KR20030007616A - 실리콘 웨이퍼 보관용수 및 보관방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 웨이퍼의 보관용수에 있어서, 보관용수의 액온이 0∼18℃인 보관용수를 사용하여 보관하고, 실리콘 웨이퍼의 샤워 수에 있어서, 액온이 0∼18℃인 샤워 수를 사용하여 샤워한다.
또한 본 발명은 액온이 0∼18℃인 샤워 수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하고, 다음에 액온이 0∼18℃인 보관용수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 액중보관하는 실리콘 웨이퍼의 보관방법이다.
이것에 의하여, 웨이퍼 품질의 저하를 방지하는 것을 가능하게 한 실리콘 웨이퍼의 보관용수 및 보관방법, 샤워 수 및 샤워 방법이 제공된다.

Description

실리콘 웨이퍼 보관용수 및 보관방법{Water and Method for Storing Silicon Wafer}
일반적으로 실리콘 웨이퍼의 제조는 쵸크랄스키 법등에 의하여 단결정봉을 인상하고, 이 단결정봉(잉고트)을 슬라이스 하여 박(薄)원판상의 웨이퍼를 얻는 슬라이스 공정 및 이 슬라이스 공정에 의하여 얻어진 웨이퍼의 깨어짐, 흠을 방지하기 위하여 그 외주부를 면취(面取)하는 면취공정 및 이 웨이퍼를 평탄화하는 래핑공정과 면취 및 래핑된 웨이퍼에 잔류하는 가공변형을 제거하는 에칭공정과 이 웨이퍼 표면을 경면화하는 연마공정과 연마된 웨이퍼를 세정하여 부착된 연마제 및 이물질을 제거하는 세정공정을 포함하고 있다.
상기 실리콘 웨이퍼의 제조공정은 주요한 공정을 나타낸 것이고, 기타 평면연삭공정 및 열처리공정등의 공정이 추가된다거나, 공정순서가 교체되거나, 또는동일한 공정을 복수단으로 실시한다거나 하는 경우가 있다.
그 후 검사등을 행하고, 디바이스 제조회사(공정)으로 보내지고, 상기 실리콘 웨이퍼상에 절연막 및 금속배선을 행성하여, 메모리등의 디바이스가 제조된다.
실리콘 웨이퍼의 제조에서는 각 공정사이에서 장치능력 및 장치 트러블등에 의하여 다음공정에 투입되기 전에 대기시간이 발생하는 경우가 있다.
이 경우, 실리콘 웨이퍼의 상태에 적합한 방법으로 보관하여 둘 필요가 있다.
예를 들면, 연마공정후의 웨이퍼는 다음공정에 세정공정이 있고, 이 공정으로 보내질때 까지의 대기시간에는 수중에서 보관되는 것이 통상적이다.
이것은 웨이퍼를 대기중에서 보관하는 것은 연마 슬러리의 건조에 기인한 슬러리의 고착이 일어나고, 다음공정의 세정공정에서의 제거가 곤란하게 되기 때문이다.
또한, 예를 들면, 연마공정이 왁스로 웨이퍼를 유지 플레이트에 유지하여 연마하는 왁스마운트방식의 경우, 연마종료후 웨이퍼에 샤워 수를 뿌려 유지 플레이트에서 웨이퍼를 떼어내는 공정이 있다.
또한, 왁스 마운트 방식이 아니더라도 웨이퍼에 샤워 수를 뿌려 웨이퍼를 샤워하는 일이 행해진다.
한편, 웨이퍼에 대한 품질요구는 점점 엄격해지고, 예를 들면, 웨이퍼 표면의 금속오염 및 면조도에 충분히 주의할 필요가 있어 왔다.
이것들은 예를 들면 산화막 내압(GOI: Gate Oxide Integrity) 및헤이즈(HAZE: "마이크로 라프니스"라고도 함)등의 웨이퍼 품질의 항목으로 양호품, 불량품등의 판별이 행해지고 있다.
또한, 현행의 웨이퍼의 품질규격에서 문제가 없는 웨이퍼라도 디바이스 제작공정등에서 수율 저하가 발생하는 경우가 있다.
이 소정규격을 만족함에도 불구하고 수율 저하가 일어나는 원인은 여러가지를 고려할 수 있는데, 웨이퍼 제조공정에서는 특히 연마공정후의 웨이퍼에의 샤워 및 웨이퍼액중보관의 영향이 큰 것을 알 수 있었다.
이것은 연마직후의 웨이퍼의 표면은 활성적인 면이고, 분위기, 보관용수등의 영향이 웨이퍼 품질의 저하에 관계될 가능성이 크고, 또한 웨이퍼 제조의 최종공정이기 때문에 그 후의 웨이퍼 표면 개선이 곤란하기 때문이다.
한편, 연마 슬러리의 고착등을 방지하기 위해서는 실리콘 웨이퍼에 샤워 및 액중보관을 행하는 것이 필수불가결하다.
따라서 연마직후의 보관 및 샤워에는 충분히 주위를 기울릴 필요가 있다.
이를 위하여, 종래부터 실리콘 웨이퍼의 각 제조공정은 크린도(청정도), 기압, 온도등의 환경이 엄중히 제어, 관리된 크린룸내에서 행해지고 있다.
크린룸내에서는 실온은 20∼25℃로 유지되고, 그 속에서 사용되는 보관용수 및 샤워 수도 20∼25℃의 온도로 제어, 관리되고 있다.
그러나, 이와 같은 관리하에서도 웨이퍼의 품질저하가 일어나는 경우가 있었다.
이 웨이퍼 품질의 저하의 원인은 명확하지 않지만, 보관용수 또는 사워 수에의한 웨이퍼 표면의 약간의 면거칠음 및 금속오염, 기타 웨이퍼 표면에 대한 작용에 의한 것으로 고려된다.
따라서, 이 보관에 사용하는 약액(藥液)(보관용수) 및 샤워 수에는 에칭 효과가 거의 없는 것이 요구된다.
세정에 사용되는 약액등은 통상 웨이퍼 표면을 약간 에칭하는 작용이 있고, 시간과 함께 웨이퍼의 표면상태가 변화한다.
보관용수로 웨이퍼를 보관하는 경우, 보관시간이 공정의 상황에 따라 여러가지이기 때문에, 불균일을 방지하고 동일한 표면상태의 웨이퍼를 유지하는데는 시간에 의한 영향이 있어서는 안된다.
이를 위하여, 연마후의 웨이퍼를 보관하는 방법으로서, 웨이퍼 표면의 오염을 방지하기 위하여 과산화수소중에 침적하는 방법(특개평 7- 263403) 및 표면거칠기의 악화를 방지하기 위하여 오존을 함유하는 순수중에 보관하는 방법(특개평 8-83783), 내압불량을 방지하기 위하여 보관용수중의 금속(Cu)농도를 관리하는 방법(특개평 11-191543), 금속오염에 의한 내압불량을 방지하기 위하여 킬레이트 제를 첨가하는 방법(특개평 11-243073), 파티클을 제거하기 위하여 전해 캐소드 수(水) 또는 전해 아노드 수(水)를 보관용수로서 사용하는 방법(특개 2000-49127, 특개 2000-49128), 기타, 계면활성제 및 구연산등을 첨가하는 방법도 개발되어 있다.
이와 같은 보관용수를 사용하는 것으로, 금속오염을 방지하고 표면 거칠기의 악화를 방지할 수 있고, 산화막 내압 및 헤이즈등의 웨이퍼 품질의 열화는 어느 정도 방지할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 보관용수를 사용하고, 샤워 수의 청정도 및 크린 룸내의 환경에 주의를 기울이더라도 하기 SC1 평가법에 의하여 평가를 행하면 다시 웨이퍼 품질에 차이가 발생하는 경우가 있었다.
SC1 평가법은 예를 들면, 암모니아 수, 과산화수소수, 물로 이루어지는 약액을 사용하고, 웨이퍼의 표면을 반복하여(또는 장시간)에칭하고, 웨이퍼 표면의 결함을 현재(顯在)화하고, 그 후 LPD(Light Point Defect)의 수 또는 증가의 상태를 확인하는 것으로 웨이퍼 품질을 평가하는 방법이다(SC1-RT 또는 SC1장시간 에칭평가법등이라고 칭함, 이하, 단순히 "SC1평가법"이라 칭함)
이 방법에 의하여 평가된 웨이퍼 품질은 웨이퍼에 있어서 결함, 주로 실리콘의 잉고트 성장중에 발생하는 결정결함인 COP(Crystal Originated Particles) 및 가공시에 형성된 가공손상 및 금속등의 외부오염원에 의한 결함이 검출되는 것이 알려져 있다.
그러나, 이것이외에도 웨이퍼 품질에 영향을 주는 결함등을 고감도로 검출하고 있다고 생각된다.
보관용수 또는 샤워 수에 의한 웨이퍼 품질의 저하의 구체적인 원인은 불명확하지만, 상기한 SC1 평가법등에서 양품과 불량품의 상이를 확인할 수 있었다.
본 발명은 실리콘 웨이퍼(단순히, "웨이퍼"라고도 칭함)를 보관하기 위한 보관용수(保管用水) 및 보관방법, 실리콘 웨이퍼 샤워 수(水) 및 샤워방법, 및 실리콘 경면 웨이퍼의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼의 제조공정중에서 행해지는 연마직후의 표면상태가 활성적인 실리콘 웨이퍼등을 수중에서 보관하기 위한 보관용수 및 보관방법등에 관한 것이다.
본 발명은 상기한 문제점을 감안한 것으로서, 웨이퍼 품질저하를 방지하고, 특히 SC1 평가법에서 문제가 없을 정도의 품질로 하고, 또한 관리가 용이한 실리콘 웨이퍼의 보관방법, 및 샤워 방법, 및 실리콘 경면 웨이퍼의 제조방법을 제공하는것을 목적으로 한다.
본 발명은 상기한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 실리콘 웨이퍼의 보관용수는 실리콘 웨이퍼를 액중에서 보관하기 위하여 사용하는 보관용수에 있어서, 보관용수의 액온이 0∼18℃인것을 특징으로 한다.
이와 같이 보관용수의 온도를, 종래 크린룸내에서 사용되고 있던 보관용수의 온도인 20∼25℃에 비하여 저온으로 함으로써 SC1평가법으로 나타날 수 있는 웨이퍼의 품질저하를 방지할 수 있다.
상기 보관용수는 순수인것이 바람직하다.
불순물이 적은 순수로 보관하므로써 웨이퍼 품질을 안정하게 유지할 수 있다.
또한, 금속오염 및 웨이퍼 표면거칠음을 방지하기 위하여 킬레이트 효과를 갖는 물질 및 산화제, 계면활성제등이 첨가되어 있는 보관용수도 좋다.
이와 같은 보관용수를 사용하면, 예를 들어 보관용수중에 금속오염이 있었던경우라도 SC1 평가법에서 나타날 수 있는 웨이퍼 품질의 저하를 방지할 수 있음과 동시에 또한, 웨이퍼에 잔류한 연마제에 의한 에칭등도 방지할 수 있고, 산화막 내압 및 헤이즈등의 웨이퍼 품질도 저하시킴이 없이, 보다 안정하게 유지할 수 있다.
이와 같이 웨이퍼를 보관하는 보관용수의 온도를 통상 사용하고 있는 보관용수의 온도보다 저온으로 하여 관리하므로써 SC1 평가법에서 나타날 수 있는 웨이퍼 품질의 저하를 방지할 수 있다.
이와 같은 보관방법은, 특히 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘이 노출된 상태의실리콘 웨이퍼를 보관하는 경우에 적합하다.
예를 들면, 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘이 노출된 상태의 실리콘 웨이퍼란 연마공정에서 연마된 직후의 웨이퍼로서, 실리콘 웨이퍼 표면에 절연막 및 그 밖의 막이 형성되어 있지 않은(실리콘이 노출된 상태의 )실리콘 표면이 있는 웨이퍼이다.
연마직후의 웨이퍼의 표면은 매우 활성적이고 표면거칠음을 일으키거나 금속등을 쉽게 흡착하는 분위기의 영향을 받기 쉽다.
또한, 디바이스 제조공정에서 여분인 금속을 화학기계연마로 연마한 후에, 웨이퍼를 보관하기 위하여, 연마제에 함유되는 산화제가 금속배선을 부식시키는 화학반응의 속도를 저하시키는 온도의 순수를 사용하여 웨이퍼를 보관하는 기술(특개 2000-277470)도 개발되어 있다.
본 발명으로 보관되는 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼이고, 그 표면에는 금속배선등이 형성되어 있지 않은 상태의 표면이 있고, 화학적 작용이 완전히 다르다고 생각된다.
또한, 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 샤워 수(shower water)에 있어서, 액온이 0∼18℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 샤워 수이다.
이와 같이, 액온을 종래 크린룸내에서 시용되고 있던 20∼25℃의 샤워 수보다도 냉각된, 온도가 0∼18℃인 샤워 수로 하는 것에 의하여, 웨이퍼 표면 결함의 발생을 억제하는 것이 가능하게 된다.
이 경우, 상기 샤워 수는 순수로 이루어지는 것이 바람직하다.
냉각된 불순물이 적은 순수를 샤워 수로 함으로써 샤워 수에 의하여 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지함과 함께 SC1 평가법에 의해 관찰되는 결함의 저감을 도모할 수 있다.
그리고, 본 발명은 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 방법에 있어서, 샤워 수로서 본 발명의 샤워 수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 것을 특징으 하는 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 방법이다.
이와 같이 본 발명의 샤워수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하므로써, SC1 평가법에서 나타날 수 있는 웨이퍼 품질의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
이와 같은 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 방법은, 특히 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘이 노출된 상태의 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 경우에 적합하다.
예를 들면, 연마공정에서 연마한 직후의 웨이퍼로서, 실리콘 웨이퍼 표면에 절연막 및 그 밖의 막이 형성되어 있지 않은 노출된 실리콘 표면이 있는 웨이퍼이다.
연마직후의 웨이퍼의 표면은 매우 활성적이고 표면거칠음을 일으키든지 금속등을 쉽게 흡착하는 분위기의 영향을 받기 쉽다.
또한, 본 발명은 실리콘 웨이퍼의 보관방법에 있어서, 액온이 0∼18℃인 샤워 수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하고, 다음에 액온이 0∼18℃인 보관용수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 액중보관하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관방법이다.
이와 같이, 종래보다 저온인 액온 0∼18℃의 샤워 수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 것에 의하여 결함의 발생을 억제하면서 고정용 왁스등을 제거할 수 있다.
또한, 다음에 종래보다 저온인 액온 0∼18℃의 보관용수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 액중보관하는 것에 의하여 결함의 발생을 억제하면서 실리콘 웨이퍼를 액중보관하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 발명은 실리콘 경면 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 적어도 실리콘 웨이퍼를 연마하여 연마면을 경면화하는 공정, 이 경면화된 실리콘 웨이퍼를 액온이 0∼18℃로 유지된 보관용수에 보관하는 공정, 이 보관된 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 경면 웨이퍼의 제조방법이다.
이와 같이 연마공정종료후부터 세정공정까지의 사이를, 종래의 크린룸에서 관리, 제어되었던 20∼25℃의 보관용수보다 저온인 0∼18℃로 유지한 보관용수에 보관하는 것에 의하여, SC1 평가법에서 나타날 수 있는 웨이퍼 품질의 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.
이 경우, 상기 실리콘 웨이퍼를 연마하여 연마면을 경면화하는 공정 후, 이 경면화된 실리콘 웨이퍼를 액온이 0∼18℃로 유지된 샤워 수에 의해 샤워하는 공정을 행하고, 그 후에 상기 경면화된 실리콘 웨이퍼를 액온이 0∼18℃로 유지된 보관용수에 보관하는 공정을 행하는 것이 바람직하다.
이와 같이 연마공정종료후에, 종래 사용되고 있던 샤워 수보다 저온인 액온을 0∼18℃로 유지한 샤워 수에 의하여 샤워하는 것에 의하여 SC1 평가법에 의하여 검출될 수 있는 결함의 발생을 방지하면서 고정용 왁스 및 연마 슬러리를 효과적으로 제거할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 웨이퍼 표면품질을 악화시킴이 없이 보관 또는 샤워하여 실리콘 경면웨이퍼를 제조할 수 있다.
특히 산화막 내압 및 헤이즈의 평가에서는 검출할 수 없는 정도의 미약한 웨이퍼 품질(SC1 평가법으로 발견되는 정도의 매우 미약한 웨이퍼 품질)을 양호한 상태로 안정하게 유지할 수 있다.
또한, 보관용수, 샤워 수의 관리도 용이하다.
이하, 본 발명의 실시태양을 설명한다.
본 발명에서 사용되고 있는 보관 용수 및 샤워 수는 주로 순수(초순수)로 이루어지는 보관용수, 샤워 수이고, 그 액온이 종래 크린룸내에서 사용되고 있던 20∼25℃의 보관용수 및 샤워 수 보다도 저온인 0∼18℃인 것을 특징으로 한다.
웨이퍼 품질을 안정시키는데는 보관용수 및 샤워수의 온도는 가능한 한 저온으로 하는 것이 바람직하다.
그리고 초순수가 얼지않는 온도이고 열교환기(냉각기)의 능력등을 고려하여 0℃이상, 바람직하게는 10℃이상으로 하는 것이 바람직하다.
상한은 웨이퍼 품질이 안정한 범위를 고려하여 18℃, 더욱 바람직하게는 16℃이하의 저온으로 한다.
이 온도 이상 고온으로 하면 순수라도 장시간의 보관 및 샤워로 품질의 저하를 초래할 가능성이 크게 된다.
더욱이 보관용수 및 샤워 수에는 순수이외에 금속 오염 및 면거칠음등을 방지하기 위하여 종래부터 사용되고 있는 여러가지 첨가제가 첨가되어도 좋다.
예를 들면, 보관용수에 산화제가 첨가되어도 좋다.
산화제는 특히 한정되는 것은 아니지만, 표면을 친수성으로 하여 파티클의 부착등을 방지하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 종래부터 사용되고 있는 과산화수소수 및 오존수등을 사용하면 좋다.
또한, 과산화수소수이면, 0.01∼30중량%의 농도, 오존수이면, 0.5ppm이상의 오존농도로 하면 표면조도(헤이즈)등의 악화도 효율적으로 방지할 수 있다.
또한, 보관용수에 킬레이트 효과를 갖는 물질이 첨가되어도 좋다.
킬레이트 효과를 갖는 물질은 특별히 한정되지 않지만, 웨이퍼 표면에의 금속오염을 방지할 수 있는 것이 바람직하다.
예를 들면, NTA(니트로 삼초산), EDTA(에칠렌디아민사초산)등의 킬레이트 생성능이 매우 높은 킬레이트 제 및 구연산등의 산성측에서 킬레이트 효과가 있는 물질이 바람직하다.
보관용수에 어느 정도의 금속오염이 발생하는가에도 의존하지만, EDTA등의 킬레이트 생성능이 높은 킬레이트 제는 0.05mol/리터이상, 구연산이면, 0.0001∼0.1중량%정도 첨가를 하면 금속오염, 특히 산화막내압을 저하시킬 수 있는 웨이퍼 품질의 악화를 방지할 수 있다.
또한, 보관용수에 계면활성제가 첨가되어도 좋다.
상온의 순수에서는 수중에 장시간 보관한 경우 면거칠음이 일어나는 경우가있었다.
이것을 방지하기 위하여 계면활성제를 첨가하는 것이 효과적이다.
액온이 0∼18℃인 저온의 순수에서는 면거칠음이 거의 발생하지 않지만, 계면활성제의 첨가로 보다 효과적으로 면거칠음을 억제할 수 있다.
계면활성제는 웨이퍼 표면을 보호하는 것이라면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 폴리 옥시알킬렌알킬에테르등의 비이온 계면활성제가 바람직하다.
이 계면활성제의 농도를 0.01∼0.1용량% 정도(정확하게는 임계 미셀농도이상)첨가하면 효과적으로 면거칠음(헤이즈의 악화)의 방지 및 파티클 부착을 방지할 수 있다.
또한, NTA 등의 킬레이트 제는 순수에 대한 용해도가 작기 때문에 암모니아 수등으로 용해하는 경우가 있고 알칼리성의 보관용수로 되기 때문에 면거칠음이 발생하기 쉽다.
이 때문에 계면활성제등의 표면거칠음을 방지하는 첨가제를 조합하여 첨가하여도 좋다.
또한, 보관용수는 중성에서 산성에 걸쳐서의 보관이 바람직하다.
구연산을 첨가한 경우, 산성이고, 더욱이 킬레이트 효과도 있기 때문에, 표면 거칠음 및 산화막 내압등의 악화를 방지할 수 있다.
또한, 구연산과 계면활성제를 조합시키는 것등도 가능하다.
이와 같이 종래사용되고 있던 보관용수 및 샤워 수라도, 액온을 0∼18℃로 관리하여 보관하는 것으로 보다 안정한 품질로 웨이퍼를 보관할 수 있다.
본 발명의 보관용수 및 샤워 수에 사용하는 순수는 통상의 초순수제조장치에 의해 제조하면 좋다.
또한, 냉각방법도 특별히 한정되는 것은 아니지만, 이 초순수제조장치에 칠러(chiller) 수[얼음혼합수(氷混合水)] 및 냉매와 열교환하는 등의 냉각방식을 사용하여도 좋고, 또한 보관용수의 보관용기(보관조) 및 샤워 수의 유출경로에 냉각수단을 설치하여 온도를 관리하여도 좋다.
보관용기에는 보관용수를 공급하는 공급수단(공급관등)과 배출하기 위한 배수수단(배수관등)이 설치되어 있다.
또한, 보관용수는 연속적으로 공급(오버플로우 방식)하여도 또는 정기적으로 교환(배치 방식)하여도 좋다.
이와 같은 보관용기를 연마공정후, 세정공정전에 배치한다.
연마공정에서는 여러형식의 연마장치가 사용되고 있고, 본 발명에서는 특히 이것을 한정하는 것은 아니다.
보관용기의 설치위치의 일례로서, 예를 들면 웨이퍼를 왁스로 유지 플레이트에 접착유지하는 왁스 마운트 방식에 의한 연마장치에서는 유지 플레이트로부터 웨이퍼를 박리한 후에 보관용기를 설치한다.
복수의 웨이퍼를 웨이퍼수납카세트에 넣고, 이것을 보관용수에 침적한다.
또한, 상기와 같은 왁스 마운트 방식에 의한 연마장치에서 유지 플레이트로부터 웨이퍼를 박리할 때에, 본 발명의 샤워 수를 사용하여 웨이퍼를 샤워하는 것에 의해, 연마제를 제거함과 동시에 SC1 평가법에 의해 검출할 수 있는 결함의 발생을 효과적으로 방지할 수 있다.
물론, 본 발명의 샤워 수를 사용하여 웨이퍼를 샤워한 후에 액온이 0∼18℃인 보관용수중에 웨이퍼를 보관하더라도 결함의 발생은 효과적으로 방지할 수 있다.
또는, 상기와 같은 왁스 마운트에 의한 연마를 행하는 경우에 한정되지 않고, 다른 방법에 의한 연마의 경우라도, 액온이 0∼18℃인 샤워 수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하고, 다음에, 액온이 0∼18℃인 보관용수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 액중보관하는 것에 의하여 결함의 발생을 방지할 수 있다.
웨이퍼를 액중보관하지 않고, 샤워후에 세정하여도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
다만, 이들 실시예는 예시적으로 나타낸 것이고 한정적으로 해석되는 것은 아니다.
실험조건:
시료 웨이퍼로서 P형, 결정방위< 100 >, 직경 200mm(8인치)의 실리콘 웨이퍼를 준비하였다.
이 시료웨이퍼는 COP 등의 결함이 극히 적게 되도록 하는 방법으로 인상된 잉고트를 일반적으로 행해지는 일련의 웨이퍼 가공공정을 통하여 경면연마까지 실시한 것이다.
최종적인 연마공정에서는 왁스로서 시료웨이퍼를 유지 플레이트에 접착하고, 발포우레탄수지제 연마 패드, 계면활성제가 첨가되어 있는 콜로이달 실리카 연마제 (pH=10.5)를 사용하고, 연마하중(250g/cm2), 연마시간(10분)의 연마조건으로, 시료 웨이퍼의 일주면의 연마를 행하였다.
이상과 같은 연마를 행한 후, 시료 웨이퍼를 유지 플레이트로부터 박리하고, 다음공정인 세정공정에 보내기 전에, 보관용수중에 보관하였다.
(실시예 1)
보관용기로서, 320×600×280(mm3)의 석영 글라스 제의 수조를 사용하였다.
용기저부의 순수공급관에서 순수를 공급하고, 용기상부에서 배출한다.
보관용수로서 순수를 사용하고, 액온을 16℃로 관리하여 웨이퍼를 보관하였다.
순수는 칠러 수(水)에 의한 냉각방식에 의하여 온도관리하고, 상기 보관용기에 5 리터/ 분의 유량(오버플로우 방식)으로 공급하였다.
(비교예 1)
보관용수로서 순수를 사용하고, 액온을 상온인 25℃로 관리하여 웨이퍼를 보관하였다.
실시예 1과 동일하게 보관용기에 5 리터/ 분으로 오버플로우를 행하면서 보관하였다.
상기 시료 웨이퍼의 보관용수중에서의 보관시간을 1, 2, 4, 8, 12시간으로하고, 보관후에 시료 웨이퍼의 세정을 행하였다.
세정은 일반적인 세정방법으로 28중량% 암모니아수, 30중량% 과산화수소수, 순수의 비가 1:1:10의 세정용의 SC1액(액온 80℃)을 사용하여 5분간 세정하고, 또한 36중량% 염산, 30중량% 과산화수소수, 순수의 비가 1:1:20의 SC2액(액온 80℃)을 사용하여 5분간 세정하였다.
그 후의 웨이퍼 품질로서 헤이즈 및 산화막 내압(GOI)을 확인하였다.
헤이즈는 웨이퍼의 표면 거칠음을 나타내고, 웨이퍼 품질이 좋고 나쁨을 판단할 수 있다.
GOI는 웨이퍼 품질(절연막의 신뢰성)을 평가함에 있어 가장 중요한 파라미터중의 하나이고, 웨이퍼 품질의 양부(良否)를 판단할 수 있다.
헤이즈의 평가에서는 LS-6030헤이즈 모드(히다찌 전자 엔지니어링사 제품)로 측정하였다.
그 평가치(bit)는 값이 클수록 면이 거칠다는 것을 나타낸다.
GOI 평가는 웨이퍼상에 절연막이 있는 게이트 산화막두께가 25nm인 MOS 캐패시터를 형성하여 평가를 행하였다.
산화막 내압평가는 상기 MOS 캐패시터에 단계적으로 전계를 인가하여 상기 MOS 캐패시터의 절연파괴전계강도를 측정하는 방법(전계파괴분포: TZDB; Time Zero Dielectric Breakdown)과, 일정한 전계를 인가하여 경과시간과 함께 상기 MOS 캐패시터가 파괴되는 율을 전계의 크기를 변경하여 판정하는 방법(경시파괴분포: TDDB 법; Time Dependent Dielectric Breakdown)으로 행하였다.
TZDB법의 측정결과에서는 초기 단락에 의해 절연파괴를 일으키는 A 모드, 전계강도가 1MV/cm이상 8MV/cm이하의 범위에서 절연파괴를 일으키는 B 모드, 파괴됨이 없이 소정의 전계에 도달한 (절연파괴가 8MV/cm 이상임) C 모드(양품)로 표현된다.
본 실시예 및 비교예에서는 판정전류치를 1mA/cm2, 게이트 면적 8mm2으로 행하였다.
TDDB 법의 측정결과도 동일하게 초기에 절연불량을 일으키는 α모드 (불량품), 흐르는 토탈 전하량이 5C/cm2보다 작은범위에서 절연파괴를 발생시키는 β모드(준양품), 절연파괴를 일으키지 않는 (5C/cm2이상에서 절연파괴함) γ모드(양품)로 표현된다.
본 실시예 및 비교예의 보관용수에 보관한 웨이퍼의 평가는 스트레스 전류치 1mA/cm2, 측정온도 100℃, 게이트 면적 4mm2으로 행하였다.
TZDB 및 TDDB모두에 웨이퍼 1매당 100칩의 MOS 캐패시터를 형성하여 각 모드의 수율을 평가하였다.
헤이즈의 평가결과를 하기 표 1에 나타내었다.
평가결과의 값이 작을수록 면거칠기가 작은(양호한)것을 나타내고, 평가결과의 값이 클수록 면거칠기가 큰(나쁜)것을 나타낸다.
이번의 예에서는 실시예 및 비교예 모두 거의 헤이즈의 악화는 발견되지 않았다.
또한, 상온의 순수만으로 웨이퍼를 보관한 경우, 헤이즈의 악화가 발견되는 경우가 있다.
이번에 사용된 시료 웨이퍼의 헤이즈는 40(bit) 정도이고, 또한 장시간의 보관을 행하더라도 순수에 의한 헤이즈의 악화는 발견되지 않았다.
이것은 연마제중에 함유된 계면활성제에 의하여 웨이퍼 표면이 보호된 상태에서 보관되었기 때문이다.
헤이즈 평가결과
보관시간 1시간 2시간 4시간 8시간 12시간
실시예 1 41 40 41 41 41
비교예 1 41 41 41 42 41
단위: bit(히다치 전자 엔지니어링 제품 LS6030에 의한 측정결과)
GOI 평가결과를 표 2에 나타내었다.
GOI 펼가결과에는 각 보관용수중에 보관한 웨이퍼의 TZDB의 C 모드의 비율(양품율) 및 TDDB의 α,β,γ모드의 비율을 나타낸다.
실시예 1에서는 장시간 동일한 상태를 유지하였지만, 비교예 1에서는 TZDB의 C모드(양품) 및 TDDB의 γ모드(양품)의 비율이 서서히 감소하고 있다.
또한, 상온의 순수만으로 웨이퍼를 보관한 경우, 산화막 내압의 악화가 발견되는 경우가 있다.
이번에 사용된 시료 웨이퍼는 그렇게 크게 품질저하는 발견되지 않았다.
이것은 외부로부터의 금속의 오염등이 거의 없는 고순도상태로 보관되어 있었기 때문으로 여겨진다.
GOI 평가결과(실시예 1)
보관시간 1시간 2시간 4시간 8시간 12시간
TZDB C 모드(%) 71.0 69.0 70.0 72.0 71.0
TDDB α모드(%) 16.0 17.0 16.0 19.0 18.0
β모드(%) 2.0 1.0 1.0 1.0 1.0
γ모드(%) 82.0 82.0 83.0 80.0 81.0
GOI 평가결과(비교예 1)
보관시간 1시간 2시간 4시간 8시간 12시간
TZDB C 모드(%) 71.0 70.0 69.0 67.0 68.0
TDDB α모드(%) 17.0 17.0 18.0 23.0 24.0
β모드(%) 2.0 1.0 1.0 3.0 6.0
γ모드(%) 81.0 82.0 81.0 74.0 70.0
또한, 웨이퍼 품질로서 SC1평가법에 의한 평가를 행하였다.
이것은 상기와 같이 헤이즈 및 산화막내압의 평가는 웨이퍼 품질의 차이가 그렇게 현저하게는 보이지 않은 경우가 있었기 때문이다.
SC1평가법에 의하여 산화막내압의 평가 및 헤이즈의 평가는 명확히 되지 않았던 웨이퍼 품질의 차이를 관찰하기 위함이다.
구체적으로는 SC1 평가법에서 사용하는 처리용기를 염산등의 산세액에 의해 세정하고, 다음에, 28중량% 암모니아수와 30중량%의 과산화수소수와 순수를 용량비로 10:2;100으로 조합한 평가용의 SC1액(처리액)을 준비하고, 처리용액내에 넣었다.
이와 같은 처리액을 80℃로 유지하고, 먼저 연마한 시료 웨이퍼를 약액중에 침적하고, 에칭을 40분간 행하였다.
그후, 순수에서 린스하고, IPA에 의하여 건조후, 파티클 카운터 LS-6500(히다찌 전자엔지니어링 제품)으로 웨이퍼상의 0.12㎛이상의 LPD수를 카운터 하였다.
또한, 이하의 LPD수는 복수매의 웨이퍼를 평가한 평균치로 나타내었다.
그 결과를 하기 표 3에 나타내었다.
실시예 1의 보관용수에서는 LPD수가 약 90개이고, 또한 보관시간을 변화시켜도 LPD수는 그렇게 변화하지 않고 한정한 레벨이었다.
한편, 비교예 1에서는 보관초기에는 LPD 수가 95개이지만, 보관시간이 길어짐에 따라 증가하고, 12시간의 시점에서 185개로 약 2배 증가하고 있다.
이것은 웨이퍼 품질이 악화되고 있다는 것을 의미한다.
또한, GOI 평가와 SC1평가법은 파괴검사이기 때문에, 실시예 1 및 비교예 1에서는 각 평가항목에 필요한 복수의 웨이퍼를 보관조건마다 처리하였다.
후술하는 다른 실시예, 비교예에 있어서도 복수항목의 평가를 행한 예는 동일한 조건에서 복수의 웨이퍼를 처리하였다.
SC1 평가법에 의한 평가결과(LPD 수)
보관시간 1시간 2시간 4시간 8시간 12시간
실시예 1 80 102 95 85 89
비교예 1 95 112 108 135 185
단위: 개/8인치 웨이퍼
또한, 이번에 사용한 시료 웨이퍼를 보관용수에 침적하지 않고, 연마 후, 직접 세정을 행하고, 이번의 평가조건에서 평가하면 검출되는 LPD 수는 거의 80-100개의 범위이고, 120개를 초과하는 경우는 없었다.
결국 보관용수에 의하여 웨이퍼 품질의 저하가 일어나지 않는다고 하면, 보관용수에 침적한 후에 그 레벨을 유지하고 있을 것이다.
이것 이상의 LPD수가 관찰된 경우, 웨이퍼 품질이 저하하고 있는 것을 나타내고,비교예 1의 결과는 복합용수의 온도가 높았던 것에 의한 영향이라는 것을 알 수 있다.
(실시예 2-4, 비교예 2-4)
다음에 실시예 1의 조건으로, 보관용수의 온도가 10℃(실시예 2), 13℃(실시예 3), 18℃(실시예 4), 20℃(비교예 2), 30℃(비교예 3), 40℃(비교예 4)로 조정하고, SC1평가법에 의한 평가를 행하였다.
보관시간은 12시간이었다.
그 결과, 실시예 2에서는 LPD수가 85개이고, 실시예 3에서는 82개이고, 실시예 4에서는 88개이었다.
동조건에서 보관한 웨이퍼사이의 불균일도 거의 없었다.
한편, 비교예 2에서는 119개이고, 비교예 3에서는 212개, 비교예 4에서는 245개로 되었다.
이 결과에 의하여 명확히 보관용수가 고온으로 됨에 따라, 웨이퍼의 품질이 저하하고 있다는 것을 알 수 있다.
또한, 복수매 평가한 웨이퍼중에서도 20℃근방보다 LPD 수가 증가하는 웨이퍼와 그렇지 않은 웨이퍼가 존재하고, 고온으로 됨에 따라, 웨이퍼사이의 불균일도 크게 되었다.
이와 같이 20℃정도를 경계로 LPD 수의 증가가 많게 되는 것이므로 웨이퍼 품질을 안정하게 유지하는데는 적어도 18℃이하로 하고, 바람직하게는 16℃이하로 관리하는 것이 필요하다.
(실시예 5)
보관용수에 산화제를 첨가하였다.
산화제로서 과산화수소수를 사용하였다.
과산화수소농도가 1.0중량%가 되도록 한 순수를 보관용수로하여 사용하였다.
이 보관용수를 16℃의 저온으로 관리하고, 2리터/분의 오버 플로우 방식으로 공급한 상태에서 상기와 동일한 시료 웨이퍼를 침적하고, 12시간보관하였다.
이 결과, SC1평가법에 의한 평가로 LPD수는 88개이고, 통상 레벨을 유지하고 있었다.
(비교예5)
보관용수의 온도를 상온(25℃)로 한 것 이외에는 실시예 5와 동일한 조건으로 시료 웨이퍼를 보관하였다.
SC1 평가법에 의한 평가결과로 LPD수는 153개이고, 비교예 1의 순수만으로 보관할 때보다는 양호하지만, 실시예 5에 비하면 웨이퍼 품질이 저하하고 있는 것을 관찰할 수 있다.
또한, 실시예 5의 헤이즈를 평가한 바, 40∼41(bit)로 양호한 레벨을 유지하고 있었다.
(실시예 6)
보관용수에 킬레이트 효과를 갖는 물질을 첨가하였다.
킬레이트 효과를 갖는 물질로서 구연산을 0.005중량%가 되도록 순수중에 첨가한 보관용수를 사용하였다(이 때의 pH=4.1).
이 보관용수를 16℃의 저온으로 관리하고, 모아 둔 물 상태(베치 방식)로 하여 시료 웨이퍼를 침적하고, 12시간보관하였다.
그 결과, SC1평가법에 의한 평가로 LPD수는 83개 이었다.
(비교예 6)
보관용수의 온도를 상온(25℃)로 한 것 이외에는 실시예 6과 동일한 조건으로 시료 웨이퍼를 보관하였다.
SC1 평가법에 의한 평가결과로 LPD수는 149개이고, 실시예 6에 비하면 웨이퍼 품질이 저하하고 있는 것을 관찰할 수 있다.
또한, 실시예 6의 헤이즈를 평가한 바, 40∼41(bit)이었다.
또한, 산화막 내압의 TDDB의 γ모드도 80%를 유지하고 있었다.
(실시예 7)
보관용수에 계면활성제를 첨가하였다.
순수에 계면활성제로서 와코준야쿠사 계면활성제 NCW601A를 0.01중량%가 되도록 한 보관용수를 사용하였다.
이 보관용수를 16℃의 저온으로 관리하고, 모아 둔 물 상태(베치 방식)로 하여 시료 웨이퍼를 침적하고, 12시간보관하였다.
그 결과, SC1평가법에 의한 평가로 LPD수는 89개로 양호하였다.
(비교예 7)
보관용수의 온도를 상온(25℃)으로 한 것 이외에는 실시예 7과 동일한 조건으로 시료 웨이퍼를 보관하였다.
SC1 평가법에 의한 평가결과로서 LPD수는 146개이고, 실시예 7에 비하면 웨이퍼 품질이 저하하고 있는 것을 관찰할 수 있다.
또한, 실시예 7의 헤이즈를 평가한 바, 40∼41(bit)로 양호한 레벨을 유지하고 있었다.
또한, 파티클 레벨도 양호하였다.
이상과 같이, 순수만이 아니고 산화제등을 첨가한 보관용수에 대해서도, 보관용수의 액온을 18℃이하로 하므로써 안정한 웨이퍼 보관을 실시할 수 있다.
이번 실시예 1 및 비교예 1과 같이 오염이 거의 없는 공정에서는 상기와 같은 첨가제는 반드시 필요하지 않지만, 헤이즈 및 산화막 내압의 저하를 효과적으로 방지하는데는 상기와 같은 첨가제를 첨가하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 보관용수의 온도를 저온으로 하므로써 웨이퍼 품질을 안정하게 유지할 수 있다.
또한, 온도의 제어는 비교적 용이하기 때문에 보관용수의 관리도 간편하다.
(실시예 8)
시료 웨이퍼로서 실시예 1과 동일한 실리콘 웨이퍼를 준비하였다.
단, 이 실시예 8에 있어서는 최종적인 연마공정에서 왁스로 시료 웨이퍼를 유지 플레이트에 접착하고나서 시료 웨이퍼의 일주면의 연마를 행한 후, 액온 16℃의 샤워 수에 의해 실리콘 웨이퍼를 샤워하면서 시료 웨이퍼를 유지 플레이트로부터 분리하였다.
이 웨이퍼를 SC1 평가법에 의해 LPD수를 평가하였다.
그 결과, 웨이퍼 면내에 77개의 LPD가 검출되고, 양호한 결과이었다.
(비교예 8)
실시예 8과 동일하게 연마직후의 실리콘 웨이퍼의 LPD를 SC1평가법으로 평가하였다.
단, 이 비교예 8에서는 최종적인 연마공정에서 왁스로 시료 웨이퍼를 유지 플레이트에 접착하고나서 시료 웨이퍼의 일주면의 연마를 행한 후, 액온 25℃의 샤워 수에 의해 실리콘 웨이퍼를 샤워하면서, 시료 웨이퍼를 유지 플레이트로부터 분리하였다.
이 웨이퍼를 SC1 평가법에 의해 LPD수를 평가하였다.
평가결과는 웨이퍼 면내에 89개의 LPD가 검출되고, 실시예 8에 비하면 웨이퍼 품질이 저하되어 있는 것을 관찰할 수 있었다.
이와 같이 샤워수의 액온을 18℃이하로 저온으로 하므로써 웨이퍼 품질의 열화를 방지할 수 있다.
이것은 연마직후의 가장 웨이퍼면이 활성적일 때에 냉각된 샤워수를 사용하므로써, 그 후 보관된 웨이퍼 결함의 초기치를 저감할 수 있다는 것을 시사하는 것이다.
그리고, 샤워 수 온도의 제어는 비교적 용이하기 때문에, 샤워 수의 액온의 관리도 간편하다.
(실시예 9)
실시예 8과 동일한 연마직후에 액온 16℃의 샤워 수를 사용하여 샤워된 시료 웨이퍼를 실시예 1과 동일하게 보관용수로서 순수를 사용하고, 액온을 16℃로 관리하고웨이퍼를 수중에 보관하였다.
보관용수중에서의 보관시간을 1, 2, 4, 8, 12시간으로 변화시키고, 각각의 보관시간동안 액중보관된 후에 시료 웨이퍼의 세정을 실시예 1과 동일하게 행하였다.
그리고, 각각의 보관시간동안 액중보관된 웨이퍼에 대하여 SC1 평가법에 의해 웨이퍼면내의 LPD수를 평가하였다.
평가결과를 실시예 8의 연마직후의 LPD수와 함께 표 4에 나타내었다.
표 4에서, 실시예 9의 방법에 의해 보관된 웨이퍼는 연마직후부터 LPD수가 적고, 액중보관시간이 장시간에 달하더라도 웨이퍼 품질의 열화가 적은 것을 알 수 있다.
즉, 경면연마후 경면화된 실리콘 웨이퍼를 액온을 0∼18℃로 유지한 샤워 수에 의하여 샤워하고, 액온을 0∼18℃로 유지한 보관용수에 보관한 후에, 세정공정으로 보냄으로써, 웨이퍼 품질을 고 레벨로 유지하고, 열화를 억제할 수 있다는 것을 알 수 있다.
SC1 평가법에 의한 평가결과(LPD 수)
보관시간 0시간 1시간 2시간 4시간 8시간 12시간
실시예 9 77 78 82 78 82 80
비교예 9 89 107 124 120 147 202
단위: 개/8인치 웨이퍼
(비교예 9)
비교예 8과 동일한 연마 직후에 액온 25℃의 샤워 수를 사용하여 샤워된 시료 웨이퍼를 비교예 1과 동일하게 보관용수로서 순수를 사용하고, 액온을 25℃로 관리하여 웨이퍼를 보관하였다.
보관용수중에서의 보관시간을 1, 2, 4, 8, 12시간으로 변화시키고, 각각의 보관시간동안 액중보관된 후에 시료 웨이퍼의 세정을 실시예 1과 동일하게 행하였다.
그리고, 각각의 보관시간동안 액중보관된 웨이퍼에 대하여 SC1 평가법에 의해 웨이퍼면내의 LPD수를 평가하였다.
평가결과를 비교예 8의 연마직후의 LPD수와 함께 표 4에 나타내었다.
표 4에서, 비교예 9의 방법에 의해 보관된 웨이퍼는 연마직후부터 LPD수가 많고, 액중보관시간이 장시간이 되면 될수록 웨이퍼 품질의 열화가 크게 되는 것을 알 수 있다.
즉, 경면연마후, 경면화된 실리콘 웨이퍼를 종래와 같이 25℃ 정도의 액온을 갖는 샤워 수로 샤워하고, 25℃ 정도의 액온을 갖는 보관용수로 보관하고 나서 세정공정으로 보낸 경우는 웨이퍼 품질의 열화가 현저하다는 것을 알 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예의 보관시간은 최장 12시간에서 실시하였지만, 보관용수에 보관되는 시간은 공정의 상황에 따라 다양하다.
본 보관용수 및 보관방법에서는 보관시간에 관계 없이 안정한 보관을 실시할 수 있다.
또한, 본 발명의 보관용수, 샤워 수 및 보관방법, 샤워 방법은 표면에 노출된 실리콘이 나타나 있는 웨이퍼의 보관인 경우에는 연마직후의 보관 및 샤워이외에도 에칭공정 및 평면연삭공정, HF처리후의 웨이퍼, 또한 에피텍셜 성장후의 웨이퍼의 보관에도 동일하게 적용될 수 있다.

Claims (16)

  1. 실리콘 웨이퍼를 액중에서 보관할 때에 사용되는 보관용수(保管用水)에 있어서, 보관용수의 액온이 0∼18℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관용수
  2. 제1항에 있어서, 상기 보관용수가 순수(純水)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관용수
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 보관용수에 산화제가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관용수
  4. 제1항 내지 제3항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 보관용수에 킬레이트 효과를 갖는 물질이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관용수
  5. 제1항 내지 제4항중의 어느 한 항에 있어서, 상기 보관용수에 계면활성제가 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관용수
  6. 실리콘 웨이퍼를 액중에서 보관하는 방법에 있어서, 보관용수로서 제1항 내지 제5항중의 어느 한 항에 기재된 보관용수를 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관방법
  7. 제6항에 있어서, 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘이 노출된 상태의 실리콘 웨이퍼를 보관하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관방법
  8. 제7항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘이 노출된 상태의 실리콘 웨이퍼가 연마공정에서 연마한 직후의 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관방법
  9. 실리콘 웨이퍼의 샤워 수(水)에 있어서, 액온이 0∼18℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 샤워 수
  10. 제9항에 있어서, 상기 샤워 수는 순수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 샤워 수
  11. 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 방법에 있어서, 샤워 수로서 제9항 또는 제10항에 기재된 샤워 수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 샤워방법
  12. 제11항에 있어서, 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘이 노출된 상태의 실리콘 웨이퍼를 샤워하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 샤워방법
  13. 제12항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼 표면에 실리콘이 노출된 상태의 실리콘 웨이퍼가 연마공정에서 연마한 직후의 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 샤워방법
  14. 실리콘 웨이퍼의 보관방법에 있어서, 액온이 0∼18℃인 샤워 수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 샤워하고, 다음에 액온이 0∼18℃인 보관용수를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 액중보관하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 보관방법
  15. 실리콘 경면(鏡面) 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 적어도 실리콘 웨이퍼를 연마하여 연마면을 경면화하는 공정, 이 경면화된 실리콘 웨이퍼를 액온이 0∼18℃로 유지된 보관용수에 보관하는 공정, 이 보관된 실리콘 웨이퍼를 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 경면 웨이퍼의 제조방법
  16. 제15항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼를 연마하여 연마면을 경면화하는 공정후, 이 경면화된 실리콘 웨이퍼를 액온이 0∼18℃로 유지되는 샤워 수에 의하여 샤워하는 공정을 행하고, 그 후에 상기 경면화된 실리콘 웨이퍼를 보관하는 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 경면 웨이퍼의 제조방법
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