KR20030051178A - 감방사선성 수지 조성물, 격벽과 그의 형성 방법 및 표시소자 - Google Patents

감방사선성 수지 조성물, 격벽과 그의 형성 방법 및 표시소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (A) (a-1) 헥사플루오로프로필렌, (a-2) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물, 및 (a-3) 성분 (a-1) 및 (a-2)가 아닌 다른 불포화 화합물의 공중합체, (B) 방사선에 노광되었을 때 산을 생성하는 산 생성 화합물, (C) 가교 결합 가능한 화합물, 및 (D) 성분 (A)가 아닌 다른 불소 함유 유기 화합물을 포함하는 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 상기 조성물로부터 형성된 격벽, 격벽 형성 방법, 및 상기 격벽을 갖는 유기 EL 표시 소자 및 액정 표시 소자에 관한 것이다.
본 발명에 따른 격벽은 코팅으로 유기 EL층 또는 ITO 투명 전극이 형성되는 경우 "위성 (satellite)" 현상을 유발하지 않으며, 본 발명의 격벽을 갖는 유기 EL 표시 소자 및 액정 표시 소자는 생산성 및 신뢰성에 있어서 탁월하다.

Description

감방사선성 수지 조성물, 격벽과 그의 형성 방법 및 표시 소자 {Radiation Sensitive Resin Composition, Rib, Rib Forming Method and Display Element}
본 발명은 감방사선성 수지 조성물, 이 조성물로부터 형성된 격벽, 그의 형성 방법 및 격벽을 갖는 표시 소자에 관한 것이다. 더욱 구체적으로 본 발명은 자외선, 심자외선, X-선, 전자빔, 분자빔, γ-선, 싱크로트론 방사선 또는 양자빔과 같은 방사선을 사용하여 격벽을 형성시키기에 적합한 네가티브형 감방사선성 수지 조성물, 상기 조성물로부터 형성된 유기 EL 표시 소자용 격벽, 상기 조성물로부터 형성된 액정 표시 소자의 ITO 전극용 격벽, 격벽 형성 방법, 및 상기 격벽을 갖는 유기 EL 표시 소자 및 액정 표시 소자에 관한 것이다.
유기 EL 표시 소자는 액정 표시 소자에 비해 자체로서 빛을 방출하므로 보는 각도에 영향을 받지 않으며, 고형 소자이기 때문에 충격 강도가 탁월하고 낮은 전압 구동성, 낮은 소비 전력 및 저온에서의 높은 작동 안정성과 같은 다양한 이점을 갖는다. 유기 EL 표시 소자가 상기 이점을 갖기 때문에 휴대용 단말기 및 자동차 장비와 같은 모바일 분야에의 사용이 강하게 기대되고 있으며, 그에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
유기 EL 표시 소자는 일반적으로 표시 소자의 유형에 따라 하기의 방법으로 제조되는 저분자량 방출 물질을 포함한다. 수동 유기 표시 소자의 경우, 예를 들어 주석 도핑된 산화인듐 (ITO)으로부터 제조한 투명 전극 (정공 주입 전극) 패턴과 정공 수송층 패턴이 우선 기판 위에 형성된다. 이어서, 절연 필름 패턴 및 캐쏘드 격벽 패턴이 형성된 후 유기 EL층, 전자 수송층 및 캐쏘드가 형성된다. 활성 유기 EL 표시 소자의 경우, ITO 패턴 및 정공 수송층 패턴이 형성된다. 유기 EL층을 위한 격벽 패턴이 형성된 후에, 유기 EL층 패턴이 형성되고, 이어서 전자 수송층 및 캐쏘드가 형성된다. 유기 EL층에 사용된 재료로서 저분자량 유기 EL 재료 및 중합체 유기 EL 재료가 공지되어 있다.
유기 EL층을 형성하는 단계에서, 마스킹을 이용하는 퇴적 방법 및 스크린 프린팅 또는 잉크젯 코팅과 같은 코팅 기술로 예비 형성된 격벽들 사이에서 용매에 용해된 유기 EL 재료를 패턴화하는 방법을 사용한다. 그러나, 긴 방출 수명 및 높은 방출 휘도를 갖는 중합체 유기 EL 재료로부터 유기 EL층을 형성하기 위해서는 퇴적 방법을 사용할 수 없기 때문에 상기 패턴화 방법을 사용한다.
도포된 용액이 퍼져 소정의 화소 영역이 아닌 다른 부위에 점착하는, 소위 "위성" 현상이 발생할 수 있다. 이 현상이 발생하는 경우 방출 영역이 소정의 크기보다 작아지게 되고 높은 휘도를 얻을 수 없다. 이러한 현상이 발생하는 한 패턴화 정밀성의 개선에는 제약이 있게 된다. 따라서, 패턴화 정밀성을 더 개선시킬 수 없다는 문제가 발생한다.
종래의 공지된 재료로부터 격벽이 형성되는 경우, 위성 현상이 어느 정도의가능성으로 불가피하게 발생하며, 이는 유기 EL 재료를 도포하는 단계를 개선하여 제거할 수 없다. 따라서, 위성 현상을 일으키지 않는 격벽 재료가 강하게 기대되고 있으나 아직까지 제안된 바 없다.
한편, 주석 도핑된 산화인듐 필름 (ITO 필름)이 액정 표시 소자용 투명 전극으로서 폭넓게 사용되고 있다. ITO 전극은 일반적으로 하기의 방법으로 형성된다.
우선 퇴적 또는 스퍼터링으로 기판 위에 ITO 필름이 형성된다. 레지스트가 필름에 도포된 후 소정의 패턴 마스크를 통해 노광 및 현상되어 ITO 필름의 목적하는 전극 패턴에 상응하는 부분에만 경화 레지스트를 형성한다. 이어서 ITO 필름의 불필요한 부분을 습식 에칭으로 제거하고 레지스트를 제거하여 목적하는 투명 전극을 수득한다.
이 방법은 층 스크린을 저렴한 비용으로 제조할 수 있다는 이점을 갖지만, 많은 단계를 거쳐야 하고 생산성의 개선에는 제약이 있으며, 생물체에 해로운 유기 용매를 포함하는 부식성의 에칭 용액 및 레지스트 제거 용액과 같은 유해한 폐용액이 다량으로 생성된다는 환경 보호 문제를 갖는다.
이러한 상황을 개선하기 위하여, 투명 전극을 형성하기 위한 수단으로서 하기의 방법이 연구되고 있다.
즉, 우선 전기 절연성 격벽을 미리 기판 위에 형성하고, 유기 용매에 유기 인듐 화합물 또는 유기 주석 화합물과 같은 ITO 전구체를 용해시켜 제조한 용액을 스크린 프린팅 또는 잉크젯 코팅과 같은 코팅 기술로 상기 격벽 사이의 간극에 충전시키고, 용매를 제거하고 가열하여 ITO를 형성시켜 목적하는 투명 전극 패턴을수득한다.
이 방법은 공정 단계의 수가 적고 폐용액의 방출이 감소되는 등의 이점을 갖는다. 그러나, 도포된 용액이 퍼져 소정의 영역이 아닌 다른 부분에 부착하는 "위성" 현상이 일어나서 작동 오류 또는 표시 불량을 일으킬 수 있다.
후자의 방법에 따라 ITO 전극을 형성하는데 사용되는 격벽을 종래의 공지된 재료로 제조하는 경우에도 상기 문제점은 소정의 가능성으로 불가피하게 발생하며 공정의 개선에 의해 해결될 수 없다. 따라서, 상기 문제점을 갖지 않는 격벽 재료가 강하게 기대되고 있으나 아직까지 제안된 바 없다.
발명의 요약
본 발명의 목적은 유기 EL 표시 소자의 제조 중 코팅에 의해 유기 EL층이 형성되거나, 액정 표시 소자의 제조 중 ITO 투명 전극이 형성되는 경우, 격벽 재료로서 사용하기에 적합한 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 감방사선성 수지 조성물로부터 형성된 격벽, 및 이 격벽을 갖는 유기 EL 표시 소자 및 액정 표시 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 감방사선성 수지 조성물로부터 격벽을 형성하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적 및 이점은 하기의 설명으로부터 명백해질 것이다.
첫째, 본 발명에 따르면, 본 발명의 상기 목적 및 이점은
(A) (a-1) 헥사플루오로프로필렌, (a-2) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화카르복실산 무수물, 및 (a-3) 성분 (a-1) 및 (a-2)가 아닌 다른 불포화 화합물의 공중합체 (이하 "성분 (A)"로 지칭될 수 있음),
(B) 방사선에 노광되었을 때 산을 생성하는 화합물 (이하 "성분 (B)"로 지칭될 수 있음),
(C) 가교 결합 가능한 화합물 (이하 "성분 (C)"로 지칭될 수 있음), 및
(D) 성분 (A)가 아닌 다른 불소 함유 유기 화합물 (이하 "성분 (D)"로 지칭될 수 있음)
을 포함하는 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물로 달성된다.
둘째, 본 발명에 따르면 본 발명의 상기 목적 및 이점은 본 발명의 상기 조성물로 형성된 격벽, 예를 들어 유기 EL 표시 소자 또는 액정 표시 소자용 격벽으로 달성된다.
셋째, 본 발명에 따르면 본 발명의 상기 목적 및 이점은 본 발명의 상기 격벽을 갖는 유기 EL 표시 소자 또는 액정 표시 소자에 의해 달성된다.
넷째, 본 발명에 따르면 본 발명의 상기 목적 및 이점은
본 발명의 상기 조성물을 기판에 도포하여 코팅 필름을 형성하고,
코팅 필름을 격벽 형성 패턴 마스크를 통해 방사선에 노광시키며,
알칼리성 현상제로 코팅 필름을 현상하여 패턴화된 격벽을 형성하는 단계
를 포함하는, 표시 소자용 격벽의 형성 방법으로 달성된다.
하기로부터 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 우선, 본 발명의 격벽을 형성하기 위한 감방사선성 수지 조성물의 각각의 성분에 대해 설명한다.
성분 (A)
본 발명의 격벽을 형성하기 위한 감방사선성 수지 조성물에 사용되는 성분 (A)는 헥사플루오로프로필렌 (a-1; 이하 "단량체 (a-1)"로 지칭될 수 있음), 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물 (a-2; 이하 "단량체 (a-2)"로 지칭될 수 있음), 및 상기 성분 (a-1) 및 (a-2)가 아닌 다른 불포화 화합물 (a-3; 이하 "단량체 (a-3)"로 지칭될 수 있음)의 공중합체이다.
공중합체를 구성하는 단량체 (a-2)로서, 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물의 예로는 불포화 모노- 또는 디-카르복실산, 예컨대 크로톤산, 말레산, 3-부텐산, 4-펜텐산 및 이타콘산; 히드록시 지방산의 (메트)아크릴레이트, 예컨대 (메트)아크릴로일옥시아세트산, 3-(메트)아크릴로일옥시프로피온산, 2-(메트)아크릴로일옥시프로피온산 및 4-(메트)아크릴로일옥시부탄산; 방향족 히드록시카르복실산의 (메트)아크릴레이트, 예컨대 4-(메트)아크릴로일옥시벤조산, 3-(메트)아크릴로일옥시벤조산, 2-(메트)아크릴로일옥시벤조산, 4-(메트)아크릴로일옥시프탈산, 3-(메트)아크릴로일옥시프탈산, 4-(메트)아크릴로일옥시이소프탈산, 5-(메트)아크릴로일옥시이소프탈산 및 2-(메트)아크릴로일옥시테레프탈산; 디카르복실산의 모노(메트)아크릴로일옥시에틸 에스테르, 예컨대 모노(2-(메트)아크릴로일옥시)에틸 숙시네이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시)에틸 프탈레이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시)에틸 이소프탈레이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시)에틸 테레프탈레이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시)에틸 테트라히드로프탈레이트, 모노(2-(메트)아크릴로일옥시)에틸 테트라히드로이소프탈레이트 및 모노(2-(메트)아크릴로일옥시)에틸 테트라히드로테레프탈레이트; 불포화 카르복실산의 카르복실기를 갖는 모노알킬 에스테르, 예컨대 이타콘산의 모노메틸, 모노에틸, 모노프로필, 모노-i-프로필, 모노부틸, 모노-sec-부틸 및 모노-tert-부틸; 및 불포화 카르복실산 무수물, 예컨대 말레산 무수물, 이타콘산 무수물, 시트라콘산 무수물, 무콘산 무수물, 3-비닐 프탈산 무수물, 4-비닐 프탈산 무수물, 메틸-5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물, 5-노르보르넨-2,3-디카르복실산 무수물, 3,4,5,6-테트라히드로프탈산 무수물, cis-1,2,3,6-테트라히드로프탈산 무수물 및 디메틸 테트라히드로프탈산 무수물이 있다.
이들 가운데, 불포화 모노- 및 디-카르복실산이 바람직하며, 크로톤산, 말레산 및 이타콘산이 특히 바람직하다.
상기 단량체 (a-2)는 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
상기 단량체 (a-3)의 예로는 히드록실기 함유 비닐 에테르, 예컨대 2-히드록시에틸비닐 에테르, 3-히드록시프로필비닐 에테르, 2-히드록시프로필비닐 에테르, 4-히드록시부틸비닐 에테르, 3-히드록시부틸비닐 에테르, 5-히드록시펜틸비닐 에테르 및 6-히드록시헥실비닐 에테르; 히드록실기 함유 알릴 에테르, 예컨대 2-히드록시에틸알릴 에테르, 4-히드록시부틸알릴 에테르 및 글리세롤 모노알릴 에테르; 알릴 알콜; 알킬 비닐 에테르 및 시클로알킬 비닐 에테르, 예컨대 메틸 비닐 에테르, 에틸 비닐 에테르, n-프로필 비닐 에테르, 이소프로필 비닐 에테르, n-부틸 비닐 에테르, 이소부틸 비닐 에테르, tert-부틸 비닐 에테르, n-펜틸 비닐 에테르, n-헥실 비닐 에테르, n-옥틸 비닐 에테르, n-도데실 비닐 에테르, 2-에틸헥실 비닐 에테르 및 시클로헥실 비닐 에테르; 퍼플루오로(알킬 비닐 에테르) 및 퍼플루오로(알콕시알킬 비닐 에테르), 예컨대 퍼플루오로(메틸 비닐 에테르), 퍼플루오로(에틸 비닐 에테르), 퍼플루오로(프로필 비닐 에테르), 퍼플루오로(부틸 비닐 에테르), 퍼플루오로(이소부틸 비닐 에테르) 및 퍼플루오로(프로폭시프로필 비닐 에테르); CH2=CH-O-Rf (Rf는 불소 원자를 갖는 알킬기 또는 알콕시알킬기임)로 나타내어지는 (플루오로알킬)비닐 에테르 및 (플루오로알콕시알킬)비닐 에테르; 플루오로올레핀류, 예컨대 비닐리덴 플루오라이드, 클로로트리플루오로에틸렌, 3,3,3-트리플루오로프로필렌 및 테트라플루오로에틸렌; 카르복실산 비닐 에스테르, 예컨대 비닐 아세테이트, 비닐 프로피오네이트, 비닐 부티레이트, 비닐 피발레이트, 비닐 카프로에이트, 비닐 베르사테이트 및 비닐 스테아레이트; α-올레핀류, 예컨대 에틸렌, 프로필렌 및 이소부텐; 불소 함유 (메트)아크릴산 에스테르, 예컨대 2,2,2-트리플루오로에틸 (메트)아크릴레이트, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필 (메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로부틸)에틸 (메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로헥실)에틸 (메트)아크릴레이트, 2-(퍼플루오로옥틸)에틸 (메트)아크릴레이트 및 2-(퍼플루오로데실)에틸 (메트)아크릴레이트; (메트)아크릴산 에스테르, 예컨대 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, 이소부틸 (메트)아크릴레이트, 2-메톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸 (메트)아크릴레이트 및 2-(n-프로폭시)에틸 (메트)아크릴레이트; 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트, 예컨대 글리시딜 (메트)아크릴레이트, α-에틸글리시딜 (메트)아크릴레이트, α-n-프로필글리시딜 (메트)아크릴레이트, α-n-부틸글리시딜 (메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시부틸 (메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시헵틸 (메트)아크릴레이트 및 α-에틸-6,7-에폭시헵틸 (메트)아크릴레이트; 에폭시기 함유 불포화 지방족 화합물, 예컨대 알릴 글리시딜 에테르, 2-비닐시클로헥센 옥시드, 3-비닐시클로헥센 옥시드 및 4-비닐시클로헥센 옥시드; 및 글리시딜 에테르, 예컨대 비닐 글리시딜 에테르, 2-비닐벤질 글리시딜 에테르, 3-비닐벤질 글리시딜 에테르, 4-비닐벤질 글리시딜 에테르, α-메틸-2-비닐벤질 글리시딜 에테르, α-메틸-3-비닐벤질 글리시딜 에테르, α-메틸-4-비닐벤질 글리시딜 에테르, 2,3-디글리시딜옥시메틸 스티렌, 2,4-디글리시딜옥시메틸 스티렌, 2,5-디글리시딜옥시메틸 스티렌, 2,6-디글리시딜옥시메틸 스티렌, 2,3,4-트리글리시딜옥시메틸 스티렌, 2,3,5-트리글리시딜옥시메틸 스티렌, 2,3,6-트리글리시딜옥시메틸 스티렌, 3,4,5-트리글리시딜옥시메틸 스티렌 및 2, 4, 6-트리글리시딜옥시메틸 스티렌이 있다.
상기 단량체 (a-3) 가운데, 알킬 비닐 에테르, 시클로알킬 비닐 에테르, 카르복실산 비닐 에스테르, (플루오로알킬)비닐 에테르 및 (플루오로알콕시알킬)비닐 에테르가 바람직하며, 메틸 비닐 에테르, 에틸 비닐 에테르, n-프로필 비닐 에테르, 이소프로필 비닐 에테르, tert-부틸 비닐 에테르, 비닐 아세테이트, 비닐 프로피오네이트, 비닐 부티레이트, 비닐 피발레이트, 퍼플루오로알킬 퍼플루오로비닐 에테르 및 퍼플루오로알콕시알킬 퍼플루오로비닐 에테르가 특히 바람직하다.
상기 단량체들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서 불소 함유 공중합체를 구성하는 각각의 단량체의 양으로서, 단량체 (a-1)의 양은 바람직하게는 20 내지 70 중량％, 더욱 바람직하게는 25 내지 55 중량％이고, 단량체 (a-2)의 양은 바람직하게는 1 내지 40 중량％, 더욱 바람직하게는 10 내지 30 중량％이며, 단량체 (a-3)의 양은 바람직하게는 10 내지 70 중량％이다.
단량체 (a-1)의 양이 53 중량％ 미만인 경우, 불소의 함량을 증가시키기 위해 불소 함유 단량체, 예컨대 퍼플루오로(알킬 비닐 에테르) 또는 퍼플루오로(알콕시알킬 비닐 에테르)가 단량체 (a-3)으로서 바람직하게 사용된다.
성분 (A) 중 불소의 총 함량은 바람직하게는 40 중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 45 중량％ 이상이다. 상기량의 성분 (a-1) 및 상기 총량의 불소를 함유시켜 수득한 경화 생성물이 격벽으로서 사용되는 경우, 유기 EL 재료 또는 ITO 전구체를 도포하는 단계에서 위성 현상이 거의 일어나지 않는다.
단량체 (a-2)의 양이 1 중량％ 미만인 경우, 중합체의 알칼리 용해도가 감소하고 충분한 가교 밀도는 거의 얻을 수 없으며, 방사선에 대한 감도 및 필름 보유성이 열화될 수 있다. 단량체 (a-2)의 양이 40 중량％보다 크면 패턴 형성이 어려워질 수 있다.
상기 범위로 단량체 (a-3)를 공중합시켜 수득한 조성물은 현상성 및 패턴 형성능이 탁월하다.
성분 (A)로서의 공중합체는 상기 단량체 (a-1), 단량체 (a-2) 및 단량체 (a-3)을 중합 반응 용매 중에서 라디칼 중합시켜 제조할 수 있다. 이들은 단량체의관능기를 보호한 상태로 중합될 수 있으며, 이어서 필요에 따라 관능기를 탈보호시킬 수 있다.
성분 (A)의 제조에 사용되는 중합 반응 용매의 예로는 알콜, 예컨대 메틸 알콜, 에틸 알콜, 프로필 알콜 및 부틸 알콜; 시클릭 에테르, 예컨대 테트라히드로푸란 및 디옥산; 방향족 탄화수소, 예컨대 벤젠, 톨루엔 및 크실렌; 아미드 기재 비양성자성 극성 용매, 예컨대 N,N-디메틸포름아미드 및 N-메틸-2-피롤리돈; 에스테르, 예컨대 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트, 이소아밀 아세테이트 및 에틸 락테이트; 알콕시 에스테르, 예컨대 메틸 3-메톡시프로피오네이트, 메틸 2-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-메톡시프로피오네이트, 에틸 2-메톡시프로피오네이트, 에틸 3-에톡시프로피오네이트 및 에틸 2-에톡시프로피오네이트; (디)글리콜 디알킬 에스테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸 에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르 및 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르; (디)글리콜 모노알킬 에테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 및 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르; 글리콜 모노알킬 에테르 에스테르, 예컨대 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 카르비톨 아세테이트 및 에틸 셀로솔브 아세테이트; 및 케톤, 예컨대 시클로헥사논, 메틸 에틸 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 및 2-헵타논이 있다. 상기 중합 반응 용매는 단독으로 또는 2종 이상조합하여 사용할 수 있다.
반응 원료에 대한 중합 반응 용매의 비율은 특별히 한정되지 않는다. 그러나, 중합 반응 용매는 단량체 (a-1), 단량체 (a-2) 및 단량체 (a-3)의 전체 100 중량부에 대해 20 내지 1,000 중량부의 양으로 사용된다.
라디칼 중합 반응용 중합 반응 개시제는 예를 들어 아조계 화합물, 예컨대 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-(2,4-디메틸발레로니트릴) 또는 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴), 유기 퍼옥시드, 예컨대 벤조일 퍼옥시드, 라우로일 퍼옥시드, tert-부틸 퍼옥시피발레이트 또는 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)시클로헥산, 또는 과산화수소이다. 중합 반응 개시제로서 퍼옥시드가 사용되는 경우, 퍼옥시드를 환원제와 배합시켜 제조한 산화환원 중합 반응 개시제가 사용될 수 있다.
성분 (A)는 폴리스티렌에 대해 바람직하게는 1,000 내지 100,000, 더욱 바람직하게는 1,000 내지 50,000의 수평균 분자량을 갖는다. 폴리스티렌에 대한 수평균 분자량이 1,000 미만인 불소 함유 공중합체가 사용되는 경우, 수득되는 패턴은 불량한 형상을 가질 수 있고, 패턴의 필름 보유성이 저하될 수 있으며, 패턴의 내열성이 열화될 수 있다. 폴리스티렌에 대한 수평균 분자량이 100,000을 초과하는 성분 (A)가 사용되는 경우, 감방사선성 수지 조성물은 불량한 코팅성 및 낮은 현상성을 가질 수 있고, 수득된 패턴이 불량한 형상을 가질 수 있다.
성분 (B)
성분 (B)로서 방사선에 노광되었을 때 산을 생성하는 산 생성 화합물은 예를들어 트리클로로메틸-s-트리아진, 디아릴 요오도늄염 또는 트리아릴술포늄염이다.
상기 트리클로로메틸-s-트리아진의 예로는 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메틸티오페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메틸티오페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메톡시-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메톡시-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3,4,5-트리메톡시-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(3-메틸티오-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(2-메틸티오-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 및 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진이 있다.
상기 디아릴 요오도늄염의 예로는 디페닐요오도늄 테트라플루오로보레이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로포스포네이트, 디페닐요오도늄 헥사플루오로알세네이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄-p-톨루엔 술포네이트, 4-메톡시페닐요오도늄 테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 헥사플루오로알세네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄-p-톨루엔 술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄 테트라플루오로보레이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄 헥사플루오로알세네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄 트리플루오로아세테이트 및 비스(4-tert-부틸페닐)요오도늄-p-톨루엔 술포네이트가 있다.
상기 트리아릴 술포늄염의 예로는 트리페닐술포늄 테트라플루오로보레이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로포스포네이트, 트리페닐술포늄 헥사플루오로알세네이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 트리페닐술포늄-p-톨루엔 술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 테트라플루오로보레이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로포스포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로알세네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄-p-톨루엔 술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 테트라플루오로보레이트, 4-페닐티오페닐디페닐 헥사플루오로포스포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 헥사플루오로알세네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 트리플루오로메탄 술포네이트, 4-페닐티오페닐디페닐 트리플루오로아세테이트 및 4-페닐티오페닐디페닐-p-톨루엔 술포네이트가 있다.
상기 화합물 가운데, 2-(3-클로로페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메틸티오페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시-β-스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-피페로닐-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸푸란-2-일)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸페닐)에테닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진 및 2-(4-메톡시나프틸)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진이 트리클로로메틸-s-트리아진으로서 바람직하고; 디페닐요오도늄 트리플루오로아세테이트, 디페닐요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로메탄 술포네이트 및 4-메톡시페닐페닐요오도늄 트리플루오로아세테이트가 디아릴요오도늄염으로서 바람직하고; 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 4-메톡시페닐디페닐술포늄 트리플루오로아세테이트, 4-페닐티오페닐디페닐 트리플루오로메탄 술포네이트 및 4-페닐티오페닐디페닐 트리플루오로아세테이트가 트리아릴술포늄염으로서 바람직하다.
성분 (B)의 양은 성분 (A)의 100 중량부에 대해 바람직하게는 0.001 내지 30 중량부, 특히 바람직하게는 0.01 내지 10 중량부이다.
성분 (B)의 양이 성분 (A)의 100 중량부에 대해 0.001 중량부보다 작은 경우 방사선에 노광되었을 때 생성되는 산의 양이 작기 때문에, 성분 (A)의 분자들의 가교화는 완전히 진행되지 않으며, 현상 후의 필름 보유성과 내열성, 내화학성 및 수득된 패턴의 기판으로의 접착성이 열화될 수 있다. 성분 (B)의 양이 성분 (A)의 100 중량부에 대해 30 중량부보다 큰 경우, 패턴의 형성시 문제가 발생할 수 있다.
성분 (C)
성분 (C)로서 가교 결합 가능한 화합물은 성분 (B)로부터 생성된 산의 작용으로 가교화될 수 있는 하나 이상의 기 (이하 "가교화 가능한 기"로 지칭함)를 갖는다.
가교화 가능한 기는 예를 들어 아미노기, 알콕시알킬기 또는 에폭시기이다. 알콕시메틸기의 예로는 메톡시메틸기, 에톡시부틸기, 프로폭시부틸기, 부톡시메틸기 및 t-부톡시메틸기가 있다.
하나 이상의 아미노기 및(또는) 알콕시알킬기를 갖는 화합물의 예로는 멜라민 수지, 벤조구아나민 수지, 글리콜우릴 수지, 우레아 수지, 알콕시메틸 멜라민 수지, 알콕시메틸 벤조구아나민 수지, 알콕시메틸 글리콜우릴 수지 및 알콕시메틸 우레아 수지가 있다.
상기 알콕시메틸 멜라민 수지, 알콕시메틸 벤조구아나민 수지, 알콕시메틸글리콜우릴 수지 및 알콕시메틸 우레아 수지는 메틸올 멜라민 수지, 메틸올 벤조구아나민 수지, 메틸올 글리콜우릴 수지 및 메틸올 우레아 수지의 메틸올기를 각각 알콕시메틸기로 치환시켜 수득한다. 알콕시메틸기의 유형은 특별히 한정되지 않으며, 예로써 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 프로폭시메틸기, 부톡시메틸기 및 t-부톡시메틸기가 있다.
상기 화합물의 구입 가능한 제품으로는 Cymel 300, 301, 303, 370, 325, 327, 701, 266, 267, 238, 1141, 272, 202, 1156, 1158, 1123, 1170 및 1174, 및 UFR65 및 300 (미쯔이 시아나미드사 (Mitsui Cyanamid Co., Ltd.) 제조), 및 Nikalac Mx-750, Mx-032, Mx-706, Mx-708, Mx-40, Mx-31, Ms-11 및 Mw-30 (산와 케미칼사 (Sanwa Chemical Co., Ltd.) 제조)가 있다.
하나 이상의 에폭시기를 갖는 화합물은 바람직하게는 분자 내에 두 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물이다. 그러한 화합물의 예로는 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 시클릭 지방족 에폭시 수지, 및 지방족 폴리글리시딜 에테르가 있다.
상기 화합물의 구입 가능한 제품을 예시하기로 한다. 비스페놀 A 에폭시 수지의 구입 가능한 제품으로는 Epicoat 1001, 1002, 1003, 1004, 1007, 1009, 1010 및 828 (유까 쉘 에폭시사 (Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) 제조), 비스페놀 F 에폭시 수지의 구입 가능한 제품으로는 Epicoat 807 (유까 쉘사 (Yuka Shell Co., Ltd.) 제조), 페놀 노볼락 에폭시 수지의 구입 가능한 제품으로는 Epicoat 152 및 154 (유까 쉘 에폭시사 제조) 및 EPPN201 및 202 (니뽄 가야꾸사 (Nippon KayakuCo., Ltd.) 제조), 크레졸 노볼락 에폭시 수지의 구입 가능한 제품으로는 EOCN-102, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1020, EOCN-1025 및 EOCN-1027 (니뽄 가야꾸사 제조) 및 Epicoat 180S75 (유까 쉘 에폭시사 제조), 시클릭 지방족 에폭시 수지의 구입 가능한 제품으로는 CY175, CY177 및 CY179 (시바 가이기사 (CIBA-GEIGY A.G.) 제조), ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221 및 ERL-4206 (U.C.C. Co., Ltd.), Showdyne 509 (쇼와 덴꼬사 (Showa Denko K.K.) 제조), Araldyte CY-182, CY-192 및 CY-184 (시바 가이기사 제조), Epichlon 200 및 400 (다이니뽄 잉크 앤드 케미칼사 (Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) 제조), Epicoat 871 및 872 (유까 쉘 에폭시사 제조) 및 ED-5661 및 ED-5662 (세라니스 코팅사 (Ceranees Coating Co., Ltd.) 제조), 및 지방족 폴리글리시딜 에테르의 구입 가능한 제품으로는 Epolite 100MF (교에이샤 케미칼사 (Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) 제조) 및 Epiol TMP (NOF Corporation)가 있다.
상기 화합물 외에, 비스페놀 A 또는 비스페놀 F의 글리시딜 에테르도 유리하게 사용할 수 있다.
상기 화합물 가운데, 알콕시메틸 멜라민 수지, 알콕시메틸 벤조구아나민 수지, 비스페놀 A 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지 및 크레졸 노볼락 에폭시 수지가 바람직하다.
상기 가교 결합 가능한 화합물은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
에폭시기 함유 불포화 단량체가 성분 (A)의 공중합체를 구성하는 단량체 중단량체 (a-3)으로서 사용되는 경우, 성분 (A)도 "가교 결합 가능한 화합물"이라고 말할 수 있으나, 다량의 불소를 함유하고 알칼리 용해도를 갖는다는 점에서 성분 (C)와 상이하다.
성분 (C)의 양은 성분 (A)의 100 중량부에 대해 바람직하게는 1 내지 100 중량부, 더욱 바람직하게는 5 내지 50 중량부이다.
성분 (C)의 양이 성분 (A)의 100 중량부에 대해 1 중량부 미만이면 반응계의 가교화가 완결되지 않으므로 패턴을 형성하기 어렵게 된다. 성분 (C)의 양이 성분 (A)의 100 중량부에 대해 100 중량부보다 크면 현상 후의 필름 보유성이 저하될 수 있다.
성분 (D)
성분 (D), 즉 성분 (A)가 아닌 다른 불소 함유 유기 화합물의 바람직한 예로는 퍼플루오로알킬술폰산, 퍼플루오로알킬카르복실산, 퍼플루오로알킬알킬렌 옥시드 부가물, 퍼플루오로알킬트리알킬 암모늄염, 퍼플루오로알킬기 및 친수성기를 갖는 올리고머, 퍼플루오로알킬기 및 친유성기를 갖는 올리고머, 퍼플루오로알킬기, 친수성기 및 친유성기를 갖는 올리고머, 퍼플루오로알킬기 및 친수성기를 갖는 우레탄, 퍼플루오로알킬 에스테르, 퍼플루오로알킬인산 에스테르, 메틸트리플루오로실란, 트리메틸플루오로실란, 트리플루오로메틸트리메틸실란, (3,3,3-트리플루오로프로필)디메틸클로로실란, 3-(헵타플루오로이소프로폭시)-프로필트리클로로실란, 3-(3,3,3-트리플루오로프로필)헵타메틸트리실란 및 (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란이 있다.
이들 가운데, 퍼플루오로알킬카르복실산 및 (3,3,3-트리플루오로프로필)트리메톡시실란이 특히 바람직하다.
상기 화합물의 구입 가능한 제품으로는 Megafac F116, F120, F142D, F144D, F150, F160, F171, F172, F173, F177, F178A, F178RM, F178K, F179, F183, F184, F191, F812, F815, F824, F833, DEFENSA MCF300, MCF310, MCF312 및 MCF323 (다이니뽄 잉크 앤드 케미칼사 제조), Florade FC430 및 FC431 (스미또모 3M사 (Sumitomo 3M Limited) 제조), 및 Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105 및 SC-106 (아사히 글라스사 (Asahi Glass Co., Ltd.) 제조), 및 FS1265 및 AY43-158E (도레이 다우코닝 실리콘사 (Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) 제조)가 있다.
상기 불소 함유 유기 화합물은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서 성분 (D)의 양은 성분 (A)의 100 중량부에 대해 바람직하게는 0.001 내지 15 중량부, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 10 중량부이다. 성분 (D)의 양이 성분 (A)의 100 중량부에 대해 0.001 중량부보다 작으면, 중합체 유기 EL 재료와 본 발명의 조성물 사이의 접촉각이 작아지게 되어 조성물이 중합체 유기 EL 재료 영역의 외부로 조성물이 퍼지기 쉽다. 성분 (D)의 양이 성분 (A)의 100 중량부에 대해 15 중량부보다 크면 현상 후의 잔여 필름이 저하될 수 있다. 또한, 형성된 기포의 영향으로 코팅성이 열화될 수 있다.
비스페놀 F 계 에폭시 수지 또는 비스페놀 F의 글리시딜 에테르가 성분 (C)로서 사용되는 경우, 이들 역시 "성분 (A)가 아닌 다른 불소 함유 유기 화합물"로 지칭될 수 있으나, 이들은 가교화 가능한 기를 갖는다는 점에서 가교화 가능한 기를 갖지 않는 성분 (D)와는 상이하다.
기타 성분
본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 감광제를 함유할 수 있다. 감광제는 예를 들어 플라본, 디벤잘아세톤, 디벤잘시클로헥산, 칼콘, 크산틴, 티오크산틴, 폴피린, 프탈로시아닌, 아크리딘, 안트라센, 벤조페논, 아세토페논 또는 3-위치 및(또는) 7-위치에 치환체를 갖는 쿠마린이다.
감광제의 양은 성분 (A)의 100 중량부에 대해 바람직하게는 30 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 20 중량부이다.
본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 코팅성 (예를 들어 찰흔의 방지) 및 현상성을 개선하기 위해 불소계 계면활성제가 아닌 다른 계면활성제를 함유할 수 있다.
불소계 계면활성제가 아닌 다른 계면활성제의 예로는 비이온성 계면활성제, 예컨대 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르 및 폴리옥시에틸렌 올레일 에테르를 포함하는 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르; 폴리옥시에틸렌 옥틸페닐 에테르 및 폴리옥시에틸렌 노닐페닐 에테르를 포함하는 폴리옥시에틸렌 아릴 에테르; 및 폴리에틸렌 글리콜 디라우레이트 및 폴리에틸렌 글리콜 디스테아레이트를 포함하는 폴리에틸렌 글리콜 디알킬 에스테르; 및 오르가노실록산 중합체 KP341 (신에쯔 케미칼사 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 제조) 및 아크릴산 또는메타크릴산 기재 (공)중합체 Polyflow No. 57 및 No. 95 (교에이샤 케미칼사 제조)의 상품명으로 구입 가능한 다른 계면활성제가 있다.
불소계 계면활성제가 아닌 다른 계면활성제의 양은 조성물의 고형분 100 중량부에 대해 바람직하게는 2 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 1 중량부 이하이다.
본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 기판으로의 접착성을 개선하기 위해 실란 커플링제와 같은 접착 보조제를 함유할 수 있으며, 내열성을 개선하기 위해 폴리아크릴레이트와 같은 불포화 화합물을 더 함유할 수 있다.
본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 필요에 따라 대전 방지제, 저장 안정화제, 할레이션 방지제, 소포제, 안료 및 열 산 발생제를 더 함유할 수 있다.
감방사선성 수지 조성물의 제조
본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 상기 공중합체 (A), 방사선에 노광되었을 때 산을 생성하는 산 생성 화합물 (B), 가교 결합 가능한 화합물 (C), 성분 (A)가 아닌 다른 불소 함유 유기 화합물 (D), 및 첨가되는 임의의 기타 성분을 균일하게 혼합시켜 제조한다. 바람직하게는, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 적절한 용매에 용해되어 용액으로서 사용된다. 예를 들어, 공중합체 성분 (A) 내지 (D) 및 첨가되는 임의의 기타 성분이 소정의 비율로 적절한 용매에 첨가되고 서로 혼합되어 용액 상태의 감방사선성 수지 조성물을 제조한다.
바람직하게는, 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 제조하는데 사용되는 용매는 성분 (A) 내지 성분 (D) 및 첨가되는 임의의 기타 성분을 균질하게 용해시키며, 상기 성분들과 반응하지 않는다.
상기 조성물 용액을 제조하는데 사용되는 용매의 예는 상기 불소 함유 공중합체를 제조하는데 사용되는 중합 반응 용매에 대해 열거한 것들과 동일하다.
또한, 고비점 용매, 예컨대 벤질 에틸 에테르, 디헥실 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 아세토닐 아세톤, 이소포론, 카프로산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질 알콜, 벤질 아세테이트, 에틸 벤조에이트, 디에틸 옥살레이트, 디에틸 말레에이트, γ-부티로락톤, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 페닐 셀로솔브 아세테이트 또는 카르비톨 아세테이트를 필요에 따라 첨가할 수 있다.
본 발명에 사용되는 용매의 양은 특별히 한정되지 않으며 사용되는 기판의 유형 또는 목적하는 필름의 두께에 따라 적절하게 변화시킬 수 있다. 성분 (A) 내지 성분 (D) 및 조성물 용액에 첨가되는 임의의 기타 성분의 총량은 일반적으로 5 내지 60 중량부, 바람직하게는 10 내지 50 중량부, 더욱 바람직하게는 20 내지 40 중량부이다.
상기와 같이 제조한 조성물 용액은 사용하기 전에 공극 크기 0.2 내지 10 ㎛의 필터로 여과될 수 있다.
격벽의 형성
이어서 본 발명의 감방사선성 수지 조성물로부터 본 발명의 격벽을 형성하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 감방사선성 수지 조성물은 기판의 표면에 도포되고, 예를 들어 용매를 제거하기 위해 예비 소성되어 코팅 필름을 형성한다.
상기 기판은 예를 들어 유리, 규소, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 방향족 폴리아미드, 폴리아미드 이미드, 폴리이미드 등으로 제조된다. 본 발명의 조성물이 유기 EL표시 소자용 격벽의 형성에 사용되는 경우, 기판으로서 표면에 ITO 필름을 갖는 기판이 사용될 수 있다.
상기 감방사선성 수지 조성물은 자체로서 공지된 적절한 수단, 예컨대 스프레이 코팅, 롤 코팅 또는 회전 코팅으로 기판의 표면에 도포될 수 있다.
상기 예비 소성 조건은 바람직하게는 50 내지 150 ℃의 온도 및 0.5 내지 10 분이며, 각각의 성분의 유형 및 양에 따라 달라진다.
예비 소성 후의 코팅 필름의 두께는 형성된 격벽의 목적에 따라 적절한 값일 수 있으며, 예를 들어 0.3 내지 15 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 10 ㎛, 더욱 바람직하게는 0.7 내지 6 ㎛이다.
이어서, 코팅 필름은 격벽 형성 패턴 마스크를 통해 가시 광선, 자외선, 심자외선, 전자빔 또는 X-선과 같은 방사선에 노광된다. 사용된 방사선은 바람직하게는 190 내지 450 nm, 특히 바람직하게는 365 nm의 파장 (자외선 영역)을 갖는다.
이 때의 노광량은 바람직하게는 1 내지 10,000 J/m2, 더욱 바람직하게는 100 내지 5,000 J/m2, 특히 바람직하게는 100 내지 3,000 J/m2이다.
이어서, 필요에 따라 노광후 소성 (PEB)을 수행할 수 있다. PEB는 바람직하게는 70 내지 160 ℃, 더욱 바람직하게는 80 내지 140 ℃, 특히 바람직하게는 90 내지 110 ℃에서, 바람직하게는 0.5 내지 30 분, 더욱 바람직하게는 1 내지 10 분,특히 바람직하게는 1 내지 5 분간 수행될 수 있다.
노광된 필름은 이어서 현상제로 현상되어 불필요한 부분이 제거되고 소정의 패턴을 형성한다. 현상제는 퍼들 현상, 디핑 현상 또는 샤워 현상이며, 현상 시간은 예를 들어 10 내지 300 초이다.
상기 현상제는 알칼리 수용액, 예를 들어 무기 알칼리, 예컨대 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산 나트륨 또는 암모니아; 1차 아민, 예컨대 에틸아민 또는 n-프로필아민; 2차 아민, 예컨대 디에틸아민 또는 디-n-프로필아민; 3차 아민, 예컨대 트리메틸아민, 메틸디에틸아민, 디메틸에틸아민 또는 트리에틸아민; 3차 아민, 예컨대 디메틸에탄올아민, 메틸디에탄올아민 또는 트리에탄올아민; 시클릭 3차 아민, 예컨대 피롤, 피페리딘, N-메틸피페리딘, N-메틸피롤리딘, 1,8-디아자비시클로[5.4.0]-7-운데센 또는 1,5-디아자비시클로[4.3.0]-5-노넨; 방향족 3차 아민, 예컨대 피리딘, 콜리딘, 루티딘 또는 퀴놀린; 또는 4차 암모늄염, 예컨대 수산화 테트라메틸암모늄 또는 수산화 테트라에틸암모늄의 수용액이다. 적절한 양의 수용성 유기 용매, 예컨대 메탄올 또는 에탄올 및(또는) 계면활성제를 상기 알칼리 수용액에 첨가하여 제조한 수용액도 현상제로서 사용할 수 있다.
현상 후, 코팅 필름은 바람직하게는 흐르는 물에 30 내지 90 초 동안 세척되고 압축 공기 또는 압축 질소로 건조된다.
이어서, 필요에 따라 후-소성을 수행할 수 있다. 후-소성은 핫플레이트 또는 오븐과 같은 가열 수단을 사용하여 소정 온도, 예를 들어 150 내지 250 ℃에서소정 시간, 예를 들어 5 내지 30 분간 핫플레이트에서, 또는 30 내지 90 분간 오븐에서 수행될 수 있다.
상기한 바와 같이 형성된 격벽은 유기 EL 재료 또는 ITO 전구체 용액과 큰 접촉각을 갖는다. 이 접촉각은 사용된 유기 EL 재료, ITO 전구체 및 용매의 종류 및 농도에 따라 상이하다. 접촉각은 세 가지 화합물, 즉 물, 요오드화 메틸렌 및 n-헥사데칸과의 접촉각을 기준으로 평가될 수 있다.
본 발명의 격벽은 80° 이상, 바람직하게는 90° 이상, 특히 바람직하게는 100° 이상의 수접촉각을 가질 수 있고, 50° 이상, 바람직하게는 60° 이상, 특히 바람직하게는 70° 이상의 요오드화 메틸렌 접촉각을 가질 수 있으며, 20° 이상, 바람직하게는 30° 이상, 특히 바람직하게는 40° 이상의 n-헥사데칸 접촉각을 가질 수 있다.
접촉각은 구입 가능한 각도계 등으로 측정할 수 있다.
본 발명의 격벽은 유기 EL 재료 및 ITO 전구체 용액상에 작은 낙하각 (fall angle)을 갖는다. 즉, 유기 EL 재료 또는 ITO 전구체 용액이 수평 상태의 본 발명의 격벽 재료 위에 적가된 후 본 발명의 격벽 재료를 기울이는 경우, 액적이 이동하기 시작하는 각도 (낙하각)가 작다. 낙하각은 사용된 용액에 따라 다르나 물과 톨루엔의 낙하각을 기준으로 평가할 수 있다.
본 발명의 격벽은 70° 이하, 특히 65° 이하의 수낙하각을 가질 수 있으며, 20° 이하, 특히 10° 이하의 톨루엔 낙하각을 가질 수 있다.
본 발명의 격벽이 상술한 특징적 특성을 갖기 때문에, 유기 EL 재료 또는ITO 전구체 용액을 도포하는 단계에서 위성 현상을 일으키지 않고 높은 신뢰성을 갖는 유기 EL 표시 소자 또는 액정 표시 소자를 효율적으로 제조하는데 유리하다.
실시예
하기의 실시예는 본 발명을 더 설명하기 위한 목적으로 제공되지만 어떠한 경우에도 본 발명을 제한하려는 것은 아니다.
폴리스티렌에 대한 중합체의 수평균 분자량은 전달 용매로서 테트라히드로푸란 (THF) 중에서 40 ℃에서 1 ml/분의 흐름 속도로 SYSTEM-21 GPC 크로마토그래프 (쇼와 덴꼬사 제조)로 측정하였다.
[불소 함유 공중합체의 합성예]
합성예 1
전자석 교반기가 장착된 0.5 리터 용적의 스텐레스강 오토클레이브의 내부를 질소 가스로 완전히 치환시킨 후, 270 g의 에틸 아세테이트, 22.5 g의 에틸 비닐 에테르 (EVE), 40.3 g의 크로톤산 (CA) 및 5.4 g의 라우로일 퍼옥시드를 오토클레이브에 공급하고 드라이아이스-메탄올 배쓰에서 -50 ℃로 냉각하고, 계 내의 산소를 다시 질소 가스로 제거하였다. 이어서, 117 g의 헥사플루오로프로필렌 (HFP)를 오토클레이브에 공급하고 온도를 상승시켰다. 오토클레이브의 내부 온도가 70 ℃에 이르렀을 때의 압력은 8.3 kgf/cm2이었다. 이어서 교반하에 70 ℃에서 12 시간 동안 반응을 계속하고, 압력이 7 kgf/cm2로 떨어졌을 때 물로 오토클레이브를 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 온도가 상온에 도달하면 미반응의 단량체를 배출시키고오토클레이브를 개방하여 고형분 함량이 16.8 중량％인 중합체 용액을 수득하였다. 수득한 중합체 용액을 물에 주입하여 중합체를 침전시키고, 이를 n-헥산으로 재침전시켜 정제하고 50 ℃에서 진공 건조시켜 80 g의 불소 함유 공중합체 (이하 "수지 (1)"로 지칭함)를 수득하였다.
폴리스티렌에 대한 수득된 수지 (1)의 수평균 분자량은 2,800으로 측정되었다.
합성예 2
전자석 교반기가 장착된 0.5 리터 용적의 스텐레스강 오토클레이브의 내부를 질소 가스로 완전히 치환시킨 후, 270 g의 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르 (EDM), 10.7 g의 에틸 비닐 에테르 (EVE), 47.4 g의 크로톤산 (CA), 42.63 g의 비닐 헵타데카플루오로노나노에이트 및 5.4 g의 라우로일 퍼옥시드를 오토클레이브에 공급하고 드라이아이스-메탄올 배쓰에서 -50 ℃로 냉각하고, 계 내의 산소를 다시 질소 가스로 제거하였다. 이어서, 118 g의 헥사플루오로프로필렌 (HFP)를 오토클레이브에 공급하고 온도를 상승시켰다. 오토클레이브의 내부 온도가 70 ℃에 이르렀을 때의 압력은 8.5 kgf/cm2이었다. 이어서 교반하에 70 ℃에서 12 시간 동안 반응을 계속하고, 압력이 8.1 kgf/cm2로 떨어졌을 때 물로 오토클레이브를 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 온도가 상온에 도달하면 미반응의 단량체를 배출시키고 오토클레이브를 개방하여 고형분 함량이 16.0 중량％인 중합체 용액을 수득하였다. 수득한 중합체 용액을 물에 주입하여 중합체를 침전시키고, 이를 n-헥산으로 재침전시켜 정제하고 50 ℃에서 진공 건조시켜 80 g의 불소 함유 공중합체 (이하 "수지 (2)"로 지칭함)를 수득하였다.
폴리스티렌에 대한 수득된 수지 (2)의 수평균 분자량은 1,800으로 측정되었다.
합성예 3
전자석 교반기가 장착된 0.5 리터 용적의 스텐레스강 오토클레이브의 내부를 질소 가스로 완전히 치환시킨 후, 270 g의 에틸 아세테이트, 16.3 g의 에틸 비닐 에테르 (EVE), 40.3 g의 크로톤산 (CA), 19.7 g의 헵타플루오로부틸 비닐 에테르 및 5.4 g의 라우로일 퍼옥시드를 오토클레이브에 공급하고 드라이아이스-메탄올 배쓰에서 -50 ℃로 냉각하고, 계 내의 산소를 다시 질소 가스로 제거하였다. 이어서, 117 g의 헥사플루오로프로필렌 (HFP)를 오토클레이브에 공급하고 온도를 상승시켰다. 오토클레이브의 내부 온도가 70 ℃에 이르렀을 때의 압력은 8.2 kgf/cm2이었다. 이어서 교반하에 70 ℃에서 12 시간 동안 반응을 계속하고, 압력이 7.5 kgf/cm2로 떨어졌을 때 물로 오토클레이브를 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 온도가 상온에 도달하면 미반응의 단량체를 배출시키고 오토클레이브를 개방하여 고형분 함량이 16.0 중량％인 중합체 용액을 수득하였다. 수득한 중합체 용액을 물에 주입하여 중합체를 침전시키고, 이를 n-헥산으로 재침전시켜 정제하고 50 ℃에서 진공 건조시켜 80 g의 불소 함유 공중합체 (이하 "수지 (3)"으로 지칭함)를 수득하였다.
폴리스티렌에 대한 수득된 수지 (3)의 수평균 분자량은 1,900으로 측정되었다.
합성예 4
전자석 교반기가 장착된 0.5 리터 용적의 스텐레스강 오토클레이브의 내부를 질소 가스로 완전히 치환시킨 후, 270 g의 에틸 아세테이트, 17.0 g의 에틸 비닐 에테르 (EVE), 47.4 g의 크로톤산 (CA) 및 5.4 g의 라우로일 퍼옥시드를 오토클레이브에 공급하고 드라이아이스-메탄올 배쓰에서 -50 ℃로 냉각하고, 계 내의 산소를 다시 질소 가스로 제거하였다. 이어서, 118 g의 헥사플루오로프로필렌 (HFP)를 오토클레이브에 공급하고 온도를 상승시켰다. 오토클레이브의 내부 온도가 70 ℃에 이르렀을 때의 압력은 8.5 kgf/cm2이었다. 이어서 교반하에 70 ℃에서 12 시간 동안 반응을 계속하고, 압력이 8.0 kgf/cm2로 떨어졌을 때 물로 오토클레이브를 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 온도가 상온에 도달하면 미반응의 단량체를 배출시키고 오토클레이브를 개방하여 고형분 함량이 16.2 중량％인 중합체 용액을 수득하였다. 수득한 중합체 용액을 물에 주입하여 중합체를 침전시키고, 이를 n-헥산으로 재침전시켜 정제하고 50 ℃에서 진공 건조시켜 80 g의 불소 함유 공중합체 (이하 "수지 (4)"로 지칭함)를 수득하였다.
폴리스티렌에 대한 수득된 수지 (4)의 수평균 분자량은 2,000으로 측정되었다.
합성예 5
전자석 교반기가 장착된 0.5 리터 용적의 스텐레스강 오토클레이브의 내부를 질소 가스로 완전히 치환시킨 후, 270 g의 에틸 아세테이트, 34.2 g의 에틸 비닐 에테르 (EVE), 27.2 g의 크로톤산 (CA) 및 5.4 g의 라우로일 퍼옥시드를 오토클레이브에 공급하고 드라이아이스-메탄올 배쓰에서 -50 ℃로 냉각하고, 계 내의 산소를 다시 질소 가스로 제거하였다. 이어서, 119 g의 헥사플루오로프로필렌 (HFP)를 오토클레이브에 공급하고 온도를 상승시켰다. 오토클레이브의 내부 온도가 70 ℃에 이르렀을 때의 압력은 7.6 kgf/cm2이었다. 이어서 교반하에 70 ℃에서 12 시간 동안 반응을 계속하고, 압력이 6.3 kgf/cm2로 떨어졌을 때 물로 오토클레이브를 냉각시켜 반응을 중지시켰다. 온도가 상온에 도달하면 미반응의 단량체를 배출시키고 오토클레이브를 개방하여 고형분 함량이 19.6 중량％인 중합체 용액을 수득하였다. 수득한 중합체 용액을 물에 주입하여 중합체를 침전시키고, 이를 n-헥산으로 재침전시켜 정제하고 50 ℃에서 진공 건조시켜 80 g의 불소 함유 공중합체 (이하 "수지 (5)"로 지칭함)를 수득하였다.
폴리스티렌에 대한 수득된 수지 (5)의 수평균 분자량은 8,400으로 측정되었다.
실시예 1
성분 (A)로서 수지 (3) 100 중량부, 성분 (B)로서 2-피페로닐-비스-4,6-(트리클로로메틸)-s-트리아진 5 중량부, 성분 (C)로서 헥사메톡시메틸올 멜라민 수지인 Cymel 300 20 중량부 및 성분 (D)로서 Megafac F178RM (다이니뽄 잉크 앤드 케미칼사 제조; 퍼플루오로알킬기 및 친유성기를 갖는 올리고머) 1 중량부를 디에틸렌 글리콜 에틸 메틸 에테르에 용해시켜 성분 (A) 내지 성분 (D)의 총량이 40 중량％가 되도록 하였다. 생성된 용액을 0.2 ㎛의 공극을 갖는 멤브레인 필터로 여과하여 용액 상태의 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 제조하였다.
감방사선성의 평가
상기 제조한 조성물 용액을 스피너로 유리 기판에 도포하고 110 ℃에서 2 분 동안 핫플레이트로 예비 소성하여 3.0 ㎛ 두께의 코팅 필름을 형성하였다.
수득한 코팅 필름을 5.0 ㎛ ×5.0 ㎛ 도트 패턴을 갖는 마스크를 통해 NSR1505i6A 축소 투영 스테퍼 (니콘사 (Nikon Corporation) 제조, NA = 0.45, λ= 365 nm)로 최적 초점 심도로 자외선에 노광시켰다. 유리 기판 위의 코팅 필름을 노광 시간을 변화시켜 노광량에 있어서 상이한 부분으로 분할하였다. 이어서, 코팅 필름을 110 ℃에서 2 분간 노광후 소성시키고 25 ℃에서 1 분간 0.5 중량％ 수산화 테트라메틸암모늄 수용액으로 현상시키고 물로 세척한 후 건조시켜 도트 패턴을 형성하였다.
5.0 ㎛ × 5.0 ㎛ 패턴의 해상도에 요구되는 최소 노광량을 표 1에 나타내었다. 이 값이 300 J/m2보다 작으면 감방사선성이 우수하고, 이 값이 300 J/m2이상 500 J/m2미만이면 감방사선성은 양호하며, 이 값이 500 J/m2이상이면 감방사선성은 불량하다.
평가용 기판 (1)의 형성
조성물 용액을 스피너로 유리 기판에 도포하고 110 ℃에서 2 분 동안 핫플레이트로 예비 소성하여 3.0 ㎛ 두께의 코팅 필름을 형성하였다.
수득한 코팅 필름을 NSR1505i6A 축소 투영 스테퍼 (니콘사 제조, NA = 0.45, λ= 365 nm)로 최적 초점 심도로 자외선에 노광시켰다.
이어서 코팅 필름을 200 ℃에서 1 시간 동안 핫플레이트에서 소성하여 평가용 기판 (1)을 형성하였다. 기판 (1) 위에 형성된 본 발명의 조성물로부터 수득한 경화 필름의 두께는 2.7 ㎛이었다.
투명도 평가
평가용 기판 (1)의 투과율을 400 내지 800 nm의 파장에서 모델 150-20 더블빔 분광계 (히타치사 (Hitachi, Ltd.) 제조)로 측정하였다. 최소 투과율을 표 1에 나타내었다. 이 값이 95 ％보다 크면 투과율은 우수하고, 이 값이 90 내지 95 ％이면 투과율은 양호하며, 이 값이 90 ％보다 작으면 투과율은 불량하다.
접촉각의 평가
평가용 기판 (1)에 10 mg의 물을 적가하여 접촉각 측정기 (CA-X, 교와 인터페이스 사이언스사 (Kyowa Interface Science Co., Ltd.) 제조)로 접촉각을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 이 각이 80° 이상이면 접촉각은 양호하다.
물 대신 20 mg의 요오드화 메틸렌을 적가하여 상기와 같은 방식으로 접촉각을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 이 각이 50° 이상이면 접촉각은 양호하다.
또한, 물 대신 7 mg의 n-헥사데칸을 적가하여 상기와 같은 방식으로 접촉각을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 이 각이 20° 이상이면 접촉각은 양호하다.
낙하각의 평가
평가용 기판 (1)을 수평으로 놓고 10 mg의 물을 그 위에 적가한 후 기판을 기울여 기판 위의 액적이 이동하기 시작하는 각을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 이 각이 70° 이하이면 낙하각은 양호하다.
물 대신 5 mg의 톨루엔을 적가하여 상기와 동일한 방식으로 낙하각을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 이 각이 20° 이하이면 낙하각은 양호하다.
내열성 치수 안정성의 평가
평가용 기판 (1)을 오븐에서 200 ℃로 1 시간 동안 가열한 후, 필름의 가열 전 및 가열 후 두께를 측정하였다. 가열 후의 두께가 가열 전의 두께의 95 ％ 이상 100 ％ 이하이면 필름의 내열성 치수 안정성은 우수하고, 이 두께가 90 내지 95 ％이면 내열성 치수 안정성은 양호하며, 이 두께가 90 ％ 미만이면 내열성 치수 안정성은 불량하다. 결과를 표 1에 나타내었다.
내화학성의 평가
평가용 기판 (1)과 동일하게 형성된 경화 필름을 갖는 기판을 모노에탄올아민과 N-메틸피롤리돈의 혼합 용액 (중량비 70:30)에 30 ℃에서 15 분간 침지시키고 침지 전 및 침지 후의 경화 필름의 두께를 측정하였다. 침지 후의 필름의 두께가 침지 전의 필름 두께의 99 내지 103 ％이면, 필름의 내화학성은 양호하다. 그러나, 경화 필름이 크게 부풀어오르거나 기판으로부터 박리되는 경우 내화학성은 불량하다. 결과를 표 1에 나타내었다.
격벽의 형성
상기 제조한 조성물 용액을 스피너로 유리 기판에 도포하고 핫플레이트로 110 ℃에서 2 분간 예비 소성하여 3.0 ㎛ 두께의 코팅 필름을 형성하였다.
수득한 코팅 필름을 소정의 패턴 마스크를 통해 NSR1505i6A 축소 투영 스테퍼 (니콘사 제조, NA = 0.45, λ= 365 nm)로 최적 초점 심도로 자외선에 노광시킨 후 핫플레이트로 110 ℃에서 2 분간 노광후 소성하였다. 이어서 필름을 25 ℃에서 1 분간 0.5 중량％ 수산화 테트라메틸암모늄 수용액으로 현상시키고 물로 세척한 후 건조하였다.
이어서, 수득물을 200 ℃에서 1 시간 동안 핫플레이트로 후-소성하여 유리 기판 위에 매트릭스-형성 격벽을 형성하였다.
화소 중 표면 균일성의 평가
중합체 유기 EL 방출층 형성용 용액 (크실렌 중 폴리-p-페닐렌 비닐렌 2.9 중량％ 용액)을 상기 형성된 매트릭스-형성 격벽을 갖는 유리 기판위에 적가하고 오븐에서 220 ℃로 30 분간 가열하여 화소를 형성하였다. 형성된 각각의 화소의 5 군데의 상이한 위치에서 필름의 두께를 측정하였다. 필름의 두께의 변화를 표 1에 나타내었다. 이 값이 2 ％보다 작으면 화소 중 표면 불균일성은 매우 우수하고, 이 값이 2 ％ 이상 3 ％ 미만이면 화소 중 표면 불균일성은 우수하며, 이 값이 3 ％ 이상 5 ％ 미만이면 화소 중 표면 불균일성은 양호하고, 이 값이 5 ％보다 크면 화소 중 표면 불균일성은 불량하다.
실시예 2
성분 (A)로서 수지 (2)를 사용한 것을 제외하면 실시예 1 과 동일한 방식으로 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 제조하고 격벽의 형성 및 평가를 수행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 3
성분 (A)로서 수지 (3)을 사용하고 성분 (D) 로서 3 중량부의 AY43-158E (규소 함유 불소계 표면 개질제; 도레이 다우코닝 실리콘사 제조)를 용해시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 제조하고 격벽의 형성 및 평가를 수행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 4
성분 (A)로서 수지 (4)를 사용하고 성분 (D) 로서 3 중량부의 퍼플루오로알킬기를 함유하는 올리고머 (Megafac F172; 다이니뽄 잉크 앤드 케미칼사 제조)를 용해시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 제조하고 격벽의 형성 및 평가를 수행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
실시예 5
성분 (A)로서 수지 (5)를 사용하고 성분 (D) 로서 3 중량부의 FS1265 (규소 함유 불소계 표면 개질제; 도레이 다우코닝 실리콘사 제조)를 용해시킨 것을 제외하면 실시예 1과 동일한 방식으로 본 발명의 감방사선성 수지 조성물을 제조하고 격벽의 형성 및 평가를 수행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
감방사선성 투명도 (％) 접촉각 (°)
물 요오드화 메틸렌 n-헥사데칸
실시예 1 145 91 101 62 32
실시예 2 150 92 110 75 55
실시예 3 150 90 105 70 45
실시예 4 155 92 106 78 50
실시예 5 145 90 105 68 43
낙하각 (°) 내열성 치수안정성 (％) 내화학성 (％) 화소 중 표면 균일성 (％)
물 톨루엔
실시예 1 64 9 99 101 1
실시예 2 50 7 98 100 2
실시예 3 62 9 98 99 2
실시예 4 53 6 98 102 2
실시예 5 62 8 99 101 1
본 발명에 따르면, 유기 EL 표시 소자의 제조 중 코팅에 의해 유기 EL층이 형성되거나 액정 표시 소자의 제조 중 ITO 투명 전극이 형성되는 경우, 격벽 재료로서 사용하기에 적합한 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물, 그로부터 형성된 격벽, 격벽 형성 방법, 및 격벽을 갖는 유기 EL 표시 소자 및 격벽을 갖는 액정 표시 소자가 제공된다.
본 발명의 격벽은 코팅으로 유기 EL층 또는 ITO 투명 전극이 형성되는 경우 "위성" 현상을 유발하지 않으며, 이 격벽을 갖는 본 발명의 유기 EL 표시 소자 및 액정 표시 소자는 생산성 및 신뢰성에 있어서 탁월하다.

Claims (13)

  1. (A) (a-1) 헥사플루오로프로필렌, (a-2) 불포화 카르복실산 및(또는) 불포화 카르복실산 무수물, 및 (a-3) 성분 (a-1) 및 (a-2)가 아닌 다른 불포화 화합물의 공중합체,
    (B) 방사선에 노광되었을 때 산을 생성하는 산 생성 화합물,
    (C) 가교 결합 가능한 화합물, 및
    (D) 성분 (A)가 아닌 다른 불소 함유 유기 화합물
    을 포함하는 격벽 형성용 감방사선성 수지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 유기 EL 표시 소자용 격벽의 형성에 사용되는 감방사선성 수지 조성물.
  3. 제 1 항의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 유기 EL 표시 소자용 격벽.
  4. 제 3 항의 격벽을 갖는 유기 EL 표시 소자.
  5. 제 1 항에 있어서, 액정 표시 소자의 ITO 전극용 격벽의 형성에 사용되는 감방사선성 수지 조성물.
  6. 제 1 항의 감방사선성 수지 조성물로 형성된 액정 표시 소자의 ITO 전극용 격벽.
  7. 제 6 항의 격벽을 갖는 액정 표시 소자.
  8. 유기 EL 표시 소자용 격벽을 형성하기 위한 제 1 항의 감방사선성 수지 조성물의 용도.
  9. 액정 표시 소자의 ITO 전극용 격벽을 형성하기 위한 제 1 항의 감방사선성 수지 조성물의 용도.
  10. 제 1 항의 감방사선성 수지 조성물을 기판에 도포하여 코팅 필름을 형성하고;
    코팅 필름을 격벽 형성 패턴 마스크를 통해 방사선에 노광시키고;
    코팅 필름을 알칼리성 현상제로 현상하여 패턴화된 격벽을 형성하는 단계
    를 포함하는 표시 소자용 격벽의 형성 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, 격벽의 수접촉각이 80° 이상인 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, 격벽의 수낙하각이 70° 이하인 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, 노광 후에 코팅 필름에 노광후 소성 (post-exposure baking)을 수행하는 방법.
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