KR20030030876A - 전화 ｓｌｉｃ들의 링잉 범위를 확장하는 링 부스트 회로 - Google Patents

Abstract

링 부스트 회로(10)는 링 노드(RING)에 결합된 제 1 스위칭 장치(16)를 갖는다. 제 1 스위칭 장치(16)는 링 동작에 응답한다. 충전 펌프(12)는 링 노드에 접속되고, 충전 펌프(12)는 제 1 스위칭 장치가 링 동작 동안 활성될 때 링 노드와 팁 노드(TIP) 사이의 차분 전압을 향상시키기 위해 전압 오프셋을 제공한다.

Description

전화 ＳＬＩＣ들의 링잉 범위를 확장하는 링 부스트 회로{Ring boost circuit to extend ringing range of telephone SLICs}

본 발명은 일반적으로 네트워크 통신 시스템들에 관한 것으로, 특히, 전화 회사 팁-링 인터페이스(telephone company tip-ring interface)의 동작을 보다 정확하게 흉내(mimic)내는 DC 오프셋을 갖는 링잉(ringing)을 발생시키도록 저가 전화 SLIC(subscriber line interface circuit)를 가능하게 하는 방법 및 시스템에 관한 것이다.

전화 회사에 의해 제작된 링잉(ringing)은 대략 48V의 직류(DC) 레벨 상에 올라타는 20 Hz 링잉 신호를 통상 갖는다. 인터넷 프로토콜 상의 음성에 이용된 저가 가입자 라인 인터페이스 회로들(SLICs) 및 다른 제품들은 그러한 링잉 신호가너무 많은 전압을 요구하기 때문에 이러한 링잉 신호를 제공할 수 없다. 고전압 진폭을 제공하는 것은 매우 고가의 솔루션을 요구한다.

한 고가의 솔루션은 더 높은 배터리 전압을 다루고 배터리 전압을 증가시킬 수 있는 SLIC를 이용하는 것이다. 이는 SLIC, 전원에 비용을 부가하고, 전력 낭비를 증가시킨다. 다른 솔루션은 SLIC 및 링잉 기능에 대해 분리된 IC들을 이용하고, SLIC들을 릴레이들(relays)로 스위칭하는 것이다.

일정한 전화들 및 응답 기계들(answering machines)은 응답하기 위해 링 신호 진폭뿐만 아니라 DC 오프셋에도 의존한다. 이들 전화들은 이들 저렴한 SLIC 집적 회로들(ICs)에 의해 발생된 링 신호에 의해 구동될 때 적절하게 링잉하지 않는다. 이들 장치들에서의 링 신호는 전형적으로 0 VDC 오프셋을 갖는 140VP-P 사다리꼴 또는 사인 곡선형 파형이다.

그러므로, 매우 작은 비용 증가가 부가되는 DC 오프셋을 허용하고, 전화 제품들을 구동하는 저가 SLIC들을 허용하는 시스템 및 방법에 대한 필요가 존재한다.

도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 링 부스트 회로(ring boost circuit)의 개략도.

도 2는 도 1의 회로를 위한 링잉(ringing) 동안 팁(Tip) 및 링(Ring) 신호들을 예시적으로 도시하는 다이어그램.

도 3은 도 1의 회로를 위한 링잉 동안 팁 및 링 신호들 사이의 전압 차를 예시적으로 도시하는 다이어그램.

도 4는 본 발명에 따른 링잉 및 비-링잉 동작들 동안 충전 펌프(charge pump)의 충전 캐패시터를 교차하는 전압을 도시하는 다이어그램.

도 5는 도 1의 회로를 위한 링 프라임(RING PRIME)에서 전압을 예시적으로 도시하는 다이어그램.

도 6은 도 1의 회로를 위한 팁 및 링 프라임 신호들 사이의 전압 차를 예시적으로 도시하는 다이어그램.

도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전류 미러들에 의해 제어된, 스위치들로서 MOSFET들을 이용하는 다른 링 부스트 회로의 개략도.

도 8 내지 도 10은 본 발명에 따른 도 7의 회로들을 위한 링잉 동작 동안 3개의 스위치들을 교차하는 전압들을 예시적으로 도시하는 다이어그램들.

도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 디지털 논리 회로들에 의해 인에이블되는 전류 소스들에 의해 제어된, 스위치들로서 MOSFET들을 이용하는 다른 링 부스트 회로의 개략도.

도 12는 본 발명의 또 다른 실시예에 따라 전적으로 스위치들을 제거하는 단순화된 링 부스트 회로의 개략도.

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

12; 충전 펌프 회로 14, 16; 스위치

24; 링 카덴스 제어 신호 30, 32, 34; 전류 미러

본 발명은 링 신호에 부가되는 DC 오프셋을 발생시키도록 스위치들 또는 전류 제한 장치들(current limiting devices)과 조합하여 충전 펌프 회로(charge pump circuit)를 이용한다. 유리하게, 충전 펌프는 링 신호에 의해 스스로 충전된다.

한 실시예에서, 링 부스트 회로는 링 노트에 결합된 제 1 스위칭 장치를 갖는다. 제 1 스위칭 장치는 링 동작에 응답한다. 충전 펌프는 링 노드에 접속되고, 충전 펌프는 제 1 스위칭 장치가 링 동작 동안 활성화될 때 링 노드와 팁 노드 사이의 차분 전압을 향상시키기 위해 전압 오프셋을 제공한다.

다른 링 부스트 회로는 팁 노드와 링 출력 노드를 포함한다. 제 1 스위치는 링 노드에 결합되고, 링 동작에 응답한다. 충전 펌프는 링 노드와 제 1 스위치 사이에 접속된다. 충전 펌프는 제 1 스위치 장치가 링 동작 동안 충전 펌프에 링 출력 노드를 접속하도록 폐쇄될 때 링 노드와 팁 노드 사이의 차분 전압을 향상시키기 위해 전압 오프셋을 제공한다. 제 2 스위치는 링 동작 동안 팁 노드를 충전 펌프에 접속한다.

또 다른 링 부스트 회로는 링 동작과 연관된 신호들 이외의 신호들을 분리하도록 팁 노드에 결합된 전류 제한 장치와, 링 노드 및 전류 제한 장치에 접속된 충전 펌프를 포함한다. 충전 펌프는 활성 전류(activation current)가 링 동작 동안 팁 노드로부터 수신될 때 링 노드와 팁 노드 사이의 차분 전압을 향상시키기 위해 전압 오프셋을 제공한다.

본 발명의 이점들, 특성 및 다양한 부가적인 특징들은 이제 첨부한 도면들을 참조하여 상세하게 기술될 예시적인 실시예들을 고려하여 보다 충분하게 나타날 것이다.

도면들은 본 발명의 개념들을 예시하는 목적이며, 본 발명을 예시하기에 가능한 구성만이 필수적인 것은 아니다.

본 발명은, 예컨대, 인터넷 프로토콜(VoIP) 유닛 상의 음성에서 전화 회사의팁 링 인터페이스의 동작을 보다 정확하게 흉내내는 직류(DC) 오프셋 전압을 갖는 링잉을 발생시키도록 저가 전화 SLIC(subscriber line interface circuit)을 가능하게 하는 시스템 및 방법을 제공한다. VoIP 유닛은 종래의 전화들과 인터페이스 할 수 있는 팁/링 인터페이스를 발생시키도록 전화 SLIC(subscriber line interface circuit)을 양호하게 포함한다. 링잉 동안, 충전 펌프 회로는 링잉 신호에 부가되는 DC 오프셋을 제공한다. 충전 펌프는 링 신호에 의해 저절로 충전된다.

본 발명이 VoIP 시스템에 관하여 기술되지만, 본 발명이 훨씬 더 넓고, 전화 제품의 링잉을 제공하도록 SLIC를 요구하거나 이용하는 임의의 전화 시스템을 포함할 수 있음은 이해된다. 부가하여, 본 발명은 전화, 셋톱 박스들, 컴퓨터들, 위성 박스들, 또는 링 신호를 이용하는 어떤 다른 네트워크 또는 시스템에 대한 링잉 신호를 시뮬레이팅할 수 있는 임의의 시스템에 적용 가능하다.

도면들이 성분들에 대한 예시적인 크기들을 도시하는 것임은 이해되어야 한다. 이들 값들은 본 발명의 예들을 설명하는데 이용될 뿐이고, 제한적으로 구성되지 않는다. 당업자는 성분들의 타입들을 이해하며, 그 크기는 본 발명의 사상 및 범위 내에서 조정될 수 있다.

이제, 동일 참조 부호들이 몇 가지 관점들에 걸쳐 유사 또는 동일한 엘리먼트들을 간주하는 도면들을 특정 상세하게 참조하면, 먼저 도 1에서, 링 부스트 회로(10)는 본 발명의 한 실시예에 따라 도시된다. 링 부스트 회로(10)는 링잉 신호에 부가되는 직류(DC) 오프셋을 발생시키도록 스위치들(14, 16)과 조합하여 충전펌프 회로(12)를 포함한다. 유리하게, 충전 펌프(12)는 링잉 신호에 의해 충전된다.

팁 및 링은 전화 가입자 라인 인터페이스 회로(SLIC, 도시 안됨)로부터의 출력들이다. "온-후크(on-hook)" 상태 동안(즉, 모든 접속된 전화들이 온-후크이다), 팁은 대지 전위(ground potential)(0V)에 정상적으로 근접할 수 있고, 링은 정상적으로 약 -50VDC일 수 있다. 링잉 동안, 팁 및 링은 대략 0V에서 -70VDC까지 가는 20 Hz 사다리꼴 파형들로 대향하고 있다. 팁 및 링을 교차하는 결과적인 차분 신호(differential signal)는 140개의 VP-P 사다리꼴 파형이다. "오프-후크(off-hook)" 상태 동안, 팁은 대지 전위(OV)에 정상적으로 근접하고, 링은 대략 -6 VDC이다. 링잉 동안 팁 및 링 파형들은 도 2에 예시적으로 도시된다.

도 2를 참조하면, 링잉 바로 이전에, 팁은 약 0 VDC에 있고, 링은 약 -50 VDC에 있다. 링잉 동안, 팁과 링 양쪽은 70개의 VP-P 파형들을 출력한다. 도 3에서, 팁-링에 대한 140개의 VP-P 차분 파형은 예시적으로 도시된다. 도 3에서, 온-후크 상태 동안 50V DC 레벨이 있지만, 링잉 동안의 DC 레벨은 유효하게 0 VDC이다.

도 1로 돌아가면, 충전 펌프(12)는 복수의 상이한 방식들로 구현될 수 있다. 본 발명에 따른 한 구현은 이용 레지스터들(employing resistors) R1, R2, R3, 캐패시터들 C1, C2, C3과 다이오드들 D1 및 D2를 포함한다. 도 1은 이들 장치들에 대한 예시적인 크기들을 도시한다. 이들 값들은 조정될 수 있고, 상이한 값들이 본 발명에 따라 이용될 수 있다. 링잉 동안, C3 상의 전압은 약 70 볼트로 정상적으로 충전되지만, 예를 들어 51V로 제너 다이오드 D3에 의해 클램프된다. 링잉하지 않을 때, 스위치들(22, 20)은 개방되고, C3은 예를 들어 2.2 초 시간 상수로 R3을 통해 방전된다. 다른 클램핑 전압들 및 시간 상수들이 또한 예상되고, 당업자들에게 알려진 바와 같이 조정될 수 있다. C3을 교차하는 전압은 도 4에 예시적으로 도시된다. 전압은 링잉 동안 다이오드 D3에 의해 허용 가능한 전압으로 충전된다.

유리하게, 스위치들(14, 16)은 C3을 교차하는 전압이 링잉 동안 링에 효율적으로 부가되는 방식으로 동작한다. 링잉하지 않을 때, 제 1(또는 정상적으로 폐쇄된(NC)) 스위치(18)는 폐쇄되고, 링 프라임(또는 다른 출력 노드)은 링에 접속된다. 링잉 동안, 스위치(18)는 개방하고, 제 2(또는 정상적으로 개방된(NO)) 스위치(20)는 폐쇄한다. 이는 링 프라임에서의 전압이 링 더하기 C3을 교차한 전압이 되도록 링에 직렬로 C3을 접속한다. 동시에, C3을 교차한 전압은 충전 펌프(12)의 동작에 기인하여 51V까지 증가한다. 제 3 스위치(22)는 오프-후크 간격들 동안 오디오 신호들 및 로딩 다운 터치-톤(loading down touch-tone)으로부터 충전 펌프 회로(12)를 유지하는데 요구된다. 링 카덴스 제어 신호(ring cadence control signal)(24)는 팁 및 링 상의 링잉 파형들과 일치하는 스위치들(14, 16)을 동작하는데 이용된다.

스위치들(20, 18) 양쪽의 동시 폐쇄는 링 사이클의 끝에서 특히 방지되어야 한다. 이유는 스위치들(20, 18) 양쪽이 폐쇄되면, C3이 스위치들을 통해 급격하게 방전되기 때문이다. 단지 스위치 저항은 매우 높을 수 있는 전류를 제한할 것이다. 이 전류는 도 7에서의 MOSFET들(Q7, Q8)과 같은 스위치들을 구현하는 장치들에 손상을 입힐 수 있다.

링 프라임에서의 파형은 도 5에 예시적으로 도시되고, 차분 전압 팁 - 링은 도 6에 예시적으로 도시된다.

도 3 및 도 6을 비교하면, 몇백 밀리초 후에, 링잉의 DC 오프셋 전압은 0V에서 약 50V까지 증가하고, 따라서, 링잉의 끝까지 남는다. 조합된 DC 오프셋 및 AC 링 진폭은, 링잉을 달성하는데 100 볼트 또는 그 이상의 전압들을 이용하는 완력 접근(brute force approach)에 대한 필요를 방지하여, 짝수의 성가신 전화들(even troublesome phones)을 링잉하는데 충분하다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예가 본 발명에 따라 도시된다. N-채널 MOSFET들(Q6, Q7, Q8)은 도 1에 도시된 바와 같이, 스위치들(22, 20, 18)을 각각 구현하는데 이용된다. 이들 MOSFET들은 고-전압 PNP 트랜지스터들(36)로 구현된 전류 미러들(30, 32, 34)에 의해 각각 제어된다. 본 실시예에서 각각의 전류 미러들(30, 32, 34)은 MOSFET Q7 및 Q8에 대해 약 3.75V, Q6에 대해 3.1V의 게이트 전압을 발생시키는 50 마이크로-앰프를 출력하도록 예시적으로 설계된다. 전류 미러들(30, 32, 34)은 MOSFET 게이트-소스 전압을 상대적으로 일정하게 유지한다. 레지스터 R9는 Q6에 대한 게이트 드라이브(gate drive)를 줄일 수 있는 트랜지스터 Q1을 포화(saturating)로부터 방지하도록 (예를 들어, R11 및 R13에 대한 75kOhm 대신에 62kOhm으로) 사이징된다. 리드 릴레이들(reed relays)과 고체-상태 릴레이들을 포함하는 스위치들에 대한 다른 구현들이 가능하다. 그러나, MOSFET들은 비용 효율적인 솔루션을 제공한다. 실제로, 전류 가격 면(current pricing)에서, 단일 전화 라인에 대한 회로(200)는 35 센트보다 적은 비용이다. 성분값들(component value)은 도 7에 예시적으로 도시된다. 다른 값들은 본 발명에 따라 효율적인 기능성을 제공하는데 이용된다.

MOSFET 스위치들 Q7 및 Q8 양쪽의 동시 폐쇄는 특히 링 사이클의 끝에서 방지되어야 한다. 상술된 예에서, C3은 이런 일이 발생하면 스위치들을 통해 급격히 방전될 것이다. 단지 스위치 저항만이 전류를 제한할 것이다. 예컨대, C3이 50V까지 충전되고, 각각의 MOSFET Q7 및 Q8의 온 저항(on resistance)이 6 ohm이면, 양쪽 MOSFET들이 온인 경우 결과 전류는 4.17A이다. 이 전류는 MOSFET Q7 및 Q8의 전류 등급(current rating)을 초과하고, 하나 또는 양쪽의 장치들에 손상을 가져올 것이다. 스위치 활동(switch activation)에 대한 지연은 이것을 발생(occurring)으로부터 방지하도록 하드웨어 또는 소프트웨어에서 구현될 수 있다. 특히, 양쪽 장치들이 오프(off)인 링 천이들(ring transitions) 동안 작은 "데드 타임(dead time)"을 구현하는 것은 이러한 상황(situation)을 발생으로부터 방지할 것이다. 스위치(16)에 대한 고체-상태 릴레이 또는 리드 릴레이를 이용하는 대안적인 실시예에서, "제조 전 브레이크(break before make)" 타입 스위치가 사용되어야 한다.

도 8, 도 9 및 도 10을 참조하면, 각각의 스위치(각각 Q6, Q7, Q8)를 교차하는 전압이 예시적으로 도시된다. 도 8 내지 도 10은 동일한 시간 스케일(time scale)에 기초한다.

도 11을 참조하면, 다른 실시예에서, 도 7의 회로(100)는 2개의 PNP 트랜지스터들이 제거되도록 허용하는 전류 소스들로 전류 미러들을 대체함으로써 단순화된다.

회로(300)는 NAND 게이트들(304)을 포함하는 논리 회로(302)를 포함한다. 논리 회로(302)는 MOSFET들(Q6, Q7, Q8)을 온 및 오프로 적절하게 스위칭하기 위한 타이밍 지연(timing delay)을 제공한다. D4는 뇌 충격 전류(lightning surge) 또는 다른 과도 전류(transient) 동안 MOSFET Q8의 방지를 제공하는 양방향 시덱터(sidactor)이다. D4는 링 부스트 동작에 필수적이지는 않지만, 실-세계 구현(real-world implementation)의 예로서 본 실시예에 예시적으로 도시된다.

도 12를 참조하면, 다른 더 단순한 실시예가 회로(400)로서 지시된 본 발명에 따라 도시된다. 여기서, 스위치들 및 그 제어 회로는 전체적으로 제거되었다. 제너 다이오드들(D5, D6)은 충전 펌프(12)를 오프-후크 간격들 동안 오디오 신호들 및 로딩 다운 터치-톤으로부터 방지한다. 이들 제너 다이오드들은 도 1에서의 스위치(14)의 기능의 상이한 구현을 제공한다. 이제, 링 프라임은 캐패시터 C3에 직접 접속된다. 이러한 단순화된 실시예의 동작 및 기능은 이전에 제공된 것과 거의 동일하다. 주요 차이는 링 프라임 상의 전압이 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 링 기간의 끝에서 링 상의 전압으로 즉시 점프하지 않는다는 것이지만, 그 대신에 캐패시터 C3이 레지스터 R3을 통해 방전되는 것과 같이 링에 점근적으로 접근한다. 스위치(14)를 제너들(D5, D6)로 대체하는 것이 스위치들(18, 20)의 제거에 독립적으로 이루어질 수 있음을 인식한다. 이는 본 발명의 다양한 가능한 조합들을 제공하고, 그 모두는 본 발명의 사상을 구현한다.

링 부스트 회로가 전화 SLIC들(예시적이고 제한적이지 않은)의 링잉 범위를 확장하는 양호한 실시예가 상술되었지만, 변경들 및 수정들이 상기 기술분야의 당업자들에 의해 이루어질 수 있다. 그러므로, 첨부된 청구항들에 의해 규정된 본 발명의 범위 및 사상 내에 있는 개시된 본 발명의 특정 실시예들에서 변화들이 이루어질 수 있음은 이해된다. 따라서, 본 발명이 특허법에서 요구된 바와 같이 명료하고 상세하게 기술되었지만, 특허에 의해 보호받고자 청구된 것은 첨부된 청구항에 기술된다.

본 발명에 의하면, 매우 작은 비용 증가가 부가되는 DC 오프셋을 허용하고, 전화 제품들을 구동하는 저가 SLIC들을 허용하는 시스템 및 방법이 제공된다.

Claims (18)

1. 링 부스트 회로에 있어서,

   링 노드(RING)에 결합되고, 링 동작에 응답하는 제 1 스위칭 장치(16)와;

   상기 링 노드에 접속된 충전 펌프(12)로서, 상기 제 1 스위칭 장치가 상기 링 동작 동안 활성될 때, 상기 링 노드와 팁 노드(TIP) 사이의 차분 전압을 향상시키도록 전압 오프셋을 제공하는 상기 충전 펌프(12)를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 링 동작은 상기 제 1 스위칭 장치를 활성시키도록 제어 신호(24)에 의해 개시되는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 스위칭 장치는 상기 링 동작 동안 폐쇄하는 정상적으로 개방된 스위치(20)와, 상기 링 동작 동안 개방하는 정상적으로 폐쇄된 스위치(18)를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
4. 제 3 항에 있어서,

   상기 스위치에의 접속은 링 출력 노드(RING PRIME)를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 충전 펌프의 오프셋이 상기 링 동작 동안 상기 링 노드 상의 전위에 부가되도록, 상기 정상적으로 개방된 스위치는 상기 링 동작 동안 상기 링 출력 노드를 상기 충전 펌프에 접속하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 정상적으로 폐쇄된 스위치는 상기 링 출력 노드(RING PRIME)를 상기 링 동작 동안과 서로 다른 링 노드에 접속하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 링 동작 동안 상기 팁 노드를 상기 충전 펌프에 접속하는 제 2 스위칭 장치(14)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
7. 제 1 항에 있어서,

   상기 충전 펌프(12)는 상기 오프셋을 제한하도록 제너 다이오드(D3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
8. 제 1 항에 있어서,

   상기 충전 펌프는 상기 링 동작 동안 링 출력 노드에 전하를 제공하도록 캐패시터(C3)를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
9. 링 부스트 회로에 있어서,

   팁 노드(TIP) 및 링 노드(RING);

   상기 링 노드에 결합되고, 링 동작에 응답하는 제 1 스위치(16);

   상기 링 노드와 상기 제 1 스위치 사이에 접속된 충전 펌프(12)로서, 상기 제 1 스위치 장치가 상기 링 동작 동안 링 출력 노드(RING PRIME)를 상기 충전 펌프에 접속하도록 폐쇄될 때, 상기 링 노드와 상기 팁 노드 사이의 차분 전압을 향상시키도록 전압 오프셋을 제공하는 상기 충전 펌프(12)와;

   상기 링 동작 동안 상기 팁 노드를 상기 충전 펌프에 접속하는 제 2 스위치(14)를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
10. 제 9 항에 있어서,

    상기 링 동작은 상기 제 1 스위치를 폐쇄하도록 제어 신호(24)에 의해 개시되는 것을 특징으로 하는, 링 부스트 회로.
11. 제 9 항에 있어서,

    상기 충전 펌프의 오프셋은 상기 링 동작 동안 상기 링 노드 상의 전위에 부가되는 것을 특징으로 하는, 링 부스트 회로.
12. 제 9 항에 있어서,

    상기 제 2 스위치(14)는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 링 부스트 회로.
13. 제 9 항에 있어서,

    상기 충전 펌프는 상기 오프셋을 제한하도록 제너 다이오드(D3)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 링 부스트 회로.
14. 제 9 항에 있어서,

    상기 충전 펌프는 상기 링 동작 동안 전하를 상기 링 출력 노드에 제공하도록 캐패시터(C3)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 링 부스트 회로.
15. 제 9 항에 있어서,

    상기 제 1 스위치(16)는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 링 부스트 회로.
16. 링 부스트 회로에 있어서,

    링 동작과 연관된 신호들 이외의 신호들을 분리하도록 팁 노드(TIP)에 결합된 전류 방지 장치(D5 및/또는 D6)와;

    링 노드(RING) 및 상기 전류 방지 장치에 접속된 충전 펌프(12)로서, 활성화 전류가 상기 링 동작 동안 상기 팁 노드로부터 수신될 때, 상기 링 노드와 상기 팁 노드 사이의 차분 전압을 향상시키도록 전압 오프셋을 제공하는 상기 충전펌프(12)를 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.
17. 제 16 항에 있어서,

    상기 전류 방지 장치는 다이오드(D5 또는 D6)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 링 부스트 회로.
18. 제 16 항에 있어서,

    상기 링 노드에 결합되고, 링 동작에 응답하여 상기 링 동작 동안 상기 충전 펌프를 상기 링 출력 노드에 접속하는 스위칭 장치(16)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 링 부스트 회로.