KR20030058272A - 파워-업 신호 발생 장치 - Google Patents

파워-업 신호 발생 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030058272A
KR20030058272A KR1020010088687A KR20010088687A KR20030058272A KR 20030058272 A KR20030058272 A KR 20030058272A KR 1020010088687 A KR1020010088687 A KR 1020010088687A KR 20010088687 A KR20010088687 A KR 20010088687A KR 20030058272 A KR20030058272 A KR 20030058272A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power
voltage
reference voltage
power supply
signal
Prior art date
Application number
KR1020010088687A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100818655B1 (ko
Inventor
권기창
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020010088687A priority Critical patent/KR100818655B1/ko
Publication of KR20030058272A publication Critical patent/KR20030058272A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100818655B1 publication Critical patent/KR100818655B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/22Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied
    • H03K17/223Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4072Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/143Detection of memory cassette insertion or removal; Continuity checks of supply or ground lines; Detection of supply variations, interruptions or levels ; Switching between alternative supplies
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/148Details of power up or power down circuits, standby circuits or recovery circuits

Landscapes

  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

본 발명은 동작시 온도변화 및 공정 변화에 상관없이 안정적으로 파워업 감지를 수행하는 파워-업 발생 장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명의 일측면에 의하면, 전원전압을 입력받아 일정하게 분배한 기준전압을 출력하되, 온도변화 및 공정변화에 따라 기준전압의 크기를 조절하는 기준전압부; 및 상기 기준전압에 응답하는 전류싱크를 구비하여 파워업신호를 출력하는 파워업감지 출력부를 구비하는 파워업신호 발생장치가 제공된다. 또한 본 발명의 타측면에 따르면, 전원전압을 입력받아 일정하게 분배한 기준전압을 출력하되, 기준전압의 크기를 조절하는 기준전압부; 및 상기 기준전압에 응답하는 전류싱크를 구비하여 파워업신호를 출력하는 파워업감지 출력부; 온도변화 및 공정변화에 따른 상기 기준전압부에서의 전류 변화량에 따라 상기 출력부의 전류 변화량을 실질적으로 같도록 유지시켜주는 전류미러부를 구비하는 파워업신호 발생장치가 제공된다.

Description

파워-업 신호 발생 장치{Power-up signal Generator}
본 발명은 반도체 소자의 파워업(Power-Up) 신호 발생장치에 관한 것으로, 특히 공정변화 및 온도변화에 관계없이 파워-업신호를 안정적으로 출력하는 파워-업 신호 발생장치에 관한 것이다.
일반적으로, 외부의 전원전압(Vext)이 디램(DRAM)등의 반도체 소자에 인가된 후, 기판 바이어스 전압(substrate bias voltage: Vbb) 발생회로의 전하 펌프 동작에 의해 기판 바이어스 전압(Vbb)이 접지전압으로부터 소정의 네거티브(-)전압으로 될 때까지는 어느 정도의 시간이 필요하다. 이는 기판용량(Cs)이 클 뿐 아니라 전원전압도 0V에서 5V로 증가하고 있는 구간이어서 상기 기판 바이어스 전압 발생회로 내의 링 오실레이터(ring oscillator)의 발진 주파수도 낮아서 자체 전류공급 능력이 작기 때문이다.
또, 디램의 셀영역 전체를 덮고 있는 셀 플레이트(cell plate)에 인가되어 있는 전압(Vcp)이 0V에서 Vcc/2로 상승하게 되므로 기판과의 결합 캐패시턴스에 의해 기판 바이어스 전압(Vbb)도 포지티브(+)방향으로 함께 상승하여 기판 바이어스 전압 발생 회로에 부담을 주며, 큰 과도전류가 흐를 수 있게 된다.
따라서, 외부의 전원전압(Vext) 인가시 내부회로의 동작을 관여하는 컨트롤(Control) 신호 (예컨대 /RAS, /CAS)들을 제어하기 전에 Vbb(Back Bias Voltage)가 안정화된 레벨(Level)까지 다다르는 시간이 필요하다. 그리고 그 시간안에 내부회로의 초기화가 이루어지게 된다.
내부회로의 초기화를 시키기 위한 파워-업 신호는 외부에서 입력되는 전원전압에 따라 상승하여 내부회로에 구성되어 있는 초기화 회로를 동작시키고, 각각의 초기화회로가 컨트롤 신호를 제어할 수 있는 조건을 만족되면 디스에이블(Disable)되는 신호이다.
즉, 파워업신호 발생장치란, 외부 전원전압(Vext)의 인가후 인가전압이특정 전압 이상 되었을 때 반도체 소자를 동작시킴으로써 저전압영역에서 디바이스가 오동작하는 것을 방지하며, 파워업 감지회로의 출력이 인에이블 되기전에 디바이스의 내부 신호라인을 초기화하는 역할을 하는 회로를 말한다.
도1은 종래 기술에 의한 파워업신호 발생장치를 나타내는 회로도이다.
도1을 참조하여 살펴보면, 파워업신호 발생장치는 외부 전원전압(Vext)에 따라 일정한 기준전압을 출력하는 기준전압부(10)와, 외부 전원전압(Vext)의 전위가 일정 전위 이상이 됨을 감지하여 파워-업 신호(pupb)를 발생시키는 파워업신호 감지출력부(20)로 구성된다.
기준전압부(10)는 외부의 전원전압(vext)과 접지전원과 직렬로 연결되어 전원전압(Vext)를 일정하게 분배하는 제1,2 저항(R1,R2)으로 구성된다.
파워업신호 감지출력부(20)는 외부의 전원전압(Vext)을 인가받아 노드(N2)로 전달하는 제3 저항(R3)과, 게이트로 노드(N1)의 전압을 인가받고, 제2 저항(R3)과 접지전원을 연결하는 제1 앤채널 모스 트랜지스터(MN1)와 노드(N2)의 전압을 반전하여 파워업신호(PWRUP)로 출력하는 인버터(I1)로 구성된다.
도2는 도1의 파워업신호 발생장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
이하 도1내지 도2를 참조하여 파워업신호 발생장치의 동작에 대해 살펴본다.
반도체 소자에 외부 전원전압(Vext)이 인가되어 점차로 증가하게 되면, 노드(N2)의 전압은 이에 따라 점차로 증가하게 된다. 이 때에 제1 앤채널 모스 트랜지스터(MN1)는 턴오프되어 있다.
한편, 기준전압부(10)에서는 외부 전원전압(Vext)이 상승함에 따라서, 노드(N1)에 제1,2 저항(R1,R2)에 따라 일정하게 분배되는 전압도 상승하게 된다. 이후에 일정하게 상승한 노드(N1)의 전압이 제1 앤채널 모스 트랜지스터(MN1)를 턴온 시키게 되고 이에 따라 노드(N2)의 전압은 접지전원과 연결되어 로우도 된다.
따라서 노드(N2)의 전압레벨과 반대로 동작하는 파워업신호(PWRUP)는 외부전원전압(Vext)이 인가되어 일정한 시점까지는 로우를 유지하다가 노드(N2)의 전압이 로우로 되는 순간, 하이로 천이된다.
그러나 상기에서 설명한 파워업신호 발생장치는 온도, 공정의 변화에 따른 변화가 심하게 발생되는 문제점을 가지고 있다.
도2의 파형도에 외부 전원전압(Vext)이 상승함에 따라서, 노드(N1,N2)와 파워업신호(PWRUP)의 동작 파형이 도시되 있으며, 파워업신호 발생장치의 동작시 온도변화 및 기타 공정변화에 따른 동작파형의 변화에 대해 나타나 있다. 도2에 도시된 바와 같이 온도,공정변화에 따라 약0.6V이상의 동작파형의 차이를 볼 수 있다.
대체로 저항소자는 공정변화, 온도변화에 둔감한 특성을 가지고 있으나, 모스 트랜지스터는 공정변화 및 온도변화에 크게 영향을 받게된다.
전술한 바와 같이, 파워업신호 발생장치의 동작시 온도변화 및 기타 공정변화에 따른 동작파형의 변화가 심하게 되면, 너무 낮은 전압 혹은 너무 높은 전압에서 파워업신호 발생장치가 동작하게 되어 반도체 소자의 초기화에 실패하거나, 혹은 너무 높은 전압에서 파워업신호 발생장치가 동작하게 되어 반도체 소자의 저전압영역에서의 오동작을 유발할 수 있다.
본 발명은 동작시 온도변화 및 공정 변화에 상관없이 안정적으로 파워업 감지를 수행하는 파워-업 발생 장치를 제공함을 목적으로 한다.
도1은 종래 기술에 의한 파워업신호 발생장치를 나타내는 회로도.
도2는 도1의 파워업신호 발생장치의 동작을 나타내는 파형도.
도3는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파워업신호 발생장치를 나타내는 블럭 구성도.
도4은 도3의 파워업신호 발생장치의 동작을 나타내는 파형도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
100 : 기준전압부
200 : 파워업신호 감지출력부
상기의 목적을 달서하기 위하여 본 발명의 일측면에 의하면, 전원전압을 입력받아 일정하게 분배한 기준전압을 출력하되, 온도변화 및 공정변화에 따라 기준전압의 크기를 조절하는 기준전압부; 및 상기 기준전압에 응답하는 전류싱크를 구비하여 파워업신호를 출력하는 파워업감지 출력부를 구비하는 파워업신호 발생장치가 제공된다.
본 발명의 타측면에 따르면, 전원전압을 입력받아 일정하게 분배한 기준전압을 출력하되, 기준전압의 크기를 조절하는 기준전압부; 및 상기 기준전압에 응답하는 전류싱크를 구비하여 파워업신호를 출력하는 파워업감지 출력부; 온도변화 및 공정변화에 따른 상기 기준전압부에서의 전류 변화량에 따라 상기 출력부의 전류 변화량을 실질적으로 같도록 유지시켜주는 전류미러부를 구비하는 파워업신호 발생장치가 제공된다.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시 할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도3는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 파워업신호 발생장치를 나타내는 블럭 구성도이다.
도3을 참조하여 살펴보면, 파워업신호 발생장치는 외부 전원전압(Vext)에 따라 일정한 기준전압을 출력하는 기준전압부(100)와, 외부 전원전압(Vext)의 전위가 일정 전위 이상이 됨을 감지하여 파워업 신호를 발생시키는 파워업신호 감지출력부(200)로 구성된다.
기준전압부(100)는 외부의 전원전압(Vext)과 접지전원과 사이에 직렬로 연결되어 전원전압(Vext)를 일정하게 분배하는 제1,2 저항(R4,R5)과, 외부의 전원전압(Vext)이 일정이상일 때 턴온되는 다이오드형 제1 앤채널 모스 트랜지스트(MN2)로 구성된다.
파워업신호 감지출력부(200)은 외부의 전원전압(Vext)을 인가받아 노드(N2)로 전달하는 제3 저항(R6)과, 게이트로 노드(N3)의 전압을 인가받고, 제2 저항(R5)과 접지전원을 연결하며 제1 앤채널 모스 트랜지스트(MN2)와 전류미러(mirror)를 구성하는 제2 앤채널 모스 트랜지스터(MN3)와 노드(N4)의 전압을 반전하여 파워업신호(PWRUP)로 출력하는 인버터(I2)로 구성된다.
도4은 도3의 파워업신호 발생장치의 동작을 나타내는 파형도이다.
이하 도3 내지 도4를 참조하여 본발명에 의한 파워업신호 발생장치의 동작에 대해 설명한다.
외부의 전원전압(Vext)가 점차로 증가하기 시작하면, 노드(N3)은 외부의 전원전압(Vext)에 따라 증가하게 되며, 이후에 제1 앤채널 모스 트랜지스터(MN2)의 문턱전압이상 상승하게 되면 제1 앤채널 모스 트랜지스터(MN2)는 턴온되고, 노드(N1)의 전위는 제1,2 저항(R4,R5)에 따라 외부의 전원전압(Vext)이 분배되어진다.
또한, 노드(N4)의 전위도 외부의 전원전압(Vext)의 증가와 함게 제2 앤채널 모스 트랜지스트(MN3)이 턴온되지 전까지는 증가하게 되고, 노드(N3)의 전위가 증가함에 따라 제2 앤채널 모스 트랜지스터(MN3)가 턴온이 되면 제3 저항(R6)과 제2 앤채널 모스 트랜지스터(MN3)의 턴온저항비에 의해 노드(N2)의 전압이 결정된다.
계속해서 외부전원전압(Vext)가 증가하여 노드(N1)의 전압을 지속적으로 상승시켜 제1,2 앤채널 모스 트랜지스터(MN2,MN3)를 턴온시키면, 외부전원전압(Vext)에 따라 증가되던 노드(N4)의 전압은 점차 감소하게 되고, 인버터(I2)의 로직문턱전압이하로 감소하면 파워업신호(PWRUP)는 하이인 상태, 즉 외부전원전압(Vext) 상태에 있게 된다.
전술한 바와 같이 기준전압부(100)와 파워업신호 감지 출력부(200)에 제1,2 앤채널 모스 트랜지스터(MN2,MN3)를 전류미러로 동작하게 되면 온도의 변화에 둔감한 특성을 가진다. 이는 기준전압부(100)의 노드(N2)의 전압레벨이 공정변화 또는 온도변화에 따라 다르게 상승한다고 하여도, 이에 따라 전류미러를 구성하고 있는 제2 앤채널 모스 트랜지스트(MN3)로 인해 그 변화의 비는 같은 정도로 노드(N3)의 전압 레벨에 영향을 주게 되기 때문이다.
또한 제1,2,3 저항(R4,R5,R6)은 그 특성상 온도에 따른 변화가 있더라도, 그저항값은 같은 방향으로 일정하게 변화함으로서 온도변화에 따른 둔감한 특성을 가진다.
도4를 참조하여 살펴보면, 본발명에 의한 파워업신호 발생장치가 공정변화 및 온도변화에 따라 그 동작상의 변화가 0.2V 내외로 종래의 파워업신호 발생장치에 비해 현저히 줄어듬을 알 수 있다.
또한 제1,2,3 저항(R4,R5,R6)은 액티브저항인 트랜지스터를 사용하여 구성할 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명에 의해 온도변화 및 공정변화에 관계없이 안정적인 파워업신호를 발생시키는 파워업 발생장치를 제공할 수 있다.

Claims (4)

  1. 전원전압을 입력받아 일정하게 분배한 기준전압을 출력하되, 온도변화 및 공정변화에 따라 기준전압의 크기를 조절하는 기준전압부; 및
    상기 기준전압에 응답하는 전류싱크를 구비하여 파워업신호를 출력하는 파워업감지 출력부
    를 구비하는 파워업신호 발생장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기준전압부는,
    상기 전원전압과 접지전원을 직렬연결하며 상기 전원전압을 일정하게 분배하는 제1,2 저항;
    상기 제1,2 저항 사이를 연결하며 다이오드 구성된 제1 모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 파워업신호 발생장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 파워업감지 출력부는,
    상기 전원전압을 전달하는 제3 저항;
    상기 제3 저항을 통해 전달된 상기 전원전압 레벨을 파워업신호로 출력하는 인버팅 수단; 및
    상기 기준전압을 게이트로 입력받고 상기 제3 저항과 상기 접지전원을 연결하며, 상기 제1 모스 트랜지스터와 전류미러를 구성하는 전류싱크로서의 제2 모스 트랜지스터를 구비하는 것을 특징으로 하는 파워업신호 발생장치.
  4. 전원전압을 입력받아 일정하게 분배한 기준전압을 출력하되, 기준전압의 크기를 조절하는 기준전압부; 및
    상기 기준전압에 응답하는 전류싱크를 구비하여 파워업신호를 출력하는 파워업감지 출력부
    온도변화 및 공정변화에 따른 상기 기준전압부에서의 전류 변화량에 따라 상기 출력부의 전류 변화량을 실질적으로 같도록 유지시켜주는 전류미러부
    를 구비하는 파워업신호 발생장치.
KR1020010088687A 2001-12-31 2001-12-31 파워-업 신호 발생 장치 KR100818655B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010088687A KR100818655B1 (ko) 2001-12-31 2001-12-31 파워-업 신호 발생 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010088687A KR100818655B1 (ko) 2001-12-31 2001-12-31 파워-업 신호 발생 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030058272A true KR20030058272A (ko) 2003-07-07
KR100818655B1 KR100818655B1 (ko) 2008-04-01

Family

ID=32216185

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010088687A KR100818655B1 (ko) 2001-12-31 2001-12-31 파워-업 신호 발생 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100818655B1 (ko)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100557953B1 (ko) * 2003-12-15 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 발생기
KR100560942B1 (ko) * 2004-12-30 2006-03-14 주식회사 하이닉스반도체 Pvt 변화에 무관하게 안정적으로 동작하는 파워-업검출 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치
WO2006088287A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Changwon National University Industry Academy Cooperation Corps. Negative voltage level detector
US7106112B2 (en) 2003-10-31 2006-09-12 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus for generating power-up signal
KR100746610B1 (ko) * 2005-12-29 2007-08-08 주식회사 하이닉스반도체 파워-업 신호 발생 장치
KR100815184B1 (ko) * 2005-09-29 2008-03-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 파워 업 신호 생성장치
KR100821578B1 (ko) * 2006-06-27 2008-04-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 파워 업 신호 생성장치 및 방법
KR100826642B1 (ko) * 2006-03-27 2008-05-02 주식회사 하이닉스반도체 파워업 초기화신호 발생회로
KR100902053B1 (ko) * 2007-10-09 2009-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 기준 전압 발생회로

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127609A (ja) * 1999-10-22 2001-05-11 Seiko Epson Corp パワーオンリセット回路
KR20010061375A (ko) * 1999-12-28 2001-07-07 박종섭 파워-업 회로
KR100690991B1 (ko) * 2000-02-14 2007-03-08 주식회사 하이닉스반도체 내부전원을 사용하는 디램의 파워-업 회로
KR100401496B1 (ko) * 2000-12-29 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 파워업 신호 발생 회로

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7106112B2 (en) 2003-10-31 2006-09-12 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus for generating power-up signal
KR100557953B1 (ko) * 2003-12-15 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 파워 업 신호 발생기
KR100560942B1 (ko) * 2004-12-30 2006-03-14 주식회사 하이닉스반도체 Pvt 변화에 무관하게 안정적으로 동작하는 파워-업검출 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치
US7436226B2 (en) 2004-12-30 2008-10-14 Hynix Semiconductor Inc. Power-up detection circuit that operates stably regardless of variations in process, voltage, and temperature, and semiconductor device thereof
WO2006088287A1 (en) * 2005-02-18 2006-08-24 Changwon National University Industry Academy Cooperation Corps. Negative voltage level detector
KR100815184B1 (ko) * 2005-09-29 2008-03-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 파워 업 신호 생성장치
KR100746610B1 (ko) * 2005-12-29 2007-08-08 주식회사 하이닉스반도체 파워-업 신호 발생 장치
KR100826642B1 (ko) * 2006-03-27 2008-05-02 주식회사 하이닉스반도체 파워업 초기화신호 발생회로
KR100821578B1 (ko) * 2006-06-27 2008-04-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 파워 업 신호 생성장치 및 방법
US7619940B2 (en) 2006-06-27 2009-11-17 Hynix Semiconductor Inc. Apparatus and method of generating power up signal of semiconductor integrated circuit
KR100902053B1 (ko) * 2007-10-09 2009-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 기준 전압 발생회로
US8111058B2 (en) 2007-10-09 2012-02-07 Hynix Semiconductor Inc. Circuit for generating reference voltage of semiconductor memory apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR100818655B1 (ko) 2008-04-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100854419B1 (ko) 파워 업 신호 생성장치
KR100648537B1 (ko) 반도체 집적 회로 및 반도체 집적 회로의 내부 전원 전압발생 방법
JP3773718B2 (ja) 半導体集積回路
US6351179B1 (en) Semiconductor integrated circuit having active mode and standby mode converters
JP3752107B2 (ja) 集積回路用パワーオンリセット回路
KR960008448B1 (ko) 내부 및 외부전원으로부터 선택적으로 기동되는 기판 바이어스 시스템을 구비한 반도체 집적 회로 디바이스
KR100902053B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 기준 전압 발생회로
JP2002032988A (ja) 内部電圧発生回路
JPH04351791A (ja) 半導体メモリー装置のデータ入力バッファー
US7012461B1 (en) Stabilization component for a substrate potential regulation circuit
KR20050040515A (ko) 집적회로용 기준전압 발생회로
KR100818655B1 (ko) 파워-업 신호 발생 장치
KR100812299B1 (ko) 전압 강하 회로
KR20040035065A (ko) 파워 업 신호 발생기
US7692477B1 (en) Precise control component for a substrate potential regulation circuit
KR20030017136A (ko) 파워-업 신호 발생회로
KR100258362B1 (ko) 반도체 소자의 기준전압 발생장치
US6115295A (en) Efficient back bias (VBB) detection and control scheme for low voltage DRAMS
KR100762842B1 (ko) 반도체 메모리 장치의 초기화 시스템
KR100268801B1 (ko) 반도체 메모리 소자의 파워업 장치
KR20090047700A (ko) 기준전압 발생회로
JP2001068626A (ja) 半導体装置
KR100256129B1 (ko) 기판 바이어스전위 발생장치
KR20080092085A (ko) 반도체 메모리 장치의 내부 전압 발생회로
KR100256124B1 (ko) 파워-업 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110222

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee