KR20030037862A - 이미지 센서의 패키지 - Google Patents

이미지 센서의 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20030037862A
KR20030037862A KR1020010068952A KR20010068952A KR20030037862A KR 20030037862 A KR20030037862 A KR 20030037862A KR 1020010068952 A KR1020010068952 A KR 1020010068952A KR 20010068952 A KR20010068952 A KR 20010068952A KR 20030037862 A KR20030037862 A KR 20030037862A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
image sensor
chip
glass layer
package body
Prior art date
Application number
KR1020010068952A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100757659B1 (ko
Inventor
임부택
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020010068952A priority Critical patent/KR100757659B1/ko
Publication of KR20030037862A publication Critical patent/KR20030037862A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100757659B1 publication Critical patent/KR100757659B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]

Abstract

본 발명은 이미지 센서의 패키지 내에 존재하는 공간으로 인한 칩의 패일 발생을 방지함과 동시에 이미지 센서의 TC 및 TH 특성저하를 방지할 수 있는 이미지 센서의 패키지를 제공한다. 본 발명에 따른 이미지 센서의 패키지는 패키지 몸체; 패키지 몸체의 내부 중간부에 형성된 캐비티에 부착된 이미지 센서의 칩; 칩과 상기 몸체를 전기적으로 접속하는 금속 와이어; 및 몸체의 상부에 부착된 글래스층을 포함하고, 글래스층과 몸체 사이의 공간이 투과도가 우수한 물질막으로 채워져 있는 것을 특징으로 한다.

Description

이미지 센서의 패키지{PACKAGE OF IMAGE SENSOR}
본 발명은 이미지 센서 기술에 관한 것으로, 특히 칩의 패일 발생을 방지함과 동시에 이미지 센서의 TC 및 TH 특성저하를 방지할 수 있는 이미지 센서의 패키지에 관한 것이다.
이미지 센서는 빛을 감지하는 광감지 부분과 감지된 빛을 전기적 신호로 처리하여 데이터화하는 로직회로 부분으로 구성되어 있으며, 광감도를 높이기 위하여 광감지 부분 이외의 영역으로 입사하는 빛의 경로를 변경하여 광감지 부분으로 모아주는 집광기술로서 마이크로 렌즈 형성 기술을 적용하고 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 이미지 센서의 패키지를 나타낸 평면도 및 단면도로서, 도 1b는 도 1a의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 1b를 참조하면, 종래의 이미지 센서의 패키지는, CLCC(Ceramic Leadless Chip Carrier) 패키지 몸체(10)의 내부 중간부에 형성된 캐비티에 이미지 센서의 칩(11)이 부착되어 있고, 이 칩(11)은 금속 와이어(12)에 의해 몸체(10)의 내부에 형성된 패턴금속(미도시)과 전기적으로 접속되어 있으며, 몸체(10)의 상부에는 접착제(100; 도 1a 참조)의 개재하에 칩(11)으로 빛이 투과할 수 있도록 글래스층(13)이 부착되어 있는 구조로 되어 있다.
그러나, 상술한 종래의 이미지 센서의 패키지에 있어서는, 몸체(10)와 글래스층(13)을 단순히 접착제(100)의 개재하에 서로 접착시켜 놓았기 때문에, 몸체(10)와 글래스층(13) 사이에 공기가 존재하는 공간(200)이 존재함으로써, 패키지 후 이 공간(200)에 파티클(particle)이 발생되는 경우 칩(11)의 패일이 유발된다. 즉, 이미지 센서는 칩의 최상부에 패시배이션막이 형성되는 일반적인 반도체 칩과는 달리 칩의 최상부에 마이크로 렌즈(미도시) 및 LTO(low temperature oxide; 미도시)층이 형성되어 있기 때문에, 파티클이 칩(11)의 마이크로 렌즈 상에 떨어지는 경우 마이크로 렌즈를 통과할 빛이 산란되거나 차단되어 광감지영역에 도달하는 빛이 감소됨으로써 굳 다이가 패키지 후 패일 다이로 되는 문제가 있었다.
또한, 몸체(10)와 글래스층(13) 사이의 공간에 존재하는 공기에 포함된 수분으로 인하여 이미지 센서의 TC(Thermal Cycle) 및 TH(Thermal Humidity) 특성 저하가 발생되며, 이를 방지하기 위해서는 별도의 TC 및 TH 테스트 스펙(spec)을 두어야 하는 번거로움이 있었다.
또한, 도 1a에 도시된 바와 같이, 글래스층(13)과 몸체(10)를 접착하는 접착제(100) 내에 보이드(void)가 발생되면, 칩(11) 내부로 공기나 습기가 유입되어 칩의 패일이 유발되며, 이러한 패일이 유발되지 않더라도 패키지 후 접착제의 박리로 인하여 결국 패키지의 신뢰성을 저하시킨다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 이미지 센서의 패키지내에 존재하는 공간으로 인한 칩의 패일 발생을 방지함과 동시에 이미지 센서의 TC 및 TH 특성저하를 방지할 수 있는 이미지 센서의 패키지를 제공함에 그 목적이 있다.
도 1a 및 도 1b는 종래의 이미지 센서의 평면도 및 단면도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 단면도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
20 : CLCC 패키지 몸체
21 : 칩
22 : 와이어
23 : 투과도가 우수한 물질막
24 : 글래스층
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 이미지 센서의 패키지는 패키지 몸체; 패키지 몸체의 내부 중간부에 형성된 캐비티에 부착된 이미지센서의 칩; 칩과 상기 몸체를 전기적으로 접속하는 금속 와이어; 및 몸체의 상부에 부착된 글래스층을 포함하고, 글래스층과 몸체 사이의 공간이 투과도가 우수한 물질막으로 채워져 있는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 이미지 센서의 패키지를 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 이미지 센서의 패키지는, CLCC 패키지 몸체(20)의 내부 중간부에 형성된 캐비티에 이미지 센서의 칩(21)이 부착되어 있고, 이 칩(21)은 금속 와이어(22)에 의해 몸체(20)의 내부에 형성된 패턴금속(미도시)과 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 몸체(20A)의 상부에는 접착제(100; 도 1a 참조)의 개재하에 칩(21)으로 빛이 투과할 수 있도록 글래스층(24)이 부착되어 있고, 글래스층(24)과 몸체(20A) 사이의 공간(200; 도 1b 참조)에는 투과도가 우수한 물질막(23)이 채워져 있다.
즉, 상술한 실시예에서는 글래스층(24)과 몸체(20A) 사이의 공간이 투과도가 우수한 물질막(23)으로 채워짐에 따라, 공간 내의 공기존재가 방지됨과 동시에 외부로부터의 공기 및 습기 유입이 방지된다.
이에 따라, 공간 내의 파티클 발생이 방지되어 마이크로 렌즈에서의 빛이 산란이나 차단으로 인한 광감지영역에 도달하는 빛의 감소가 방지됨으로써 칩의 패일이 방지된다. 또한, 공기 및 수분 유입이 방지됨으로써 이미지 센서의 TC 및 TH 특성이 향상될 뿐만 아니라, 접착제에 문제가 발생되더라도 이미지 센서의 특성에영향을 미치지 않게 된다.
본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위내에서 다양하게 변형시켜 실시할 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 이미지 센서의 패키지내에 존재하는 공간을 투과도가 우수한 물질로 채움으로써 칩의 패일 발생 및 이미지 센서의 TC 및 TH 특성저하를 방지하는 효과를 얻을 수 있다.

Claims (2)

  1. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체의 내부 중간부에 형성된 캐비티에 부착된 이미지 센서의 칩;
    상기 칩과 상기 몸체를 전기적으로 접속하는 금속 와이어; 및
    상기 몸체의 상부에 부착된 글래스층을 포함하는 이미지 센서의 패키지로서,
    상기 글래스층과 상기 몸체 사이의 공간이 소정의 물질막으로 채워져 있는 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 물질막은 투과도가 우수한 물질막인 것을 특징으로 하는 이미지 센서의 패키지.
KR1020010068952A 2001-11-06 2001-11-06 이미지 센서의 패키지 KR100757659B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010068952A KR100757659B1 (ko) 2001-11-06 2001-11-06 이미지 센서의 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020010068952A KR100757659B1 (ko) 2001-11-06 2001-11-06 이미지 센서의 패키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030037862A true KR20030037862A (ko) 2003-05-16
KR100757659B1 KR100757659B1 (ko) 2007-09-10

Family

ID=29568230

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020010068952A KR100757659B1 (ko) 2001-11-06 2001-11-06 이미지 센서의 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100757659B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007083976A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Mtekvision Co., Ltd. Semiconductor package for photo-sensing and fabricating method therefore
KR101045231B1 (ko) * 2008-07-22 2011-06-30 김원국 그라운드 앵커의 헤드콘

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940010290A (ko) * 1992-10-16 1994-05-24 문정환 고체촬상소자 패키지 및 그 제조방법
JPH08236736A (ja) * 1995-02-28 1996-09-13 Nippon Chemicon Corp Ｃｃｄモジュールの封止構造
JP3407218B2 (ja) * 1998-12-09 2003-05-19 富士電機株式会社 半導体光センサデバイス
JP2001118967A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Sanyo Electric Co Ltd 固体撮像素子のパッケージ構造

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007083976A1 (en) * 2006-01-23 2007-07-26 Mtekvision Co., Ltd. Semiconductor package for photo-sensing and fabricating method therefore
KR101045231B1 (ko) * 2008-07-22 2011-06-30 김원국 그라운드 앵커의 헤드콘

Also Published As

Publication number Publication date
KR100757659B1 (ko) 2007-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6686667B2 (en) Image sensor semiconductor package with castellation
US9105479B2 (en) Integrated circuit including an environmental sensor
US8847243B2 (en) Semiconductor package comprising an optical semiconductor device
CN1983612B (zh) 半导体装置及其制造方法
US20130012276A1 (en) Optical electronic package
JPH1012915A (ja) 光学式パターン読取りセンサ
US20130009173A1 (en) Optical electronic package
EP1913641A1 (en) A package and manufacturing method for a microelectronic component
JP2006047085A (ja) 赤外線センサ装置およびその製造方法
US6528857B1 (en) Chip size image sensor bumped package
US6509560B1 (en) Chip size image sensor in wirebond package with step-up ring for electrical contact
JP5551516B2 (ja) 樹脂封止パッケージ
KR100757659B1 (ko) 이미지 센서의 패키지
KR102070665B1 (ko) 패키지 구조 및 패키징 방법
KR101569350B1 (ko) 웨이퍼레벨 패키징 소자
KR101569191B1 (ko) 웨이퍼레벨 패키징 소자
KR100876107B1 (ko) 웨이퍼 레벨 패키지 및 그 제조방법
US6629633B1 (en) Chip size image sensor bumped package fabrication method
JP2013137259A (ja) 赤外線検出器
JP3078010B2 (ja) 固体撮像装置
JP3140970U (ja) 光感知モジュールのパッケージング
KR102069657B1 (ko) 패키지 구조 및 패키징 방법
JPH1041539A (ja) 赤外線送受信モジュールの構造
KR101026487B1 (ko) 이미지 센서 모듈
KR200265306Y1 (ko) 멀티칩패키지

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120830

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130830

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140828

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170629

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180628

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190624

Year of fee payment: 13