KR20030038833A - 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터 및 그제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 반사방지기능이 우수하고, 도전성이 우수한 블랙처리층을 구비한 전자파 차폐 필터를 제공하기 위한 것으로, 투명한 재질로 이루어진 판부재와, 이 판부재의 상면에 형성된 도전층 및 이 도전층 상면으로 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 형성되되, SiOx(x 〉1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃및 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유전성 물질인 제 1성분과, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2성분으로 구비되는 블랙처리층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터 및 그 제조방법에 관한 것이다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터 및 그 제조방법{Filter shielding electro magnetic wave of plasma display panel and manufacturing method thereof}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전자파 차폐 필터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 시감효과를 높이기 위한 블랙처리층에서의 전자파 차폐율을 개선시킨 전자파 차폐 필터 및 그 제조방법에 관한 것이다.

통상적으로 플라즈마 표시 장치는 가스 방전 현상을 이용하여 화상을 표시하기 위한 것으로서, 표시 용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시 능력이 우수하여, 음극선관을 대체할 수 있는 표시 장치로 각광을 받고 있다. 이러한 플라즈마 표시 장치는 전극에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이의 가스에서 방전이 발생하고, 여기에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체를 여기시켜 발광하게 된다.

일반적인 플라즈마 디스플레이 패널의 구조는 도 1에서 볼 수 있듯이, 케이스(1)와, 상기 케이스(1)의 상부를 덮는 커버(5)와, 상기 케이스(1) 내에 수용되는 구동 회로 기판(2), 패널 조립체(3) 및 전자파 차폐 필터(4)로 이루어져 있다. 전자파 차폐 필터(4)는 유리기판 위에 도전성이 우수한 재료로 형성된 도전층이 구비되며, 이것은 커버(5)를 통하여 케이스(1)로 접지된다. 즉, 패널 조립체(3)로부터 발생된 전자파가 사용자에게 도달하기 전에, 이를 전자파 차폐 필터(4)의 도전층을 통해서 커버(5)와 케이스(1)로 접지시키는 것이다. 플라즈마 표시 장치에 있어서구동회로 및 교류 전류(AC) 전극에 전류 그리고 플라즈마 방전을 위한 고전압은 전자파 발생의 주원인이 된다. 이들 주된 전자파의 주파수 영역은 30 내지 200MHz이며, 이러한 전자파를 차단하기 위한 필터로서 고투과율, 저반사율 특성을 유지하면서 투명한 도전성 박막이나 도전성 메쉬가 주로 사용된다.

도 2에는 이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널에서 일반적으로 사용되고 있는 전자파 차폐 필터의 한 예를 나타낸 것으로 도 1의 "A"부의 단면에 해당하는 것이다.

그림에서 볼 수 있는 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터의 일반적인 구조는 글라스나 플라스틱 소재로 이루어진 투명 기판(13)에 도전막이나 금속 메시 등으로 도전층(15)을 형성한 후, 그 아래 위로 반사방지층(11)을 형성한다. 이 반사 방지층(11)은 일반적으로 근적외선 차단필름(NIR), 표면반사 방지필름(AR), 네온광 차폐필름 등을 이용하여 구성되도록 한다.

이렇게 형성된 필터에는 유효화면 이외의 부분을 블랙으로 처리하여 화면의 시감효과를 높이고 있는 데, 이를 위해 패널의 가장자리부를 두르도록 블랙 처리층(17)을 형성한다. 이 블랙 처리층(17) 상면으로는 도전층(15)과 섀시, 곧 플라즈마 표시장치의 커버와 케이스와의 접지 효율을 높이기 위하여 은(Ag) 페이스트(paste)층을 형성한다.

이 중 블랙 처리층(17)을 종래에는 블랙 안료, 특히 블랙 세라믹 등으로 형성하는 데, 규소(Si), 납(Pb), 나트륨(Na) 등의 납유리에 금속성분인 크롬(Cr), 구리(Cu) 등이 분산된 페이스트를 사용하고 있다. 그런데, 이 경우 투명 기판(13)과블랙 세라믹제의 블랙 처리층(17)은 굴절률의 차이가 있게 되고, 특히 그 계면에서의 굴절률 차이로 인하여 필터 전면으로 반사광이 나오게 된다.

이 반사광은 계면에서의 굴절률의 차이가 크면 클수록 더욱 많아지는 것으로, 이러한 반사광으로 인해 플라즈마 표시 장치에 있어 시감효과는 저감되며, 결과적으로 콘트라스트 및 휘도 특성이 감소되는 문제가 있게 된다.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 반사방지기능이 우수하고, 도전성이 우수한 블랙처리층을 구비한 전자파 차폐 필터를 제공하는 데 그 목적이 있다.

도 1은 일반적인 플라즈마 표시 장치의 구조에 대한 개략적인 분해 사시도.

도 2는 도 1의 A부에 대한 종래의 전자파 차폐 필터의 단면을 도시한 부분 단면도.

도 3은 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널 필터의 전자파 차폐 필터의 단면을 도시한 부분 단면도.

도 4는 본 발명에 따른 전자파 차폐 필터에 있어 블랙처리층의 원리를 나타낸 도면.

도 5는 본 발명에 따른 블랙처리층의 두께에 따른 농도 구배를 개략적으로 나타낸 그래프.

<도면의 주요 부호에 대한 간단한 설명>

11, 21: 반사 방지층13, 23: 투명기판

15, 25: 도전층17, 27: 블랙 처리층

19: Ag 페이스트층31: 입사광

32: 표면 반사광33: 계면 반사광

상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 투명한 재질로 이루어진 판부재와, 이 판부재의 상면에 형성된 도전층 및 이 도전층 상면으로 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 형성되되, SiOx(x 〉1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃및 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유전성 물질인 제 1성분과, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2성분으로 구비되는 블랙처리층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터를 제공한다.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 블랙처리층을 이루는 제 1성분과 제 2성분은 블랙처리층의 두께에 따라 점진적인 농도구배를 갖도록 한다.

본 발명의 또다른 특징에 의하면, 상기와 같은 점진적인 농도 구배는 상기 블랙처리층의 두께를 따라 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 굴절률이 점진적으로 증가 또는 감소하도록 하거나, 광흡수율이 점진적으로 증가하도록 할 수 있다.

본 발명의 또다른 특징에 의하면, 상기와 같은 점진적인 농도 구배는 상기 블랙처리층의 두께를 따라 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 제 1성분의 함량은 점차적으로 감소하고, 제 2성분의 함량은 점차적으로 증가되도록 하는 분포로 할 수 있다.

또한 상기와 같은 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 상면에 도전층이 형성된 투명한 소재의 판부재를 준비하는 단계와, 서로 다른 융점 특성을 갖는 SiOx(x 〉1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃및 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유전성 물질을 3 내지 50 중량%, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 50 내지 97 중량% 혼합한 혼합물을 하나의 증착보트에 투입하는 단계 및 진공 증착기에 상기 판부재를 장착한 다음, 증착보트의 온도를 점차 증가시키면서 판부재의 도전층 상면으로 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 상기 유전성 물질과 금속을 증착하는 단계를 포함하여 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기와 같이 유전성 물질과 금속을 증착하는단계는 상기 유전성 물질과 금속의 증착시, 증착보트의 온도가 점차적으로 증가되면 유전성 물질이 먼저 증착되고, 이보다 높은 온도에서는 유전성 물질과 금속 성분 2가지가 동시에 증착되며, 가장 높은 온도에서는 금속 성분이 증착됨으로써 외부광 입사방향으로부터 멀어질수록 유전성 물질은 점진적으로 감소하는 분포로 존재하고, 금속 성분은 점진적으로 증가하는 분포로 존재하도록 할 수 있다.

이하 첨부된 도면을 참고로 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터의 구조를 설명하기 위한 부분 단면도이다.

그림과 같이 본 발명의 필터는 도 1에서 볼 수 있는 바와 같이 플라즈마 디스플레이 패널의 패널 조립체(3)에 결합되는 필터(4)의 "A"부에 관한 단면이다. 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터는 외광이 입사되어지는 방향으로부터 투명 기판(23), 도전층(25), 블랙 처리층(27)이 순차로 적층 형성되어 있다. 투명 기판(23)으로는 투명한 재질의 유리(glass), 또는 플라스틱이 가능하며, 그 위로 도전막이나 금속 메시를 처리하여 도전층(25)을 형성하는 것이다. 도전층의 상면으로는 플라즈마 디스플레이 패널(이하 "피디피(PDP)"라 함)의 유효화면 이외의 부분에 블랙 처리층(27)을 형성한다. 따라서 블랙 처리층(27)은 피디피의 가장자리부를 두르는 형태로 형성될 것이다. 이렇게 형성된 블랙 처리층(27)은 피디피의 케이스 및 커버에 접지시킨다. 또한 필터의 상하면에는 반사방지층(21)을 형성하여 투명 기판(23) 표면에서의 반사 및 화상의 반사를 저감시킬 수 있다.

한편, 상기와 같은 블랙처리층(27)은 SiOx(x 〉1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃및 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유전성 물질인 제 1성분과, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2성분을 포함한다.

이렇게 제 1성분과 제 2성분으로 이루어진 블랙처리층(27)은 투명기판(23)의 외부로부터 외광이 입사되는 방향에서 멀어질수록 SiO의 농도는 점진적으로 감소되는 분포로 존재하고, 금속 성분의 농도는 점진적으로 증가하는 분포로 존재하며, 블랙 처리층(27)은 그 두께의 약 1/2 영역에는 SiO와 금속 성분이 거의 동량으로 존재하도록 한다.

이러한 조성 분포를 갖고 있는 본 발명의 블랙 처리층(27)은 유전성 물질과 금속의 반비례적인 농도 구배를 이용하여 서서히 증착시키므로 층상 구조가 생기지 않고 유전성 물질과 금속의 굴절율 구배를 이용하여 계면에서 광반사보다 흡수가 일어나 종래의 경우에 비하여 반사율이 현저히 감소되게 된다.

도 4에는 이러한 원리를 설명하기 위한 것인데, 투명 기판(23)인 유리의 하면으로 본 발명의 블랙 처리층(27)을 형성하고, 상술한 바와 같이 블랙처리층(27)에는 층상구조가 생기지 않도록 유전성 물질과 금속이 증착되도록 한 것이다. 이러한 블랙처리층(27)은 투명기판(23)의 외부로부터 입사광(31)이 입사되는 방향에서 멀어질수록 SiO의 농도는 점진적으로 감소되는 분포로 존재하고, 금속 성분의 농도는 점진적으로 증가하는 분포로 존재하여, 투명 기판(23)과 접촉되는 부근(27a)은SiO가 주성분을 이루며, 그 두께의 약 1/2 부근(27b)은 SiO와 금속 성분이 거의 동량으로 존재하고, 투명기판(23)에서 가장 먼 부근(27c)에는 금속 성분이 주성분이 되도록 한다. 여기에 그림과 같이 입사광(31)이 입사될 경우, 일부는 표면 반사광(32)으로 유리 표면에서 반사하게 되고, 일부는 계면 반사광(33)으로 기판(23)과 블랙처리층(27)의 계면에서 반사하게 된다. 이 때 계면에서의 반사는 상기 설명한 바와 같이 계면을 이루는 매질 간의 굴절률이 같아질수록 적게 일어나는 바, 블랙 처리층(27)은 투명 기판(23)인 유리를 구성하는 SiO₂와 이 투명기판(23)과 인접된 영역에 존재하는 SiO가 굴절율이 약 1.5정도로 거의 유사하여, 기판(23)과 블랙 처리층(27)간의 계면에서는 반사되기보다 투과가 일어나게 된다. 이렇게 블랙 처리층(27)내의 농도 구배에 의하여 외부광이 입사되는 방향으로 굴절율이 점차적으로 증가하며 투과율도 감소하므로 외광이 반사되지 않고 거의 흡수될 수 있는 구조가 된다.

곧, 입사광(31)으로부터 멀어지는 방향으로 금속 성분이 증가되면서 금속의 흡광 특성에 의해서 빛이 점차 소멸되고 유리 표면 위로 반사되는 표면 반사광(32)을 최소화시킬 수 있다.

또한 상기와 같은 블랙 처리층(27)은 표면저항이 금속 수준으로 우수하여 접지를 위한 은(Ag)페이스트층의 형성이 필요없고, 도 3에서 볼 수 있듯이 블랙 처리층(27)에 바로 접지시킬 수 있다.

상술한 바와 같이 불균일한 조성을 갖는 블랙 처리층(80)을 가지는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터는 다음과 같은 과정을 통하여 제조될 수 있다.

먼저 투명기판(23)을 이루는 판부재의 상면에 도전층을 형성한다. 이 도전층의 형성은 도전박막에 의한 것이든, 메시에 의한 것이든 이는 무관하다. 다음으로 이 판부재를 진공증착기 내에 증착보트와 대향되도록 고정한다. 한편 증착보트에는 서로 다른 융점을 갖는 금속-유전성 물질의 혼합물 즉, 상기 제1성분 중의 하나와 제2성분 중의 하나가 선택되어 혼합된 혼합물을 투입한다. 여기서, 금속-유전성 물질의 혼합물은 Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, Zr, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 제2성분인 금속을 50 내지 97 중량 %와 상기 제 1성분인 SiOx(x>1), MgF2, CaF2, Al2O3, SnO2, In2O3 및 ITO(Indium tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유전성 물질을 3 내지 50 중랑% 로 이루어진다.

이어서, 금속-유전성 물질의 혼합물이 들어 있는 증착보트의 온도를 변화시키면서 진공열증착을 실시한다. 이 때 증착보트의 온도를 변화시키기 위해서는 증착보트에 인가되는 전압을 서서히 높여가는 방법을 사용한다.

시간이 경과됨에 따라 증착온도를 서서히 증가시키면 유전성 성분이 먼저 증착되기 시작하고, 이보다 높은 온도에서는 유전성 성분과 금속 성분 2가지 성분이 동시에 증착되며. 최종적으로 가장 높은 온도에서는 더 이상의 유전성 성분이 남아 있지 않게 되어 순수하게 금속 성분만이 증착된다. 그 결과, 도 5에 도시된 바와 같이 SiO는 외부광 입사 방향으로부터 멀어질수록 점진적으로 감소하는 분포로 존재하며 금속 성분은 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 점진적으로 증가하는 분포로 존재한다. 그림과 같이 SiO와 금속성분은 외부광이 입사되는 방향으로부터 일정거리 같은 농도구배를 가지다가 접착적으로 각각 감소와 증가하는 분포를 가질 수 있다.

이와 같은 SiO-금속 증착 공정은 금속 성분의 증발이 승화가 아닌 용융에 의하여 이루어진다. 즉, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, Zr, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속 성분은 Cr과는 상이한 상평형도(phase diagram)를 갖는다. 따라서, Cr은 열을 받으면 바로 승화되는 반면, 상기 금속 성분들에 열을 가하면 이들은 용융되어 액체 상태로 변화되고, 이 액체 상태의 금속 성분과 혼합되어 있는 SiO는 승화되어 판부재 상에 증착되게 된다. 이와 같이 SiO가 액체 상태의 금속 성분과 혼합된 상태로 승화되면, SiO 파우더 포핑 아웃(popping out)되는 문제로 인하여 대량 생산하기가 제한되는 문제점을 미연에 예방할 수 있는 이점이 있다.

한편, 블랙 처리층의 두께에 따른 성분 분포는 SiO의 초기 입자 크기에 크게 의존하여 변화된다. 이를 구체적으로 설명하자면, 만약 SiO의 입자 크기가 0.5mm 정도로 작은 경우에는 전체 SiO 표면적에 비하여 증착보트와 접촉되는 면적비가 커서 SiO와 증착보트간의 열적 접촉이 많아지게 된다. 그리고 SiO의 입자 크기가 작으면 입자 무게가 작기 때문에 열전도에 의하여 순간적으로 발생하는 큰 증기압으로 인하여 제트 플로우(jet flow)가 생성되고, 이로 인하여 SiO 입자는 증착보트에서 튀어나가게 된다. 그 결과, SiO의 승화현상이 강하게 나타난다. 반면, SiO의 입자 크기가 2mm 정도로 큰 경우에는 입자 크기가 커서 제트 플로우에는 영향을 받지않으나 전체 로딩된 양에 비하여 증착량이 모자라게 된다. 따라서, SiO와 금속의 혼합물에서의 SiO의 입자 크기를 1 내지 1.5mm로 조절하면 최적의 광학적, 전기적 특성을 나타내는 블랙 처리층을 얻을 수 있다.

상기한 바와 같은 블랙 처리층이 완성되면, 이 필터의 상하로 도 3에서 볼 수 있는 바와 같이 반사 방지층을 더 형성하여 전자파 차폐 필터를 완성한다. 여기에서 상기 블랙 처리층을 형성하기 위한 제1,2성분이 농도구배를 가지는 증착막은 상술한 바와 같이 진공증착기를 이용하는 것에 한정되지 않고 스파터링 법, 전자이온 증착법등을 이용할 수 있음은 물론이다.

본 발명에 따른 블랙처리층을 구비한 전자파 차폐 필터에 의하면, 투명기판과 블랙처리층의 계면간의 굴절률 차이를 최소화하여 계면반사를 억제할 수 있으며, 이에 따라 우수한 시감효과 및 휘도 특성을 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명에 따른 블랙처리층은 표면저항이 금속수준으로 우수하여 접지강화를 위한 은 페이스트를 도포하는 공정을 생략할 수 있다.

본 명세서에서는 본 발명을 한정된 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명의 사상적 범위내에서 다양한 실시예가 가능하다. 또한 설명되지는 않았으나, 균등한 수단도 또한 본 발명에 그대로 결합되는 것이라 할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 아래의 특허청구범위에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (7)

1. 투명한 재질로 이루어진 판부재;

   상기 판부재의 상면에 형성된 도전층; 및

   상기 도전층 상면으로 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 형성되되, SiOx(x 〉1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃및 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유전성 물질인 제 1성분과, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 제 2성분으로 구비되는 블랙처리층을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 제 1성분과 제 2성분은 상기 블랙처리층의 두께에 따라 점진적인 농도구배를 갖도록 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 점진적인 농도 구배는 상기 블랙처리층의 두께를 따라 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 굴절률이 점진적으로 증가 또는 감소하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터.
4. 제 2항에 있어서,

   상기 점진적인 농도 구배는 상기 블랙처리층의 두께를 따라 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 광흡수율이 점진적으로 증가하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터.
5. 제 2항에 있어서,

   상기 점진적인 농도 구배는 상기 블랙처리층의 두께를 따라 외부광이 입사되는 방향으로부터 멀어질수록 상기 제 1성분의 함량은 점차적으로 감소하고, 상기 제 2성분의 함량은 점차적으로 증가되도록 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터.
6. 상면에 도전층이 형성된 투명한 소재의 판부재를 준비하는 단계;

   서로 다른 융점 특성을 갖는 SiOx(x 〉1), MgF₂, CaF₂, Al₂O₃, SnO₂, In₂O₃및 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 유전성 물질을 3 내지 50 중량%, Fe, Co, V, Ti, Al, Ag, Si, Ge, Y, Zn, W, Ta, Cu, Pt로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 50 내지 97 중량% 혼합한 혼합물을 하나의 증착보트에 투입하는 단계; 및

   진공 증착기에 상기 판부재를 장착한 다음, 상기 증착보트의 온도를 점차 증가시키면서 상기 도전층 상면으로 플라즈마 디스플레이 패널의 유효화면 이외의 부분에 상기 유전성 물질과 금속을 증착하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터의 제조방법.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 증착하는 단계는 상기 유전성 물질과 금속의 증착시, 상기 증착보트의 온도가 점차적으로 증가되면 유전성 물질이 먼저 증착되고, 이보다 높은 온도에서는 유전성 물질과 금속 성분 2가지가 동시에 증착되며, 가장 높은 온도에서는 금속 성분이 증착됨으로써 유전성 물질은 외부광 입사방향으로부터 멀어질수록 점진적으로 감소하는 분포로 존재하며, 금속 성분은 외부광 입사방향으로부터 멀어질수록 점진적으로 증가하는 분포로 존재하도록 한 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 전자파 차폐 필터의 제조방법.