KR20030032294A - Method of forming layer by spin coating - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 집적회로의 제조방법에 관한 것으로, 특히 스핀코팅에 의한 박막 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit, and more particularly, to a method for manufacturing a thin film by spin coating.
현재 VLSI(Very Large Scale Integration)의 고밀도화, 고성능화와 다층 금속 배선 기술의 중요성이 급속하게 높아가고 있다. 다층 금속 배선 구조에 있어서는, 금속 배선과 그것을 분리하는 층간절연막이 적층화되어 형성되어 있다. 이러한 다층 금속 배선 형성방법은 포토리소그라피(photolithography) 공정에서의 해상도(resolution)와 초점 심도(depth of focus)를 향상시키기 위하여 평탄화 공정을 수반한다. 특히, 스핀코팅에 의한 스핀 온 글라스(Spin On Glass, 이하 SOG라 한다)막을 사용하는 평탄화 공정은 비용이 작게 들고 공정이 간단하다는 등의 장점을 가지고 있어 평탄화 공정에 널리 사용되고 있다.Today, the importance of high density, high performance and multi-layer metallization technology in the Very Large Scale Integration (VLSI) is rapidly increasing. In the multi-layered metal wiring structure, the metal wiring and the interlayer insulating film which separates it are laminated | stacked and formed. Such a method of forming a multilayer metal wiring involves a planarization process in order to improve the resolution and depth of focus in a photolithography process. In particular, the planarization process using a spin on glass (hereinafter referred to as SOG) film by spin coating has been widely used in the planarization process because it has advantages such as low cost and simple process.
도 1a는 종래 스핀코팅에 의한 SOG 평탄화를 나타내는 단면도이다.1A is a cross-sectional view illustrating SOG planarization by conventional spin coating.
금속 배선(105)이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼 위에 제1 금속간 절연막(110)을 증착하고, SOG 용액이 분사된 후 실리콘 웨이퍼가 적당한 속도로 회전하면서 SOG막(115)의 평탄화가 형성된다. 그리고 제2 금속간 절연막(120)을 형성한다.The first intermetallic insulating film 110 is deposited on the silicon wafer on which the metal wiring 105 is formed, and after the SOG solution is injected, the silicon wafer is rotated at an appropriate speed to planarize the SOG film 115. Then, the second intermetallic insulating film 120 is formed.
반도체 소자의 층간절연막으로 사용되는 SOG막은 SOG용액을 노즐을 통하여 분사하고, 스핀코팅을 실시하여 실리콘 웨이퍼 위에 도포되며 차후에 베이크(bake)나 큐어링(curing) 공정에서 고체화되어 절연막 역할을 하게 된다. 한편 SOG막은 화학 증착막에 비해 막질이 열악하고 금속막과의 접착 불량 문제 때문에 SOG 막의 상부와 하부를 플라즈마 화학 증착막으로 감싸주어 사용하는 것이 일반적이다.The SOG film, which is used as an interlayer insulating film of a semiconductor device, is sprayed on a silicon wafer by spraying an SOG solution through a nozzle, spin coating, and subsequently solidified in a bake or curing process to serve as an insulating film. On the other hand, the SOG film has a poor film quality compared to the chemical vapor deposition film and due to the problem of poor adhesion with the metal film it is generally used to wrap the upper and lower portions of the SOG film with a plasma chemical vapor deposition film.
이와같이 SOG 용액의 고유한 유동성을 이용하면 비아 매립과 단차 해소에 기여하게 된다. 하지만 SOG 도포 후에도 단차는 어느 정도 여전히 존재하며 반도체 소자의 고집적화에 따라 요구되는 다층 금속 배선에서 이러한 단차는 더욱 더 심화되는 문제점이 있다.Thus, the inherent fluidity of SOG solutions contributes to via filling and step clearance. However, even after SOG coating, there is a problem that the step still exists to some extent, and the step is further deepened in the multilayer metal wiring required by the high integration of semiconductor devices.
한편, SOG와 같이 스핀코팅법으로 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 경우에는 웨이퍼의 에지(edge) 부분에 비드(bead)가 형성되며, 이 비드는 웨이퍼 카세트 등과 접촉시 파손되어 분진(particle)이 발생되어 웨이퍼 카세트 또는 후속 공정의 장비를 오염시킨다. 따라서 종래에는 이러한 비드를 제거하기 위한 에지 비드 제거(Edge Bead Removal, 이하 EBR이라 한다)를 행한다.On the other hand, when a thin film is formed on a wafer by spin coating, such as SOG, beads are formed at the edges of the wafer, and the beads are broken when contacted with the wafer cassette to generate dust. To contaminate the wafer cassette or the equipment of subsequent processes. Therefore, conventionally, edge bead removal (hereinafter referred to as EBR) is performed to remove such beads.
도 1b는 종래기술에 의한 EBR 공정 단면도이다.Figure 1b is a cross-sectional view of the EBR process according to the prior art.
스핀코팅법으로 SOG막(115)을 형성할 시, 웨이퍼(100) 가장자리 부근에서 비드가 형성되어 진다. 이 비드를 제거하기 위하여 EBR 장치는 웨이퍼가 회전하는 상태에서 웨이퍼의 에지 부분 상부에 고정된 노즐(130)과 웨이퍼 뒷면의 노즐(140)을통해 용매가 분사되어 웨이퍼 가장자리와 뒷면의 SOG를 함께 제거하게 된다.When the SOG film 115 is formed by spin coating, beads are formed near the edge of the wafer 100. In order to remove the beads, the EBR device removes the SOG at the wafer edge and the back by spraying solvent through the nozzle 130 fixed on the edge of the wafer and the nozzle 140 at the back of the wafer while the wafer is rotating. Done.
그러나 가장자리의 SOG를 제거하기 위해 용매의 노즐 분사를 통하여 EBR을 실시할 때 EBR 형성 부위에 심한 단차가 형성된다. 이 형성된 EBR의 단차는 후속 공정에 따라 막에 균열을 발생시키고 파티클 발생의 원인이 되는 문제점이 있다.However, when EBR is carried out through nozzle injection of solvent to remove SOG at the edge, a severe step is formed at the EBR formation site. The step of the formed EBR has a problem that causes the film to crack and cause the generation of particles according to the subsequent process.
이러한 문제점은 SOG 평탄화뿐만 아니라, 졸겔법 또는 MOD(Metal Organic Decomposition)법과 같이 스핀코팅을 사용하는 공정에서 공통적으로 발생하는 문제점이다.This problem is a problem that commonly occurs in processes using spin coating, such as sol-gel method or MOD (Metal Organic Decomposition) method, as well as SOG planarization.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 평탄화 향상에 기여하고, EBR 공정을 생략 가능한 스핀코팅 박막 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a spin-coated thin film that contributes to the improvement of planarization and can omit the EBR process.
도 1a는 종래기술에 의한 SOG 평탄화를 나타내는 단면도,1A is a cross-sectional view illustrating SOG planarization according to the prior art;
도 1b는 종래기술에 의한 EBR 공정 단면도,Figure 1b is a cross-sectional view of the EBR process according to the prior art,
도 2a 및 2b는 종래의 양성 감광막을 사용한 WEE 공정,2a and 2b is a WEE process using a conventional positive photosensitive film,
도 2c는 본 발명에 따른 양성감광막을 사용한 WEE를 이용하여 감광막 벽 형성 단면도,Figure 2c is a cross-sectional view of forming a photosensitive film wall using WEE using a positive photosensitive film according to the present invention,
도 2d는 본 발명에 따른 음성감광막을 사용한 WEE를 이용하여 감광막 벽 형성 단면도,Figure 2d is a cross-sectional view of the photosensitive film forming wall using WEE using the negative photosensitive film according to the present invention,
도 2e는 본 발명에 따른 WEE를 이용하여 감광막 벽 형성 단면도,2E is a cross-sectional view of the photoresist wall formation using WEE according to the present invention;
도 3a는 양성감광막을 사용한 마스크 공정을 이용하여 감광막 벽 형성 단면도,3A is a cross-sectional view of forming a photoresist film using a mask process using a positive photoresist film,
도 3b는 음성감광막을 사용한 마스크 공정을 이용하여 감광막 벽 형성 단면도,3B is a cross-sectional view of forming a photoresist film using a mask process using a negative photoresist film;
도 4a는 본 발명에 따른 감광막 벽 형성 단면도,4A is a cross-sectional view of forming a photosensitive film wall according to the present invention;
도 4b는 본 발명에 따른 SOG막 스핀코팅한 후의 단면도,4B is a cross-sectional view after spin coating of an SOG film according to the present invention;
도 4c는 본 발명에 따른 감광막 제거 단면도.Figure 4c is a cross-sectional view of removing the photosensitive film according to the present invention.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
400 : 웨이퍼 410 : 감광막 벽400: wafer 410: photoresist wall
420 : SOG막420: SOG film
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 스핀코팅에 의한 박막 제조방법은 기판 정면의 중심부에서 주변부를 통해 상기 기판의 에지 및 뒷면으로 코팅 물질의 이동을 방지하기 위하여 상기 기판 정면의 주변부에 차단벽을 형성하는 단계; 및 상기 차단벽이 형성된 상기 기판의 정면에 스핀코팅으로 박막을 형성하는 단계를 포함한다.The thin film manufacturing method by spin coating of the present invention for achieving the above object is to form a barrier on the periphery of the front surface of the substrate to prevent the movement of the coating material from the center of the substrate front to the edge and the back of the substrate through the periphery. Doing; And forming a thin film on the front surface of the substrate on which the barrier wall is formed by spin coating.
본 발명은 스핀코팅시에 웨이퍼 가장자리에 차단벽을 형성한다. 스핀코팅에사용되는 액상의 코팅물질은 자체가 갖는 유동성에 의하여 웨이퍼 중심에서 바깥쪽으로 도포되는데 차단벽에 의하여 코팅물질이 웨이퍼의 바깥쪽 가장자리로 흘러내리는 것을 방지한다. 따라서 단차 해소와 평탄화 향상에 기여하게 된다.The present invention forms a barrier on the wafer edge during spin coating. The liquid coating material used for spin coating is applied outward from the center of the wafer due to its fluidity, which prevents the coating material from flowing down to the outer edge of the wafer. Therefore, it contributes to eliminating the step and improving the flattening.
또한, 본 발명은 차단벽에 의해 웨이퍼 가장자리 및 웨이퍼 뒷면에 코팅물질의 형성이 방지되므로 EBR 공정 및 웨이퍼 뒷면의 코팅물질 제거 공정을 생략할 수 있다.In addition, since the formation of the coating material on the wafer edge and the wafer backside is prevented by the barrier wall, the EBR process and the coating material removal process on the backside of the wafer may be omitted.
스핀코팅시에 사용되는 코팅물질은 평탄화막으로 사용되는 SOG막이 있으며, 졸겔법 또는 MOD(Metal Organic Decomposition)법에서 전구체 용액 등이 있다.Coating materials used in spin coating include SOG films used as planarization films, and precursor solutions in the sol-gel method or the metal organic deposition (MOD) method.
SOG막은 금속간 절연막 평탄화 공정에서 화학기상증착(CVD)법만으로는 금속간 절연막을 충분히 평탄화 시킬 수 없을 때 금속 배선간의 간격을 메꾸는 것으로서, 스핀코팅 방법에 의하여 기판에 도포되며, 차후에 베이크나 큐어링 공정에서 고체화되어 절연막 역할을 하게된다.SOG film is to fill the gap between metal wires when chemical vapor deposition (CVD) method is not enough to planarize the intermetallic insulating film in the intermetallic insulating film flattening process, and is applied to the substrate by spin coating method, and then baked or cured. Solidified in the process to act as an insulating film.
강유전체 박막 형성방법에 사용되는 졸겔법 또는 MOD(Metal Organic Decomposition) 법에서 사용되는 전구체 용액은 금속 알콕시드, 유기산염 등을 알코올 등의 용매에 녹인 것으로서, 웨이퍼 상에 스핀코팅한 뒤에 용매를 건조시키고 열처리하여 결정화시킨다.The precursor solution used in the sol-gel method or metal organic decomposition (MOD) method used in the ferroelectric thin film formation method is a metal alkoxide, organic acid salt, etc. dissolved in a solvent such as alcohol, spin-coated on a wafer and then dried the solvent Heat treatment to crystallize.
상술한 목적, 특징들 및 장점은 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.The above objects, features and advantages will become more apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예에서는 스핀코팅에 사용하는 코팅물질로서 SOG막을 사용하였고, 웨이퍼 가장자리의 차단벽으로는 감광막 벽을 사용하였다. 도면에서는 광원, 웨이퍼 및 감광막 벽 등이 이해를 위하여 과장되게 도시되어 있다.In the embodiment of the present invention, an SOG film was used as a coating material for spin coating, and a photoresist wall was used as a barrier at the edge of the wafer. In the drawings, light sources, wafers and photoresist walls are exaggerated for clarity.
본 발명의 실시예에 의해 웨이퍼 가장자리에 코팅물질의 차단벽으로써 감광막 벽을 형성하는 방법은 첫째, 웨이퍼 주변 제외영역(Wafer Edge Exclusion, 이하 WEE라 한다) 공정을 이용하여 감광막 벽을 형성하는 방법과 둘째, 별도의 마스크 공정을 이용하여 감광막 벽을 형성하는 방법이 있다.According to an embodiment of the present invention, a method of forming a photoresist wall as a barrier of a coating material on a wafer edge may include a method of forming a photoresist wall using a wafer edge exclusion process (WEE). Second, there is a method of forming a photoresist wall using a separate mask process.
감광막 벽으로 사용되어지는 감광막 재료로는 음성 또는 양성 감광막을 사용할 수 있다. 양성 감광막은 노광지역의 감광막이 현상 제거되어 비노광지역의 감광막이 최종적으로 마스크 역할을 하게 되며, 음성 감광막은 비노광지역의 감광막이 현상제거되어 노광지역의 감광막이 최종적으로 마스크 역할을 하게 된다.As the photoresist material used as the photoresist wall, a negative or positive photoresist film may be used. In the positive photoresist film, the photoresist film in the exposure area is removed and the photoresist film in the non-exposed area serves as a mask. In the negative photoresist film, the photoresist film in the non-exposed area is developed and removed.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명에 따른 제1 실시예인 WEE 공정을 이용한 감광막 벽 형성방법을 설명한 단면도이다.2A to 2E are cross-sectional views illustrating a method of forming a photosensitive film wall using a WEE process as a first embodiment according to the present invention.
먼저, 도 2a 및 2b는 종래의 양성 감광막을 사용한 WEE 공정이다.First, FIGS. 2A and 2B show a WEE process using a conventional positive photosensitive film.
도 2a에 도시한 바와 같이, 금속 배선 공정이 완료된 웨이퍼(200)위에 양성 감광막을 도포하고, 광원을 고정 시킨 상태에서 웨이퍼를 회전시킨다. 따라서 웨이퍼 가장자리 부분은 광원에 노출된 감광막(210b)이 되고, 그 외의 부분은 광원에 노출되지 않은 감광막(210a)이다.As shown in FIG. 2A, a positive photosensitive film is coated on the wafer 200 on which the metal wiring process is completed, and the wafer is rotated while the light source is fixed. Therefore, the edge portion of the wafer becomes the photosensitive film 210b exposed to the light source, and the other part is the photosensitive film 210a not exposed to the light source.
도 2b에 도시한 바와 같이, 감광막을 현상하면, 양성감광막이므로 상기 광원에 노출된 감광막(210b)은 제거되어 웨이퍼 주변 제외 영역(WEE)이 형성된다.As illustrated in FIG. 2B, when the photosensitive film is developed, the photosensitive film 210b exposed to the light source is removed because the photosensitive film is a positive photosensitive film, thereby forming a wafer peripheral exclusion region WEE.
WEE는 웨이퍼 외주부에 있어서는 균일성, 신뢰성이 나쁘고, 전기적으로 양호하지 않으므로 외주로부터 일정부분을 제거하는 공정이다. 즉, 원래는 웨이퍼의 가장자리 부분의 감광막 공정 진행시 웨이퍼 가장자리 부분에서 발생하는 패턴 불량 및 결함 발생 등을 억제하기 위해서 웨이퍼 가장자리 지역의 감광막을 노광하여 제거하는 공정인데, 이를 이용하여 EBR을 개선시킬 수 있다.WEE is a process of removing a certain portion from the outer circumference since the uniformity and reliability of the wafer outer circumference are poor and not electrically good. That is, in order to suppress pattern defects and defects occurring at the edge of the wafer during the photoresist process at the edge of the wafer, the process of exposing and removing the photoresist at the edge of the wafer is performed. have.
도 2c 내지 도2e는 본 발명에 따른 종래의 WEE를 이용한 감광막 벽 형성 단면도이다.2C to 2E are cross-sectional views of photosensitive film wall formation using a conventional WEE according to the present invention.
도 2c는 본 발명에 따른 양성감광막을 사용한 WEE를 이용하여 감광막 벽 형성 단면도이다.Figure 2c is a cross-sectional view of the photosensitive film forming wall using WEE using the positive photosensitive film according to the present invention.
양성감광막을 이용한 감광막 벽 형성은 양성감광막을 도포하고, 감광막 벽 형성지역을 제외한 웨이퍼(200) 가장자리부터 중심지역까지 웨이퍼를 회전하면서 광원을 이동하며 노광한다. 따라서 웨이퍼 가장자리는 광원에 노출되지 않은 감광막(220a)이 되며, 웨이퍼 중심부는 광원에 노출된 감광막(220b)이 된다.The photoresist wall formation using the positive photoresist film is coated with the positive photoresist film, and the light source is moved while being exposed while rotating the wafer from the edge of the wafer 200 to the center region excluding the photoresist wall formation region. Therefore, the edge of the wafer becomes the photosensitive film 220a not exposed to the light source, and the center of the wafer becomes the photosensitive film 220b exposed to the light source.
노광한 후 현상공정을 진행하면 상기 광원에 노출된 감광막(220b)은 제거되므로 도 2e와 같이 감광막 벽(220a)을 가지게 된다.When the developing process is performed after exposure, the photosensitive film 220b exposed to the light source is removed, so that the photosensitive film wall 220a is shown in FIG. 2E.
도 2d는 본 발명에 따른 음성감광막을 사용한 WEE를 이용하여 감광막 벽 형성 단면도이다.Figure 2d is a cross-sectional view of the photosensitive film forming wall using the WEE using the negative photosensitive film according to the present invention.
음성감광막을 이용한 감광막 벽 형성은 웨이퍼(200)에 음성감광막을 도포하고, 광원을 감광막 벽 형성지역에 고정시키고 웨이퍼를 회전시키면서 노광한다. 따라서 웨이퍼 가장자리는 광원에 노출된 감광막(230a)이 되며, 웨이퍼 중심부는 광원에 노출되지 않은 감광막(230b)이 된다.The photoresist wall formation using the negative photoresist film is applied by applying a negative photoresist film to the wafer 200, fixing the light source to the photoresist wall formation area, and exposing the wafer while rotating the wafer. Accordingly, the edge of the wafer becomes the photosensitive film 230a exposed to the light source, and the center of the wafer becomes the photosensitive film 230b not exposed to the light source.
노광한 후 현상 공정을 진행하면, 광원에 노출되지 않은 감광막(230b)은 제거되므로 도 2e와 같은 감광막 벽(230a)이 형성된다.When the developing process is performed after exposure, the photoresist film 230b not exposed to the light source is removed, so that the photoresist wall 230a as shown in FIG. 2E is formed.
음성감광막을 사용한 감광막 형성 공정은 도 2a 및 도 2b에서 상술한 WEE공정과 동일한 공정 순서를 밟지만 사용된 감광막이 양성과 음성인 점에서 차이가 있어 패턴상 차이가 나타난다.The photoresist formation process using the negative photoresist film follows the same process sequence as the WEE process described above with reference to FIGS. 2A and 2B, but there is a difference in that the used photoresist film is positive and negative, resulting in a pattern difference.
도 3a 및 3b는 본 발명에 따른 별도의 마스크 공정을 이용한 감광막 벽 형성 평면도이다.3A and 3B are plan views of photoresist wall formation using a separate mask process in accordance with the present invention.
도 3a는 양성감광막을 사용한 마스크 공정을 이용하여 감광막 벽을 형성한 평면도이다.3A is a plan view of a photosensitive film wall formed by using a mask process using a positive photosensitive film.
도 3b는 음성감광막을 사용한 마스크 공정을 이용하여 감광막 벽을 형성한 평면도이다.3B is a plan view of a photosensitive film wall formed by using a mask process using a negative photosensitive film.
양성감광막을 이용하는 경우에는 노광지역이 웨이퍼의 중심부가 되며, 음성감광막을 이용하는 경우에는 노광지역이 가장자리가 되며, 노광 후에 현상하면 웨이퍼의 가장자리에는 감광막 벽이 형성된다. WEE를 이용하여 감광막 벽을 형성할 때와 같이 웨이퍼를 회전하면서 노광하는 것은 아니며, 스테퍼 또는 웨이퍼가 일정간격 이동하면서 순차적으로 노광하게 된다. 감광막 벽의 평면적인 형상은 WEE를 이용한 감광막 벽과는 다르게 마스크의 형태를 가진다.In the case of using the positive photoresist film, the exposure area becomes the center of the wafer. In the case of using the negative photoresist film, the exposure area becomes the edge. When developing after exposure, the photoresist wall is formed at the edge of the wafer. The wafer is not exposed while rotating the wafer as in the case of forming a photoresist wall using WEE, and the stepper or wafer is sequentially exposed while moving at a predetermined interval. The planar shape of the photoresist wall has a mask form unlike the photoresist wall using WEE.
도 4a 내지 4c는 본 발명에 따른 SOG 평탄화 형성 단면도이다. 도 4a 내지4c는 편리상 웨이퍼의 일부분만 도시하였다.4A-4C are cross-sectional views of SOG planarization formation in accordance with the present invention. 4A-4C show only a portion of the wafer for convenience.
도 4a는 본 발명에 따른 감광막 벽(410)이 형성된 단면도이다.4A is a cross-sectional view in which the photosensitive film wall 410 is formed in accordance with the present invention.
상술한 WEE공정을 이용 또는 별도의 마스크 공정을 이용하여 웨이퍼(400)의 가장자리에 감광막 벽(410)을 형성한다.The photoresist wall 410 is formed on the edge of the wafer 400 using the above-described WEE process or using a separate mask process.
도 4b는 본 발명에 따른 SOG막 스핀코팅한 후의 단면도이다.4B is a cross-sectional view after spin coating of the SOG film according to the present invention.
상기 감광막 벽이 형성되어 있는 실리콘 웨이퍼 위에 SOG 용액을 분사한 후 SOG 용액이 감광막 벽 밖으로 넘치지 않을 정도로 웨이퍼를 적당한 속도로 회전하면 감광막 벽 안에서 SOG막(420)의 평탄화가 이루어진다.After the SOG solution is sprayed onto the silicon wafer having the photoresist wall formed thereon, the SOG film 420 is planarized in the photoresist wall by rotating the wafer at an appropriate speed such that the SOG solution does not overflow the photoresist wall.
다음으로 후속 열처리 공정에서 SOG막를 열경화 시킨다.Next, the SOG film is thermally cured in a subsequent heat treatment process.
도 4c는 본 발명에 따른 상기 감광막 벽(410) 제거 후 단면도이다.4C is a cross-sectional view after removal of the photosensitive film wall 410 in accordance with the present invention.
상기 열처리에 의하여 SOG막(420)을 열경화 시킨 후에는 웨이퍼 가장자리에 있는 감광막 벽을 제거한다.After the SOG film 420 is thermally cured by the heat treatment, the photoresist wall at the edge of the wafer is removed.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.The present invention described above is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, and various substitutions, modifications, and changes are possible in the art without departing from the technical spirit of the present invention. It will be apparent to those of ordinary knowledge.
상기와 같이 이루어진 본 발명은, 코팅물질의 분무 후 스핀코팅에 의한 평탄화 공정시, 웨이퍼 가장자리에 차단벽을 형성하여 스핀코팅시 코팅물질을 가두어두는 역할을 함으로써 평탄화가 향상되고 단차가 줄어드는 효과가 있다.In the present invention made as described above, in the planarization process by spin coating after spraying the coating material, a barrier wall is formed at the edge of the wafer to confine the coating material during spin coating, thereby improving planarization and reducing the step difference. .
또한 차단벽은 코팅물질이 웨이퍼 가장자리와 웨이퍼 뒷면에 도포되는 것을 방지할 수 있어 EBR공정을 개선시킬 수 있으며, 분무된 코팅물질이 웨이퍼 가장자리에서 원심력에 의한 웨이퍼 바깥으로 버려지는 것을 방지하게 되어 기존보다 훨씬 적은 양의 코팅물질로 박막 형성이 가능하여 경제적으로도 이익이 되는 효과가 있다.In addition, the barrier can prevent the coating material from being applied to the wafer edge and the back side of the wafer, improving the EBR process, and preventing the sprayed coating material from being thrown out of the wafer by centrifugal force at the wafer edge. It is possible to form a thin film with a much smaller amount of coating material and there is an economically beneficial effect.
Claims (9)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010063999A KR20030032294A (en) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Method of forming layer by spin coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020010063999A KR20030032294A (en) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Method of forming layer by spin coating |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030032294A true KR20030032294A (en) | 2003-04-26 |
Family
ID=29565050
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020010063999A KR20030032294A (en) | 2001-10-17 | 2001-10-17 | Method of forming layer by spin coating |
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| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20030032294A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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