KR20030051416A - 미세회로 기판으로부터 나트륨 함유 물질을 제거하기 위한방법 및 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 46
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 title claims abstract description 21
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 239000011734 sodium Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 37
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 19
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical group CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical group NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 10
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000010936 aqueous wash Methods 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 18-crown-6 Chemical compound C1COCCOCCOCCOCCOCCO1 XEZNGIUYQVAUSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000003983 crown ethers Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000004682 monohydrates Chemical class 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- LCPDWSOZIOUXRV-UHFFFAOYSA-N phenoxyacetic acid Chemical compound OC(=O)COC1=CC=CC=C1 LCPDWSOZIOUXRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSBHKNDSJJBCMN-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound CC(O)N1CCCC1=O RSBHKNDSJJBCMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUECCIUIKFVPPR-UHFFFAOYSA-N 1-(1-hydroxypropyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound CCC(O)N1CCCC1=O RUECCIUIKFVPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)pyrrolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCCC1=O WDQFELCEOPFLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 1-propylpyrrolidin-2-one Chemical group CCCN1CCCC1=O DCALJVULAGICIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDDAQJNJWLCLL-UHFFFAOYSA-N 2-ethylthiolane 1,1-dioxide Chemical compound CCC1CCCS1(=O)=O ZCDDAQJNJWLCLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPDFQRAASCRJAH-UHFFFAOYSA-N 2-methylthiolane 1,1-dioxide Chemical compound CC1CCCS1(=O)=O PPDFQRAASCRJAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylcatechol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(O)C(O)=C1 XESZUVZBAMCAEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 150000002780 morpholines Chemical class 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940079877 pyrogallol Drugs 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004040 pyrrolidinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052815 sulfur oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3245—Aminoacids
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5009—Organic solvents containing phosphorus, sulfur or silicon, e.g. dimethylsulfoxide
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- C11D7/5004—Organic solvents
- C11D7/5013—Organic solvents containing nitrogen
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
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Abstract
본 발명은 유기 용매 중의 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산을 사용하여 미세회로 기판으로부터 감광성 내식막과 같은 나트륨 함유 물질을 제거하기 위한 방법 및 조성물에 관한 것이다.
Description
발명의 배경
발명의 분야
본 발명은 집적회로 제조시 미세회로 기판으로부터 감광성 내식막 및 기타의 물질을 제거하는 분야에 관한 것이다.
배경기술의 설명
마스크 또는 레티클(reticle)로부터의 화상을 목적하는 회로층에 전사시키는 데 감광성 내식막을 사용하는 것이 마이크로전자공학 구조물의 필수적인 부분이다. 목적하는 화상을 전사시킨 후, 몇가지 후속적인 가공 단계를 수행하기 전에 스트리핑에 의해 감광성 내식막을 제거한다.
이동성 이온, 특히 나트륨 이온에 의한 오염은 특히 고온 작동 바이어스 번인 테스트(burn-in test)에서의 집적회로의 많은 불량과 관련이 있다. 이동성 이온 오염은 집적회로를 제작하는 동안 여러 단계에서 도입될 수 있다.
집적회로 기술 개발에 종사하는 사람들은 이동성 이온 오염을 감소시키기 위한 물질 및 기술을 계속해서 모색하고 있다. 미국 특허 제5,417,802호에서는, 크라운 에테르를 사용하여 I족 및 II족 이온을 감광성 내식막 제거에 사용되는 유기 용매 속에 봉쇄시킨다.
발명의 요지
본 발명에 따르면, 감광성 내식막과 같은 나트륨 함유 물질을 스트리핑시키기 위한 방법 및 조성물이 제공된다. 스트리핑 조성물은 유기 용매 중의 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산(CYDTA)을 포함한다. 본 발명의 방법은 기판을 상기 스트리핑 조성물과 접촉시킴을 포함한다.
발명의 상세한 설명
감광성 내식막 제거 및 금속 에칭 후 세정에 사용되는 유기 용매가 이동성 이온 오염의 통상적인 원천이다. 전형적인 용매에는 1급 아민과 2급 아민의 블렌드 및 기타의 용매, 예를 들면, 디메틸설폭사이드 및 디메틸아세트아미드가 포함된다. 이러한 용매는 통상적으로 플라스틱(예를 들면, 고밀도 폴리프로필렌) 용기에 저장된다. 이러한 플라스틱 용기를 제조하는 데에는 무기 용매의 사용이 수반되는 데, 이는 나트륨을 함유할 수 있다. 따라서, 용매를 이러한 플라스틱 용기에 저장할 경우, 나트륨이 용매로 누출될 수 있다. 용매 중의 나트륨 농도는 플라스틱과의 접촉 지속 시간에 따라 증가한다.
나트륨 이온과 배위결합하는 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산(CYDTA)은 나트륨이 집적회로 표면에 흡착되는 것을 억제하는 것으로 밝혀졌다. 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산을 감광성 내식막 제거 또는 금속 에칭 후 세정에 통상적으로 사용되는 유기 용매에 첨가하면 세정된 집적회로의 표면에서 관찰되는 나트륨의 농도가 상당히 감소하는 것으로 밝혀졌다.
실리콘 기판 상에 침착된 질화티탄을 사용하여 2차 이온 질량 분광법(SIMS)으로 검사한 실험에서, ALEG-310R(뉴 저지주 필립스버그에 소재하는 말린크로트 베이커, 인코포레이티드의 등록된 상표)과 같은 통상의 유기 용매 제형에 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산을 첨가하면 기판의 표면 나트륨 농도가 상당히 감소하는 것으로 나타났다. 상기한 크라운 에테르를 사용한 유사한 처리와 직접 비교할 경우, 본 발명은 세정된 표면 상의 나트륨 농도를 훨씬 더 감소시키는 것으로 나타났다.
통상의 용도에서, 패턴화된 감광성 내식막을 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산의 첨가에 의해 개질된 유기 용매를 사용하여 에칭된 산화물, 금속 도는 반도체 기판으로부터 제거시킬 수 있으며, 이에 따라 접적회로의 나트륨 오염도를 낮출 수 있다. 또한, 감광성 내식막을 산소 플라스마에 노출시켜 부분적으로 제거할 수 있으며, 생성된 원치 않는 잔류물은 본 발명을 사용하여 더욱 제거할 수 있다.
한 가지 양태는 스트리핑 용매, 친핵성 아민, 질소 비함유 약산(여기서, 당해 약산은 물 약 10부로 희석시키는 경우, 스트리핑 조성물이 약 9.6 내지 약 10.9의 수성 세정액 pH를 갖도록 친핵성 아민을 부분적으로 중화시키기에 충분한 양으로 존재하며, 수용액에서의 pK값은 2.0 이상이고, 당량은 140 미만이다) 및 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산을 사용하며, 이에 따라 스트리핑 조성물은 원치 않는 감광성 내식막 또는 이의 잔류물을 세정된 집적회로의 표면 나트륨 농도의 증가를 최소화하면서 스트리핑시킬 수 있다.
본 발명에 사용될 수 있는 질소 비함유 약산에는 유기 물질, 예를 들면, 카복실산 또는 페놀 뿐만 아니라 무기 산(예를 들면, 탄산 또는 불화수소산)의 염이 포함된다.
약산이란 수용액에서의 "pK"로서 표현되는 해리 상수의 강도가 2.0 이상, 바람직하게는 2.5 이상인 산을 의미한다. pK가 2.0을 초과하고 바람직하게는 당량이 약 140 미만인 약산이 특히 유용하다. 본 발명에 유용한 이러한 질소 비함유 약산의 예로서는, 예를 들면, 아세트산, 프탈산, 페녹시아세트산 등과 같은 카복실산, 2-머캅토벤조산, 2-머캅토에탄올 등과 같은 유기 산, 페놀, 1,3,5-트리하이드록시벤젠, 피로갈올, 레졸신올, 4-3급 부틸카테콜 등과 같은 pK가 일반적으로 9 내지 10인 페놀류 및 탄산, 불화수소산 등과 같은 무기 산을 들 수 있다. 본 발명의 스트리핑 조성물에 사용되는 약산의 양은 당해 조성물의 약 0.05 내지 약 25중량%이고, 스트리퍼 조성물에 존재하는 아민의 약 19 내지 약 75중량%를 중화시키는 양으로 존재하므로, 이에 따라, 당해 스트리퍼 조성물의 수성 세정액의 pH는 약 9.6 내지 약 10.9로 된다.
본 발명에 사용될 수 있는 알칼리성 스트리퍼 성분들은 또한 광범위한 구조유형을 포괄한다. pK값으로도 표현되는 이들의 해리 상수는, 베타-산소 또는 -질소 치환된 아민의 경우 약 9 내지 11에서 2급 아민, 모르폴린 및 하이드록실아민의 경우 8.3까지의 범위이며, 하이드록실아민 유도체의 경우에는 pK값이 약간 더 낮다. 사용될 수 있는 알칼리 성분들 중에는 친핵성 아민, 바람직하게 예를 들면, 1-아미노-2-프로판올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 2-아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에틸아민 등을 들 수 있다. 아민의 실제 pK값보다는 이의 친핵성이 높아야 한다는 것이 보다 중요하다. 본 발명의 스트리핑 조성물에 사용되는 아민 성분의 양은 당해 조성물의 약 1 내지 약 50중량%이다.
이러한 알칼리 스트리퍼 성분과 본 발명에 사용되는 종류의 약산과의 상호작용은 필수적으로 가역적인 것으로 믿어진다.
알칼리 성분 + 산 ↔염형 착물
상기 반응의 가역성 때문에, 알칼리 성분의 다량이 화학양론적 측면에서 중화되더라도, 알칼리 성분의 상당량이 스트리핑 공정 동안 이용가능하다. 이는 이러한 산의 존재하에서도 관찰되는 놀랍도록 신속한 스트리핑 속도를 설명해준다.
본 발명의 감광성 내식막 스트리핑 조성물은 유기 용매 시스템을 포함한다. 유기 용매 시스템은 용해도 파라미터가 약 8 내지 약 15인 것으로, 3가지 한센(Hansen) 용해도 파라미터(분산, 극성 및 수소 결합)의 제곱 합의 제곱근을 취함으로써 수득된다. 용매 시스템은 다수의 각종 용매 또는 몇가지 상이한 용매들의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 용매의 예로서, 각종 피롤리디논 화합물(예를 들면, 2-피롤리디논, 1-메틸-2-피롤리디논, 1-에틸-2-피롤리디논, 1-프로필-2-피롤리디논, 1-하이드록시에틸-2-피롤리디논, 1-하이드록시프로필-2-피롤리디논 등), 디에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 예를 들면, 화학식 HOCH2CH2-O-CH2CH2-O-R의 화합물(여기서, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬 라디칼이다), 산화황을 함유하는 화합물, 예를 들면, 화학식의 디알킬 설폰(여기서, R1및 R2는 탄소수 1 내지 4의 알킬이다), 디메틸 설폭사이드(DMSO), 화학식의 테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드 화합물(여기서, R3은 수소, 메틸 또는 에틸이다), 예를 들면, 설폴란, 메틸 설폴란 및 에틸 설폴란 뿐만 아니라 폴리에틸렌 글리콜, 디메틸아세트아미드 또는 디메틸포름아미드를 들 수 있다. 본 발명의 스트리퍼 조성물의 용매 시스템 분획은 일반적으로 조성물의 약 50 내지 약 98중량%, 바람직하게는 약 85 내지 약 98중량%를 차지한다.
바람직한 용매는 N-알킬-2-피롤리디논, 예를 들면, N-메틸-, N-에틸-, N-프로필- 및 N-(2-하이드록시에틸)-2-피롤리디논, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세트아미드 및 디메틸포름아미드이다.
특히 바람직한 용매는 N-메틸-2-피롤리디논 및 테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드이다.
실시예
N-메틸-2-피롤리디논을 함유하는 스트리퍼 용매 1000g, 테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드 약 10부, 2-아미노에탄올 약 25부, 1,2-디하이드록시벤젠 약 5부 및 물 약 10부를 칭량하여 플루오로 중합체 비이커에 가한다. 첨가제인 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산 또는 18-크라운-6을 칭량하여 필요에 따라 스트리퍼 용매에 용해시킨다. 이어서, 용액을 목적하는 온도로 승온시키고, 질화티탄(TiN)으로 피복된 웨이퍼를 20분 동안 용액 속에 둔 다음 꺼내어 DI수로 세정한 다음 SIMS를 사용하여 분석한다. 웨이퍼의 나트륨 오염을 방지하기 위하여 모든 실험은 클래스 100 클린룸에서 매우 조심스럽게 수행한다.
스트리퍼 용매로 처리하지 않았을 때의 나트륨 기준값을 설정하기 위해 3개의 웨이퍼에 대해 단지 수세정 및 건조 단계만을 수행한다. 당해 공정에 의해 TiN 표면에 잔류하는 상대적인 나트륨 수준을 측정하기 위해, 개질시키지 않은 스트리퍼 용매를 65℃ 및 85℃에서 20분 동안 시험한다. 결과가 표 1에 제시되어 있다. 제2 실험 세트의 경우, 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산 1수화물(CYDTA) 0.1중량%를 스트리퍼 용매에 가한다. 제3 실험 세트의 경우, 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산 1수화물의 중량%를 0.5%로 증가시킨다. 제4 실험 세트의 경우, 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산 1수화물의 중량%를 0.9%로 증가시킨다. 제5 실험 세트의 경우, 18-크라운-6 0.1중량%를 스트리퍼 용매에 가하여 45℃, 65℃ 및 85℃에서 시험한다.
이들 데이타(표 1)는 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산을 스트리퍼용매에 첨가할 경우 개질시키지 않은 용매보다 표면 나트륨 농도가 훨씬 더 낮음을 명확하게 보여준다. 크라운 에테르를 첨가할 경우에는 유익한 효과가 나타나지 않았다.
가공 | 처리 온도 | 상대적인 표면 나트륨 농도(SIMS 사용) |
수세정 및 건조 | (처리하지 않음) | 0.0052, 0.0046, 0.0051 |
스트리퍼 용매 단독 | 65℃85℃ | 0.160.25 |
용매 + 0.1% CYDTA | 65℃85℃ | 0.040.07 |
용매 + 0.5% CYDTA | 65℃85℃ | 0.020.05 |
용매 + 0.9% CYDTA | 65℃85℃ | 0.030.04 |
용매 + 0.1% 18-크라운-6 | 45℃65℃85℃ | 0.330.410.45 |
Claims (20)
- 유기 용매 중의 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산(CYDTA)을 포함하는 스트리핑 조성물을 미세회로 기판과 접촉시킴을 포함하는, 미세회로 기판으로부터 나트륨 함유 물질을 제거하는 방법.
- 제1항에 있어서, 나트륨 함유 물질이 감광성 내식막인 방법.
- 제1항에 있어서, 스트리핑 조성물이 친핵성 아민 및 질소 비함유 약산(여기서, 당해 약산은 물 약 10부로 희석시키는 경우, 스트리핑 조성물이 약 9.6 내지 약 10.9의 수성 세정액 pH를 갖도록 친핵성 아민을 부분적으로 중화시키기에 충분한 양으로 존재하며, 수용액에서의 pK값은 2.0 이상이고, 당량은 140 미만이다)을 추가로 포함하여 스트리핑 조성물이 원치 않는 감광성 내식막 또는 이의 잔류물을 세정된 집적회로의 표면 나트륨 농도의 증가를 최소화하면서 스트리핑시킬 수 있는 방법.
- 제1항에 있어서, 스트리핑 용매가 용해도 파라미터가 약 8 내지 약 15인 스트리핑 용매 시스템이며 스트리핑 조성물의 약 50 내지 약 98중량%의 양으로 존재하고, 친핵성 아민은 스트리핑 조성물의 약 1 내지 약 50중량%의 양으로 존재하는 방법.
- 제4항에 있어서, 약산이 스트리핑 조성물의 약 0.05 내지 약 25중량%의 양으로 스트리핑 조성물에 존재하는 방법.
- 제5항에 있어서, 약산의 pK가 2.5 이상인 방법.
- 유기 용매 중의 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산(CYDTA)을 포함하는, 제1항의 방법을 수행하기 위한 스트리핑 조성물.
- 제7항에 있어서, 친핵성 아민 및 질소 비함유 약산(여기서, 당해 약산은 물 약 10부로 희석시키는 경우, 스트리핑 조성물이 약 9.6 내지 약 10.9의 수성 세정액 pH를 갖도록 친핵성 아민을 부분적으로 중화시키기에 충분한 양으로 존재하며, 수용액에서의 pK값은 2.0 이상이고, 당량은 140 미만이다)을 추가로 포함하여 원치 않는 감광성 내식막 또는 이의 잔류물을 세정된 집적회로의 표면 나트륨 농도의 증가를 최소화하면서 스트리핑시킬 수 있는 스트리핑 조성물.
- 제7항에 있어서, 스트리핑 용매가 용해도 파라미터가 약 8 내지 약 15인 스트리핑 용매 시스템이며 스트리핑 조성물의 약 50 내지 약 98중량%의 양으로 존재하고, 친핵성 아민은 스트리핑 조성물의 약 1 내지 약 50중량%의 양으로 존재하는 스트리핑 조성물.
- 제9항에 있어서, 약산이 스트리핑 조성물의 약 0.05 내지 약 25중량%의 양으로 존재하는 스트리핑 조성물.
- 제10항에 있어서, 약산의 pK가 2.5 이상인 스트리핑 조성물.
- 약산이 1,2-디하이드록시벤젠인 제9항에 따르는 알칼리 함유 감광성 내식막 스트리퍼.
- 제12항에 있어서, 아민이 2-아미노에탄올인, 알칼리 함유 감광성 내식막 스트리퍼.
- 한센(Hansen) 용해도 파라미터가 약 8 내지 약 15인 스트리핑 용매 약 50 내지 약 98중량%,친핵성 아민 약 1 내지 약 50중량%,질소 비함유 약산(여기서, 당해 약산은 물 약 10부로 희석시키는 경우, 스트리핑 조성물이 약 9.6 내지 약 10.9의 수성 세정액 pH를 갖도록 친핵성 아민을 부분적으로 중화시키기에 충분한 양으로 존재하며, 수용액에서의 pK값은 2.0 이상이고, 당량은 140 미만이다) 약 0.05 내지 약 25중량% 및1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산 약 0.01 내지 5중량%를 포함하는,알칼리 함유 감광성 내식막 스트리퍼 조성물.
- 제14항에 있어서, 약산이 1,2-디하이드록시벤젠인, 알칼리 함유 감광성 내식막 스트리퍼 조성물.
- 제14항에 있어서, 아민이 2-아미노에탄올인, 알칼리 함유 감광성 내식막 스트리퍼 조성물.
- 제13항에 있어서, 스트리핑 용매가 N-메틸-2-피롤리디논 및/또는 테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드이고 물을 20% 이하로 함유할 수 있는 것인, 알칼리 함유 감광성 내식막 스트리퍼 조성물.
- 제16항에 있어서, 스트리핑 용매가 N-메틸-2-피롤리디논 및/또는 테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드이고 물을 20% 이하로 함유할 수 있는 것인, 알칼리 함유 감광성 내식막 스트리퍼 조성물.
- N-메틸-2-피롤리디논 약 50 내지 약 98중량%, 테트라하이드로티오펜-1,1-디옥사이드 약 1 내지 약 20중량%, 물 약 1 내지 약 20중량%, 2-아미노에탄올 약 1 내지 약 50중량%, 물 약 10부로 희석시키는 경우, 스트리핑 조성물이 약 9.6 내지 약 10.9의 수성 세정액 pH를 갖도록 아민을 중화시키기에 충분한 양으로 존재하는1,2-디하이드록시벤젠 약 0.05 내지 약 25중량% 및 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산 약 0.01 내지 약 5중량%를 포함하는, 알칼리 함유 감광성 내식막 스트리핑 조성물.
- 스트리핑 용매와 1,2-디아미노사이클로헥산테트라카복실산을 포함하는, 감광성 내식막 스트리핑 조성물.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US19007100P | 2000-03-20 | 2000-03-20 | |
US60/190,071 | 2000-03-20 | ||
PCT/US2001/008772 WO2001071429A1 (en) | 2000-03-20 | 2001-03-19 | Method and composition for removing sodium-containing material from microcircuit substrates |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030051416A true KR20030051416A (ko) | 2003-06-25 |
KR100876067B1 KR100876067B1 (ko) | 2008-12-26 |
Family
ID=22699906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020027012303A KR100876067B1 (ko) | 2000-03-20 | 2001-03-19 | 집적회로 표면으로의 나트륨 흡착 억제 방법 및 조성물 |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1307786B1 (ko) |
JP (1) | JP4671575B2 (ko) |
KR (1) | KR100876067B1 (ko) |
CN (1) | CN1230718C (ko) |
AT (1) | ATE467154T1 (ko) |
AU (1) | AU2001245861A1 (ko) |
CA (1) | CA2403730C (ko) |
DE (1) | DE60142054D1 (ko) |
ES (1) | ES2345872T3 (ko) |
IL (2) | IL151792A0 (ko) |
MY (1) | MY129673A (ko) |
NZ (1) | NZ522079A (ko) |
PL (1) | PL195792B1 (ko) |
TW (1) | TWI239435B (ko) |
WO (1) | WO2001071429A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6326130B1 (en) | 1993-10-07 | 2001-12-04 | Mallinckrodt Baker, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
PL207297B1 (pl) * | 2002-06-07 | 2010-11-30 | Mallinckrodt Baker Inc | Bezkrzemianowa kompozycja czyszcząca i zastosowanie bezkrzemianowej kompozycji czyszczącej |
US7833957B2 (en) | 2002-08-22 | 2010-11-16 | Daikin Industries, Ltd. | Removing solution |
JP4005092B2 (ja) * | 2004-08-20 | 2007-11-07 | 東京応化工業株式会社 | 洗浄除去用溶剤 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5417802A (en) | 1994-03-18 | 1995-05-23 | At&T Corp. | Integrated circuit manufacturing |
JPH10171130A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Fuji Film Oorin Kk | フォトレジスト剥離液 |
CN100370360C (zh) | 1998-05-18 | 2008-02-20 | 马林克罗特有限公司 | 用于清洗微电子衬底的含硅酸盐碱性组合物 |
-
2001
- 2001-02-08 MY MYPI20010558A patent/MY129673A/en unknown
- 2001-02-21 TW TW090103920A patent/TWI239435B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 JP JP2001569560A patent/JP4671575B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-19 CN CNB018067050A patent/CN1230718C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-19 PL PL01357383A patent/PL195792B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 ES ES01918830T patent/ES2345872T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-19 DE DE60142054T patent/DE60142054D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-19 EP EP01918830A patent/EP1307786B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-19 NZ NZ522079A patent/NZ522079A/en not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 IL IL15179201A patent/IL151792A0/xx active IP Right Grant
- 2001-03-19 KR KR1020027012303A patent/KR100876067B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-03-19 WO PCT/US2001/008772 patent/WO2001071429A1/en active IP Right Grant
- 2001-03-19 CA CA002403730A patent/CA2403730C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-03-19 AU AU2001245861A patent/AU2001245861A1/en not_active Abandoned
- 2001-03-19 AT AT01918830T patent/ATE467154T1/de active
-
2002
- 2002-09-17 IL IL151792A patent/IL151792A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NZ522079A (en) | 2004-06-25 |
EP1307786B1 (en) | 2010-05-05 |
AU2001245861A1 (en) | 2001-10-03 |
ATE467154T1 (de) | 2010-05-15 |
MY129673A (en) | 2007-04-30 |
KR100876067B1 (ko) | 2008-12-26 |
CA2403730C (en) | 2009-09-08 |
PL195792B1 (pl) | 2007-10-31 |
WO2001071429A1 (en) | 2001-09-27 |
CN1418330A (zh) | 2003-05-14 |
JP2003528353A (ja) | 2003-09-24 |
IL151792A0 (en) | 2003-04-10 |
IL151792A (en) | 2006-07-05 |
JP4671575B2 (ja) | 2011-04-20 |
CA2403730A1 (en) | 2001-09-27 |
PL357383A1 (en) | 2004-07-26 |
DE60142054D1 (de) | 2010-06-17 |
ES2345872T3 (es) | 2010-10-05 |
CN1230718C (zh) | 2005-12-07 |
EP1307786A1 (en) | 2003-05-07 |
TWI239435B (en) | 2005-09-11 |
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Date | Code | Title | Description |
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N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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Payment date: 20131209 Year of fee payment: 6 |
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Payment date: 20141205 Year of fee payment: 7 |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151204 Year of fee payment: 8 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |