KR20030007378A - 비축 조사를 이용한 파면 센서 - Google Patents

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Abstract

망막을 조사하고, 이 망막에 의해 반사된 빛을 수광한 후 하트만-샤크 검출기(112) 또는 그와 유사한 검출기를 이용하여 수차를 검출함으로써, 안구 내부의 파면수차가 검출된다. 조사광(102)이 안구의 광축(A)에서 어긋나 안구에 가해진다. 각막에서 반사된 빛과 망막에서 반사된 빛이 서로 다른 방향으로 진행한다. 전자의 빛은 조리개(108)로 차단되는 반면, 후자의 빛은 검출기로 전달된다.

Description

비축 조사를 이용한 파면 센서 {Wavefront sensor with off-axis illumination}
본 발명은 안구의 파면수차(wavefront aberration)용 센서와 같은 파면 센서에 관한 것으로, 특히, 안구의 광축과 어긋난 광경로를 따라 망막에 조사함으로써 각막의 반사를 방지하는 센서에 관한 것이다. 나아가, 본 발명은 이와 같은 비축(off-axis) 조사를 이용하여 파면을 검출하는 방법에 관한 것이다.
안구내(intraocular) 수술과 콘택 렌즈 제조와 같은 목적으로 인체의 안구 내부의 파면수차를 검출하는 것은 당업계에 공지되어 있다. 이와 같은 검출에 대해서는, 예를 들어 리앙(Liang) 등이 1994년 7월에 미국광학회보(Journal of the Optical Society of America)(제11권 제7호 1-9쪽)에 발표한 "하트만-샤크 파면 센서를 사용한 파수차의 타각성 측정(Objective measurement of wave aberrations of the human eye with the use of a Hartmann-Shack wave-front sensor)"에 개시되어 있다. 레이저 다이오드 또는 기타 광원에서 발생된 광 빔은 동공을 향해 진행하여 망막에 입사된다. 망막은 높은 흡수성을 갖기 때문에, 원래의 빔보다 1만배 정도 어두운 빔이 망막에 의해 반사되어 동공에서 출사된다. 일반적으로, 입사광과 출사광은 공통된 광경로를 따르게 되며, 입사광은 빔 스플리터와 공통된 광경로에 놓이게 된다.
출사빔은 하트만-샤크(Hartmann-Shack) 검출기에 가해져 수차가 검출되게 된다. 이와 같은 검출기는 빛을 복수의 스폿 어레이로 분할하며, 이들 스폿을 전하결합(charge-coupled) 검출기 또는 기타 2차원 광 검출기에 집광시키는 소형 렌즈들의 어레이를 구비한다. 수차의 검출은 각각의 스폿의 위치를 파악하여 파면수차가 없는 경우에 이들 스폿이 차지했을 위치로부터의 변위를 결정하고, 이들 스폿의 변위에 의해 파면을 재구성함으로써 이루어질 수 있다.
리앙 등의 기술에 관한 개량기술은 제이 리앙(J. Liang) 및 디 알 윌리엄스(D. R. Williams)가 공동으로 1997년 11월에 미국광학회보(Journal of the Optical Society of America)(제4권 제 11호 2873-2883쪽)에 발표한 "정상적인 안구에 있어서 수차 및 망막 영상(Aberrations and retinal image quality of the normal human eye)" 및 윌리엄스 등에게 허여된 미국특허 제5,777,719호에 기재되어 있다. 윌리엄스 등의 특허에는 수차를 검출하고, 이와 같이 검출된 수차를 안구 수술과 인공수정체 및 콘택 렌즈의 제조에 이용하는 기술이 개시되어 있다. 나아가, 이들 참고문헌의 기술은 상기한 Liang 등의 1994년 발행된 논문과 달리 자동화에 중점을 두고 있다.
전술한 종래기술들은 안구의 광축을 따라 안구를 조사하는 과정을 포함한다. 그 결과, 망막에서 반사된 빛이 측정값을 교란시킬 수 있는 표류(stray) 반사광과 혼합된다. 더욱 상세히 설명하면, 표류 반사광이 하트만-샤크 센서 내부에 생성된 스폿 어레이의 한복판에서 밝은 불요(spurious) 스폿들로 나타난다.
파면 센서들에서 이러한 표류 반사광은 다수의 발생원을 갖는다. 특히 중요한 것은, 망막과 빔 스플리터 사이에 있는 광학소자들로부터의 반사광이다. 일반적으로, 이와 같은 광학소자로는 안구의 광학계 및 빔 스플리터와 안구 사이에 있는 한쌍의 렌즈를 들 수 있다. 망막 이외의 표면으로부터의 후방 반사광은 조사 빔에 비해서는 약하지만 망막으로부터 반사된 약한 신호에 비해 밝다.
안구 광학계에 있어서, 문제가 될 수 있을 정도로 밝은 후방 반사광을 갖는 유일한 표면은 각막의 첫 번째 외부 표면이다. 이 반사광은 에너지 면에서 망막으로부터의 반사광에 필적하므로, 특히, 검출기 내부의 스폿들의 중심궤적을 자동으로 산출하려고 하는 경우에 파면 검출에 상당한 방해가 될 수 있다.
리앙 및 윌리엄스의 논문과 윌리엄스 등의 특허에 개시된, 각막 반사를 제거하기 위한 공지된 방법은 편광 빔 스플리터를 사용하여 빔 스플리터와 망막 사이에 있는 모든 표면으로부터의 반사광을 제거하는 것이다. 이들 표면들은 이 표면에 입사된 빛의 선편광을 갖기 때문에 렌즈 반사광과 각막 반사광 모두가 제거된다. 그러나, 망막으로부터 반사된 빛의 상당한 부분도 소실되게 된다. 망막으로부터 반사된 전체 빛의 약 30 퍼센트만을 차지하는 망막으로부터 반사된 감편광된(depolarized) 빛만이 파면수차를 검출하는데 사용할 수 있다. 더구나, 감편광된 빛은 상당한 공간 노이즈를 포함한다. 또 다른 문제는 안구 광학계, 주로 각막의 복굴절에 의해 스폿 어레이 내부에 도입된 강도의 불균일성이다.
망막으로부터의 신호를 증가시키면, 빔 스플리터와 안구 사이에 있는 모든 광학계로부터의 반사광을 제거하는 또 다른 공지된 방법으로는, 안구 바로 앞에 위치한 1/4 파장(λ/4)판과 편광 빔 스플리터를 조합하여 사용하는 것을 들 수 있다.독일 공개특허 제DE4222395A1호에는 이러한 기술이 개시되어 있다. 이와 같은 기술은 망막에서 반사된 빛의 훨씬 많은 부분이 검출기에 도달하도록 하여 스폿 품질을 개선하는 한편, 안구의 복굴절에 기인한 스폿 휘도의 변동을 제거한다. 또한, 이것은 렌즈로부터의 후방 반사광도 제거한다. 그러나, 각막 반사광은 제거되지 않으므로, 편광 광학계가 없는 경우와 마찬가지로 문제가 된다.
전술한 두가지 기술이 갖는 또 다른 문제점은 편광 빔 스플리터와 4/λ판의 비용이다. 비용에 민감한 상업적인 설비에 있어서는, 이러한 비용을 제거하는 것이 바람직할 것이다.
다음의 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 더욱 상세히 설명한다:
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에서 구현된 기본적인 광학 개념을 나타낸 개략도,
도 2∼도 4는 바람직한 실시예에 따른 파면 센서 내부의 광학소자들의 배치를 나타낸 개략도, 그리고,
도 5 및 도 6은 바람직한 실시예와 종래기술에 따라 얻어진 실험결과를 각각 나타낸 것이다.
전술한 내용을 감안하면, 각막 반사광이 검출기 상에 불요 스폿들을 일으키지 않거나 망막에서 반사된 빛에서 유도된 신호를 다른 방식으로 열화시키지 않는 파면 센서를 제공하는 것이 당업계에 요구되어 왔다는 것을 용이하게 알 수 있다. 특히, 편광 광학계를 사용하지 않으면서 각막 반사광과 관련된 문제를 해소하여 파면수차를 정밀하고도 비용효율적으로 검출할 필요성이 제기되어 왔다.
그러므로, 본 발명의 목적은 이들 요구사항을 만족시키는 데 있다.
전술한 목적과 기타 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 안구가 조사되는 축을 어긋나 있는 경우에 사용되는 파면 센서를 제공한다. 각막에 의해 반사되지 않은 빛은 망막에 부딪치며, 망막에 의해 반사된 빛은 렌즈와 각막을 통해 되돌아온다. 따라서, 이 빛은 각막 반사광이 따라가는 광 경로와는 다른 광 경로로 집광된다. 전체 망막 반사광이 사용되며, 각막 반사광은 조리개(stop) 등의 간단하며 저가의비편광 광학계를 사용하여 폐기될 수 있다.
안구를 조사하는데 사용된 빔은, 비교적 폭이 좁아, 예를 들면 약 1∼1.5mm의 직경을 가지며, 각막의 작은 면적과 교차하므로 각막 반사광이 검출기로의 궤환 경로를 취할 확률을 더욱 줄인다. 더구나, 작은 스폿이 망막 상에 초점에 맞추어지는 광굴절 범위(dioptric range)가 증가될 수 있다. 일반적으로, 안구의 광축으로부터 1 밀리미터보다 작게 조사빔을 변위시키면, 각막 반사광이 완전히 제거된다.
예를 들면, 안구의 바로 앞에 빔 스플리터를 배치함으로써, 가능한 한 안구 바로 앞의 위치에서 조사빔을 광 경로에 도입하는 것이 바람직하다. 이에 따르면, 빔 스플리터와 망막 사이에 있는 유일한 구성요소가 각막이 되므로, 렌즈들로부터의 후방 반사를 피할 수 있다.
안구의 바로 앞에 배치된 빔 스플리터를 사용하더라도, 동일한 부품을 사용하여 조사 빔의 초점과 출사 빔의 초점을 조정할 수 있다. 이를 위한 한가지 방법은 슬라이드 상에 장착된 복수의 거울을 사용하여 중첩된 광 경로를 제공하는 것이다. 이들 거울은 조사빔이 빔 스플리터에 도달하기 전의 조사빔의 경로 및 출사빔의 경로에 배치된다. 이에 따라, 슬라이드의 이동으로 양 빔의 초점을 맞추게 된다.
복수의 다른 환자의 안구를 원근조절하기 위해, 광원은 필요에 따라 그것의 출력 방향에 대해 수직한(또는, 더욱 일반적으로는, 평행하지 않은) 방향으로 움직일 수 있다.
본 발명은, 안구의 파면 검출에 관련되거나 이와 다른 식으로 망막의 조사와관련된 처리과정에 유용하다. 이와 같은 처리과정으로는, 자동굴절검사 (autorefraction), 콘택렌즈 또는 인공수정체의 설계, 시력교정 수술 및 적응 광학계를 사용한 망막 상 형성을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 인체의 안구에 사용되는 것으로 의도되었지만, 수의학 또는 심지어는 안구와 관련되지 않은 분야에의 응용도 마찬가지로 개발될 수 있다.
도 1은 환자의 안구(E)의 망막을 조사하는 기본적인 시스템(100)의 개략도를 나타낸 것으로, 바람직한 실시예에서 구현된 광학 원리를 설명하는데 이 도면을 이용한다. 레이저 다이오드 등의 레이저 광원(102)은 빔 스플리터(104)를 향해 광 빔 L1을 방출하는데, 이때 이 빔 스플리터로는 평행판 빔 스프리터, 후판(thick-plate)빔 스플리터, 프리즘 빔 스플리터, 절반이 은 도금된(half-silvered) 거울 또는 기타 적절한 빔 스플리터가 사용될 수 있다. 이 빔 스플리터(104)는 90%의 투과율과 10%의 반사율을 갖는 것이 바람직하지만, 필요에 따라 다른 비율이 사용될 수도 있다. 레이저 광원(102)과 빔 스플리터(104)는, 빛 L1이 안구(E)의 광축(A)에서 어긋나 안구(E)에 부딪치도록 배치된다. 이에 따라, 안구(E)의 각막(C)에서 반사된 광 빔 L2는 광축(A)에서 어긋나 반사된다. 나머지 빛은 안구(E)의 망막(R)에 레이저 비컨(beacon)(B)을 형성한다. 안구(E)의 광학계로 인해, 안구(E)의 망막(R)에서 반사된 광 빔 L3는 안구(E)를 벗어나 빔 스플리터(104)를 통과한다. 그 후, 광 빔 L3는 렌즈(106), 망막에서 반사된 광 빔 L3를 통과시키는 반면에 각막에서 반사된 광 빔 L2를 차단시키는 조리개(108), 및 렌즈(110)를 통과하여 하트만-샤크 검출기(112)로 진행한다. 당업계에 공지된 것과 같이, 검출기(112)는 CCD 또는 기타 적절한 2차원 검출기(116) 상에 광 스폿의 어레이 L4로서 광 빔 L3의 초점을 맞추는 소형 렌즈 어레이(114)를 구비한다.
도 2 내지 도 4는 도 1을 참조하여 설명한 광학 원리를 이용한 진보된 시스템(200)을 나타낸 것이다. 도 2는 위에서 본 시스템(200)의 하부(202)를 나타낸 것인 반면에, 도 3은 위에서 본 시스템(200)의 상부(204)를 나타낸 것이며, 도 4는 우측에서 본 시스템(200)의 양 부분(202, 204)을 나타낸 것이다.
하부(202)에서는 도 2에 도시된 것과 같이 레이저 다이오드(206)가 수평방향의 위치지정을 위해 마운트(208) 상에 장착된다. 이와 같은 위치지정의 목적은 추후 설명한다. 다이오드(206)에서 방출된 광 빔은 렌즈 210 및 212를 거쳐 LL로 총괄적으로 표시한 하부 광 경로를 따르게 된다. 광 빔은 코너 거울(214)에 의해 재귀반사되고(retroreflected), 렌즈(216)를 거쳐 광 빔을 위쪽으로 반사시키는 거울(218)로 진행한다.
상부(204)에서는 도 3에 도시된 것과 같이 평행판 빔 스플리터(220)가 거울(218)에 의해 위쪽으로 반사된 광 빔을 받고, 이 빔을 LU로 총괄적으로 표시한 상부 광 경로를 따라 나아가게 한다. 이 경로 LU는 매우 간략한 형태로 나타낸 것으로, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 도 1을 참조하여 설명한 내용을 보면 실제 광경로에 대한 요구사항을 알 수 있을 것이다. 광 빔은 도 1을 참조하여 설명한 방식으로 안구(E)를 조사한다. 안구(E)의 망막(R)에 의해 반사된 망막 반사 광 빔은 빔 스플리터(220)와 렌즈(222)를 거쳐 후방으로 진행한다. 그 후, 망막 반사 광 빔은 코너 거울(224)에 의해 재귀반사되고 렌즈(226)를 거쳐, 소형 렌즈 어레이(230)와 CCD 검출기(232)를 구비한 하트만-샤크 검출기(228)로 들어간다. 이때, 광경로 LU를 따라 적당한 위치에, 예를 들면 렌즈 222의 초점거리에 조리개가 포함될 수 있는 것은 물론이다. 설계에 따라, 거울 214 및 224를 대체하기 위해 한 개의 거울이 사용될 수 있다.
입사 광 빔의 직경은 적절한 값, 예를 들면 1.5mm의 값을 갖는다. 작은 직경은 망막 위의 초점심도를 증가시켜, 환자에게 빛을 정확히 집광시켜야 하는 요구조건을 완화시킨다.
또한, 이와 같은 작은 직경은 망막 위의 스폿이 회절한계가 되도록 보장한다. 입사빔은 소형 렌즈 어레이에 있는 소형 렌즈의 대략적인 직경보다 작지 않아야만 한다. 이 직경보다 큰 경우에는, 입사빔의 회절에 의해 CCD 상의 스폿이 상당히 희미하게 된다.
각막 반사광과 망막 반사광을 분리시켜 각막 반사광의 영향을 받지 않도록 하기 위해, 입사빔은 각막 선단으로부터 빔의 직경의 절반보다 긴 거리만큼 동공 내부에서 변위되는데, 약 1mm 만큼 변위되는 것이 바람직하다. 이 거리는 경우에 따라 변할 수 있으며, 작은 입사빔 직경으로 인해 1mm보다 작을 수 있다. 이 거리는 다이오드(206)와 그것의 시준 광학계를 소량 만큼 병진운동시키는 마운트(208)를 사용하여 변경될 수 있다. 다이오드(206)와 그것의 광학계를 1mm까지 병진운동시키는 능력이면 충분하다. 각막으로부터 반사된 빛은 발산되고 렌즈(222)에 의해 평행광으로 변환되어, 렌즈(222)의 초점거리에 놓인 조리개 또는 다른 적절한 광학소자에 의해 차단될 수 있다.
빔 스플리터(220)를 가능한한 안구(E) 바로 앞의 위치에 배치함으로써, 다른 광학부재로부터의 후방 반사를 방지할 수 있다. 이와 같은 배치는, 빔 스플리터(220)와 망막(R) 사이에 있는 유일한 물체가 각막(C)이기 때문에, 조사빔이 다른 광학소자를 피할 수 있도록 한다.
빔 스플리터로부터의 일상적인 반사광은 회전 빔 스플리터 입방체 (beamsplitter cube) 또는 후판 빔 스플리터를 사용함으로써 방지할 수 있다. 종래기술에서는 종종 필요하였던 작업인, 안구가 제 위치에 있을 때의 상으로부터 안구가 해당 위치에 있지 않을 때의 상을 제거하여 미광(stray light)을 없애는 작업이 불필요하다.
도 4에 도시된 것과 같이, 거울 214와 224가 한 개의 강체로서 움직일 수 있도록, 거울 214와 224를 슬라이드 기구(234)에 체결함으로써, 시스템(200)의 광경로 길이가 변할 수 있다. 이들 거울 214 및 224는 서로 축방향으로 변위한다. 슬라이드 기구(234)가 거리 x 만큼 이동하면, 각각의 부분 202 및 204의 광경로 길이는 거리 2x 만큼 변하며, 전체적으로 시스템(200)의 광경로 길이가 거리 4x 만큼 변하게 된다.
슬라이드 기구가 갖는 또 다른 이점은, 동시에, 그리고 출사빔이 CCD 어레이 상에 초점이 맞추어질 때 사용된 것과 동일한 장치, 즉 거울 214 및 224를 지지하는 슬라이드(234)를 사용하여, 망막 위에 입사 빔의 초점이 맞추어질 수 있도록 한다는 것이다. 거울 214는 조사빔이 빔 스플리터(220)에 도달하기 전에 이 빔의 경로에 위치하고, 거울 224는 출사빔의 경로에 위치하기 때문에, 슬라이드(234)의 이동은 양 빔의 경로 길이를 변화시켜 양 빔의 초점거리의 조정을 허용한다. 따라서, 이 슬라이드(234)는 경제성과 편의를 제공한다.
시스템(200)에서는 이중 슬라이드 기구가 구현될 수도 있다. 예를 들면, 거울 214 및 224의 반대측에 또 다른 거울(미도시)이 배치되어, 광 빔이 시스템을 한번 더 통과하도록 할 수도 있다. 이와 같은 배치를 사용하면, 거리 x 만큼의 슬라이드 기구(234)의 이동이 전체 광경로 길이를 거리 8x 만큼 변화시키게 된다.
실험 결과를 도 5 및 도 6에 나타내었다. 도 5는, 본 발명에 따른 비축 조사를 사용하고, 편광 빔 스플리터를 사용하지 않은 상태에서, 파장 λ = 790nm를 방출하는 SLD 광원을 사용하여 얻어진 결과를 나타낸 것이다. 도 6은, 종래의 축에 따른 조사를 사용하고, 편광 빔 스플리터를 사용하지만 λ/4판을 사용하지 않은 상태에서, 파장 λ = 633nm를 방출하는 He-Ne 레이저 광원을 이용하여 얻어진 결과를 나타낸 것이다. 이들 두가지 결과는 다음과 같은 조건에서 얻은 것이다.
조건: 6.7mm의 동공 직경에 대해 수정체의 원근조절을 마비시킴, 500ms의 노출 시간, 10μW의 입사 레이저 전력, 1.5mm의 입사 빔 직경.
도 5와 도 6의 비교 결과, 본 발명은 광 효율(light throughput)면에서, 그리고 스폿 품질면에서도 상당한 향상을 제공한다는 것을 알 수 있다. 도 5에 나타낸 스폿 패턴은 도 6의 스폿 패턴보다 훨씬 더 우수한 강도 균일성을 가지며, 도 6의 평균 스폿 강도보다 4배 높은 평균 스폿 강도를 갖는다. 이러한 두가지 점에서, 도 5의 스폿 패턴은, 편광 빔 스플리터와 λ/4판과 관련된 문제점이 없으면서도, 이들을 사용하여 얻어진 스폿 패턴에 필적하다. 평행판 빔 스플리터 등을 사용할 수 있는 한 개의 비편광 빔 스플리터(220)는, λ/4판의 채용 여부에 관계없이, 종래기술의 편광 기술에 필요한 광학계에 비해 값이 저렴하다. 반사율에 대한 투과율의 비가 1보다 큰 빔 스플리터를 사용하면, 사용가능한 빛이 증가된다.
본 발명은 다양한 이점을 제공한다. 안구와 다른 광학계의 후방 반사광의 악영향이 방지되므로, 장치가 더욱 강건하게(robust) 되며, 이 장치를 동작시키기 위한 소프트웨어가 더욱 간단해진다. 스폿 상의 품질이 편광 효과에 의해 열화되지않으므로, 정밀도가 향상된다. 효율이 종래기술에 비해 높으므로, 동일한 조사 레벨과, 이에 따라 동일한 수준의 환자의 안락함과 안정성에 대해 더 큰 신호가 얻어질 수 있다. 이 대신에, 조사 광 강도가 감소되고 환자의 안락함과 안정성을 향상시키면서도, 종래기술에서와 동일한 신호가 얻어질 수도 있다. 충분한 휘도를 갖는 다이오드를 사용하여, 망막으로부터 CCD 어레이로 거의 모든 빛을 전달하도록, 평판 빔 스플리터의 반사율에 대한 투과율의 비를 선택할 수 있다. 어떠한 편광 광학계도 필요하기 않기 때문에, 비용이 줄어든다.
위에서 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 상기한 발명내용으로부터, 본 발명의 범주 내에서 다른 실시예가 구현될 수 있다는 것은, 본 발명이 속한 기술분야의 당업자에게 있어서 자명하다. 예를 들면, 경로 길이와 콤팩트함(compactness)을 향상시키기 위해 광 경로를 추가적으로 중첩시킬 수 있으며, 주시 타겟(fixation target)과 동공 카메라(pupil camera)가 추가될 수 있다. 또한, 예를 들면 입사각을 적절히 선택함으로써, 망막 반사광과 각막 반사광을 공간적으로 분리시키는 임의의 방식으로, 광원의 위치가 지정될 수 있다. 따라서, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해서만 제한되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (22)

  1. 광원에서 발생되어 안구의 각막으로부터 반사된 빛은 제1경로를 따라 진행하고, 상기 광원에서 발생되어 망막으로부터 반사된 빛은 상기 제1경로와 공간적으로 분리된 제2경로를 따라 진행하도록 상기 안구에 대해 상기 광원의 위치를 지정하는 단계; 및
    상기 광원으로 상기 망막을 조사하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    조리개를 설치하여, 상기 제2경로를 따라 진행하는 빛을 통과시키고, 상기 제1경로를 따라 진행하는 빛을 차단시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 광원은 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 광원은 광 빔을 방출하고,
    상기 위치지정 단계는, 상기 광 빔이 상기 안구의 광축에서 어긋나 상기 안구에 입사되도록 상기 광원의 위치를 지정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 광원은 상기 각막에서 반사된 빛과 상기 망막에서 반사된 빛을 분리할 수 있을 정도로 충분히 큰 거리만큼 상기 광축에서 어긋나 배치된 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 망막에서 반사된 빛을 검출기에서 수광하는 단계; 및
    상기 검출기를 사용하여 상기 안구의 파면수차를 검출하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 검출기는 하트만-샤크 검출기인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 조사 단계는, 비편광 빔 스플리터를 사용하여 광원에서 발생된 빛을 안구로 향하게 하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 비편광 빔 스플리터는 입방체 빔 스플리터인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 비편광 빔 스플리터는 평판 빔 스플리터인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 방법.
  11. 빛을 방출하고, 구의 각막으로부터 반사된 빛은 제1경로를 따라 진행하고, 망막으로부터 반사된 빛은 상기 제1경로와 공간적으로 분리된 제2경로를 따라 진행하도록 안구에 대해 위치지정된 광원; 및
    상기 제2경로를 따라 진행하는 빛을 수광하는 광학소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 광학소자는, 상기 제2경로를 따라 진행하는 빛을 통과시키고, 상기 제1경로를 따라 진행하는 빛을 차단시키는 조리개;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 광원은 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 광원은 광 빔을 방출하고,
    상기 광 빔이 상기 안구의 광축에서 어긋나 안구에 입사되도록 위치지정된 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 광원은 상기 각막에서 반사된 빛과 상기 망막에서 반사된 빛을 분리할 수 있을 정도로 충분히 큰 거리만큼 상기 광축에서 어긋나 배치된 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  16. 제 11항에 있어서,
    상기 광학소자는, 상기 망막에서 반사된 빛을 수광하도록 배치되어, 상기 안구의 파면수차를 검출하는 검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  17. 제 16항에 있어서,
    상기 검출기는 하트만-샤크 검출기인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  18. 제 11항에 있어서,
    상기 광원에서 발생된 빛을 상기 안구로 향하게 하는 비편광 빔 스플리터;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 비편광 빔 스플리터는 입방체 빔 스플리터인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  20. 제 18항에 있어서,
    상기 비편광 빔 스플리터는 평판 빔 스플리터인 것을 특징으로 하는 안구의 망막을 조사하는 시스템.
  21. 광원에서 발생되어 광학소자의 표면에서 반사된 빛은 제1경로를 따라 진행하고, 상기 광원에서 발생되어 상기 광학소자를 투과하고 상기 광학소자를 거쳐 다시 반사된 빛은 상기 제1경로와 공간적으로 분리된 제2경로를 따라 진행하도록 상기광학소자에 대해 상기 광원의 위치를 지정하는 단계;
    상기 광원으로 상기 광학소자를 조사하는 단계;
    상기 제2경로를 따라 진행하는 빛을 검출기를 사용하여 수광하는 단계; 및
    상기 검출기를 사용하여 파면수차를 검출하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학소자의 파면수차를 결정하는 방법.
  22. 빛을 발생하고, 광학소자의 표면에서 반사된 빛은 제1경로를 따라 진행하고, 상기 광학소자를 투과하고 상기 광학소자를 거쳐 다시 반사된 빛은 상기 제1경로와 공간적으로 분리된 제2경로를 따라 진행하도록 상기 광학소자에 대해 위치지정된 광원; 및
    상기 제2경로를 따라 진행하는 빛을 수광하여, 파면수차를 검출하는 검출기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학소자의 파면수차를 결정하는 시스템.
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