KR200258232Y1 - 데이터 입력 패드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 래치업 현상을 방지하기 위한 소정 개수의 다이오드를 구비하고 있는 데이터 입력 패드에 관한 것으로 특히, 상기 다이오드들을 거쳐 입력되는 신호를 TTL소자에 적합한 신호의 형태로 정합한 후 출력하는 TTL-레벨용 버퍼와, 상기 다이오드들을 거쳐 입력되는 신호를 CMOS소자에 적합한 신호의 형태로 정합한 후 출력하는 CMOS-레벨용 버퍼, 및 외부에서 입력되는 선택신호에 따라 상기 TTL-레벨용 버퍼의 출력과 CMOS-레벨용 버퍼에서 출력되어 입력되는 신호중 어느 하나를 출력하는 먹스를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 입력 패드를 제공하여 사용자가 입력 패드의 레벨 특성을 선택 신호를 이용하여 변화시킴으로써 시스템 재 설계에 따른 코스트를 줄일수 있다.

Description

데이터 입력 패드

본 고안은 반도체 디바이스에서의 데이터 입력 패드에 관한 것으로 특히, 반도체 칩내부의 논리회로를 구성하는 소자들의 종류 또는 입력측시스템의 논리 상태에 따라 논리소자의 종류를 선택할 수 있도록 하는 데이터 입력 패드에 관한 것이다.

일반적으로, 논리회로를 구현하는데 사용되는 소자는 트랜지스터를 가장 많이 사용되는데, 트랜지스터의 종류가 BJT와 FET로 구분됨에 따라 논리로직이 TTL과 CMOS로 대표적으로 구분되어 있다.

이러한 경우 임의의 반도체 디바이스를 제작하여 범용의 반도체 칩과의 신호 정합을 위해서는 TTL 소자와의 데이터 정합인지 또는 CMOS 소자와의 데이터 정합인지를 분명하게 정의할 필요가 있다.

왜냐하면, TTL 소자를 구성하는 트랜지스터는 BJT이기 구동전압이 5V이면, 논리 로우 상태로 인식하는 전압은 0∼0.7V 정도이고, 논리 하이상태로 인식하는 전압은 상대적이긴 하나 α∼5V정도이다.

그러나, CMOS 소자의 경우 구성시 사용되는 트랜지스터는 FET이기 때문에 구동전압을 5V로 가정하는 경우, 논리 로우 상태로 인식하는 전압은 0∼ αV 정도이고, 논리 하이 상태로 인식하는 전압은 상대적이긴 하나 α∼5V정도이다.

이때, 상기 α은 임의의 전압 크기를 칭하는 것이다.

따라서, 신호 레벨이 임의의 전압크기를 갖는 데이터가 입력되고 있다고 가정하면, TTL 소자를 사용하는 경우에는 어느 정도의 논리상태가 인식될 수 있으나, CMOS 소자를 사용하는 경우에는 논리 로우상태와 하이상태가 상대적이기 때문에 데이터의 혼용이 이루어지게 된다.

이러한 현상을 방지하기 위해서 첨부한 제 1 도와 제 2 도에 도시되어 있는 바와같이 데이터 입력 패드를 구성하게 되었다.

제 1 도는 TTL 소자에 적합한 데이터 입력 패드의 구성을 나타내고 있으며, 제 2 도는 CMOS 소자에 적합한 데이터 입력 패드의 구성을 나타내고 있다.

제 1 도와 제 2 도의 구성에서 참조번호 ED1, ED2로 나타내고 있는 다이오드는 래치업 방지를 위한 다이오드이며, 제 1 도의 구성중 참조번호 TB로 나타내고있는 TTL-레벨용 버퍼는 내부 로직으로 입력되는 신호를 전달하기 앞서 TTL소자에서 에러없이 신호의 논리상태를 인식할 수 있도록 신호의 논리상태를 정리한 후 출력한다.

또한, 제 2 도의 구성중 참조번호 CB로 나타내고 있는 CMOS-레벨용 버퍼는 내부 로직으로 입력되는 신호를 전달하기 앞서 CMOS 소자에서 에러없이 신호의 논리상태를 인식할 수 있도록 신호의 논리상태를 정리한 후 출력한다.

그러므로, 상기 제 1 도와 제 2 도에 도시되어 있는 바와같은 데이터입력 패드를 사용하려는 시스템에 따라 선택적으로 사용하여 왔다. 이러한 선택은 주변 디바이스와의 데이터 입출력 특성을 고려하여 정확하게 선택되여야 하지만 그렇지 못하면 시스템 적용에 따른 입력 패드 재설계가 필요하므로 시스템 코스트가 상승하게 된다는 문제점이 발생되었다.

상기와 같은 문제점을 해소하기 위한 본 고안의 목적은 입력 패드내부에 TTL-레벨 버퍼와 CMOS-레벨 버퍼를 각각 내장하여 제어신호를 사용하여 사용자 필요에 따라서 1개의 입력 패드를 TTL-레벨 또는 CMOS-레벨로 사용할 수 있도록 함으로써 시스템 적용에 따른 입력 패드 재설계 과정을 생략할 수 있는 데이터 입력 패드를 제공하는 데 있다.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 고안의 특징은, 래치업 현상을 방지하기 위한 소정 개수의 다이오드를 구비하고 있는 데이터 입력 패드에 있어서, 상기 다이오드들을 거쳐 입력되는 신호를 TTL소자에 적합한 신호의 형태로 정합한 후 출력하는 TTL-레벨용 버퍼와, 상기 다이오드들을 거쳐 입력되는 신호를 CMOS소자에적합한 신호의 형태로 정합한 후 출력하는 CMOS-레벨용 버퍼, 및 외부에서 입력되는 선택신호에 따라 상기 TTL-레벨용 버퍼의 출력과 CMOS-레벨용 버퍼에서 출력되어 입력되는 신호중 어느 하나를 출력하는 먹스를 포함하는 데 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 고안에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.

제 3 도는 본 고안에 따른 데이터 입력 패드의 구성 예시도로서, 종래 데이터 입력 패드에서 각각 사용되었던 TTL-레벨용 버퍼(TB)와 CMOS-레벨용 버퍼(CB)의 데이터 입력단은 공통으로 묶어 데이터 입력단에 연결하고, 상기 버퍼(TB, CB)의 각 출력신호를 2입력 1출력 형태의 먹스(MUX)의 입력단에 연결하고 상기 먹스(MUX)의 출력단에서 출력되는 신호를 내부로직으로 전달한다.

이때, 상기 먹스(MUX)는 외부에서 입력되는 선택신호에 따라 두개의 입력단에 각각 입력되는 신호중 어느 하나를 선택하여 출력하는 기능을 갖는다.

상기와 같이 구성되는 본 고안에 따른 데이터 입력 패드의 바람직한 동작예를 설명한다.

외부에서 발생되어 입력되는 신호는 래치업 현상을 방지하기 위한 다이오드(ED1, ED2)를 거쳐서 TTL-레벨용 버퍼(TB)와 CMOS-레벨용 버퍼(CB)의 데이터 입력단에 제공된다.

상기 TTL-레벨용 버퍼(TB)와 CMOS-레벨용 버퍼(CB)에서는 전술한 바와같이 입력되는 신호의 전압상태를 기준으로 각각 TTL소자와 CMOS소자에 적합한 신호의 형태로 정합한 후 출력한다.

상기 TTL-레벨용 버퍼(TB)의 출력과 CMOS-레벨용 버퍼(CB)의 출력은먹스(MUX)에 구비되어 있는 데이터 입력단에 제공되는데, 상기 먹스(MUX)는 외부에서 입력되는 선택신호의 상태에 따라 두개의 데이터 입력단에 걸리는 신호중 대응하는 신호 예를들면, 선택신호의 논리상태가 로우 상태인 경우 상기 TTL-레벨용 버퍼(TB)에서 출력되어 입력되는 신호를 출력하고, 반면에 상기 선택신호의 논리상태가 하이 상태인 경우에는 CMOS-레벨용 버퍼(CB)에서 출력되어 입력되는 신호를 출력하게 된다.

그러므로, 상술한 바와같은 본 고안에 따른 데이터 입력 패드를 제공하면 사용자는 입력 패드의 레벨 특성을 선택 신호를 이용하여 변화시킴으로써 시스템 재 설계에 따른 코스트를 줄일수 있다.

제 1 도는 TTL 소자에 적합한 데이터 입력 패드의 구성 예시도

제 2 도는 CMOS 소자에 적합한 데이터 입력 패드의 구성 예시도

제 3 도는 본 고안에 따른 데이터 입력 패드의 구성 예시도

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

EB1, EB2 : 래치업 방지용 다이오드 TB : TTL-레벨용 버퍼

CB : CMOS-레벨용 버퍼 MUX : 먹스

Claims (1)

1. 래치업 현상을 방지하기 위한 소정 개수의 다이오드를 구비하고 있는 데이터 입력 패드에 있어서,

   상기 다이오드들을 거쳐 입력되는 신호를 TTL소자에 적합한 신호의 형태로 정합한 후 출력하는 TTL-레벨용 버퍼와;

   상기 다이오드들을 거쳐 입력되는 신호를 CMOS소자에 적합한 신호의 형태로 정합한 후 출력하는 CMOS-레벨용 버퍼; 및

   외부에서 입력되는 선택신호에 따라 상기 TTL-레벨용 버퍼의 출력과 CMOS-레벨용 버퍼에서 출력되어 입력되는 신호중 어느 하나를 출력하는 먹스를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 입력 패드.