KR20030046219A - 급속 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 급속 열처리 공정을 진행하는 챔버와 상기 챔버 내부에 위치한 웨이퍼를 로딩하는 웨이퍼 로딩부와 상기 웨이퍼에 열을 가하기 위하여 상기 챔버의 상단에 위치하는 히터로 구성된 급속 열처리 장치에 있어서 상기 웨이퍼 로딩부는 급속 열처리 공정 중에 웨이퍼의 하단으로 부양 가스를 유입하는 상기 웨이퍼 척(chuck) 및 상기 웨이퍼 척을 에워싸고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척 몸체(chuck body)를 포함하고, 상기 웨이퍼 척의 상단은 웨이퍼를 부양하기 위하여 웨이퍼의 하단으로 부양 가스를 유입할 적어도 하나 이상의 부양 가스 분사구를 포함하고 기 웨이퍼 척의 중심과 같은 구심점을 가지고 상기 부양 가스 분사구를 포함하는 소정 길이의 홈을 적어도 하나 이상 포함함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치를 제공한다.
상기 웨이퍼 부양 장치를 적용한 급속 열처리 장치는 상기 급속 열처리 공정 진행 시 웨이퍼 로딩부가 상승한 후 상기 웨이퍼 로딩부의 웨이퍼 척의 하단으로 부양 가스를 유입하여 웨이퍼를 부양하여 웨이퍼와 웨이퍼 척의 접촉을 제거함으로써 상기 공정 진행 시 발생하는 핀 마크 등의 공정 불량을 제거하여 단위 공정당의 생산 효율을 향상한다.

Description

급속 열처리 장치{Rapid Thermal Processing Equipment}
본 발명은 급속 열처리 장비에 관한 것으로 특히 반도체 웨이퍼의 급속 열처리를 요하는 공정에 있어서 웨이퍼에 발생되는 핀 마크(pin mark)를 제거하기 위한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자를 형성하기 전에 웨이퍼를 생성하여야 하며 이러한 웨이퍼는 폴리실리콘 잉곳(poly silicon ingot)을 성장시켜 일정한 크기 및 두께로 상기 폴리실리콘 잉곳을 절단하여 생성한다. 이때 생성된 웨이퍼는 다시 상기 웨이퍼의 물리적 특성을 강화하기 위하여 급속 열처리(Rapid Thermal Process)를 행한다.
또한, 반도체 전공정(Semiconductor Fabrication Process)은 반도체 웨이퍼에 임의의 막을 성장시키거나 증착한 다음, 포토 공정을 이용하여 소정의 전기회로를 웨이퍼 상에 패터닝(patterning)한 후 에칭 등의 공정을 통하여 상기 소정의 전기회로를 형성한다. 이후 상기에 언급한 과정을 되풀이하여 웨이퍼 상에 전기적 특성을 갖는 반도체 소자를 형성한다.
이러한 과정 중에 소정의 공정은 반도체 웨이퍼에 열을 가한다. 이는 상기웨이퍼 상에 형성되는 반도체 소자의 전기 회로의 특성을 개선하여 상기 반도체 소자의 전기적 특성을 강화하기 위한 것이다. 이러한 과정으로는 급속 열 산화 공정(Rapid Thermal Oxide Process, RTO), 급속 열 아닐링 공정(Rapid Thermal Annealing Process, RTA) 등의 공정이 존재하며 일반적으로 급속 열처리 공정(Rapid Thermal Process)라 통칭한다.
상기한 웨이퍼 형성 단계의 급속 열처리 공정이나 웨이퍼 상에 전기 회로를 형성할 시의 급속 열처리 공정은 일반적으로 고온으로 진행할 수록 물리적인 특성 또는 웨이퍼상의 전기 회로의 특성을 강화함은 널리 알려져 있다. 그러나 상기 열처리 공정에 적용되는 기존의 설비는 급속 열처리 공정을 수행하기 위하여 도 1a에 나타난 바와 같이 챔버(100)를 이용하기도 한다. 그러나 이러한 챔버(100)는 급속 열처리 공정에 있어서 그 물질 재료의 특성상 웨이퍼에 균일하게 열을 전달하지 못하여 웨이퍼(110) 에지(edge) 부근에 크랙(crack)을 형성하고, 상기 크랙은 이후의 공정에서 웨이퍼(110)가 깨지는 등, 웨이퍼 궁극적으로는 반도체 소자에 치명적인 결함으로 작용한다. 이는 웨이퍼(110)가 공정 진행 전에 상온으로 유지되고 상기 챔버(100)가 고온으로 가열되어 있는 상태이라면 더욱 이러한 현상이 빈번하게 발생한다.
상기 문제를 해결하기 위하여 도 1b에 나타난 바와 같이, 상기 챔버(100) 대신에 콰츠 핀(quartz pin, 120)을 이용하여 상기 급속 열처리 공정을 진행하는 설비가 존재한다. 그러나 이러한 유형 역시 설비의 특성 상 특정 온도 이상의 열처리 공정 후 웨이퍼의 뒷면의 핀(120)이 닿는 부분에 핀 마크(130) 등을 형성하며,상기 핀마크는 불량 요인으로서 작용하여 상기 급속 열처리 공정에 있어서 고온의 공정을 진행하기 어렵게 하는 요인이 된다.
본 발명은 급속 열 처리 공정에 있어서의 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 웨이퍼 부양 장치를 제공하며, 따라서 지금까지 진행되어온 급속 열처리 공정의 온도 이상의 고온에서 급속 열처리 공정을 진행하기 위하여 부수적인 장치를 첨언한다.
상기 문제점을 해결하기 위하여 본 발명은 800 ℃ 이상의 온도로 급속 열처리 공정 시 상기 언급한 불량 요인 예를 들면 웨이퍼 에지의 크랙이나 핀마크 등이 없이 웨이퍼에 대한 상기 급속 열처리 공정을 진행하는 반도체 장비를 제공한다. 이는 특히 웨이퍼 부양 장치에 의하여 성취된다.
도 1a 및 도 1b는 기존의 급속 열처리 장비에서의 급속 열처리 공정을 진행하는 웨이퍼 챔버 및 웨이퍼를 지지하는 핀의 개략적인 도시이다.
도 2는 본 발명에 따른 급속 열처리 장비의 일 구현 예이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 웨이퍼 부양 장치의 일 구현 예이다.
도 4a에서 도 4e까지는 본 발명에 따른 웨이퍼 부양 방법을 설명하기 위한 웨이퍼 로딩부의 동작 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 챔버110 : 웨이퍼
120 : 핀 130 : 핀마크 형성부
200 : 웨이퍼 로딩부210 : 웨이퍼 척
211 : 부양 가스 분사구212 : 부양 가스관
216 : 공동217 : 공동 분리막
220 : 웨이퍼 척 몸체(Wafer chuck Body)
225 : 웨이퍼 척 회전자(Wafer Chuck Rotator)
230 : 히터260 : 챔버
261 : 폴리실리콘301 : 가스 밸브
310 : 장비 프로세서
상기 목적을 달성하기 위하여, 급속 열처리 공정을 진행하는 챔버와 상기 챔버 내부에 위치한 웨이퍼를 로딩하는 웨이퍼 로딩부와 상기 웨이퍼에 열을 가하기 위하여 상기 챔버의 상단에 위치하는 히터로 구성된 급속 열처리 장치에 있어서 상기 웨이퍼 로딩부는 급속 열처리 공정 중에 웨이퍼의 하단으로 부양 가스를 유입하는 상기 웨이퍼 척(chuck) 및 상기 웨이퍼 척을 에워싸고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척 몸체(chuck body)를 포함하고, 상기 웨이퍼 척의 상단은 웨이퍼를 부양하기위하여 웨이퍼의 하단으로 부양 가스를 유입할 적어도 하나 이상의 부양 가스 분사구를 포함하고 상기 웨이퍼 척의 중심과 같은 구심점을 가지고 상기 부양 가스 분사구를 포함하는 소정 길이의 홈을 적어도 하나 이상 포함함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치를 제공한다.
또한, 상기 히터는 800 ℃ 이상의 고온의 열을 가하는 몰리브덴 히터임을 특징으로 한다.
또한, 상기 챔버는 상기 히터에 의하여 가해진 열을 웨이퍼에 균일하게 전달하고 또한 공정 진행 중에 다른 오염 물질의 침입을 막기 위한 폴리 실리콘을 상기 챔버의 상단 및 상기 히터의 하단에 더욱 포함한다.
또한, 상기 웨이퍼 로딩부는 상기 급속 열처리 공정시 0.1 ~ 5 rpm 정도의 회전 속도로 웨이퍼를 회전시키는 척 회전자(chuck rotator)를 더욱 포함함을 특징으로 한다.
또한, 상기 웨이퍼 척 몸체는 상기 웨이퍼 척 몸체의 외주의 가드 라인(guard line)인 홀더(holder)에 사파이어 링(sappire ring)을 포함한다.
또한, 상기 부양가스가 상기 웨이퍼 척의 상단에 형성된 상기 부양가스 유입구를 통하여 상기 웨이퍼의 하단으로 유입되어 상기 웨이퍼를 부양하는 경우, 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼 척과의 사이가 0.1 ㎝ ~ 1 ㎝를 유지한다.
또한, 상기 부양가스는 공정 가스의 일부를 사용하고 공정 가스의 현재 온도와 200 ℃ 이내의 온도 차이를 유지하면서 사용한다.
이하 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 급속 열처리 장비의 일 구현 예이다. 상기 급속 열 처리 장비는 급속 열처리 공정을 진행하는 챔버(chamber, 260)와 웨이퍼를 로딩(loading)하는 웨이퍼 로딩부(200)와 상기 웨이퍼에 열을 가하기 위하여 상기 챔버의 상단에 위치하는 히터(heater, 230)를 포함한다.
상기 히터(230)는 고온의 열을 발생한다. 따라서, 약 800℃ 이상의 고온의 열을 발생하여 안정적으로 상기 챔버에 공급하기 위하여 기존의 히터에 사용되는 할로겐 램프 또는 망간, 텅스텐 혼합물을 사용하는 카탈 방식(Kathal method) 대신 몰리브덴을 사용한다. 상기 몰리브덴은 물질의 특성상 상기 800℃ 이상의 온도를 안정적으로 공급할 수 있는 물성을 지닌다.
상기 챔버(260)는 상기 히터의 하단에 설치하고 상기 몰리브덴 히터에서 발생하는 고온이 챔버(260) 내에 균일하게 유지되도록 상기 챔버(260)의 상단 내부에는 폴리 실리콘(261)을 피복한다. 상기 폴리 실리콘(261)은 상기한 온도의 균일성을 유지하는 이외에 상기 몰리브덴 히터 및 상기 몰리브덴 히터의 발열 과정에서 발생할 수 있는 오염원을 제거하는 역할을 한다.
상기 웨이퍼 로딩부(200)는 급속 열처리 공정 중에 웨이퍼의 부양을 위하여 웨이퍼의 하단에 부양가스를 유입하여 웨이퍼를 부양하는 웨이퍼 척(chuck, 210), 상기 웨이퍼 척을 에워싸고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척 몸체(chuck body, 220) 및 상기 급속 열처리 공정시 웨이퍼의 온도 균일도를 향상하기 위한 척 회전자(chuck rotator, 225)로 구성된다.
도 3a는 웨이퍼를 로딩하는 웨이퍼 척(210)의 표면을 나타내며, 도 3b는 상기 웨이퍼 척(210)에 부양 가스를 유입하기 위한 부양 가스관(212) 및 가스 밸브(301)의 장착 상태를 나타낸 단면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 웨이퍼 척(210)이 웨이퍼(110)와 접하는 면에는 상기 웨이퍼(110)를 급속 열처리 공정 중에 부양하기 위한 공정 가스(질소 또는 산소 가스)를 상기 웨이퍼(110)의 하단으로 분사하기 위하여 부양 가스 분사구(211)를 포함하고 도 3b에 나타난 바와 같이 상기 웨이퍼 척(210)의 내부는 상기 부양 가스를 유입하기 위하여 공동(216)이 형성되어 있고 적어도 하나 이상의 부양 가스관(212)의 유입구(215)가 상기 공동(216)에 연결되어 상기 부양가스를 유입하며 상기 부양 가스관(212)의 하단에는 유입되는 부양 가스의 양을 조절하기 위한 가스 밸브(301)가 장착이 된다.
또한, 부양가스의 효과를 높이기 위하여 상기 웨이퍼 척(210) 내부의 공동(216)내에는 상기 공동(216)을 적어도 2 개의 부분으로 분리하는 공동 분리막(217)을 구비하여 하나의 부양 가스관(212)이 상기 공동 분리막(217) 사이의 공동(216)의 하단으로 연결된다. 도 3a를 참조하면, 상기 공동 분리막(217)은 상기 공동(216)을 4 개의 부분으로 분할하며 따라서, 상기 분리된 공동(216)에 연결되는 부양 가스관(212)의 갯수는 총 4 개이다. 따라서, 상기 부양 가스관(212)의 유입구(215)가 4 개로 나타나 있다.
상기 부양 가스가 공정 진행 중에 웨이퍼에 대하여 적절한 부양 상태를 유지하기 위하여 상기 웨이퍼 척(210)은 그 표면에 상기 부양 가스를 분사하는 적어도 하나 이상의 부양 가스 분사구(211)를 포함한다.
또한, 상기 척 회전자(225)는 상기 급속 열처리 공정을 진행할 경우 웨이퍼 표면의 온도의 균일도를 향상하기 위하여 수평 회전할 수 있다. 이때, 상기 척 회전자(225)의 회전 속도는 0.1 ~ 5 rpm 정도가 적당하다.
상기 웨이퍼 척(210)의 외주에는 웨이퍼의 부양 시 웨이퍼가 상기 웨이퍼 척 내에 유지되도록 가드 라인(guard line)으로서 상기 홀더(도 4e 참조, 221) 상에 사파이어 링(sapphire ring, 401)을 설치한다. 이는 사파이어의 특성상 웨이퍼가 부양될 때 상기 웨이퍼가 부딪혀도 오염이나 크랙 등을 최소화하는 재질이다.
도 4a에서 도 4e까지는 본 발명에 따른 웨이퍼 부양 방법을 설명하기 위한 웨이퍼 로딩부(200)의 동작 순서도이다.
먼저, 웨이퍼가 로딩되기 전에는 상기 웨이퍼 로딩부는 도 4e의 상태를 유지한다. 상기 상태에서 도 4a에 보여지듯이, 웨이퍼 전송 로봇(290)이 웨이퍼를 상기 웨이퍼 로딩부에 로딩하기 위하여 상기 웨이퍼 전송 로봇(290)의 전송 암(transfer arm, 291)이 상기 웨이퍼 척(210)의 상부로 이동하여 상기 웨이퍼(110)를 상기 웨이퍼 척 몸체(220)에 안착한다. 도 4b에 보여지듯이, 상기 웨이퍼(110)가 상기 웨이퍼 척 몸체(220)에 로딩되면, 상기 웨이퍼 척 몸체(220)는 상승하여 상기 히터(230)에 가까이 이동하면서 상기 웨이퍼(110)에 열을 가한다. 이때 상기 웨이퍼(110)가 상기 웨이퍼 척(210)에 부착되어 고온의 열을 전달받을 경우 발생하는 핀 마크, 슬립(slip) 등의 문제를 방지하기 위하여 도 3b에 보여지듯이, 상기 장비 프로세서(310)는 상기 가스 조절기(300)를 통하여 상기 가스밸브(301)를 조절하고따라서 상기 웨이퍼 척(210)의 부양 가스 분사구(211)를 통하여 부양 가스를 유입한다. 따라서, 도 4c에 보여지듯이, 상기 웨이퍼(110)는 공정 진행 중에 상기 웨이퍼 척(210)과 일정한 거리(약 1 ㎝ 이내)를 유지하면서 부양한다. 공정이 완료되는 시점에 상기 웨이퍼 로딩부(200)는 하강을 시작하고 이때 적절한 시점에서 도 4d에 보여지듯이, 상기 장비 프로세서(310)는 상기 부양 가스의 유입을 서서히 줄여 상기 웨이퍼(110)가 상기 웨이퍼 척(210)에 안착하도록 한다.
이때 부양 가스는 공정에 따라 적용되는 같은 종류의 가스를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, RTA 공정의 경우는 대개 질소 가스를 사용하므로 부양가스로 질소 가스를 사용한다. 이때 상기 부양가스와 상기 챔버((260) 내의 공정 가스와의 온도차가 크면 상기 웨이퍼(110)에 대한 급속 열처리 공정이 제대로 진행이 되지 않을 수 있으므로 상기 부양 가스와 상기 공정 가스와의 온도차를 줄이기 위하여 상기 챔버(260)에 사용되는 공정 가스의 일부를 부양가스로 사용함이 적절하다. 이때, 상기 부양가스는 공정 가스의 현재 온도와 200 ℃ 이내의 온도 차이를 유지하면서 사용함이 적절하다.
상기한 바와 같이, 상기 웨이퍼 부양 장치를 적용한 급속 열처리 장치는 상기 급속 열처리 공정 진행 시 발생하는 핀 마크 등의 공정 불량을 제거하여 단위 공정당의 생산 효율을 향상한다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체 예에 대해서만 상세히 설명하였지만 본 발명의 기술 사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
상기 웨이퍼 부양 장치를 적용한 급속 열처리 장치는 상기 급속 열처리 공정 진행 시 웨이퍼 로딩부가 상승한 후 상기 웨이퍼 로딩부의 웨이퍼 척의 하단으로 부양 가스를 유입하여 웨이퍼를 부양하여 웨이퍼와 웨이퍼 척의 접촉을 제거함으로써 상기 공정 진행 시 발생하는 핀 마크 등의 공정 불량을 제거하여 단위 공정당의 생산 효율을 향상한다.

Claims (8)

  1. 급속 열처리 공정을 진행하는 챔버와 상기 챔버 내부에 위치한 웨이퍼를 로딩하는 웨이퍼 로딩부와 상기 웨이퍼에 열을 가하기 위하여 상기 챔버의 상단에 위치하는 히터로 구성된 급속 열처리 장치에 있어서 상기 웨이퍼 로딩부는
    급속 열처리 공정 중에 웨이퍼의 하단으로 부양 가스를 유입하는 상기 웨이퍼 척(chuck); 및
    상기 웨이퍼 척을 에워싸고 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 척 몸체(chuck body)를 포함하고, 상기 웨이퍼 척은
    웨이퍼를 로딩하는 상단에 상기 부양 가스를 분사할 적어도 하나 이상의 부양 가스 분사구;
    상기 웨이퍼 척의 내부는 상기 부양가스를 유입하여 상기 부양 가스 분사구로 분사하는 공동;
    상기 공동을 적어도 2 개 이상의 부분으로 분리하는 공동 분리막;
    상기 공동 분리막 사이의 분리된 공동 각각에는 상기 부양 가스를 유입하기 위한 부양 가스관을 각각 구비함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 웨이퍼 척 내부의 공동 분리막은 상기 공동을 4 개의 부분으로 분리함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 히터는 800 ℃ 이상의 고온의 열을 가하는 몰리브덴 히터임을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 챔버는 상기 히터에 의하여 가해진 열을 웨이퍼에 균일하게 전달하고 또한 공정 진행 중에 다른 오염 물질의 침입을 막기 위한 폴리 실리콘을 상기 챔버의 상단 및 상기 히터의 하단에 더욱 포함함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼 로딩부는 상기 급속 열처리 공정시 0.1 ~ 5 rpm 정도의 회전 속도로 웨이퍼를 회전시키는 척 회전자(chuck rotator)를 더욱 포함함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  6. 제 1항에 있어서, 상기 웨이퍼 척 몸체는 상기 웨이퍼 척 몸체의 외주의 가드 라인(guard line)인 홀더(holder)에 사파이어 링(sappire ring)을 포함함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 부양가스가 상기 웨이퍼 척의 상단에 형성된 상기 부양가스 분사구를 통하여 상기 웨이퍼의 하단으로 유입되어 상기 웨이퍼를 부양하는 경우, 상기 웨이퍼와 상기 웨이퍼 척과의 사이가 0.1 ㎝ ~ 1 ㎝를 유지함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치의 급속 열 처리 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 부양가스는 공정 가스의 일부를 사용하고 공정 가스의 현재 온도와 200 ℃ 이내의 온도 차이를 유지하면서 사용함을 특징으로 하는 급속 열처리 장치의 급속 열 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE102007053108A1 (de) * 2007-05-02 2008-11-06 IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik Verfahren zum thermischen Behandeln von Wafern

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960013629A (ko) * 1994-10-19 1996-05-22 측면 동시압출시킴으로써 열가소성 필름을 제조하는 방법
KR970077458A (ko) * 1996-05-22 1997-12-12 김주용 웨이퍼용 플로팅 척 및 그를 이용한 비 접촉식 척킹방법
JP2000124174A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置
KR20010030010A (ko) * 1999-07-27 2001-04-16 니시무로 타이죠 반도체 제품 처리 장치 및 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960013629A (ko) * 1994-10-19 1996-05-22 측면 동시압출시킴으로써 열가소성 필름을 제조하는 방법
KR970077458A (ko) * 1996-05-22 1997-12-12 김주용 웨이퍼용 플로팅 척 및 그를 이용한 비 접촉식 척킹방법
JP2000124174A (ja) * 1998-10-19 2000-04-28 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ加工装置
KR20010030010A (ko) * 1999-07-27 2001-04-16 니시무로 타이죠 반도체 제품 처리 장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007053108A1 (de) * 2007-05-02 2008-11-06 IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics/Institut für innovative Mikroelektronik Verfahren zum thermischen Behandeln von Wafern

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