간섭값은 프로세스 윈도우 시뮬레이션을 활용하여 결정될 수 있다는데 유의해야 한다. 예를 들어, 타겟 패턴의 간섭 맵을 가정할 때, ASML MaskTools사가 판매하는 LithoCruiserTM과 같은 시뮬레이션 프로그램을 활용하면 (간섭의 크기가 1.0으로 정규화된) 피처 위치에서 1.0 내지 0.7까지의 범위를 갖는 간섭의 크기를 보여준다. 0.8보다 큰 간섭 크기를 갖는 모든 피처들은 톨러런스내에서 잘 프린팅될 것인지, 그리고 0.8 아래의 간섭의 크기를 갖는 피처들이 나타날 수도 있는지를 결정할 수 있다. 이와 같이, 0.8보다 큰 간섭의 크기를 갖는 피처들은 강한 피처들로서 정의되고, 0.8보다 아래의 간섭의 크기를 갖는 피처들은 약한 피처로서 정의된다.
피처들이 정의되고 나면, 약한 피처들이 프로세스 공차 요건들내에서 프린팅될 수 있도록 하기 위한 추가적인 방책들이 취해질 수 있다(단계 750). 이러한 추가적인 방책들은, 조명 및 NA 세팅을 조정하는 것; 타겟 패턴내에서 약한 피처들의 위치 및/또는 형상을 변화시키는 것; 또는 약한 피처 및 강한 피처들을 2개의 개별 노광 마스크들로 분리시키는 것을 포함하나, 이들로 제한되지는 않는다. 상술한 조정들 중 어느 것이 수행된 후에는, 약한 피처들 모두가 제거되었는지를 결정하기 위해 도 7에서 상술한 프로세스가 반복될 수 있다.
도 8a 및 8b는 약한 피처 및 강한 피처를 식별하는 간섭 맵의 사용에 대해 예시하고 있다. 특히, 도 8a는 주어진 NA 및 조명 세팅에 대한 부분적인 간섭 맵을 예시하고 있다. 도시된 바와 같이, 2개의 외측 피처들(810,820)은 쉽게 묘화될 강한 피처들이고, 중간 피처(830)는 2개의 외측 피처들에 비해 약한 피처이다. 이와 같이, 중간 피처는 적절히 묘화되지 않을 수도 있다. 상술된 조정들 중 하는 수행함으로써, 도 8b에 도시된 바와 같이 중간 피처가 강한 피처가 되도록, 중간 피처의 간섭의 크기를 높이는 것이 가능하다.
도 9는 본 발명의 도움으로 디자인된 마스크에 사용하기 적절한 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
- 방사선의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(이러한 특수한 경우 방사선시스템은 방사선소스(LA)도 포함한다);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 지지하는 마스크 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트코팅된 실리콘웨이퍼)을 유지하는 기판 홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1 이상의 다이를 포함)상으로 마스크(MA)의 조사된 부분을 묘화시키는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 굴절형, 카톱트릭 또는 카타디옵트릭 광학시스템)을 포함한다.
묘사된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과마스크를 구비한) 투과형으로 구성된다. 하지만, 일반적으로 상기 장치는 (예를 들어, 반사마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 마스크의 사용의 대안례로서 또 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다; 그 예로서는 프로그램가능한 거울 어레이 또는 LCD 매트릭스가 있다.
상기 소스(LA)(예를 들어, 수은 램프 또는 엑시머 레이저)는 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 또는, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝수단을 거친 다음에 조명시스템(일루미네이터)(IL)으로 들어간다. 상기 일루미네이터(IL)는 빔내의 세기분포의 외측반경 및/또는 내측반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한, 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함한다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기분포를 갖게 된다.
도 9와 관련하여, 상기 소스(LA)는 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(흔히 방사선 소스(LA)가 예를 들어 수은램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔은 (가령, 적절한 지향거울에 의해) 장치내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 흔히 방사선 소스(LA)가 (예를 들어, KrF, ArF 또는 F2 레이징에 기초한) 엑시머 레이저인 경우이다. 본 발명은 적어도 이들 시나리오들을 모두 포괄한다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 위에 초점이 맞추어진다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로, 대물테이블(MT, WT)의 이동은 도 11에 명확히 도시되지는 않았지만, 장-행정모듈(long stroke module)(개략위치설정) 및 단-행정모듈(미세위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 툴과는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 단지 짧은 행정모듈에만 연결될 수도 있고 또는 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
- 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C) 상으로 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
- 스캔 모드에서는, 주어진 타겟부(C)가 단일 "섬광"에 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 1/5)이다. 이러한 방식으로, 분해능을 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
추가적으로, 개시된 개념들을 수행하는데 소프트웨어가 구현되거나 도움을 줄 수도 있다. 컴퓨터 시스템의 소프트웨어 기능성들은, 실행가능한 코드를 포함하는 프로그래밍을 수반하는데, 이는 상술된 묘화 모델을 구현하는데 사용될 수 있다. 소프트웨어 코드는 범용 컴퓨터에 의해 실행될 수 있다. 작동시, 상기 코드 및 아마도 그와 관련된 데이터 기록은 범용 컴퓨터 플랫폼내에 저장된다. 하지만, 그 이외의 시간에는, 상기 소프트웨어는 다른 로케이션에 저장되고 및/또는 적절한 범용 컴퓨터 시스템으로의 로딩을 위해 전달될 수 있다. 그러므로, 상술된 실시예들은 1 이상의 기계-판독가능 매체에 의해 수행되는 코드의 1 이상의 모듈의 형식으로 1 이상의 소프트웨어 제품과 관련된다. 컴퓨터 시스템의 프로세서에 의한 이러한 코드의 실행은 기본적으로 본 명세서에서 서술되고 예시된 실시예들로 수행되는 방식으로, 플랫폼이 카탈로그 및/또는 소프트웨어 다운로딩 기능을 구현할 수 있게 한다.
본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 컴퓨터 또는 기계 "판독가능 매체"라는 용어는, 실행을 위해 프로세서에 명령어를 제공하는데 관여한 여하한의 매체를 지칭한다. 이러한 매체는 비휘발성 매체, 휘발성 매체 및 전송 매체를 포함하나 이러한 것들로 제한되지 않는 다양한 형식을 취할 수 있다. 비휘발성 매체는, 예를 들어 상술된, 서버 플랫폼의 하나로서 작동하는 여하한의 컴퓨터(들)내의 여하한의 저장 디바이스와 같은 광학 또는 자기 디스크를 포함한다. 휘발성 매체는 이러한 컴퓨터 플랫폼의 메인 메모리와 같은 다이내믹 메모리를 포함한다. 물리적 전송 매체는 컴퓨터 시스템내에 버스를 포함하는 와이어들을 포함하여 구리선 및 플라스틱 다발(fiber optics) 등의 동축 케이블(coaxial cable)을 포함한다. 반송파 전송 매체는 무선 주파수(RF)와 적외선(IR) 데이터 커뮤니케이션 중에 생성된 파와 같은 전기 또는 전자기 신호, 또는 음파 또는 광 파의 형식을 취할 수 있다. 그러므로, 컴퓨터-판독가능 매체의 일반적인 형식은, 예를 들어: 플로피 디스크, 플렉서블 디스크, 하드 디스크, 자기 테이프, 여하한의 자기 매체, CD-ROM, DVD, 여하한의 광학 매체, 보편적으로 덜 사용되는 펀치 카드, 페이퍼 테이프, 홀의 패턴을 갖는 여하한의 물리적 매체와 같은 매체, RAM, PROM 및 EPROM, FLASH-EPROM, 여하한의 메모리 칩 또는 카트리지, 데이터 또는 명령어를 전달하는 반송파, 이러한 반송파를 전달하는 케이블 또는 링크, 또는 컴퓨터가 프로그래밍 코드 및/또는 데이터를 판독할 수 있는 여하한의 매체를 포함한다. 컴퓨터 판독가능 매체의 이들 형식 중 대다수는, 실행을 위해 프로세스에 1 이상의 명령어의 1 이상의 시퀀스를 전달하는 것과 관련될 수 있다.
지금까지 본 발명이 기술되고 상세하게 예시되었지만, 이는 단지 예시 및 실예의 방법으로서, 이것에 국한되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구범위의 청구항에 의해서만 제한된다는 것은 자명하다.
본 발명에 따르면, DOF를 향상시키기 위하여 마스크 디자인 내에 SB들의 형상 및 배치를 최적화하는 방법을 제공할 수 있고, 보다 상세하게는, DOF 성능을 최적화하기 위한 방식으로 광근접보정피처들이 그 안에 배치된 마스크를 생성하는 방법을 제공할 수 있다.
Claims (19)
- 광근접보정피처들이 그 안에 배치되는 마스크를 생성하는 방법에 있어서,(a) 기판 상에 묘화될 피처들을 구비한 원하는 타겟 패턴을 획득하는 단계;(b) 상기 마스크를 묘화할 때에 사용될 제1의 포커스 세팅을 결정하는 단계;(c) 상기 타겟 패턴 및 상기 제1의 포커스 세팅을 토대로, 제1의 간섭 맵을 결정하는 단계;(d) 상기 제1의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제1의 시딩 사이트를 결정하는 단계;(e) 상기 제1의 포커스 세팅에 대하여 사전정의된 양의 디포커스를 나타내는 제2의 포커스 세팅을 선택하는 단계;(f) 상기 타겟 패턴 및 상기 제2의 포커스 세팅을 토대로, 제2의 간섭 맵을 결정하는 단계;(g) 상기 제2의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 상기 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제2의 시딩 사이트를 결정하는 단계; 및(h) 상기 제1의 시딩 사이트 및 상기 제2의 시딩 사이트 모두를 둘러싸는 형상을 갖는 어시스트 피처를 생성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1의 포커스 세팅은 상기 타겟 패턴을 묘화하기 위한 최적 포커스 세팅을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 어시스트 피처는 상기 어시스트 피처가 상기 기판 상에 묘화되지 않도록 하는 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 타겟 패턴 내에 추가적인 어시스트 피처들을 배치시키는 단계를 더 포함하고, 상기 추가적인 어시스트 피처들 각각은 상기 단계 (b)~(h)를 수행함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 및 제2의 간섭 맵 각각은 1 이상의 상기 묘화될 피처들과 상기 1 이상의 피처에 인접한 필드 영역 사이의 보강 간섭 영역들과 상쇄 간섭 영역들을 나타내는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 어시스트 피처에 대한 최대 이미지 세기 레벨을 결정하는 단계를 더 포함하되, 상기 최대 이미지 세기는 상기 기판 상에 상기 어시스트 피처의 묘화를 초래하지 않을 묘화 세기를 정의하며,상기 어시스트 피처와 연관된 이미지 세기 레벨이 상기 최대 이미지 세기 레벨보다 작거나 같도록, 상기 어시스트 피처들의 크기를 조정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 기판 상에 상기 어시스트 피처의 묘화를 초래하지 않을 묘화 세기를 정의하는 최대 이미지 세기 레벨을 결정하는 단계;상기 어시스트 피처들이 상기 최대 이미지 세기 레벨보다 작은 이미지 세기 레벨을 가지도록, 상기 어시스트 피처들 각각을 초기에 사이징하는 단계; 및상기 각각의 어시스트 피처와 연관된 이미지 세기 레벨이 상기 최대 이미지 세기 레벨보다 작거나 같도록, 상기 어시스트 피처들 각각의 크기를 조정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 포토리소그래피 프로세스에서 사용하기 위한 광근접보정방법에 있어서,(a) 기판 상에 묘화될 피처들을 구비한 원하는 타겟 패턴을 획득하는 단계;(b) 상기 타겟 패턴 및 제1의 포커스 세팅을 토대로 간섭 맵을 결정하는 단계;(c) 복수의 상기 묘화될 피처들 각각에 대한 간섭의 크기를 결정하기 위하여 상기 간섭 맵을 분석하는 단계; 및(d) 주어진 피처에 대응하는 상기 간섭의 크기가 사전정의된 간섭 값보다 크거나 작은 지의 여부를 토대로, 상기 복수의 묘화될 피처들 각각을 강한 피처 또는 약한 피처로 카테고리화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제8항에 있어서,주어진 피처의 간섭의 크기는 상기 간섭 맵 상의 주어진 피처의 위치에서의 간섭의 레벨에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 컴퓨터에 의해 판독가능한 기록매체 및 리소그래픽 묘화공정에 사용되는 마스크에 대응하는 1이상의 파일을 생성하도록 상기 컴퓨터에 지시하기 위하여 상기 기록매체에 기록된 수단을 포함하는 컴퓨터를 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서, 상기 파일들을 생성하는 것은,(a) 기판 상에 묘화될 피처들을 구비한 원하는 타겟 패턴을 획득하는 단계;(b) 상기 마스크를 묘화할 때에 사용될 제1의 포커스 세팅을 결정하는 단계;(c) 상기 타겟 패턴 및 상기 제1의 포커스 세팅을 토대로, 제1의 간섭 맵을 결정하는 단계;(d) 상기 제1의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제1의 시딩 사이트를 결정하는 단계;(e) 상기 제1의 포커스 세팅에 대하여 사전정의된 양의 디포커스를 나타내는 제2의 포커스 세팅을 선택하는 단계;(f) 상기 타겟 패턴 및 상기 제2의 포커스 세팅을 토대로, 제2의 간섭 맵을 결정하는 단계;(g) 상기 제2의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 상기 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제2의 시딩 사이트를 결정하는 단계; 및(h) 상기 제1의 시딩 사이트 및 상기 제2의 시딩 사이트 모두를 둘러싸는 형상을 갖는 어시스트 피처를 생성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제10항에 있어서,상기 제1의 포커스 세팅은 상기 타겟 패턴을 묘화하기 위한 최적 포커스 세팅을 나타내는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제10항에 있어서,상기 어시스트 피처는 상기 어시스트 피처가 상기 기판 상에 묘화되지 않도록 하는 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제10항에 있어서,상기 타겟 패턴 내에 추가적인 어시스트 피처들을 배치시키는 단계를 더 포함하고, 상기 추가적인 어시스트 피처들 각각은 상기 단계 (b)~(h)를 수행함으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제10항에 있어서,상기 제1 및 제2의 간섭 맵 각각은 1이상의 상기 묘화될 피처들과 상기 1이상의 피처에 인접한 필드 영역 사이의 보강 간섭의 영역들과 상쇄 간섭의 영역들을 나타내는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제10항에 있어서,상기 어시스트 피처에 대한 최대 이미지 세기 레벨을 결정하는 단계를 더 포함하되, 상기 최대 이미지 세기는 상기 기판 상에 상기 어시스트 피처의 묘화를 초래하지 않을 묘화 세기를 정의하며,상기 어시스트 피처와 연관된 이미지 세기 레벨이 상기 최대 이미지 세기 레벨보다 작거나 같도록, 상기 어시스트 피처들의 크기를 조정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제13항에 있어서,상기 기판 상에 상기 어시스트 피처의 묘화를 초래하지 않을 묘화 세기를 정의하는 최대 이미지 세기 레벨을 결정하는 단계;상기 어시스트 피처들이 상기 최대 이미지 세기 레벨보다 작은 이미지 세기 레벨을 가지도록, 상기 어시스트 피처들 각각을 초기에 사이징하는 단계; 및상기 각각의 어시스트 피처와 연관된 이미지 세기 레벨이 상기 최대 이미지 세기 레벨보다 작거나 같도록, 상기 어시스트 피처들 각각의 크기를 조정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 컴퓨터에 의해 판독가능한 기록매체 및 리소그래픽 묘화공정에 사용되는 마스크에 대응하는 1이상의 파일을 생성하도록 상기 컴퓨터에 지시하기 위하여 상기 기록매체에 기록된 수단을 포함하는 컴퓨터를 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 있어서, 상기 파일들을 생성하는 것은,(a) 기판 상에 묘화될 피처들을 구비한 원하는 타겟 패턴을 획득하는 단계;(b) 상기 타겟 패턴 및 제1의 포커스 세팅을 토대로 간섭 맵을 결정하는 단계;(c) 복수의 상기 묘화될 피처들 각각에 대한 간섭의 크기를 결정하기 위하여 상기 간섭 맵을 분석하는 단계; 및(d) 주어진 피처에 대응하는 상기 간섭의 크기가 사전정의된 간섭 값보다 크거나 작은 지의 여부를 토대로, 상기 복수의 묘화될 피처들 각각을 강한 피처 또는 약한 피처로 카테고리화하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 제17항에 있어서,주어진 피처의 간섭의 크기는, 상기 간섭 맵 상의 주어진 피처의 위치에서의 간섭의 레벨에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.
- 디바이스 제조방법에 있어서,(a) 전체적으로 또는 부분적으로 방사선감응재의 층으로 덮힌 기판을 제공하는 단계;(b) 묘화 시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;(c) 마스크 상의 패턴을 사용하여 상기 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계;(d) 방사선감응재 층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영시키는 단계를 포함하여 이루어지고,단계 (c)에서, 상기 마스크는:기판 상에 묘화될 피처들을 구비한 원하는 타겟 패턴을 획득하는 단계;상기 마스크를 묘화할 때에 사용될 제1의 포커스 세팅을 결정하는 단계;상기 타겟 패턴 및 상기 제1의 포커스 세팅을 토대로 제1의 간섭 맵을 결정하는 단계;상기 제1의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제1의 시딩 사이트를 결정하는 단계;상기 제1의 포커스 세팅에 대하여 사전정의된 양의 디포커스를 나타내는 제2의 포커스 세팅을 선택하는 단계;상기 타겟 패턴 및 상기 제2의 포커스 세팅을 토대로, 제2의 간섭 맵을 결정하는 단계;상기 제2의 간섭 맵에 기초하여 묘화될 상기 피처에 대하여, 상기 마스크 내에 어시스트 피처의 최적의 배치를 나타내는 제2의 시딩 사이트를 결정하는 단계; 및상기 제1의 시딩 사이트 및 상기 제2의 시딩 사이트 모두를 둘러싸는 형상을 갖는 어시스트 피처를 생성하는 단계를 포함하여 이루어지는 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US60356004P | 2004-08-24 | 2004-08-24 | |
| US60/603,560 | 2004-08-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060050603A KR20060050603A (ko) | 2006-05-19 |
| KR100860328B1 true KR100860328B1 (ko) | 2008-09-25 |
Family
ID=35431328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050077709A KR100860328B1 (ko) | 2004-08-24 | 2005-08-24 | 4분의 1 파장의 리소그래피에서 초점심도를 향상시키는 모델 기반 스캐터링 바아 배치를 위한 방법, 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 및 장치 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7620930B2 (ko) |
| EP (1) | EP1630601A3 (ko) |
| JP (1) | JP4383400B2 (ko) |
| KR (1) | KR100860328B1 (ko) |
| CN (1) | CN100543588C (ko) |
| SG (1) | SG120284A1 (ko) |
| TW (1) | TWI370955B (ko) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7620930B2 (en) * | 2004-08-24 | 2009-11-17 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for model based scattering bar placement for enhanced depth of focus in quarter-wavelength lithography |
| US7509621B2 (en) * | 2005-01-03 | 2009-03-24 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for placing assist features by identifying locations of constructive and destructive interference |
| US7424699B2 (en) * | 2005-06-10 | 2008-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Modifying sub-resolution assist features according to rule-based and model-based techniques |
| US8132130B2 (en) * | 2005-06-22 | 2012-03-06 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for performing mask feature pitch decomposition for use in a multiple exposure process |
| EP1804119A1 (en) * | 2005-12-27 | 2007-07-04 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Method for manufacturing attenuated phase- shift masks and devices obtained therefrom |
| US20070226674A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-09-27 | Henning Haffner | System and method for semiconductor device fabrication using modeling |
| US7548315B2 (en) * | 2006-07-27 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | System and method to compensate for critical dimension non-uniformity in a lithography system |
| US8341561B2 (en) * | 2006-12-12 | 2012-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of arranging mask patterns and associated apparatus |
| KR100881184B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 마스크 패턴을 배치하는 방법 및 이를 이용한 장치 |
| KR100874913B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2008-12-19 | 삼성전자주식회사 | 마스크 패턴을 배치하는 방법 및 이를 이용한 장치 |
| US20080169510A1 (en) * | 2007-01-17 | 2008-07-17 | International Business Machines Corporation | Performance enhancement on both nmosfet and pmosfet using self-aligned dual stressed films |
| WO2008151185A1 (en) * | 2007-06-04 | 2008-12-11 | Brion Technologies, Inc. | Methods for performing model-based lithography guided layout design |
| KR101317844B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2013-10-11 | 삼성전자주식회사 | 마스크 패턴을 배치하는 방법 및 이를 이용한 장치 |
| CN101359178B (zh) * | 2007-08-03 | 2011-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 光学邻近校正的方法 |
| US9779186B2 (en) | 2007-08-28 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Methods for performing model-based lithography guided layout design |
| US8028252B2 (en) * | 2007-09-14 | 2011-09-27 | Luminescent Technologies Inc. | Technique for determining mask patterns and write patterns |
| EP2040120B1 (en) * | 2007-09-19 | 2011-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask data generation method, mask fabrication method, exposure method, device fabrication method, and program |
| JP2009093138A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Canon Inc | 原版データの生成方法、原版作成方法、露光方法、デバイス製造方法及び原版データを作成するためのプログラム |
| KR101113326B1 (ko) * | 2009-07-01 | 2012-03-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토마스크의 보조패턴 형성방법 |
| US8250498B2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-08-21 | Synopsys, Inc. | Method and apparatus for calibrating a photolithography process model by using a process window parameter |
| JP5279745B2 (ja) | 2010-02-24 | 2013-09-04 | 株式会社東芝 | マスクレイアウト作成方法、マスクレイアウト作成装置、リソグラフィ用マスクの製造方法、半導体装置の製造方法、およびコンピュータが実行可能なプログラム |
| KR101991380B1 (ko) | 2012-07-26 | 2019-06-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 레이아웃 생성 방법 |
| CN104423172A (zh) * | 2013-08-27 | 2015-03-18 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种散射条模拟成像的检测方法 |
| US9310674B2 (en) | 2014-02-20 | 2016-04-12 | International Business Machines Corporation | Mask that provides improved focus control using orthogonal edges |
| US9805154B2 (en) * | 2015-05-15 | 2017-10-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of lithography process with inserting scattering bars |
| JP2017090817A (ja) * | 2015-11-16 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置、及び物品の製造方法 |
| US10522322B2 (en) | 2017-04-13 | 2019-12-31 | Fractilia, Llc | System and method for generating and analyzing roughness measurements |
| US10176966B1 (en) | 2017-04-13 | 2019-01-08 | Fractilia, Llc | Edge detection system |
| US10262100B2 (en) * | 2017-05-24 | 2019-04-16 | Synopsys, Inc. | Rule based assist feature placement using skeletons |
| KR20210133364A (ko) | 2020-04-28 | 2021-11-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조를 위한 방법 및 컴퓨팅 장치 |
| CN113589644A (zh) * | 2021-07-15 | 2021-11-02 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 基于亚分辨率辅助图形种子插入的曲线型逆向光刻方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040065188A (ko) * | 2003-01-14 | 2004-07-21 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 딥 서브-파장 광학 리소그래피용 레티클 패턴에 광근접성피처들을 제공하는 방법 및 장치 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216548A (ja) | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスク |
| US5242770A (en) | 1992-01-16 | 1993-09-07 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Mask for photolithography |
| US5447810A (en) * | 1994-02-09 | 1995-09-05 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Masks for improved lithographic patterning for off-axis illumination lithography |
| KR960002536A (ko) | 1994-06-29 | 1996-01-26 | ||
| US5682323A (en) | 1995-03-06 | 1997-10-28 | Lsi Logic Corporation | System and method for performing optical proximity correction on macrocell libraries |
| US5705301A (en) | 1996-02-27 | 1998-01-06 | Lsi Logic Corporation | Performing optical proximity correction with the aid of design rule checkers |
| WO1997033205A1 (en) | 1996-03-06 | 1997-09-12 | Philips Electronics N.V. | Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system |
| KR100512450B1 (ko) | 1996-12-24 | 2006-01-27 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 두개의물체홀더를가진이차원적으로안정화된위치설정장치와이런위치설정장치를구비한리소그래픽장치 |
| US6223139B1 (en) | 1998-09-15 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Kernel-based fast aerial image computation for a large scale design of integrated circuit patterns |
| JP3275863B2 (ja) | 1999-01-08 | 2002-04-22 | 日本電気株式会社 | フォトマスク |
| US6214497B1 (en) | 1999-06-29 | 2001-04-10 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate side lobe printing of attenuated phase shift masks |
| US6303253B1 (en) | 2000-03-16 | 2001-10-16 | International Business Machines Corporation | Hierarchy and domain-balancing method and algorithm for serif mask design in microlithography |
| US6777141B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-08-17 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces |
| US6503666B1 (en) | 2000-07-05 | 2003-01-07 | Numerical Technologies, Inc. | Phase shift masking for complex patterns |
| US6787271B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-09-07 | Numerical Technologies, Inc. | Design and layout of phase shifting photolithographic masks |
| TW552561B (en) | 2000-09-12 | 2003-09-11 | Asml Masktools Bv | Method and apparatus for fast aerial image simulation |
| US6901575B2 (en) | 2000-10-25 | 2005-05-31 | Numerical Technologies, Inc. | Resolving phase-shift conflicts in layouts using weighted links between phase shifters |
| TWI285295B (en) | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
| US6792591B2 (en) * | 2001-02-28 | 2004-09-14 | Asml Masktools B.V. | Method of identifying an extreme interaction pitch region, methods of designing mask patterns and manufacturing masks, device manufacturing methods and computer programs |
| US6519760B2 (en) | 2001-02-28 | 2003-02-11 | Asml Masktools, B.V. | Method and apparatus for minimizing optical proximity effects |
| US6703167B2 (en) | 2001-04-18 | 2004-03-09 | Lacour Patrick Joseph | Prioritizing the application of resolution enhancement techniques |
| US6749970B2 (en) | 2001-12-11 | 2004-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of enhancing clear field phase shift masks with border regions around phase 0 and phase 180 regions |
| US7023528B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-04-04 | International Business Machines Corporation | Hybrid electronic mask |
| US6807662B2 (en) | 2002-07-09 | 2004-10-19 | Mentor Graphics Corporation | Performance of integrated circuit components via a multiple exposure technique |
| JP4597859B2 (ja) | 2002-07-15 | 2010-12-15 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | マイクロリソグラフパターンの製作におけるパターンの認定、パターン形成プロセス、又はパターン形成装置 |
| US7266480B2 (en) | 2002-10-01 | 2007-09-04 | The Regents Of The University Of California | Rapid scattering simulation of objects in imaging using edge domain decomposition |
| US7594199B2 (en) | 2003-01-14 | 2009-09-22 | Asml Masktools B.V. | Method of optical proximity correction design for contact hole mask |
| US7376930B2 (en) * | 2003-06-30 | 2008-05-20 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for generating assist features utilizing an image field map |
| US7550235B2 (en) | 2003-09-05 | 2009-06-23 | Asml Masktools B.V. | Method and apparatus for performing model based placement of phase-balanced scattering bars for sub-wavelength optical lithography |
| US7232630B2 (en) | 2003-12-11 | 2007-06-19 | Synopsys, Inc | Method for printability enhancement of complementary masks |
| US7620930B2 (en) * | 2004-08-24 | 2009-11-17 | Asml Masktools B.V. | Method, program product and apparatus for model based scattering bar placement for enhanced depth of focus in quarter-wavelength lithography |
-
2005
- 2005-08-22 US US11/208,015 patent/US7620930B2/en active Active
- 2005-08-23 SG SG200505331A patent/SG120284A1/en unknown
- 2005-08-23 JP JP2005272697A patent/JP4383400B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-24 KR KR1020050077709A patent/KR100860328B1/ko active IP Right Grant
- 2005-08-24 EP EP05255190A patent/EP1630601A3/en not_active Withdrawn
- 2005-08-24 CN CNB2005101165341A patent/CN100543588C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-08-24 TW TW094128950A patent/TWI370955B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-11-05 US US12/613,344 patent/US8495529B2/en active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040065188A (ko) * | 2003-01-14 | 2004-07-21 | 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. | 딥 서브-파장 광학 리소그래피용 레티클 패턴에 광근접성피처들을 제공하는 방법 및 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG120284A1 (en) | 2006-03-28 |
| JP4383400B2 (ja) | 2009-12-16 |
| CN100543588C (zh) | 2009-09-23 |
| KR20060050603A (ko) | 2006-05-19 |
| EP1630601A2 (en) | 2006-03-01 |
| CN1800987A (zh) | 2006-07-12 |
| JP2006065338A (ja) | 2006-03-09 |
| US20060075377A1 (en) | 2006-04-06 |
| US7620930B2 (en) | 2009-11-17 |
| TW200619863A (en) | 2006-06-16 |
| EP1630601A3 (en) | 2008-07-02 |
| US20100047699A1 (en) | 2010-02-25 |
| US8495529B2 (en) | 2013-07-23 |
| TWI370955B (en) | 2012-08-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100860328B1 (ko) | 4분의 1 파장의 리소그래피에서 초점심도를 향상시키는 모델 기반 스캐터링 바아 배치를 위한 방법, 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 및 장치 | |
| KR100899359B1 (ko) | 이중 노광 리소그래피를 수행하는 장치, 프로그램물 및방법 | |
| KR101185463B1 (ko) | Ｎａ-시그마 노광세팅 및 디바이스 레이아웃을 이용하는 스캐터링 바아 ｏｐｃ에 대한 동시 최적화 방법, 프로그램물 및 장치 | |
| KR100592580B1 (ko) | 쌍극조명에 사용하기 위한 모델-기반 레이아웃 변환을수행하는 방법 및 장치 | |
| KR100719154B1 (ko) | 콘택홀 마스크를 위한 광근접성보정설계 방법 | |
| JP4464365B2 (ja) | 近傍の影響を考慮した光学的近接効果補正を実行する装置、方法およびコンピュータ・プログラム | |
| KR101072514B1 (ko) | 코너에서의 라운딩 및 챔퍼들을 이용한 광근접성 보정 방법 | |
| KR100585478B1 (ko) | 쌍극 조명기술과 함께 이용되는 마스크를 생성하는 방법및 장치 | |
| KR100836125B1 (ko) | 레지스트 프로세스 캘리브레이션/최적화 및 상이한 리소그래피 시스템들간의 ｏｐｅ 매칭을 제공하는 ｄｏｅ 최적화를 수행하는 방법 및 이를 포함하는 컴퓨터 프로그램물을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 | |
| KR100841729B1 (ko) | 풀-칩 제조 신뢰성 체크 및 보정 수행 방법 및 이를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체 | |
| US7892707B2 (en) | Scattering bar OPC application method for sub-half wavelength lithography patterning | |
| KR100860088B1 (ko) | 다중 노광 리소그래피 프로세스에 사용하기 위한 모델 기반기하학적 분해를 위한 방법, 프로그램물 및 장치 | |
| KR100700367B1 (ko) | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 | |
| KR101115477B1 (ko) | 이미지 필드 맵을 이용하여 어시스트 피처를 생성하는방법, 프로그램물 및 장치 | |
| JP2003215780A (ja) | ２次元フィーチャ・モデルの較正および最適化方法 | |
| JP2005141241A (ja) | 強化した干渉マッピングリソグラフィを使用するフューチャの最適化 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120907 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130906 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140912 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150911 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160909 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170908 Year of fee payment: 10 |