KR20030064868A - 이온 주입기를 위한 공정중 웨이퍼 전하 모니터 및 제어시스템 - Google Patents
이온 주입기를 위한 공정중 웨이퍼 전하 모니터 및 제어시스템 Download PDFInfo
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- 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템(32)으로서,(i) 이온빔(18)에 의한 주입을 위하여 다수의 웨이퍼(W)가 배치될 수 있는 웨이퍼 지지체(22)를 포함하는데, 상기 지치체는 상기 웨이퍼의 표면보다 다소 전기 도전성을 띠는 인접 웨이퍼의 중간에 배치된 부분을 가지며, 상기 웨이퍼 지지체(22)는 중심(31)을 부가적으로 갖는데, 상기 중심으로부터 상기 다수의 웨이퍼 각각이 실질적으로 등거리로 되며, 상기 웨이퍼 지지체에는 상기 중심(31)으로부터 실질적으로 등거리로 배치되는 제1 및 제2 개구(64, 66)가 부가적으로 제공되며, 상기 제1 및 제2 개구(64, 66) 각각을 통과하는 이온빔(18a, 18b)의 제1 및 제2 부분을 수신하고 수신된 이온빔 전류 량을 각각 나타내는 제1 및 제2 출력 신호(44, 42)를 출력하는 제1 및 제2 전하 모니터(40, 38)를 포함하며,(ii) 상기 제1 및 제2 출력 신호(44, 42)를 비교하여 제1 및 제2 전하 모니터(40, 38)에 의해 수신되는 이온빔 전류에서의 차이를 나타내는 제3 출력 신호(48)를 출력하는 비교기(46)를 포함하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 개구(64)는 상기 제2 개구(66) 보다 웨이퍼에 근접하여 위치되는 것을 특징으로 하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 개구(64) 및 상기 제2 개구(66) 각각은 웨이퍼(W)로부터 실질적으로 등거리로 위치되는 것을 특징으로 하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼 지지체(22)는 상기 디스크가 놓이는 평면에 수직한 중심(31)을 통과하는 축에 대해서 회전하는 회전 디스크인 것을 특징으로 하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 디스크(22)는 알루미늄으로 구성되고, 주입될 상기 웨이퍼(W)는 그 위의 절연성 층을 갖는 것을 특징으로 하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 제3 출력 신호(48)는 이온 주입기의 전하 중성화 시스템(33)으로의 입력으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 제3 출력 신호(48)는 이온 주입기의 도우스 제어 시스템(35)으로의 입력으로서 사용되는 것을 특징으로 하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 제 4 항에 있어서,상기 디스크는 실리콘 코팅되는 것을 특징으로 하는 이온 주입기를 위한 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템.
- 이온 주입 시스템(10)으로서,(i) 일반적으로 (+)로 충전된 이온빔(18)을 출력하는 소스(12)와,(ii) 상기 이온빔의 (+) 순전하를 중성화시키기 위하여 저 에너지 전자를 공급시키는 전하 중성화 시스템(33)과,(iii) 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템(32)을 포함하는데, 상기 공정중 전하 모니터 및 제어 시스템은, (a) 이온빔(18)에 의한 주입을 위하여 다수의 웨이퍼(W)가 배치될 수 있는 웨이퍼 지지체(22)로서, 상기 지치체는 상기 웨이퍼의 표면보다 다소 전기 도전성을 띠는 인접 웨이퍼의 중간에 배치된 부분을 가지며, 상기 웨이퍼 지지체(22)는 중심(31)을 부가적으로 갖는데, 상기 중심으로부터 상기 다수의 웨이퍼 각각이 실질적으로 등거리로 되며, 상기 웨이퍼 지지체에는 상기 중심(31)으로부터 실질적으로 등거리로 배치되는 제1 및 제2 개구(64, 66)가 부가적으로 제공되는, 상기 웨이퍼 지지체와; (b) 상기 제1 및 제2 개구(64, 66) 각각을 통과하는 이온빔(18a, 18b)의 제1 및 제2 부분을 수신하고 수신된 이온빔 전류 량을 각각 나타내는 제1 및 제2 출력 신호(44, 42)를 출력하는 제1 및 제2 전하 모니터(40, 38) 및; (c) 상기 제1 및 제2 출력 신호(44, 42)를 비교하여 제1 및 제2 전하 모니터(40, 38)에 의해 수신되는 이온빔 전류에서의 차이를 나타내는 제3 출력 신호(48)를 출력하는 비교기(46)를 포함하는데, 상기 제3 출력 신호(48)는 전하 중성화 시스템(33)으로의 입력으로서 사용되어, 발생된 저 에너지 전자의 공급을 제어하는, 이온 주입 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 제1 개구(64)는 상기 제2 개구(66) 보다 웨이퍼에 근접하여 위치되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 제1 개구(64) 및 상기 제2 개구(66) 각각은 웨이퍼(W)로부터 실질적으로 등거리로 위치되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
- 제 9 항에 있어서,상기 웨이퍼 지지체(22)는 상기 디스크가 놓이는 평면에 수직한 중심(31)을통과하는 축에 대해서 회전하는 회전 디스크인 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
- 제 12 항에 있어서,상기 디스크(22)는 알루미늄으로 구성되며, 주입될 상기 웨이퍼(W)는 그 위에 절연층을 갖는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
- 제 12 항에 있어서,상기 디스크(22)는 실리콘-코팅되는 것을 특징으로 하는 이온 주입 시스템.
- 주입되는 웨이퍼상의 전하 누적을 중성화시키는 방법으로서,(i) 이온 소스(12)를 사용하여 일반적으로 (+)로 충전된 이온빔(18)을 제공하는 단계와,(ii) 상기 이온빔의 (+) 순전하를 중성화시키기 위하여 저 에너지 전자를 공급시킴으로써, 주입되는 웨이퍼의 표면으로 운반될 때, 일반적으로 (+)로 충전된 이온빔을 중성화시키는 전하 중성화 시스템(33)을 제공하는 단계와,(iii) 회전 지지체(22)의 중심(31)의 주변에 대해서 그리고 상기 중심으로부터 등거리로 다수의 웨이퍼를 배치하는 단계로서, 상기 지지체(22)는 상기 웨이퍼의 표면 보다 다소 도전성을 띠는 인접 웨이퍼 중간에 배치되는 부분을 가지며, 상기 웨이퍼 지지체에는 상기 중심(31)으로부터 실질적으로 등거리로 배치되는 제1및 제2 개구(64, 66)가 제공되는, 배치 단계와,(iv) 상기 제1 및 제2 개구(64, 66)를 통과하는 이온빔(18a, 18b)의 제1 및 제2 부분을 모니터하는 단계와,(v) 상기 이온빔의 제1 및 제2 부분에서 검출되는 이온빔 전류량을 각각 나타내는 제1 및 제2 출력 신호(44, 42)를 출력하는 단계와,(vi) 상기 제1 및 제2 출력 신호(44, 42)를 비교하여, 상기 출력간의 차이를 나타내는 제3 출력 신호(48)를 출력하는 단계 및,(vii) 상기 제3 출력 신호(48)를 상기 전하 중성화 시스템(33)으로 입력하여, 발생된 저 에너지 전자의 공급을 제어하는 단계를 포함하는 주입되는 웨이퍼상의 전하 누적을 중성화시키는 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 회전 디스크922)는 알루미늄으로 구성되며, 주입되는 상기 웨이퍼(W)는 그 위에 절연층을 갖는 것을 특징으로 하는 주입되는 웨이퍼상의 전하 누적을 중성화시키는 방법
- 제 15 항에 있어서,상기 회전 디스크(22)는 실리콘-코팅되는 것을 특징으로 하는 주입되는 웨이퍼상의 전하 누적을 중성화시키는 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제1 개구(64)는 상기 제2 개구(66) 보다 웨이퍼에 근접하여 위치되는 것을 특징으로 하는 주입되는 웨이퍼상의 전하 누적을 중성화시키는 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 제1 개구(64) 및 상기 제2 개구(66) 각각은 웨이퍼(W)로부터 실질적으로 등거리로 위치되는 것을 특징으로 하는 주입되는 웨이퍼상의 전하 누적을 중성화시키는 방법.
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