KR200266876Y1 - 반도체 메모리 소자의 브이피피(vpp) 발생 장치 - Google Patents

반도체 메모리 소자의 브이피피(vpp) 발생 장치 Download PDF

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Abstract

본 고안은 반도체 메모리 소자에 전압을 인가하는 전압 인가 장치에 관한 것으로, 특히 전압 발생 회로의 오버 펌핑 현상을 없애 반도체 메모리 소자의 신뢰성을 높인 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치에 관한 것이다.
이와 같은 본 고안의 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치는 RAS사이클이 시작되면 VPP의 레벨을 검출하여 VPP의 레벨을 조정하기 위한 제어 신호를 출력하는 VPP 레귤레이터와, 상기의 VPP 레귤레이터의 제어 신호에 의해 선택적으로 구동되는 오실레이터1,오실레이터2, ..... 오실레이터N와, 상기 각각의 오실레이터들의 출력신호를 받아 각각 서로 다른 가중값을 갖고 전하를 생성하는 차지 펌프1,차지 펌프, ..... 차지 펌프N을 포함하여 구성된다.

Description

반도체 메모리 소자의 브이피피(VPP) 발생 장치
본 고안은 반도체 메모리 소자에 전압을 인가하는 전압 인가 장치에 관한 것으로, 특히 전압 발생 회로의 오버 펌핑 현상을 없애 반도체 메모리 소자의 신뢰성을 높인 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치에 관한 것이다.
일반적으로 DRAM에서는 워드 라인에서의 NMOS TR의 문턱 전압이 떨어지는 것을 방지하여 풀(Full) 레벨의 “H”데이타를 쓰기위하여 메모리 셀 어레이의 전압보다 높은 VPP를 사용한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 종래 기술의 VPP 발생 장치에 관하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술의 VPP 발생 장치의 구성 블록도이다.
종래 기술의 VPP 발생 장치는 도 1에서와 같이, VPP를 조정하기 위한 제어 신호를 출력하는 레귤레이터(1)와, 메모리 소자에 데이터를 입출력하기 위해 인가되는 RAS(Row Address Strobe) 컨트롤 신호에 의해 발진 주파수를 출력하는 제 1 오실레이터(2a)와, 상기의 제 1 오실레이터(2a)의 발진 주파수를 입력으로 하여 RAS 사이클 시작시에 일정레벨을 갖는 전하를 펌핑을 하는 제 1 차지 펌프(3a)와, 상기의 레귤레이터(1)의 제어 신호에 의해 발진 주파수를 출력하는 제 2,3 오실레이터(2b)(2c)와, 상기의 제 2,3 오실레이터(2b)(2c)의 발진 주파수를 받아 상기의 제 1 차지 펌프(3a)보다 낮은 레벨로 전하를 각각 생성하는 제 2,3 차지 펌프(3b)(3c)로 구성된다. 이때, 제 1 차지 펌프(3a)는 제 2,3 차지 펌프(3b)(3c)보다 펌핑 레벨이 크다.
상기와 같이 구성된 종래 기술의 VPP 발생 장치는 액티브시에 동작하는 펌프가 정해져 있고, 외부 VCC의 변화에 따라 VPP의 레벨을 변화시켜 출력한다. 제 1 차지 펌프(2a)는 RAS 사이클이 시작되면 레벨에 관계없이 펌핑 동작을 하게된다. 그리고 출력되는 VPP의 레벨을 검출하여 VPP의 레벨이 기준보다 낮을 경우에는 레귤레이터(1)의 제어 신호에 따라 제 2,3 차지 펌프(2b)(2c)를 구동하여 출력되는 VPP의 전압 레벨을 조정하게된다.
이와 같은 종래 기술의 VPP 발생 장치는 VPP를 발생하기 위한 메인 차지 펌프 즉, 제 1 차지 펌프가 VPP의 레벨에 관계없이 동작하기 때문에 VCC에 대한 의존성이 높다. 그러므로 HIGH VCC일 경우에는 차지 펌프가 오버 펌핑 현상을 일으켜 셀 트랜지스터의 게이트에 과도한 전압이 인가되어 셀 트랜지스터의 신뢰도를 떨어뜨리는 문제점이 있다.
또한, VPP의 레벨에 따라 펌핑동작을 하는 제 2,3 차지 펌프가 있기는 하나 제 2,3 차지 펌프는 제 1 차지 펌프에 비해 펌핑 크기가 매우 작아 RAS 사이클 동안 충분한 VPP 레벨까지 차지를 공급하지 못하는 문제점이 있을 수 있다.
본 고안은 상기와 같은 종래 기술의 VPP 발생 장치의 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로, 전압 발생 회로의 오버 펌핑 현상을 없애 반도체 메모리 소자의 신뢰성을 높인 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래 기술의 VPP 발생 장치의 구성 블록도
도 2는 본 고안에 따른 VPP 발생 장치의 구성 블록도
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
21a. 차지 펌프121b. 차지 펌프2
21c. 차지 펌프N22a. 오실레이터1
22b. 오실레이터222c. 오실레이터N
23. VPP 레귤레이터
전압 발생 회로를 구성하는 차지 펌프의 오버 펌핑 현상을 없애 메모리 소자의 신뢰성을 높이는데 적당하도록한 본 고안의 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치는 RAS사이클이 시작되면 VPP의 레벨을 검출하여 VPP의 레벨을 조정하기 위한 제어 신호를 출력하는 VPP 레귤레이터와, 상기의 VPP 레귤레이터의 제어 신호에 의해 선택적으로 구동되는 오실레이터1,오실레이터2, ..... 오실레이터N와, 상기 각각의 오실레이터들의 출력신호를 받아 각각 서로 다른 가중값을 갖고 전하를 생성하는 차지 펌프1,차지 펌프, ..... 차지 펌프N을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 고안의 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2는 본 고안에 따른 VPP 발생 장치의 구성 블록도이다.
본 고안의 VPP 발생 장치는 외부 VCC에 따라 무조건 메인 펌프가 작동하고 부족한 VPP 레벨을 맞추어주기 위하여 다른 작은 크기의 차지 펌프를 작동하는 방식과는 달리 서로 다른 가중값을 갖는 N개의 전하 펌프를 사용하여 출력되는 VPP의 레벨에 따라 각각의 차지 펌프의 구동 여부를 결정하는 방식이다.
본 고안의 VPP 발생 장치는 RAS사이클이 시작되면 VPP의 레벨을 검출하여 VPP의 레벨을 조정하기 위한 제어 신호를 출력하는 VPP 레귤레이터(23)와, 상기의 VPP 레귤레이터(23)의 제어 신호에 의해 선택적으로 구동되는 오실레이터1(22a),오실레이터2(22b), ..... 오실레이터N(22c)와, 상기 각각의 오실레이터들의 출력신호를 받아 각각 서로 다른 가중값을 갖고 전하를 생성하는 차지 펌프1(21a),차지 펌프(21b), ..... 차지 펌프N(21c)로 구성된다.
상기와 같이 구성된 본 고안의 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치는 각각의 차지 펌프에 가중값을 두어 VPP의 레벨에 따라 선택적으로 각각의 차지 펌프들을 구동하여 VPP의 레벨을 조정하게된다. 즉, VPP 레귤레이터(23)에서 출력되는 VPP의 레벨을 검출하여 각각의 차지 펌프의 구동 여부를 결정하게 된다.
상기의 VPP 레귤레이터는 전류 소모를 줄이기 위하여 RAS 사이클이 시작되는 액티브 동작시에만 스탠바이 상태에서보다 응답 속도를 빠르게 한다.
상기와 같은 본 고안의 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치는 각 RAS 사이클에서 필요로 하는 VPP의 레벨을 각각의 다른 가중값을 갖는 복수개의 차지 펌프를 선택적으로 구동하여 공급하여 오버 펌핑 현상을 줄여 셀 트랜지스터의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. RAS사이클이 시작되면 VPP의 레벨을 검출하여 VPP의 레벨을 조정하기 위한 제어 신호를 출력하는 VPP 레귤레이터와,
    상기의 VPP 레귤레이터의 제어 신호에 의해 선택적으로 구동되는 오실레이터1,오실레이터2, ..... 오실레이터N와,
    상기 각각의 오실레이터들의 출력신호를 받아 각각 서로 다른 가중값을 갖고 전하를 생성하는 차지 펌프1,차지 펌프, ..... 차지 펌프N을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, VPP 레귤레이터는 RAS 사이클이 시작되면 스탠바이시보다 응답 속도를 빠르게 하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자의 VPP 발생 장치.
KR2019970003186U 1997-02-26 1997-02-26 반도체 메모리 소자의 브이피피(vpp) 발생 장치 KR200266876Y1 (ko)

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