KR200241406Y1 - Apparatus for rinsing semiconductor wafer - Google Patents
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Abstract
본 고안은 반도체웨이퍼의 린스장치에 관한 것으로서, 반도체웨이퍼(W)가 내측으로 장착되며, 세정액을 담는 내부액조(100); 내부액조(100)의 외측에 구비되며, 내부액조(100)로부터 오버 플로우(over flow)되는 세정액을 저장하는 외부액조(200); 내부액조(100)의 상측에 설치되고, 복수의 분사노즐(320)이 구비되며, 내부액조(100)에 장착된 반도체웨이퍼(W)에 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이(300); 및 외부액조(200)의 일측 상단에 설치되며, 피스톤로드(410)가 분사노즐 어레이(300)의 일단에 결합되어 분사노즐 어레이(300)를 길이방향으로 왕복운동시키는 실린더(400)를 포함하는 것으로서, 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이를 길이방향으로 왕복 운동시킴으로써 복수의 반도체웨이퍼의 각각에 초순수를 균일하게 분사함으로써 복수의 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 균일하게 제거할뿐만 아니라 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 빠른 시간내에 제거함으로써 뛰어난 세정 효과를 가지고 있다.The present invention relates to a rinsing apparatus for a semiconductor wafer, the semiconductor wafer (W) is mounted to the inside, the inner liquid tank 100 containing a cleaning liquid; An outer liquid tank 200 provided on an outer side of the inner liquid tank 100 and storing a washing liquid overflowed from the inner liquid tank 100; An injection nozzle array 300 installed at an upper side of the inner liquid tank 100 and provided with a plurality of injection nozzles 320 and spraying ultrapure water to a semiconductor wafer W mounted on the inner liquid tank 100; And a cylinder 400 installed at an upper end of the outer liquid tank 200 and having a piston rod 410 coupled to one end of the injection nozzle array 300 to reciprocate the injection nozzle array 300 in the longitudinal direction. By reciprocating the spray nozzle array for spraying ultrapure water in the longitudinal direction, the ultrapure water is uniformly sprayed onto each of the plurality of semiconductor wafers to uniformly remove the chemicals attached to the plurality of semiconductor wafers, as well as the chemicals attached to the semiconductor wafers. It has an excellent cleaning effect by removing it quickly.
Description
본 고안은 반도체웨이퍼의 린스장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 복수의 반도체웨이퍼의 각각에 초순수를 균일하게 분사함으로써 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬(chemical)을 빠른 시간 내에 균일하게 제거하는 반도체웨이퍼의 린스장치에 관한 것이다.The present invention relates to a rinsing apparatus for a semiconductor wafer, and more particularly, to rinsing a semiconductor wafer to uniformly remove chemicals attached to the semiconductor wafer in a short time by uniformly spraying ultrapure water onto each of the plurality of semiconductor wafers. Relates to a device.
일반적으로 반도체웨이퍼를 제조하기 위한 공정중에서 가장 기본적인 공정중의 하나인 세정공정은 웨트 스테이션(wet station)이라고 하는 세정 장비에서 진행되며, 반도체웨이퍼를 제조하기 위해서 여러 단계의 공정을 수행하는 과정에서 반도체웨이퍼에 부착된 각종 오염물을 제거한다.In general, one of the most basic processes for manufacturing semiconductor wafers is the cleaning process, which is performed in a cleaning equipment called a wet station, and in the process of performing a multi-step process for manufacturing a semiconductor wafer. Remove any contaminants attached to the wafer.
이러한 세정공정중에 특히, 린스(rinse)공정은 식각공정과 케미컬 세정공정이 종료된 반도체웨이퍼를 초순수를 사용하여 최종적으로 세정하는 공정이며, 이를 위해 린스조에 공급되는 초순수를 오버 플로우(over flow)시키는 단계와 린스조의 초순수를 퀵 덤프시키는 단계를 반복 수행함으로써 세정을 진행한다.In particular, the rinse process is a process of finally cleaning the semiconductor wafer after the etching process and the chemical cleaning process by using ultrapure water, and for this purpose, the ultrapure water supplied to the rinse bath is overflowed. The cleaning is performed by repeating the step and the step of quick dumping the ultrapure water of the rinse bath.
한편, 린스공정의 린스 효과를 높이기 위해 분사노즐 어레이를 통하여 초순수를 반도체웨이퍼에 분사하여 샤우어(shower)하는데, 이와 같은 반도체웨이퍼의 린스장치를 첨부된 도면을 이용하여 설명하면 다음과 같다.Meanwhile, in order to increase the rinsing effect of the rinsing process, ultra pure water is sprayed onto the semiconductor wafer through a spray nozzle array to show a shower. The rinsing apparatus of the semiconductor wafer will be described with reference to the accompanying drawings.
도 1은 종래의 반도체웨이퍼의 린스장치의 측단면도이며, 도 2는 종래의 반도체웨이퍼의 린스장치의 정단면도이다. 도시된 바와 같이, 종래의 반도체웨이퍼의 린스장치는 반도체웨이퍼(W)가 내측으로 장착되며 세정액을 담는 내부액조(10)와, 내부액조(10)로부터 오버 플로우(over flow)되는 세정액을 저장하는 외부액조(20)와, 내부액조(10)의 상측에 설치되며 내부액조(10)에 장착된 반도체웨이퍼(W)에 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이(30)로 구성된다.1 is a side cross-sectional view of a rinsing apparatus of a conventional semiconductor wafer, and FIG. 2 is a front sectional view of a rinsing apparatus of a conventional semiconductor wafer. As shown in the drawing, a conventional semiconductor wafer rinsing apparatus is provided with a semiconductor wafer (W) mounted inside and storing an internal liquid tank (10) containing a cleaning liquid and a cleaning liquid overflowed from the internal liquid tank (10). An external liquid tank 20 and an injection nozzle array 30 installed on the upper side of the internal liquid tank 10 and spraying ultrapure water to the semiconductor wafer W mounted on the internal liquid tank 10.
내부액조(10)에는 웨이퍼지지대(11)에 의해 1배치(batch)당 50매의 반도체웨이퍼(W)가 장착되고, 장착된 반도체웨이퍼(W)의 하측에는 미도시된 메가소닉(megasonic) 및 퀵 덤프 밸브(quick dump valve)가 구비되어 있다.The inner liquid tank 10 is equipped with 50 semiconductor wafers W per batch by the wafer support 11, and a megasonic and a megasonic not shown below the semiconductor wafer W. A quick dump valve is provided.
외부액조(20)는 내부액조(10)로부터 오버 플로우된 세정액을 일시적으로 저장하여 외부로 배출시킨다.The outer liquid tank 20 temporarily stores the washing liquid overflowed from the inner liquid tank 10 and discharges it to the outside.
분사노즐 어레이(30)는 외부의 초순수공급부(미도시 됨)로부터 초순수를 공급받아 내부액조(10)에 장착된 반도체웨이퍼(W)에 초순수를 분사하는 복수의 분사노즐(31)이 구비되어 있다.The injection nozzle array 30 is provided with a plurality of injection nozzles 31 which receive ultrapure water from an external ultrapure water supply unit (not shown) and inject ultrapure water to the semiconductor wafer W mounted on the inner liquid tank 10. .
이와 같은 구조로 이루어진 종래의 반도체웨이퍼의 린스장치의 동작은 다음과 같이 이루어진다.The operation of the conventional semiconductor wafer rinsing device having such a structure is performed as follows.
내부액조(10)에 반도체웨이퍼(W)가 장착되면 초순수가 내부액조(10)로 공급되고, 공급된 초순수는 내부액조(10)를 오버 플로우하며, 메가소닉으로부터 발생된 초음파가 초순수에 공급되어 반도체웨이퍼(W)를 린스한다. 또한, 퀵 덤프 밸브에 의해 내부액조(10)의 초순수가 순간 배수되는 퀵 덤프 린스도 병행하여 수행한다.When the semiconductor wafer W is mounted on the inner liquid tank 10, ultrapure water is supplied to the inner liquid tank 10, the supplied ultrapure water overflows the inner liquid tank 10, and ultrasonic waves generated from the megasonic are supplied to the ultrapure water. Rinse the semiconductor wafer (W). In addition, a quick dump rinse in which the ultrapure water of the internal liquid tank 10 is instantaneously drained by the quick dump valve is also performed in parallel.
한편, 내부액조(10)의 상측에 설치된 분사노즐 어레이(30)는 내부액조(10) 내에 장착된 반도체웨이퍼(W)를 향해 초순수를 분사함으로써 반도체웨이퍼(W)에 부착된 케미컬의 분리를 촉진시킨다.On the other hand, the injection nozzle array 30 installed on the upper side of the inner liquid tank 10 facilitates separation of the chemical attached to the semiconductor wafer W by spraying ultrapure water toward the semiconductor wafer W mounted in the inner liquid tank 10. Let's do it.
이와 같은 종래의 반도체웨이퍼의 린스장치는 분사노즐 어레이에 한정된 갯수의 노즐을 구비하여 사용하기 때문에 린스공정을 진행중인 복수의 반도체웨이퍼에 초순수를 불균일하게 분사함으로써 일부의 반도체웨이퍼는 그 표면에 부착된 케미컬(chemical)이 완전히 제거되지 못할 뿐만 아니라 심지어는 하나의 반도체웨이퍼의 표면에 부착된 케미컬의 제거율이 부분적으로 상이하여 후속 공정을 수행할 경우 반도체웨이퍼의 치명적인 불량을 유발시키는 문제점이 있다.Since such a conventional semiconductor wafer rinsing apparatus is provided with a limited number of nozzles in the spray nozzle array, some semiconductor wafers are unevenly sprayed on the surface by unevenly spraying ultrapure water onto a plurality of semiconductor wafers undergoing a rinsing process. (Chemical) is not completely removed, and even if the removal rate of the chemical attached to the surface of one semiconductor wafer is partially different, there is a problem that causes a fatal defect of the semiconductor wafer when performing the subsequent process.
본 고안은 상술한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 고안의 목적은 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이를 길이방향으로 왕복 운동시킴으로써 복수의 반도체웨이퍼의 각각에 초순수를 균일하게 분사함으로써 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 균일하게 제거할뿐만 아니라 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 빠른 시간내에 제거하여 세정 효과가 뛰어난 반도체웨이퍼의 린스장치를 제공하는데 있다.The present invention is to solve the above-described problems, an object of the present invention is to attach to the semiconductor wafer by uniformly spraying the ultrapure water to each of the plurality of semiconductor wafers by reciprocating longitudinally the injection nozzle array for injecting ultrapure water The present invention provides a semiconductor wafer rinsing device having excellent cleaning effect by removing chemicals uniformly and removing chemicals attached to the semiconductor wafer within a short time.
이와 같은 목적을 실현하기 위한 본 고안은, 반도체웨이퍼가 내측으로 장착되며, 세정액을 담는 내부액조; 내부액조의 외측에 구비되며, 내부액조로부터 오버 플로우(over flow)되는 세정액을 저장하는 외부액조; 내부액조의 상측에 설치되고, 복수의 분사노즐이 구비되며, 내부액조에 장착된 반도체웨이퍼에 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이; 및 외부액조의 일측 상단에 설치되며, 피스톤로드가 분사노즐 어레이의 일단에 결합되어 분사노즐 어레이를 길이방향으로 왕복운동시키는 실린더를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing such an object, the semiconductor wafer is mounted to the inside, the inner liquid tank containing the cleaning liquid; An outer liquid tank provided at an outer side of the inner liquid tank and storing a washing liquid overflowed from the inner liquid tank; An injection nozzle array disposed above the inner liquid tank and provided with a plurality of spray nozzles, for spraying ultrapure water to a semiconductor wafer mounted in the inner liquid tank; And a cylinder which is installed at an upper end of the outer liquid tank, and a piston rod is coupled to one end of the injection nozzle array to reciprocate the injection nozzle array in the longitudinal direction.
실린더는 공압실린더(pneumatic cylinder)인 것을 특징으로 한다.The cylinder is characterized in that the pneumatic cylinder (pneumatic cylinder).
도 1은 종래의 반도체웨이퍼의 린스장치의 측단면도,1 is a side cross-sectional view of a rinsing apparatus of a conventional semiconductor wafer;
도 2는 종래의 반도체웨이퍼의 린스장치의 정단면도,2 is a front sectional view of a rinsing apparatus of a conventional semiconductor wafer;
도 3은 본 고안에 따른 반도체웨이퍼의 린스장치의 사시도,3 is a perspective view of a rinsing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention;
도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도이다.4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>
100 : 내부액조 200 : 외부액조100: inner liquid tank 200: outer liquid tank
300 : 분사노즐 어레이 310 : 초순수 공급튜브300: injection nozzle array 310: ultrapure water supply tube
320 : 분사노즐 400 : 실린더(cylinder)320: injection nozzle 400: cylinder
410 : 피스톤로드 420 : 고정부재410: piston rod 420: fixed member
이하, 본 고안의 가장 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 본 고안의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 더욱 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, the most preferred embodiment of the present invention will be described in more detail so that those skilled in the art can easily practice.
도 3은 본 고안에 따른 반도체웨이퍼의 린스장치의 사시도이며, 도 4는 도 3의 A-A'선에 따른 단면도이다. 도시된 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체웨이퍼의린스장치는 반도체웨이퍼(W)가 내측으로 장착되며 세정액을 담는 내부액조(100)와, 내부액조(100)로부터 오버 플로우(over flow)되는 세정액을 저장하는 외부액조(200)와, 내부액조(100)의 상측에 설치되고 복수의 분사노즐(310)이 구비되며 내부액조(100)에 장착된 반도체웨이퍼(W)에 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이(300)와, 외부액조(200)의 일측 상단에 설치되며 피스톤로드(410)가 분사노즐 어레이(300)의 일단에 결합되어 분사노즐 어레이(300)를 길이방향으로 왕복 운동시키는 실린더(400)로 구성된다.3 is a perspective view of a rinse apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. 3. As shown, the semiconductor wafer rinsing apparatus according to the present invention is a semiconductor wafer (W) is mounted to the inside and the inner liquid tank 100 containing the cleaning liquid, and the cleaning liquid overflowed from the inner liquid tank (100) An injection nozzle array for spraying ultrapure water onto a semiconductor wafer (W) mounted on an outer side of the inner liquid tank 200 and the inner liquid tank 100 and having a plurality of injection nozzles 310 mounted on the inner liquid tank 100. 300 and a cylinder 400 installed at one upper end of the outer liquid tank 200 and having a piston rod 410 coupled to one end of the injection nozzle array 300 to reciprocate the injection nozzle array 300 in the longitudinal direction. It consists of.
내부액조(100)에는 복수의 반도체웨이퍼(W)가 장착되는데 1배치(batch)당 50매가 장착되며, 내부액조(100)의 저면에는 미도시된 메가소닉(megasonic) 및 퀵 덤프 밸브(quick dump valve)가 구비된다.The inner liquid tank 100 is equipped with a plurality of semiconductor wafers (W), 50 sheets per batch (batches), the bottom of the inner liquid tank 100, the not shown megasonic and quick dump valve (quick dump) valve) is provided.
외부액조(200)는 내부액조(100)로부터 오버 플로우되는 세정액을 일시적으로 저장하여 외부로 배출시키며, 외부액조(200)의 일측 상단에는 후술하는 실린더(400)가 설치된다.The outer liquid tank 200 temporarily stores the washing liquid overflowed from the inner liquid tank 100 and discharges it to the outside, and a cylinder 400 to be described later is installed at one upper end of the outer liquid tank 200.
분사노즐 어레이(300)는 복수의 분사노즐(320)이 내부액조(100)에 장착된 반도체웨이퍼(W)를 향하도록 구비되어 있으며, 외부의 초순수 공급부(미도시 됨)로부터 초순수 공급튜브(310)를 통하여 공급받은 초순수를 복수의 분사노즐(320)을 통해 반도체웨이퍼(W)에 분사한다. 이러한 분사노즐 어레이(300)의 일단은 실린더(400)의 피스톤 로드(410)에 결합된다.The injection nozzle array 300 is provided with a plurality of injection nozzles 320 facing the semiconductor wafer W mounted on the inner liquid tank 100, and an ultrapure water supply tube 310 from an external ultrapure water supply unit (not shown). Ultra-pure water supplied through the A) is injected to the semiconductor wafer W through the plurality of injection nozzles 320. One end of the injection nozzle array 300 is coupled to the piston rod 410 of the cylinder 400.
분사노즐 어레이(300)의 일단에 피스톤 로드(410)가 결합된 실린더(400)는 외부액조(200)의 일측 상단에 설치되는데, 도 3에 도시된 바와 같이, 실린더(400)를 외부액조(200)의 일측 상단에 설치하기 위하여 고정부재(420)가 사용된다.The cylinder 400 coupled to the piston rod 410 at one end of the injection nozzle array 300 is installed at one upper end of the outer liquid tank 200, as shown in FIG. 3, the cylinder 400 is the outer liquid tank ( The fixing member 420 is used to install on one side upper end of the 200.
한편, 실린더(400)는 공압실린더(pneumatic cylinder;400)임이 바람직하다. 따라서, 공압실린더(400)는 공기압으로 작동하여 유압 등으로 작동하는 다른 실린더에 비해 반응속도가 빠르므로 분사노즐 어레이(300)를 왕복운동시키기에 적당하다.On the other hand, the cylinder 400 is preferably a pneumatic cylinder (400). Therefore, the pneumatic cylinder 400 is suitable for reciprocating the injection nozzle array 300 because the reaction speed is faster than other cylinders operated by pneumatic pressure, such as hydraulic pressure.
이러한 공압실린더(400)의 작동타입은 공기압을 피스톤의 한쪽에서만 공급하여 실린더를 작동시키고 스프링 또는 외력에 의하여 복귀되는 형식의 단동실린더 외에 공기압을 피스톤의 양쪽 포트로 공급할 수 있어 공기압의 공급방향에 따라 피스톤을 왕복시킬 수 있는 복동실린더를 사용할 수 있다.The operation type of the pneumatic cylinder 400 is to supply the air pressure from only one side of the piston to operate the cylinder and to supply the air pressure to both ports of the piston in addition to the single-acting cylinder of the type that is returned by the spring or external force, according to the supply direction of the air pressure Double acting cylinders capable of reciprocating pistons may be used.
이러한 공압실린더(400)에 공급되는 공기압은 미도시된 공기압공급부로부터 제공되어 밸브제어부(미도시 됨)에 의해 피스톤로드(410)가 왕복운동하도록 공압실린더(400)의 포트에 공급된다.The air pressure supplied to the pneumatic cylinder 400 is provided from an air pressure supply unit not shown, and is supplied to a port of the pneumatic cylinder 400 so that the piston rod 410 reciprocates by a valve control unit (not shown).
이와 같은 구조로 이루어진 본 고안에 따른 반도체웨이퍼의 린스장치의 동작은 다음과 같이 이루어진다.The operation of the rinsing apparatus of the semiconductor wafer according to the present invention made of such a structure is made as follows.
내부액조(100)에 장착된 반도체웨이퍼(W)는 내부액조(100)에 채워지는 초순수의 오버 플로우와 메가소닉으로부터 초순수에 공급되는 초음파에 의해 린스(rinse)되며, 퀵 덤프 밸브에 의해 내부액조(100) 내의 초순수를 순간 배수토록 하여 반도체웨이퍼(W)의 린스를 촉진시킨다.The semiconductor wafer W mounted on the inner liquid tank 100 is rinsed by the overflow of ultrapure water filled in the inner liquid tank 100 and ultrasonically supplied to the ultrapure water from the megasonic, and the inner liquid tank by the quick dump valve. Ultrapure water in the 100 is instantaneously drained to promote rinsing of the semiconductor wafer W.
이 때 내부액조(100)의 상측에 위치한 분사노즐 어레이(300)로부터 초순수가 반도체웨이퍼(W)에 분사되어 샤우어(shower)를 수행하는데, 이러한 분사노즐 어레이(300)는 그 길이방향으로 실린더(400)에 의해 왕복운동을 하게 되며, 왕복운동을 하는 분사노즐 어레이(300)로부터 분사된 초순수는 내부액조(100) 내에 장착된 복수의 반도체웨이퍼(W)에 균일하게 초순수를 분사함으로써 각각의 모든 반도체웨이퍼(W)의 표면에 부착된 케미컬을 빠른 시간 내에 제거할 뿐만 아니라 균일한 린스가 이루어진다.At this time, ultrapure water is injected from the injection nozzle array 300 located above the inner liquid tank 100 to the semiconductor wafer W to perform a shower, and the injection nozzle array 300 has a cylinder in the longitudinal direction thereof. The reciprocating motion is performed by the 400, and the ultrapure water injected from the reciprocating injection nozzle array 300 is uniformly sprayed with ultrapure water onto a plurality of semiconductor wafers W mounted in the inner liquid tank 100. The chemicals attached to the surfaces of all the semiconductor wafers W are quickly removed, and a uniform rinse is achieved.
이상과 같이 본 고안의 바람직한 실시예에 따르면, 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이를 길이방향으로 왕복 운동시킴으로써 복수의 반도체웨이퍼의 각각에 초순수를 균일하게 분사함으로써 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 균일하게 제거할뿐만 아니라 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 빠른 시간내에 제거한다.According to the preferred embodiment of the present invention as described above, by uniformly spraying the ultrapure water to each of the plurality of semiconductor wafers by reciprocating the injection nozzle array for injecting ultrapure water in the longitudinal direction to uniformly remove the chemical attached to the semiconductor wafer. In addition, the chemicals attached to the semiconductor wafers are quickly removed.
상술한 바와 같이, 본 고안에 따른 반도체웨이퍼의 린스장치는 초순수를 분사하는 분사노즐 어레이를 길이방향으로 왕복 운동시킴으로써 복수의 반도체웨이퍼의 각각에 초순수를 균일하게 분사함으로써 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 균일하게 제거할뿐만 아니라 빠른 시간내에 반도체웨이퍼에 부착된 케미컬을 제거함으로써 뛰어난 세정 효과를 가지고 있다.As described above, the semiconductor wafer rinsing apparatus uniformly injects the chemical attached to the semiconductor wafer by uniformly injecting ultrapure water into each of the plurality of semiconductor wafers by reciprocating the array of injection nozzles for injecting ultrapure water in the longitudinal direction. Not only does it remove quickly, but it also has an excellent cleaning effect by removing chemicals attached to semiconductor wafers in a short time.
이상에서 설명한 것은 본 고안에 따른 반도체웨이퍼의 린스장치를 실시하기 위한 하나의 실시예에 불과한 것으로서, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 실용신안등록청구범위에서 청구하는 바와 같이 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 고안의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is just one embodiment for carrying out the rinsing apparatus of the semiconductor wafer according to the present invention, the present invention is not limited to the above embodiment, as claimed in the utility model registration claims below Without departing from the gist of the invention, anyone with ordinary knowledge in the field to which the invention belongs will have a technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020010012501U KR200241406Y1 (en) | 2001-04-30 | 2001-04-30 | Apparatus for rinsing semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2020010012501U KR200241406Y1 (en) | 2001-04-30 | 2001-04-30 | Apparatus for rinsing semiconductor wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR200241406Y1 true KR200241406Y1 (en) | 2001-10-12 |
Family
ID=73100604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2020010012501U KR200241406Y1 (en) | 2001-04-30 | 2001-04-30 | Apparatus for rinsing semiconductor wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200241406Y1 (en) |
-
2001
- 2001-04-30 KR KR2020010012501U patent/KR200241406Y1/en not_active IP Right Cessation
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080630 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |