KR20030002279A - 반도체소자의 시험 패턴 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체소자의 시험 패턴에 관한 것으로,

"T" 자 형태의 구조와 긴 직선 형태의 구조가 일정거리를 유지하며 구비되어 로직 소자의 전기 배선의 누설 전류를 검사하거나, "ㄷ" 또는 "ㄹ"자 형태의 구조와 긴 직선 형태의 구조가 일정거리를 유지하며 구비되어 로직 소자의 연속성을 검사하는 시험 패턴을 형성함으로써 전기 배선의 형성 상태 및 도작 상태를 보다 정확하게 예측할 수 있는 자료를 제공하는 기술이다.

Description

반도체소자의 시험 패턴{A method for forming a test pattern of semiconductor device}

본 발명은 반도체소자의 시험 패턴에 관한 것으로, 특히 반도체소자의 회로 구성 요소 중에서 게이트 와 금속배선과 같은 전기 배선들의 누설전류와 연속성을 검사하는데 사용되는 새로운 시험 패턴에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조함에 있어 전기적 신호를 전달하는 전기배선이 제대로 형성되었는지를 확인하는 과정은 중요하다.

전기 배선이 정상적으로 형성되었는지를 확인하는 대표적인 시험패턴은 누설전류를 검사하는 시험패턴과 연속성을 검사하는 시험 패턴과 같이 두가지 종류가 있다.

누설전류를 확인하는 시험패턴은 도 1에 명시한 바와같이 길이가 긴 두 개의 전기배선을 적당한 거리만큼 간격을 두고 배열한 후 이 두 개의 전기배선에 전위차를 가하면서 두 배선 사이에서 발생하는 누설전류와 연속성을 검사함에 있어서 지금까지 일반적으로 사용되었던 시험 패턴은 도 1a 와 도 1b 에 명시한 바와같이 긴 직선 형태의 전기배선을 각각의 목적에 맞게 조합한 시험패턴이었다.

이러한 형태의 서험 패턴은 실제 반도체소자들 중 특히 DRAM 의 금속배선 배열 형태와 유사하다.

그러나, 도 1a와 도 1b 에 도시한 바와같은 시험 패턴은 디램의 금속배선을 제외한 다른 소자의 전기 배선의 형태와는 차이가 많이 난다.

특히 로직 소자의 경우에는 게이트와 금속배선이 둘다 불규칙한 형태로 배열되어 있는 것이 특징이다. 시험패턴의 결화를 이용하여 소자의 특성을 예정하기 위해서는 그 시험 패턴의 형태가 소자의 해당 회로 요소 형태와 최대한 비슷해야 한다.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여, 누설전류와 연속성을 검하할 때 사용되던 기존의 시험패턴이 로직 소자의 전기 배선 배열 형태를 제대로 반영하지 못하는 문제점을 개선하기 위하여 로직 소자의 전기 배선 배열 형태, 즉 그 불규칙성을 반영하면서 누설전류와 연속성을 검사할 수 있는 시험패턴을 형성하는 반도체소자의 시험 패턴을 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1a 및 도 1b 는 종래기술에 따른 반도체소자의 시험 패턴을 도시한 평면도.

도 2a 내지 도 2b 는 본 발명의 실시예에 따른 반도체소자의 시험 패턴을 도시한 평면도.

이상의 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체소자의 시험 패턴은,

"T" 자 형태의 구조와 긴 직선 형태의 구조가 일정거리를 유지하며 구비되어 로직 소자의 전기 배선의 누설 전류를 검사하는 것을 제1특징으로하며,

"ㄷ" 또는 "ㄹ"자 형태의 구조와 긴 직선 형태의 구조가 일정거리를 유지하며 구비되어 로직 소자의 연속성을 검사하는 것을 제2특징으로 한다.

이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

도 2a 및 도 2b 는 본 발명에 따른 반도체소자의 시험 패턴을 도시한 단면도로서, 로직 소자의 전기 배선 배열 형태, 즉 불규칙성을 반영하면서 누설전류와 연속성을 검사할 수 있는 시험 패턴을 도시한 것이다.

상기 도 2a 는 누설전류를 검사하는 시험 패턴을 도시한 평면도이다.

도 2a를 참조하면, "T" 자 형태의 구조와 긴 직선 형태를 결합시킨 두 개의 전기 배선을 적당한 간격으로 유지하면서 위치하도록 배열하였다.

각각의 전기 배선의 특정 위치에서 상대 배선까지의 최단거리는 모두 동일하도록 두 개의 전기 배선을 위치시킨다.

이와 같이 시험 패턴을 구성한 후 이 두 개의 전기배선에 전위차를 가하면서 두 배선 사이에 발생하는 누설전류를 확인하면 기존의 누설전류를 검사하는 시험패턴에서 측정한 결과와 동일하게 누설전류의 특성을 얻을 수 있다.

상기 도 2b 는 연속성을 검사하는 시험패턴을 도시한 평면도이다.

도 2b를 참조하면, "ㄷ" 또는 "ㄹ" 자 형태의 구조를 연속적으로 연결하여 하나의 긴 전기 배선을 구성하되, 전기 배선의 특성 위치에서 인접하는 다른 부위와의 최단간격은 위치에 상관없이 모두 동일하도록 시험패턴을 구성한다.

이와 같이 시험패턴을 구성한 후 한 개의 전기 배선의 양 끝에 전위차를 가하면서 흐르는 전류를 측정하여 전기적 저항을 측정하면, 기존의 연속성을 검사하는 시험패턴에서 측정한 결과와 동일하게 연속성의 특성을 얻을 수 있다.

이상에서 설명한 바와같이 본 발명에 따른 반도체소자의 시험 패턴은, 기존의 시험 패턴에 비해 로직 소자의 전기 배선의 배열형태를 보다 정확하게 반영하고 있어 전기 배선의 형성 상태 및 동작 상태를 보다 정확하게 예측할 수 있는 자료를 제시하는 동시에 SRAM 이나 DRAM 에도 적용할 수 있는 효과를 제공한다.

Claims (2)

1. "T" 자 형태의 구조와 긴 직선 형태의 구조가 일정거리를 유지하며 구비되어 로직 소자의 전기 배선의 누설 전류를 검사하는 반도체소자의 시험 패턴.
2. "ㄷ" 또는 "ㄹ"자 형태의 구조와 긴 직선 형태의 구조가 일정거리를 유지하며 구비되어 로직 소자의 연속성을 검사하는 반도체소자의 시험 패턴.