KR20030069080A - 발수성 부재의 제조방법 및 잉크젯헤드의 제조방법 - Google Patents

발수성 부재의 제조방법 및 잉크젯헤드의 제조방법 Download PDF

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Abstract

기체퇴적법을 이용해서 기판표면상에 발잉크성 막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는, 발잉크성과 내구성이 향상된 오리피스판을 지닌 잉크젯헤드의 제조방법이 제공된다.

Description

발수성 부재의 제조방법 및 잉크젯헤드의 제조방법{MANUFACTURING METHODS OF WATER REPELLENT MEMBER AND INKJET HEAD}
본 발명은 유리, 세라믹, 플라스틱, 금속 등으로 이루어진 기판 표면이, 발수성을 지닌 막으로 피복된 발수성 부재의 제조방법 및 잉크젯헤드의 제조방법에 관한 것이다.
종래, 발수성, 내후성, 오염방지성 등을 부여하기 위해 각종 발수제 및 발수방법이 개발되어, 산업기기, 전자기기 등의 각종 제품에 이용되어 왔다.
이러한 표면특성을 유지시키기 위해, 이하의 3가지 방법이 이용되어 왔다.
첫번째 방법은, 유리, 플라스틱, 금속 등으로 이루어진 기판의 표면을 블라스트 혹은 에칭처리하고 나서, 프라이머 등으로 처리하여, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등의 불소함유 수지를 함유하는 도료로 도장하고, 건조후 350 내지 400℃의 온도에서 소성하여 기판표면상에 불소함유 수지를 도장하는 방법이다.
두번째 방법은, 유리, 플라스틱, 금속 등으로 이루어진 기판의 표면상에 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 또는 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체 등의 불소수지를 진공증착법, 스패터링법 등에 의해 형성하는 공정을 구비한 방법이다.
세번째 방법은, 일본국 공개특허 평 4-283268호 공보에 개시되어 있는 바와 같이 도금액중에 분자량이 약 8,000 내지 10,000인 폴리테트라플루오로에틸렌 올리고머를 분산시킨 후, 도금막상에 상기 올리고머를 공퇴적시킴으로써 얻어진 발수성 금속화합물재료를 형성하는 방법이다.
이들 각각의 방법에 있어서, 기판의 표면상에 발수성이 높은 물질을 피복하여, 발수성 등의 표면특성을 지닌 기판을 제공하지만, 발수성은 피복재료의 발수성 뿐만 아니라 기판의 표면상태에도 의존하는 것이 알려져 있다.
따라서, 보다 높은 발수성을 얻기 위해서, 발수성 표면상에 미소한 돌기부를 형성함으로써 발수면의 실제의 표면적보다도 겉보기표면적을 크게 증대시려는 시도가 행해졌다.
일본국 공개 특허 평 4-239633호 공보에 있어서는, 예를 들면, 미립자와 규산유리입자를 혼합함으로써 제조한 극미세한 요철을 지닌 층과 실록산기와 플루오로카본기를 지닌 폴리머막층간의 실록산결합에 의한 화학적 결합에 의해 거친 면을 지닌 발수성 막을 형성하는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 얻어진 불소수지피막은, 발수성이 우수함에도 불구하고 내찰상성이 불량이므로, 경질의 피막으로서 이용할 수 없다.
이러한 과제를 해소하기 위해, 일본국 공개특허 평 3-153859호 공보에는, 내찰상성을 지닌 발수성 막으로서의 피막이 개시되어 있다. 이 피막은, 플라스틱기판상에 형성된 금속산화물로 이루어진 하지층과, 이 하지층상에 형성된 불소수지와 금속산화물과의 혼합물층을 구비하고 있다.
상기 일본국 공개특허 평 3-153859호 공보에 있어서는, 이러한 피막은, 플라스틱기판상에 하지층으로서 금속산화물을 진공증착하는 프로세스와, 금속산화물과 불소수지로 이루어진 목표물을 이용해서 스패터링해서 금속산화물과 플루오로카본과의 혼합층으로서 형성된 피막을 형성하는 프로세스에 의해 형성된다.
그러나, 상기한 종래의 기술은 다음과 같은 결점이 있다.
종래의 첫번째 방법에서는, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등의 불소수지를 함유하는 입자를 포함하는 도료를 제조할 필요가 있다. 또한, 상기 프로세스는, 도포, 건조 및 소성공정을 포함할 필요가 있으므로, 공정이 복잡하게 된다.
상기 세번째 방법은, 분자량 약 8,000 내지 10,000인 폴리테트라플루오로에틸렌 올리고머를 도금액중에 분산시킨 후, 도금막상에 해당 올리고머를 공퇴적시킴으로써 얻어진 발수성 금속화합물재료를 제조하고 있다. 그러나, 이 방법에서는,도금액중에 폴리테트라플루오로에틸렌 올리고머를 분산시킬 필요가 있으므로, 해당 세번째 방법은 원료의 선택에 제한을 가지고 있다.
종래의 첫번째, 두번째 및 세번째 방법의 각각에 있어서, 피막은 단층의 불소수지층으로 덮여 있으므로, 발수성은 우수하나 내찰상성은 불량하다.
여기서, 내찰상성이 우수한 피막을 얻기 위해서는, 전술한 바와 같이, 기판상에 하지층으로서 금속산화물층을 형성하고, 해당 하지층상에 금속산화물과 불소수지와의 혼합물층을 형성하는 방법이 있다. 이 방법에서는, 금속산화물과 불소수지로 이루어진 목표물을 이용한 스퍼터링법에 의해 금속산화물과 불소수지와의 혼합물층으로부터 피복층을 형성하는 동시에, 동일한 투입전력으로 불소수지와 금속산화물을 스퍼터링하기 위해, 일반적으로 금속산화물의 막형성속도와 비교되는 막형성속도를 지닌 불소수지의 스퍼터링을 선택적으로 행한다. 따라서, 상기 혼합물층의 조성(피막중의 금속산화물과 불소수지의 함량)을 제어하기 곤란하므로, 발수성과 내찰상성을 소망하는 수준으로 올리기가 거의 어렵다.
따라서, 소정 수준이상으로 발수성과 내찰상성을 지닌 피막을 용이하게 형성하는 방법을 제공하는 것이 요망되어 왔다.
본 발명의 목적은, 우수한 발수성과 우수한 내구성을 지닌 발수성 막이, 마스킹 등의 복잡한 공정없이, 또한, 원료의 선택에 제한없이 간단한 방법에 의해 소망하는 면에만 피복되어 있는 발수성 부재를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 개량된 발잉크성(ink-repellent property)을 지닌오리피스판을 갖춘 잉크젯헤드를 제조하는 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 제 1양상은, 기판과 해당 기판의 표면을 피복하는 발수성 막을 지닌 발수성 부재의 제조방법에 있어서, 발수성 물질의 입자를 기체에 의해 반송하는 공정; 및 반송된 상기 입자를 노즐로부터 상기 기판에 뿜어내어, 해당 기판의 표면상에 발수성 막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법이다.
본 발명의 제 2양상은, 발잉크성 표면을 지닌 오리피스판이 장비된 잉크젯헤드를 제조하는 방법에 있어서, 상기 오리피스판의 형성은, 발잉크성 물질의 입자를 기체에 의해 반송하는 공정; 반송된 해당 입자를 노즐로부터 기판에 뿜어내어, 해당 기판의 표면상에 발잉크성 막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯헤드의 제조방법이다.
도 1은 기체퇴적법을 이용한 미립자막 형성장치의 개략도
도 2는 본 발명의 제 1실시예에서 사용된 미립자막 형성장치의 개략도
도 3은 본 발명의 제 2실시예에서 사용된 미립자막 형성장치의 개략도
도 4는 본 발명의 제 2실시예에서 사용된 발수성 막의 표면의 AFM관찰에 의해 얻어진 결과의 사진
도 5는 본 발명의 제 3실시예에서 사용된 미립자막 형성장치의 개략도
도 6은 본 발명의 제 4실시예에서 사용된 미립자막 형성장치의 개략도
도 7은 본 발명의 제 5실시예에서 사용된 미립자막 형성장치의 개략도
도 8은 잉크젯헤드의 구성을 예시한 개략도
도 9는 본 발명의 제 6 내지 제 8실시예에서 사용된 미립자막 형성장치의 개략도
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1: 기판2: 노즐
3: 미립자막 형성실4: 입자(미립자) 생성실
5, 5a, 5b: 재료6: 아크가열전극
7, 7a, 7b: 입자반송관8:유도가열전원
9, 9a, 9b: 연무 형성실10, 10a, 10b: 기체반송관
11: 여분입자배기기구12: 도가니
21: 기판(니켈판)22: 노즐
23: 막 형성실24: 금속미립자 발생실
26: 아크가열수단27: 반송관
28: 연무 형성실29: 기체반송관
30: 여분입자배기기구101: 헤드기판
102: 소자기판104: 액체유로벽
105: 천정판106: 액체유로
108: 헤드기판의 표면110: 오리피스판
111: 잉크토출구
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은, 기판과 해당 기판의 표면을 피복하는 발수성 막을 지닌 발수성 부재의 제조방법에 있어서, 발수성 물질의 입자를 기체에 의해 반송하는 공정; 및 반송된 상기 입자를 노즐로부터 상기 기판에 뿜어내어 해당 기판의 표면상에 발수성 막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법이다.
본 발명의 바람직한 형태는 다음과 같다.
상기 발수성 부재의 제조방법은, 상기 반송되는 입자를, 발수성을 지닌 물질을 가열함으로써 생성시키는 공정을 또 구비해도 된다.
상기 가열에는, 아크방전에 의한 가열, 고주파유도가열 혹은 저항가열을 이용해도 된다.
또, 상기 방법은, 상기 반송되는 입자를 연무(aerosol)화시키는 공정을 또 구비해도 된다.
또한, 상기 연무화는, 발수성을 지닌 물질을 가열해서 해당 발수성을 지닌 물질을 증발시키고, 증발된 해당 발수성을 지닌 물질을 불활성 기체와 접촉시킴으로써 행해도 된다.
상기 연무화는, 상기 반송되는 입자사이에 기체를 혼합함으로써 행해도 된다.
상기 기판상에 뿜어내는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있어도 된다.
상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고, 상기 복수종의 입자는 동일 챔버(chamber, 즉, 실(室))내에서 생성되어도 된다.
또, 상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고, 상기 복수종의 입자를 동일 챔버내에서 연무화하는 부가공정을 구비해도 된다.
상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고, 상기 복수종의 입자를 다른 챔버에서 연무화하는 부가공정을 구비하고, 상기 기판에의 뿜어내기는, 상기 복수종의 입자를 그들 각각의 서로 다른 노즐로부터 분사함으로써 행해도 된다.
상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고, 상기 복수종의 입자를 다른 챔버에서 연무화하는 부가공정을 구비하고, 상기 기판에의 뿜어내기는, 상기 복수종의 입자를 혼합해서 해당 혼합물을 동일한 노즐로부터 분사함으로써 행해도 된다.
상기 발수성을 지닌 물질의 입자의 입자크기는 0.5㎛이하이어도 된다.
상기 발수성을 지닌 물질의 입자는, 적어도 탄소원자와 불소원자를 함유하는 수지로 이루어져 있다.
상기 발수성을 지닌 물질의 입자는, 적어도 규소원자를 함유하는 수지로 이루어져 있다.
상기 복수종의 입자는, 적어도 탄소원자와 불소원자를 함유하는 수지로 이루어진 입자와 금속 혹은 금속산화물로 이루어진 입자를 포함해도 된다.
상기 복수종의 입자는, 적어도 규소원자를 함유하는 수지로 이루어진 입자와 금속 혹은 금속산화물로 이루어진 입자를 포함해도 된다.
상기 금속은 니켈, 티탄, 금, 은 및 구리의 어느 한 종이어도 된다.
또, 상기 금속산화물에 포함된 금속은 알루미늄, 티탄 및 규소의 어느 한 종이어도 된다.
또한, 상기 기판상에 입자를 뿜어내는 동안 혹은 뿜어낸 후 해당 기판 표면상의 발수성 막을 가열용융시켜도 된다.
여기서, 본 발명의 상기 바람직한 실시형태에 사용되는 기체퇴적법(gas deposition process)에 대해 간단히 설명한다.
종래 알려진 기체퇴적법에는, 그들간에 연무의 형성방법의 차이에 따라 2종류가 있다. 즉, 그 중 하나는, 재료를 증발시켜 입자를 생성시킨 후 연무를 형성하는 증발법이고, 다른 하나는 재료가 입자로서 공급될 경우 해당 입자로부터 연무를 형성하는 연무법이다.
도 1을 참조하면, 연무 형성방법으로서 증기법을 이용하는 막형성 장치의 개략적인 예가 표시되어 있다.
증발법에 있어서는, 해당 도면에 도시한 바와 같이, 입자 생성실(진공실)(4)에서 재료를 증발시키고, 증발된 해당 재료의 원자를 해당 입자 생성실(4)에 도입된 불활성 가스와 충돌시킨 후, 급랭시켜 증발된 원자끼리를 결합시켜, 입자화하는 것이다. 증발된 물질은 입자 생성실(4)에서 증발원에 의해 생성된다. 즉, 아크가열전극(6) 등의 가열기구에 의해 재료를 가열함으로써 생성된다. 여기서, 이용되는 가열기구(가열방식)는, 아크용해, 고주파유도가열, 저항가열, 전자선, 통전가열, 플라즈마젯, 레이저빔가열 등이어도 된다. 또, 도면에 있어서, (11)은 입자 생성실(4)로부터 여분의 입자를 배기시키기 위한 여분입자배기기구이다.
상기한 바와 같이 생성된 입자의 평균크기는, 입자 생성실(4)에 도입되는 기체의 종류와 양에 따라 다르다. 일반적으로, 해당 입자의 평균크기는 수 nm 내지 수 ㎛, 바람직하게는, 0.5㎛이하이다.
또, 입자 생성실(4)로부터 생성된 입자는 입자반송관(7)을 통해 기체와 함께 미립자막 형성실(3)에 도입된다. 미립자막 형성실(3)에는, 상기 입자가, 입자반송관(7)의 선단부에 부착된 노즐(2)로부터, 막 형성의 목표물인 기판(1)의 표면상으로 기체와 함께 분사된다. 막 형성시, 기판(1)을 미리 가열해 두면 얻어진 막의 밀착성이 향상된다. 또는, 막 형성동안 혹은 막 형성후 해당 막을 가열·용해시킴으로써 막의 밀착성을 증대시킬 수 있다.
연무법에 있어서는, 입자를 수용하는 용기를 진탕시켜 연무를 발생시킨다. 다음에, 얻어진 연무를, 헬륨가스나 질소가스 등의 캐리어가스를 이용해서 막형성실로 반송·도입한 후, 해당 연무를, 상기 반송관의 선단부에 접속된 노즐로부터 고속으로 분사시켜, 묘화(drawing)해서 발수막을 완성시킨다.
상기 발수막이 상기 종래의 방법의 하나에 의해 형성된 경우, 발수성 재료 등으로 이루어진 미립자의 평균입자크기는 0.5㎛이하로 되어도 된다. 따라서, 해당 미립자를 소성해서 결합시켜 해당 미립자에 의해 발수성 부재막의 표면을 피복하도록 할 수 있다.
상기 설명한 바와 같이, 기체퇴적법에 의하면, 금속, 산화물 혹은 불소수지 등의 발수성 재료로부터, 해당 재료의 입자화 혹은 연무화 공정, 반송공정, 토출공정 및 막형성 공정에 의해 직접 막형성을 행하는 것이 가능하므로 소정 수준이상으로 발수성 및 내찰상성을 지닌 피막을 용이하게 형성하는 것이 가능하다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태 및 그 실시예를 첨부도면을 참조해서 예시적으로 설명한다. 그러나, 실시예에서 설명한 구성부품의 치수, 재료, 그 상대 배치 등은, 기타 언급이 없는 한, 본 발명의 범위를 이들만으로 한정하는 취지로 해서는 안된다. 또한, 본 발명의 실시형태에 관한 초미립자막 형성장치 전체의 기본적인 구성은 도 1에 표시한 것과 마찬가지이므로, 그의 설명은 생략하고, 본 발명의 실시형태 혹은 실시예의 특징적인 구성 등만을 상세히 설명할 것이다.
본 발명의 실시형태에 의한 발수성 재료는, 해당 발수성 재료의 표면에 평균입자크기가 0.5㎛이하인 미립자가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시형태에 의한 발수성 재료의 제조방법에 있어서는, 기체퇴적법은, 미립자를 연무화하고 해당 연무를 기판의 표면상에 반송기체와 함께 불어넣음으로써 박막을 형성하며, 여기서, 연무화시키는 재료는, 적어도 탄소원자(C)와 불소원자(F), 또는 규소원자(Si)를 함유하는 수지의 미립자이고, 혹은 입자화되는 재료는, 적어도 C와 F, 또는 Si를 함유하는 수지의 미립자 및 금속산화물로 이루어진 미립자이다.
이하, 발수성 부재에 대해 상세히 설명한다.
기체퇴적법을 이용한 발수성 부재의 형성시, 미립자 생성실 혹은 연무 형성실내에서 형성된 미립자의 평균입자크기가 0.5㎛이하이면, 막형성실내에서 기판상의 발수성 막을 형성할 때 노즐로부터 기판의 표면으로 분사시키는 입자의 밀착성이, 보다 양호하게 된다.
본 실시형태에 있어서, 상기 미립자의 평균입자크기는 0.5㎛이하의 범위내로 규정되어 있으므로, 발수성 부재의 표면을 형성하는 미립자의 평균입자크기는 0.5㎛이하의 범위내로 될 것이다.
다음에, 발수성 부재의 제조방법에 대해 상세히 설명한다.
연무화할 재료가 C와 F 또는 Si를 함유하는 단일재료인 경우, 해당 재료는 2가지 방법중 어느 하나의 방법으로 연무화시킬 수 있다. 즉, 재료를 미립자화하고 해당 미립자를 연무화 할 때, 미리 불활성 기체가 충전되어 있는 미립자 생성실내에서 이러한 재료를 미립자로 한 후, 연무화시킨다. 또는, 미리 미립자로서 공급된 재료를 연무화시킬 때, 용기내에 수용된 미립자를 연무 형성실내에서 진탕시켜 해당 미립자를 연무화시킨다.
여기서, C와 F 또는 Si를 함유하는 재료를 미립자 생성실에서 미립자화시키는 방법으로서는, 불활성 기체분위기중에서의 저항가열, 고주파유도가열, 레이저가열 등의 어느 방법을 이용해도 된다.
또한, 미립자를 연무 형성실에서 연무화시킬 때, 해당 미립자를 수용하는 용기를 진탕시켜도 되고, 혹은 초음파 등을 쏘여도 된다.
미립자 생성실 혹은 연무 형성실에서 연무화된 C와 F 또는 Si를 함유하는 연무를, 기체와 함께 반송관을 통해 막형성실로 반송한다. 이어서, 반송된 연무를 노즐로부터 분사시켜 기판상에 묘화하여, 해당 기판의 표면을 발수성 막으로 피복시켜 발수성 부재를 완성한다.
다음에, 발수성 부재의 기판상에 발수성 막을 형성하기 위해 2종이상의 상이한 재료를 이용하는 경우에 대해 설명한다.
발수성 막형성용의 C와 F 또는 Si를 함유하는 재료(이하, 제 1재료라 칭함)를 연무화시킬 때, 미리 입자로 분쇄되어 있을 필요가 있을 경우 불활성 기체로 충전되어 있는 미립자 생성실내에서 해당 제 1재료를 미립자화시킨다. 한편, 제 1재료가 미리 미립자로서 제공될 경우에는, 연무 형성실에 해당 미립자를 충전한 후 연무화시킨다.
발수성 재료 형성용의 C와 F 또는 Si, 혹은 금속미립자를 함유하는 재료(이하, 제 2재료라 칭함)를 연무화시킬 경우에는, 미리 입자로 분쇄되어 있을 필요가 있다면 불활성 기체로 충전되어 있는 미립자 생성실내에서 해당 제 2재료를 미립자화시킨다. 한편, 제 2재료가 미리 미립자로서 제공될 경우에는, 연무 형성실에 해당 미립자를 충전한 후 연무화시킨다.
제 1재료를 함유하는 연무와 제 2재료를 함유하는 연무를 기체를 이용해서 개별적으로 반송하는 도중에, 이들 두 연무의 흐름은, 함께 합해져서 제 1 및 제 2재료의 혼합연무를 형성한다. 다음에, 혼합연무를 반송관을 통해 막형성실로 도입한 후, 고속으로 노즐로부터 분사시켜 해당 기판 전체에 걸쳐 묘화하여, 기판표면상에 발수성 막을 형성한다.
따라서, 이 방법에 있어서는, 제 1재료와 제 2재료를, 그들 각각의 미립자 생성실 혹은 각각의 연무 형성실에서 개별적으로 연무화하고, 이들 상이한 연무의 흐름을 반송관의 도중에서 합류시켜 혼합층류를 형성시킨다.
따라서, 제 1재료의 연무의 흐름과 제2 재료의 연무의 흐름을 합할 때 각 연무의 흐름의 유량을 조정하는 것만으로 제 1 및 제 2재료의 소망의 혼합비를 지닌 발수성 막을 제작하는 것이 가능해진다.
또, 막두께방향으로 임의의 혼합비의 분포를 지닌 발수성 막도, 상기 유량을 조정하는 것만으로 제작하는 것이 가능하다.
이러한 막형성의 유형에 의하면, 기판에의 발수성 막의 밀착성을 증가시키는 것이 가능하다.
마찬가지로, 3성분이상의 상이한 재료를, 그들 각각의 미립자 생성실 혹은 각각의 연무 형성실에서 개별적으로 연무화시켜 연무를 형성하고 나서, 각각의 반송관의 도중에서 각 연무의 상이한 기류를 합함으로써 이들 3종류이상의 개별의 재료로 이루어진 발수성 막을 형성하는 것도 가능하다.
상기 방법은, 반송관의 도중에서 개별의 연무의 흐름을 합해서 혼합기체를 형성하는 것이다.
또는, 2종이상의 재료를 이용해서 발수성 막을 형성할 경우, 서로 상이한 재료를 동일한 미립자 생성실내에서 가열수단 등을 이용해서 독립적으로 미립자화 한다. 다음에, 이들 상이한 재료의 미립자가 분산된 혼합기체를 형성한 후 연무화한다. 한편, 상기 재료가 미리 미립자로 되어 있다면, 해당 미립자를 연무 형성실에서 혼합한 후 연무화시킨다. 얻어진 연무를 기체와 함께 반송관을 통해 막형성실로 도입한 후, 고속으로 노즐로부터 분사시켜, 해당 기판상을 묘화하여, 기판표면상에 발수성 막을 형성한다.
또는, 2종이상의 재료를 이용해서 발수성 막을 형성할 경우, 발수성 막형성용의 C와 F 또는 Si를 함유하는 재료(제 1재료)는, 미리 미립자로 분쇄되어 있을 필요가 있을 경우 불활성 기체로 충전되어 있는 미립자 생성실내에서 미립자화한다. 한편, 제 1재료가 미리 미립자로서 제공될 경우에는, 연무 형성실에 해당 미립자를 충전한 후 연무화시킨다.
발수성 재료 형성용의 C와 F 또는 Si, 혹은 금속미립자를 함유하는 재료(이하, 제 2재료라 칭함)를 연무화시킬 경우에는, 미리 입자로 분쇄되어 있을 필요가 있다면 불활성 기체로 충전되어 있는 미립자 생성실내에서 해당 제 2재료를, 미립자화시킨다. 한편, 제 2재료가 미리 미립자로서 제공될 경우에는, 연무 형성실에 해당 미립자를 충전한 후 연무화시킨다.
이 방법에서는, 전술한 바와 같이, 미립자 생성실 또는 연무 형성실에서 상기 재료를 연무화시킴으로써 얻어진 2종의 연무를 개별적으로 그들 각각의 반송관을 통해 막형성실로 반송한다. 막형성실에 있어서의 개별의 노즐로부터 연무화된 재료를 배출하기 직전에, 이들 재료를 함께 혼합해서 발수성 막을 형성한다.
또한, 상기 발수성 부재의 제조방법을 사용하는 보다 구체적인 예로서, 잉크젯헤드를 제조하는 방법에 대해 설명한다.
먼저, 잉크젯기록장치는, 저소음, 고속인쇄 등의 점에서 우수한 것으로 알려져 있다. 잉크젯기록장치에 있어서, 잉크 등의 액체는, 토출에너지발생소자로서 전자기계변환기(예를 들면, 피에조소자)를 이용하는 잉크젯헤드에 공급된다. 이들 소자는 기록정보와 화상정보에 대응하는 구동신호에 의거해서 구동되어, 대응하는 노즐로서 액적을 토출시켜 기록정보, 화상정보 등의 인자를 행한다.
여기서, 상기 잉크젯헤드는, 도 8에 도시한 바와 같이, 헤드기판(101) 및 오리피스판(110)을 구비한다. 헤드기판(101)은, 액체(예를 들면, 잉크)토출수단(예를 들면, 토출에너지발생수단, 도시생략)이 형성되어 있는 소자기판(102)과, 소자기판(102)상에 액체유로를 구획형성하는 액체유로벽(104)과, 각 액체유로(106)의 상부측으로서 구비되어 해당 액체유로(106)에 액체를 공급하는 액실(도시생략)이 형성되어 있는 천정판(105)을 포함한다. 따라서, 헤드기판(101)은 소자기판(102)과 천정판(105)을 액체유로벽(104)을 통해서 결합함으로써 구성된다. 오리피스판(110)은, 액체유로(106)에 대응하는 복수개의 잉크토출구(111)를 지니고, 헤드기판(101)의 표면(108)상에 접착제에 의해 고착되어 있고, 헤드기판(101)의 액체유로의 개구는 헤드기판(101)의 표면(108)에 형성되어 있다. 또한, 오리피스판(110)의 표면은 발잉크성을 지니므로, 잉크토출시 잉크방울이 잉크토출구(111)주위에 머무는 것을 방지함으로써, 토출안정성을 향상시킨다.
상기 발수성 부재의 제조방법을 이용하는 잉크젯헤드의 제조방법은, 상기 발수성 부재의 제조방법과 마찬가지 방법으로 상기 오리피스판을 제작하는 것을 특징으로 한다.
그러나, 상기 발수성 부재의 제조방법에 있어서의 발수성 막은, 잉크젯헤드의 제조방법에 있어서의 발잉크성 막일 필요가 있다. 따라서, 후자의 방법에서 사용된 입자는 발잉크성을 지닌 것이다. 발잉크성을 지닌 물질로 이루어진 입자의 경우, 그 평균입자크기는 1㎛이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 금속 혹은 금속산화물의 입자의 경우, 그 평균입자크기는 0.1㎛이하인 것이 보다 바람직하다.
이들 사실을 제외하고, 발수성 부재의 제조방법의 상기 실시형태의 전부를 잉크젯헤드의 제조방법에 적용할 수 있다.
이하, 본 발명을 그의 실시예를 참조해서 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.
(제 1실시예)
도 2를 참조해서, 본 실시예에 의한 미립자막 형성방법 및 미립자막 형성장치에 대해서 설명한다. 도 2에 있어서, 제 1실시예에 의한 미립자막 형성장치를 개략적으로 예시한다.
본 실시예에 있어서는, 발수성 막형성에 사용된 재료가 미분쇄된 단일 재료인 경우를 설명한다.
첫번째로, 발수성 막의 원료(5)로서 테트라플루오로에틸렌수지를 준비한 후, 미립자 생성실(4)의 도가니(12)에 넣는다. 다음에, 도가니(12)를 유도가열전원(8)에 의해 20kW의 고주파로 가열해서, 테트라플루오로에틸렌수지를 용해시키고 해당 용융된 수지를 도가니(12)내에 채운다.
또, 상기 도가니(12)를 더욱 가열해서 테트라플루오로에틸렌수지를 기화시켜, 테트라플루오로에틸렌의 초미립자로 한다. 얻어진 입자의 입자크기는 3nm 내지 500nm의 범위이다.
기화된 테트라플루오로에틸렌수지의 증기를 캐리어가스(예를 들면, 헬륨(He)가스)와 함께 연무화시킨다. 다음에, 이 연무는 미립자막 형성실(3)과 입자 생성실(4)간의 압력차에 의해 미립자막 형성실(3)로 반송된다. 따라서, 테트라플루오로에틸렌수지로 이루어진 초미립자막이 제조된다.
입자반송관(7)은 적소에 고정되어 있으므로, 기판(1)을 소정방향(도면에서 쌍방향 화살표로 표시한 방향)으로의 주사이동에 의해 이동시켜 기판(1)표면상에 선형상 발수성 막을 형성한다. 이 경우, 기판(1)의 이동속도는 0.1㎜/s이다.
이와 같이 해서 얻어진 막의 막두께를, 접촉식 두께측정기로 측정한 결과, 막두께는 50㎛정도이다.
본 실시예에서는, 다음의 막두께조건을 이용하였다. 즉, 노즐의 직경은 φ1㎜; 사용된 기판은 유리기판; 기판은 가열하지 않았고; 초미립자 생성실의 압력은 500Torr(66500Pa); He가스의 유량은 10ℓ/분; 막 형성실의 압력은0.1Torr(13.3Pa)였다. 또한, 기판상의 막을 300℃의 온도에서 10분간 가열해서 해당 기판(1)상의 초미립자막의 밀착성을 증대시켰다.
(제 2실시예)
도 3을 참조해서, 본 제 2실시예에 의한 미립자막 형성방법 및 이러한 방법에 이용된 미립자막 형성장치에 대해서 설명한다. 도 3은, 본 발명의 제 2실시예에 의한 미립자막 형성장치를 개략적으로 예시한다.
본 실시예에 있어서는, 발수성 막형성에 사용된 재료가 분쇄되어 있는 단일 재료인 경우를 설명한다.
첫번째로, 연무 형성실(9)내의 용기에, 원료(5)로서 입자크기가 0.2㎛인 테트라플루오로에틸렌의 미립자를 채워 넣은 후, 해당 용기내로 기체반송관(10)을 통해 He가스를 도입해서 해당 미립자를 연무화시켰다.
상기 연무화된 미립자를 He의 캐리어가스에 합류시킨 후, 미립자막 형성실(3)과 연무 형성실(9)간의 압력차에 의해 미립자막 형성실(3)로 반송시켰다. 이어서, 미립자는 상기 반송관(7)의 선단에 부착된 노즐(2)로부터 고속으로 방출시켰다. 따라서, 테트라플루오로에틸렌수지로 이루어진 초미립자막이 기판(1)의 표면상에 제작되었다.
얻어진 막을 원자력현미경(AFM)을 이용해서 현미경관찰한 결과를 도 4에 표시하였다.
도 4에 표시한 바와 같이, 상기 막의 표면상에 약 0.2㎛의 입자가 함께 결합되어 있는 것을 알 수 있다. 다른 것은 제 1실시예의 것과 마찬가지이다.
(제 3실시예)
이제, 도 5를 참조해서, 본 발명의 제 3실시예에 의한 미립자막 형성방법 및 이러한 방법에 이용된 미립자막 형성장치에 대해서 설명한다. 도 5는, 본 발명의 제 3실시예에 의한 미립자막 형성장치를 개략적으로 예시한다.
본 실시예에 있어서는, 발수성 막형성에 2종의 재료를 사용하고 이들의 양쪽은 모두 분쇄되어 있는 경우를 설명한다.
첫번째로, 연무 형성실(9)에 장비된 용기에, 테트라플루오로에틸렌으로 이루어진 미립자(원료(5a))와 Al2O3로 이루어진 미립자(원료(5b))를 채워 넣은 후, 해당 용기내로 기체반송관(10)을 통해 He가스를 도입해서, 해당 원료(5a), (5b)의 양쪽의 미립자를 연무화시켜 함께 혼합하였다.
연무화된 미립자는 캐리어가스(예를 들면, 헬륨(He)가스)에 합류된 후, 해당 연무는 미립자반송관(7)을 통해서 미립자막 형성실(3)과 연무 형성실(9)간의 압력차에 의해 미립자막 형성실(3)로 반송되었다. 이어서, 상기 연무는 상기 반송관(7)의 선단에 부착된 노즐(2)로부터 고속으로 방출시켰다. 따라서, 테트라플루오로에틸렌 및 Al2O3로 이루어진 초미립자막이 기판(1)의 표면상에 제작되었다. 다른 것은 상기 제 1실시예의 것과 마찬가지이다.
(제 4실시예)
이제, 도 6을 참조해서, 본 발명의 제 4실시예에 의한 미립자막 형성방법 및 이러한 방법에 이용된 미립자막 형성장치에 대해서 설명한다. 도 6은, 본 발명의제 4실시예에 의한 미립자막 형성장치를 개략적으로 예시한다.
본 실시예에 있어서는, 발수성 막형성에 2종의 재료를 사용하고 이들의 양쪽은 모두 분쇄되어 있는 경우를 설명한다.
첫번째로, 연무 형성실(9)내의 용기에, 미립자(원료(5a))를 넣고, 이어서, 해당 용기내로 기체반송관(10)을 통해 He가스를 도입한 결과, 테트라플루오로에틸렌의 미립자가 연무화되었다.
한편, 입자 생성실(4)내의 도가니(12)에 Ni(재료(5b))를 넣은 후, 유도가열전원(8)에 의해 25kW의 고주파로 가열하였다. 그 결과, 용융 Ni가 도가니(12)속에 채워졌다.
또한, 연속 가열에 의해, Ni를 기화시켰다. 이 Ni증기는 He의 헬륨가스에 합류한 후 연무화되었다.
이들 2종의 연무(테트라플루오로에틸렌과 Ni)는 개별적으로 미립자반송관(7)을 통해 기체반송에 의해 미립자막 형성실(3)에 도입된 후, 개별의 노즐(2)로부터 2종의 연무를 방출해서 기판표면상에 테트라플루오로에틸렌과 Ni로 이루어진 초미립자막을 형성하였다. 다른 것은 상기 제 1실시예의 것과 마찬가지이다.
(제 5실시예)
이하, 도 7을 참조해서, 본 발명의 제 5실시예에 의한 미립자막 형성방법 및 이러한 방법에 이용된 미립자막 형성장치에 대해서 설명한다. 도 7은, 본 발명의 제 5실시예에 의한 미립자막 형성장치를 개략적으로 예시한다.
본 실시예에 있어서는, 발수성 막형성에 2종의 재료를 사용하고 이들의 양쪽은 모두 분쇄되어 있는 경우를 설명한다. 이 경우, 이들 재료는 개별의 각 실에서 연무화시켜 그들의 반송관의 도중에서 함께 혼합하여 동일한 노즐로부터 기판상에 토출시킨다.
첫번째로, 연무 형성실(9a)내의 용기에, Si수지(원료(5a))로 이루어진 미립자를 넣고, 이어서, 해당 용기내로 기체반송관(10a)을 통해 He가스를 도입한 결과, Si수지의 미립자가 연무화되었다.
또, 다른 연무 형성실(9b)내의 용기에, Al2O3수지(원료(5b))로 이루어진 미립자를 넣고, 이어서, 해당 용기내로 기체반송관(10b)을 통해 He가스를 도입한 결과, Si수지의 미립자가 연무화되었다.
상기 2종의 연무를 개별적으로 각각의 반송관(7a), (7b)을 통해 기체와 함께 반송하여, 해당 반송관(7a), (7b)의 도중에서 혼합해서 연무의 혼합류를 형성하였다.
이어서, 상기 혼합류를 미립자막 형성실(3)로 도입한 후, 노즐(2)로부터 고속으로 토출해서, 기판(1)의 표면상에 Si수지 및 Al2O3로 이루어진 초미립자막을 형성하였다. 다른 것은 상기 제 1실시예의 것과 마찬가지이다.
(제 6실시예)
노즐구멍(직경 30㎛)을 니켈판(두께 75㎛)에 100㎛의 피치로 형성하였다. 얻어진 판을 오리피스판의 기재로서 제공하였다.
또는, 오리피스판의 기재로서, 금속재료 대신에, 유리나 수지를 사용해도 된다.
상기 니켈판을 아세톤에 침지한 후, 초음파세정을 5분간 행하였다.
세정 및 건조후의 니켈판을 기판(21)으로서 제공하여, 도 9에 표시한 기체퇴정장치내의 막 형성실(23)의 묘화단계에 놓았다.
미립자로서 제공된 발잉크성 재료로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)(다이킨공업사로부터 시판되는 상품명: "Leblond L5-F(저분자량 폴리테트라플루오로에틸렌)")을 사용하였다. 주사형 전자현미경(SEM)을 이용한 현미경관찰결과, 미립자의 평균입자크기는 약 0.2㎛인 것으로 확인되었다. 이 미립자를 용기(연무 형성실(28))에 놓은 후, 진탕에 의해 연무화하였다.
하기 표 1의 조건하에, 초미립자를 반송관(27)을 통해 막 형성실(23)로 반송한 후, 해당 초미립자를 반송관(27)의 선단에 부착된 노즐(22)(직경 1㎜)로부터 니켈판(21)의 표면에 분사해서 그 위에 막을 형성하였다.
캐리어가스의 종류 헬륨
기체의 유량(SLM) 30
막 형성실의 압력(Torr) 1
기판의 온도 실온
막 형성후, 기판을 분위기로(atmospheric furnace)에서 350℃에서 1시간 열처리하였다.
이어서, 이와 같이 해서 얻어진 오리피스판의 외부면의 물에 대한 접촉각을 측정한 바, 접촉각은 119°였다. 오리피스판의 내구성을 평가하기 위해, 문지르기 시험을 행하였다. 문지르기 시험에 있어서, 오리피스판에 프린터잉크 혹은 물을 적하하여, 해당 오리피스판의 표면을 와이퍼블레이드(아사히 카세이사에서 시판중인 상품명: "Bemcot")를 이용해서 300회 문질렀다. 이 시험후, 접촉각을 측정한 결과, 110°였다. 또, 도면에서, (29)는 용기(연무 형성실(28))내로 He가스를 도입하기 위한 기체반송관이다.
(제 7실시예)
제 6실시예의 경우와 마찬가지로 니켈로 이루어진 기판인 오리피스판을 이용하였다.
니켈판을 아세톤에 침지한 후, 초음파세정을 5분간 행하였다.
세정 및 건조후의 니켈판(즉, 기판(21))을 도 9에 표시한 기체퇴적장치내의 막 형성실(23)의 묘화단계에 놓았다. 이 예에 있어서는, 초미립자 생성을 위해 2개의 실을 준비하였는 바, 그중 하나는 금속미립자용이고 다른 것은 발잉크성 재료용이었다. 금속미립자 발생실(24)에서는, 니켈재료를 아크가열수단(26)으로부터의 아크방전에 의해 가열해서 니켈의 초미립자를 형성하였다. 주사형 전자현미경(SEM)을 이용한 현미경관찰결과, 니켈 초미립자의 평균입자크기는 약 50nm인 것으로 확인되었다. 이 미립자를 헬륨가스를 이용해서 연무화하였다. 니켈 초미립자의 제조를 위해서는, 아크가열 대신에, 고주파유도가열, 저항가열 등을 이용해도 된다. 금속미립자로서는 니켈대신에 티탄, 금, 은 혹은 구리를 이용해도 된다.
발잉크성 재료로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)(다이킨공업사로부터 시판되는 상품명: "Leblond L5-F(저분자량 폴리테트라플루오로에틸렌))을 사용하였다. 이 PTFE를 용기(연무 형성실(28))에 놓은 후, 진탕에 의해 연무화하였다.
하기 표 2의 조건하에, 초미립자를 반송관(27)을 통해 막 형성실(23)로 반송한 후, 해당 니켈 초미립자와 PTFE미립자의 혼합물을 반송관(27)의 선단에 부착된 노즐(22)(직경 1㎜)로부터 니켈판(21)의 표면에 분사해서 그 위에 막을 형성하였다.
캐리어가스의 종류 헬륨
기체의 유량(SLM) 30
막 형성실의 압력(Torr) 1
아크발생실의 압력 500
막 형성후, 기판을 분위기로에서 330℃에서 1시간 열처리하였다.
이어서, 이와 같이 해서 얻어진 오리피스판의 외부면의 물에 대한 접촉각을 측정한 바, 접촉각은 115°였다. 오리피스판의 내구성을 평가하기 위해, 제 6실시예와 마찬가지로 문지르기 시험을 행하였다. 문지르기 시험후, 접촉각을 측정한 결과, 108°였다. 또, 도면에서, (30)은 상기 실(24)로부터 여분의 입자를 배기하기 위한 여분입자배기기구이다.
(제 8실시예)
제 6실시예의 경우와 마찬가지로 니켈로 이루어진 기판인 오리피스판을 이용하였다.
니켈판을 아세톤에 침지한 후, 초음파세정을 5분간 행하였다.
세정 및 건조후의 니켈판(즉, 기판(21))을 도 9에 표시한 기체퇴적장치내의 막 형성실(23)의 묘화단계에 놓았다. 이 예에 있어서는, 초미립자 생성을 위해 2개의 실을 준비하였는 바, 그중 하나는 금속미립자용이고, 다른 것은 발잉크성 재료용이었다.
금속산화물미립자로서는, 알루미나를 사용하였다. 알루미나를 용기(연무 형성실(28)내에 있음)에 놓고, 진탕에 의해 연무화하였다. 또는, 금속산화물미립자로서는, 알루미나대신에, 티탄산화물 혹은 규소산화물을 이용해도 된다.
발잉크성 재료로서는, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)(다이킨공업사로부터 시판되는 상품명: "Leblond L5-F(저분자량 폴리테트라플루오로에틸렌))을 사용하였다. 이 PTFE를 연무 형성실내에 장비된 용기(도시되어 있지 않지만, (28)로 표시된 것과 마찬가지임)에 놓은 후, 진탕에 의해 연무화하였다.
이들 초미립자를 캐리어가스로서 헬륨을 이용해서 반송한 후, 해당 알루미나초미립자와 PTFE미립자의 혼합물을 반송관(27)의 선단에 부착된 노즐(22)(직경 1㎜)로부터 니켈판(21)의 표면에 토출해서 그 위에 막을 형성하였다.
막 형성후, 기판을 분위기로에서 330℃에서 1시간 열처리하였다.
이어서, 이와 같이 해서 얻어진 오리피스판의 외부면의 물에 대한 접촉각을 측정한 바, 접촉각은 118°였다. 오리피스판의 내구성을 평가하기 위해, 제 6실시예와 마찬가지로 문지르기 시험을 행하였다. 문지르기 시험후, 접촉각을 측정한 결과, 111°였다.
이상, 본 발명에 의하면, 전술한 바와 같이, 산업기기, 전자기기 등의 각종 제품에 이용되는 발수성, 내후성, 오염방지성 등을 지닌 발수성 부재에 있어서, 기체퇴적법을 이용해서 기판상에 발수성 막을 형성하므로, 얻어진 균일한 발수성 막은 발수성과 내구성이 우수하다. 또한, 발수성 막은 마스킹 등의 공정없이, 또한, 원료의 선택에 제한없이 간단한 방법에 의해 이러한 물성을 요하는 기판상에만 형성할 수 있다.
본 발명에 의하면, 전술한 바와 같이, 잉크젯헤드의 오리피스판은, 기체퇴적법에 의해 발잉크성 층을 형성함으로써 높은 발잉크성과 내구성을 달성할 수 있다. 따라서, 높은 정확도와 높은 안정성으로 잉크의 토출을 행할 수 있다.
기체퇴적법에 의해 제작된 잉크젯헤드의 오리피스판은, 금후 요구되는 인자의 고속화, 토출의 안정화, 내구성의 증대화에 대해 충분한 능력을 발휘하는 것이므로, 사진이나 화상의 고속인자 및 산업용도로의 전개가 가능해진다.

Claims (17)

  1. 기판과 해당 기판의 표면을 피복하는 발수성 막을 지닌 발수성 부재의 제조방법에 있어서,
    발수성 물질의 입자를 기체에 의해 반송하는 공정; 및
    반송된 상기 입자를 노즐로부터 상기 기판에 뿜어내어, 해당 기판의 표면상에 발수성 막을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 반송되는 물질을, 발수성을 지닌 물질을 가열함으로써 생성시키는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 반송되는 입자를 연무화시키는 공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 연무화는, 발수성을 지닌 물질을 가열해서 해당 발수성을 지닌 물질을 증발시키고, 증발된 해당 발수성을 지닌 물질을 불활성 기체와 접촉시킴으로써 행하는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서, 상기 연무화는, 상기 반송되는 입자사이에 기체를 혼합함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 기판상에 뿜어내는 입자는, 복수종의 입자로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고,
    상기 복수종의 입자는 동일 챔버내에서 생성되는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서, 상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고,
    상기 복수종의 입자를 동일 챔버내에서 연무화하는 부가공정을 또 구비한 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  9. 제 1항에 있어서, 상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고,
    상기 복수종의 입자를 다른 챔버에서 연무화하는 부가공정을 또 구비하고,
    상기 기판에의 뿜어내기는, 상기 복수종의 입자를 그들 각각의 서로 다른 노즐로부터 분사함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 반송되는 입자는 복수종의 입자로 이루어져 있고,
    상기 복수종의 입자를 다른 챔버에서 연무화하는 부가공정을 또 구비하고,
    상기 기판에의 뿜어내기는, 상기 복수종의 입자를 혼합해서 해당 혼합물을 동일한 노즐로부터 분사함으로써 행하는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 발수성을 지닌 물질의 입자의 입자크기가 0.5㎛이하인 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 발수성을 지닌 물질의 입자는, 적어도 탄소원자와 불소원자를 함유하는 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 발수성을 지닌 물질의 입자는, 적어도 규소원자를 함유하는 수지로 이루어진 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  14. 제 6항에 있어서, 상기 복수종의 입자는, 적어도 탄소원자와 불소원자를 함유하는 수지로 이루어진 입자와 금속 혹은 금속산화물로 이루어진 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  15. 제 6항에 있어서, 상기 복수종의 입자는, 적어도 규소원자를 함유하는 수지로 이루어진 입자와 금속 혹은 금속산화물로 이루어진 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  16. 제 1항에 있어서, 상기 기판상에 입자를 뿜어내는 동안 혹은 뿜어낸 후에, 해당 기판표면상의 발수성 막을 가열용융시키는 것을 특징으로 하는 발수성 부재의 제조방법.
  17. 발잉크성 표면을 지닌 오리피스판이 장비된 잉크젯헤드를 제조하는 방법에 있어서,
    상기 오리피스판의 형성은, 발잉크성 물질의 입자를 기체에 의해 반송하는 공정; 및
    반송된 상기 입자를 노즐로부터 기판에 뿜어내서, 해당 기판의 표면상에 발잉크성 막을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 잉크젯헤드의 제조방법.
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