KR200181400Y1 - Wet type etching, washing, and rinsing apparatus for semiconductor - Google Patents

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Abstract

본 고안은 공정실내에서 식각용액과 세정수를 순환시켜 식각율을 개선시킬 수 있으며, 세정률의 향상에 따라 초순수의 사용량을 줄어듦으로써, 경제적으로도 유리한 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치의 제공을 목적으로 한다.The present invention can improve the etching rate by circulating the etching solution and the washing water in the process chamber, and by reducing the amount of ultrapure water in accordance with the improvement of the cleaning rate, to provide an economically advantageous wet semiconductor etching cleaning rinsing device. do.

본 고안은, 식각용액을 저장할 수 있는 용기인 식각조(1)와, 상기 식각조(1)내의 중앙에 다수의 웨이퍼(6)를 수직으로 세워 고정할 수 있는 카세트(2)와, 상기 카세트(2)를 식각조(1) 바닥에 대하여 떠받쳐주는 받침대(3)와, 상기 식각조(1)에 상부에서 초순수를 고루 분포시켜 분사시키는 다수의 노즐이 설치된 초순수 분사기(4)를 포함하는 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치에 있어서, 상기 식각조(1)는, 식각·세정 또는 헹굼공정의 효율증진을 위하여, 상기 식각조(1)에 채워지는 식각액 또는 초순수를 식각조내에서 순환시키는 별도의 순환수단(6, 7)을 포함한다.The present invention provides an etching bath (1) which is a container for storing an etching solution, a cassette (2) capable of vertically fixing a plurality of wafers (6) in the center of the etching bath (1), and the cassette A wet type comprising a pedestal (3) for holding (2) against the bottom of the etch tank (1), and an ultrapure water injector (4) provided with a plurality of nozzles for distributing and spraying the ultrapure water from the upper portion of the etch tank (1). In the semiconductor etching cleaning rinsing apparatus, the etching bath (1) is a separate circulation means for circulating the etching liquid or ultrapure water filled in the etching bath (1) in the etching bath to increase the efficiency of the etching, cleaning or rinsing process (6, 7).

Description

습식 반도체 식각 세정 헹굼장치Wet Semiconductor Etch Cleaning Rinsing Equipment

본 고안은 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 공정실내에서 식각용액과 세정수를 순환시켜 식각율을 개선시킬 수 있으며, 세정률의 향상에 따라 초순수의 사용량이 줄어듦으로써, 경제적으로도 유리한 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wet semiconductor etching cleaning rinsing apparatus, and more specifically, it is possible to improve the etching rate by circulating the etching solution and the washing water in the process chamber, and the amount of ultrapure water is reduced according to the improvement of the cleaning rate. It also relates to an advantageous wet semiconductor etch cleaning rinse apparatus.

반도체 직접 회로(Integrated circuit : I C)는 실리콘 이산화막(Silicon Dioxide), 실리콘 질화막(Silicon Nitride) 또는 금속막(Metal) 등과 같이 다양한 종류의 박막(Thin Film)에 대하여 패턴을 형성하고, 이를 적층(Stackin)하므로써 형성된다. 이와 같은 과정 중 임의의 박막 위에 PR로 패턴 마스크(Pattern Mask)를 하고 마스킹되어 있지 않은 부분을 화학적, 혹은 물리적인 반응을 이용하여 제거하는 것을 식각(Etching)이라 칭한다.Integrated circuits (ICs) form patterns on various types of thin films, such as silicon dioxide, silicon nitride, or metal, and stack them. Formed by stacking). In such a process, a pattern mask is applied to a thin film by PR and an unmasked portion is removed by chemical or physical reactions.

이러한 식각방법은 크게 습식(Wet)과 건식(Dry) 식각으로 나눌 수 있으며, 각각의 방법은 그 특성에 따라 장점과 단점이 있다. 따라서 식각 공정은 가공하고자 하는 박막의 특성과 소자에 적용되는 패턴의 모양 및 집적도에 따라 적절한 방법을 사용하여야 한다.These etching methods can be largely divided into wet (Wet) and dry (Dry) etching, each method has advantages and disadvantages according to its characteristics. Therefore, the etching process should be used according to the characteristics of the thin film to be processed and the shape and integration of the pattern applied to the device.

이중에서 상기 습식 식각 방법은 광범위한 재질에 사용할 수 있고 선택비가 크며, 대량 처리가 가능하여 생산성이 높고, 불순물이나 먼지 등의 이물질 제거작용이 있는 등의 장점이 있어 집적도가 낮은 패턴의 형성에 주로 사용되어 왔다.Among them, the wet etching method can be used for a wide range of materials, has a large selection ratio, and can be processed in large quantities, thus providing high productivity and removing foreign substances such as impurities and dust. Has been.

습식 식각장치는 적절한 식각 용액속에 웨이퍼를 담구어, 용액의 화학작용으로 웨이퍼 표면의 박막을 제거하는 것으로, 종래에 일반적으로 사용되었던 습식 반도체 식각장치가 첨부한 도면의 제 1, 2 도에 도시되어 있다.A wet etching apparatus is a method of immersing a wafer in an appropriate etching solution to remove a thin film on the surface of the wafer by chemical reaction of the solution, which is shown in FIGS. 1 and 2 of the accompanying drawings. have.

도시된 제 1 도 및 제 2 도는 동일한 장치에서의 식각공정 순서에 따르는 식각장치의 내부구조를 보인 것이다.1 and 2 show the internal structure of the etching apparatus according to the etching process sequence in the same apparatus.

도시된 바와 같이, 식각장치는 화공약품의 조합으로 제조되는 식각용액(Chemical용액)을 저장할 수 있는 용기인 식각조(1)와, 상기 식각조(1)내의 중앙에 다수의 웨이퍼를 수직으로 세워 고정할 수 있는 카세트(Cassette)(2), 상기 카세트(2)를 받쳐주는 받침대(3), 상기 식각조(1)에 초순수를 고루 분포시켜 공급하는 초순수 분사기(4)등으로 구성되어 있다.As shown, the etching apparatus is an etch tank (1) which is a container for storing an etching solution (Chemical solution) made of a combination of chemicals and a plurality of wafers in the center in the etch tank (1) vertically And a cassette (2) which can be fixed, a pedestal (3) supporting the cassette (2), and an ultrapure water injector (4) for evenly distributing and supplying ultrapure water to the etching bath (1).

제 1 도는 반도체 웨이퍼의 박막을 일정두께 만큼 식각하거나 열공정전후 세정(Cleaning) 공정시 또는 화공약품처리후 헹굼(Rinse)공정에 사용되는 식각조를 도시한 것으로, 이러한 세가지 부류의 습식공정은 모두 용액과 웨이퍼 표면과의 화학반응 또는 기계적인 힘을 이용한 것이나, 종래의 식각장치에서의 공정들은 식각공정의 경우 식각용액을 일정량 채워넣고, 화공약품에 대한 아무런 순환없이 정체상태에서 웨이퍼를 일정시간 담궈놓고(Dipping) 기다리는 형식이다. 그리고, 헹굼공정 역시 퀵 덤핑 린스(Quick dumping rinse : Q. D. R)방법으로 식각조에 초순수 (D. I. Water)를 가득 채운 다음, 갑자기 배수밸브(Drain valve)(5)를 열어 배수시키는 일종의 샤워 메카니즘을 이용하는 방식으로 이루어 졌다.FIG. 1 illustrates an etching bath used to etch a thin film of a semiconductor wafer to a predetermined thickness, to clean the thermal process before or after the thermal process, or to rinse the chemical after chemical treatment, and all three types of wet processes are used. The chemical reaction between the solution and the wafer surface or mechanical force is used, but in the conventional etching apparatus, the etching process fills a certain amount of the etching solution, and the wafer is immersed for a certain period of time without any circulation to the chemicals. Dipping waits. In addition, the rinse process also uses a quick dumping rinse (QD R) method to fill the etching bath with ultra pure water (DI Water), and then uses a kind of shower mechanism to suddenly open and drain the drain valve (5). Was done.

그러나, 상술한 바와 같은 종래의 식각 세정방식은 식각시 식각액과 반도체 표면이 반응할 때, 식각액이 정체상태에 있으므로 반응속도가 느릴뿐만 아니라 순환력이 떨어져 식각효과도 상당히 비효율적이었다.However, in the conventional etching cleaning method as described above, when the etching solution reacts with the surface of the semiconductor during etching, the etching solution is in a stagnant state, and thus the reaction rate is not only slow but also the circulating force is insufficient, and the etching effect is quite inefficient.

또한, 헹굼공정 역시 단순히 초순수만을 채운 후 순간적으로 배수시키는 방법을 이용한 결과 웨이퍼 표면세정이 효과적이지 못하기 때문에 급수와 배수를 반복하므로써 고가의 초순수가 낭비되는 문제점이 있었다. 뿐만아니라, 초순수의 과다한 배출로 인하여 환경오염의 문제까지도 대두되었다.In addition, the rinsing process also has a problem in that expensive ultrapure water is wasted by repeating water supply and drainage because wafer surface cleaning is not effective as a result of simply filling the ultrapure water and then draining it instantaneously. In addition, due to the excessive discharge of ultrapure water, the problem of environmental pollution has also emerged.

따라서, 종래의 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치중에는 외부에 용액펌프를 설치해두고 호스를 통하여 식각조 내부로 용액을 토출시켜 순환시키는 방법도 있으나 이러한 순환방법은 릭(Leak)문제나 온도변화의 영향이 커서 바람직스럽지 못하다.Therefore, in the conventional wet semiconductor etching cleaning rinsing apparatus, a solution pump is installed outside and a solution is circulated by discharging the solution into the etching bath through a hose. However, such a circulation method has a large effect due to a leak problem or temperature change. Not desirable

따라서, 본 고안은, 종래의 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치가 가지고 있었던 문제점이 해소된 것으로, 내부에 용액 순환장치가 설치되어, 외부의 릭 문제나 온도의 영향을 받지 않으면서 웨이퍼에 대한 식각 세정공정과 헹굼공정시 식각조내의 식각용액 또는 초순수의 순환으로 식각효과와 세정효과를 높일 수 있고, 고가의 초순수의 사용을 억제하여 경제적으로도 유리한 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치의 제공을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention solves the problems of the conventional wet semiconductor etch cleaning rinsing device. A solution circulating device is installed inside the wafer, and the wafer cleaning process is performed without being affected by external rick problems or temperature. It is an object of the present invention to provide an economically advantageous wet semiconductor etching cleaning rinsing device by increasing the etching effect and the cleaning effect by circulation of the etching solution or ultrapure water in the etching bath during the rinsing process.

제1도는 종래의 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치의 구조를 보인 것으로, 식각공정시의 측단면도.1 is a side cross-sectional view of the conventional wet semiconductor etching cleaning rinsing apparatus during the etching process.

제2도는 종래의 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치의 구조를 보인 것으로, 헹굼공정시의 측단면도.2 is a side cross-sectional view of the conventional wet semiconductor etch cleaning rinsing apparatus in the rinsing process.

제3도는 본 고안의 일 실시예에 의한 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치의 구조를 보인 것으로,3 is a view showing the structure of a wet semiconductor etching cleaning rinsing apparatus according to an embodiment of the present invention,

(a)는 측단면도.(a) is a side cross-sectional view.

(b)는 평면도.(b) is a plan view.

〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉<Explanation of symbols for main parts of drawing>

1 : 식각조 2 : 카세트1: etching tank 2: cassette

3 : 받침대 4 : 초순수 분사기3: pedestal 4: ultrapure water sprayer

5 : 드레인 밸브 6 : 웨이퍼5: drain valve 6: wafer

7 : 벨로우즈 튜브 8 : 상판7: bellows tube 8: top plate

9 : 통기관9: vent pipe

상기 목적을 달성하기 위한 본 고안은, 식각용액을 저장할 수 있는 용기 식각조와, 상기 식각조내의 중앙에 다수의 웨이퍼를 수직으로 세워 고정할 수 있는 카세트와, 상기 카세트를 식각조 바닥부에 대하여 떠받쳐주는 받침대와, 상기 식각조에 상부에서 초순수를 고루 분포시켜 분사시키는 다수의 노즐이 설치된 초순수 분사기를 포함하는 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치에 있어서, 상기 식각조는, 식각·세정 또는 헹굼공정의 효율증진을 위하여, 상기 식각조에 채워지는 식각액 또는 초순수를 식각조 내에서 순환시키는 별도의 순환수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention for achieving the above object is a container etch bath for storing the etching solution, a cassette capable of vertically fixing a plurality of wafers in the center of the etch bath, and the cassette to the bottom of the etch bath In the wet semiconductor etching cleaning rinsing apparatus comprising a striking pedestal, and a plurality of nozzles for distributing and spraying ultrapure water evenly in the upper portion of the etching bath, the etching bath is, in order to increase the efficiency of the etching, cleaning or rinsing process And, characterized in that it comprises a separate circulation means for circulating the etching liquid or ultrapure water filled in the etching bath in the etching bath.

한편, 상기 순환수단은, 상기 카세트 주위의 식각조 바닥에, 공기를 배출 또는 공급받을 수 있는 통기관을 포함한 채로 설치되어, 상기 통기관을 통한 공기의 공급과 배기로 상하로 변위되는 다수의 벨로우즈 튜브(Bellows Tube)와, 상기 튜브의 상단에 부착되어 상기 튜브의 벨로우즈 변위에 의하여 상하로 요동하면서 식각조내의 용액에 순환력을 부과하는 상판으로 이루어진 것이 바람직하다.On the other hand, the circulation means, a plurality of bellows tube is installed at the bottom of the etch bath around the cassette, including a vent pipe that can discharge or receive air, and is vertically displaced by the supply and exhaust of air through the vent pipe ( Bellows Tube) and a top plate attached to the upper end of the tube and swinging up and down by the bellows displacement of the tube to impart a circulation force to the solution in the etching bath.

또한, 상기 순환수단은, 용액의 와류의 발생을 최소화하면서 순환을 원활히 하기 위하여, 상기 카세트를 사이에 두고 배치된 상기 각 벨로우즈 튜브들이 교번하여 상하로 요동되도록 하는 것이 바람직하다.In addition, the circulation means, in order to smooth the circulation while minimizing the generation of the vortex of the solution, it is preferable to allow each of the bellows tubes arranged between the cassettes to alternately swing up and down.

그리고, 상기 벨로우즈 튜브에 유입·배출되는 공기의 양과 압력을 전자제어방식으로 제어하여, 용액의 순환을 공정종류에 따라 최적조건으로 변경할 수 있도록 한다.In addition, by controlling the amount and pressure of the air flowing into and out of the bellows tube by an electronic control method, it is possible to change the circulation of the solution to the optimum conditions according to the process type.

[실시예]EXAMPLE

이하, 상기와 같은 구성을 가진 본 고안의 바람직한 일 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the present invention having the configuration as described above will be described in detail.

본 실시예를 설명함에 있어, 명세서의 서두에서 설명된 종래의 기술과 동일한 본 고안의 구성에 대해서는 종래의 것과 동일한 부호를 사용하며, 명료성을 위하여 종래와 중복되는 설명을 피하고 개선된 부분만을 주로하여 설명한다.In describing the present embodiment, the same reference numerals as the conventional ones are used for the configuration of the present invention, which is the same as the conventional technology described at the beginning of the specification. Explain.

첨부된 도면의 제 3 도는 본 고안의 일 실시예에 의한 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치의 구조를 보인 것으로, (a)는 측단면도이고, (b)는 평면도이다.3 of the accompanying drawings shows a structure of a wet semiconductor etching cleaning rinsing apparatus according to an embodiment of the present invention, (a) is a side cross-sectional view, (b) is a plan view.

본 고안의 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치는 (a)에 도시된 바와 같이, 식각용액(Chemical용액)을 저장하게 되는 식각조(1)와, 상기 식각조(1)내의 중앙에 다수의 웨이퍼를 수직으로 세워 고정할 수 있도록 설치된 카세트(2)와, 상기 카세트(2)를 받쳐주는 받침대(3), 그리고 상기 식각조(1)에 초순수를 고루 분포시켜 공급하는 초순수 분사기(4)등으로 구성되어 있으며, 여기에 상기 카세트(2)의 주변에 벨로우즈 튜브(7)들이 추가로 설치된다.In the wet semiconductor etching cleaning rinsing apparatus of the present invention, as shown in (a), an etching bath (1) for storing an etching solution (Chemical solution) and a plurality of wafers are vertically centered in the etching bath (1). It consists of a cassette (2) installed so as to be fixed to the stand, a pedestal (3) for supporting the cassette (2), and an ultrapure water injector (4) for distributing and supplying ultrapure water evenly to the etching bath (1) Here, bellows tubes 7 are additionally installed around the cassette 2.

이 벨로우즈 튜브(7)는 통기관(9)이 설치된 식각조(1) 바닥에 부착되는 것으로, 상기 통기관(9)을 통한 공기의 유입과 배출로 수축과 팽창되는 구조를 하고 있으며, 본 실시예에서는 (b)에 도시된 바와 같이, 카세트(2) 주변의 식각조(1) 각 변에 하나씩, 모두 4 개가 설치되어 있다.The bellows tube (7) is attached to the bottom of the etching tank (1) in which the vent pipe (9) is installed, and has a structure that is contracted and expanded by the inlet and outlet of air through the vent pipe (9), As shown in (b), four pieces are provided, one on each side of the etching bath 1 around the cassette 2.

따라서, 식각 세정공정시 또는 헹굼공정시, 4 개의 벨로우즈 튜브(7)들중 인접하고 있는 2 개의 벨로우즈 튜브(7)를 1 조로하여 대향·배치된 각 벨로우즈 튜브(7)들이 2 개씩 교번하여 수축팽창되면서, 식각조(1)내에 채워진 식각용액이나 초순수 등을 식각조(1)내에서 활발하게 순환시키게 된다.Therefore, in the etching cleaning process or the rinsing process, two of the bellows tubes 7 adjacent to each other among the four bellows tubes 7 are arranged in one pair so that two opposed bellows tubes 7 are alternately contracted. As it expands, the etching solution or ultrapure water, etc., filled in the etching bath 1 are actively circulated in the etching bath 1.

그리고 이러한 각 벨로우즈 튜브(7)들의 수축팽창을 위한 벨로우즈 내로의 공기 유입과 배출은 인접한 벨로우즈 튜브(7)와 함께 변위되도록 전자 제어방식에 의하여 제어된다. 따라서 전자제어방식의 프로그램을 변경하여, 웨이퍼(6)의 종류에 따라서 식각용액 등의 순환정도를 조절한 수도 있다.And the air inflow and outflow into the bellows for shrinkage expansion of each of these bellows tubes 7 is controlled by an electronic control method so as to be displaced together with the adjacent bellows tubes 7. Therefore, the degree of circulation of the etching solution or the like may be adjusted according to the type of the wafer 6 by changing the electronic control program.

이러한 본 고안의 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치를 작동순서에 따라 간단히 살펴본다.The wet semiconductor etch cleaning rinsing apparatus of the present invention will be briefly described according to the operating sequence.

먼저, 로봇 암(Robot Arm : 미도시)이 상기 식각조(1)내부의 받침대(3)위에 웨이퍼(6)를 담은 카세트(2)를 올려 놓으면, 인접하고 있는 두개의 벨로우즈 튜브(7)가 2 조 나뉘어 수축과 팽창을 한다. 따라서, 식각조(1)내의 식각용액 또는 초순수가 벨로우즈 튜브(7)들의 수축팽창에 따른 상판(8)의 상하운동으로 순환된다. 이러한 식각용액과 초순수의 순환으로 웨이퍼(6)에 대한 식각·세정 및 헹굼이 보다 효과적으로 진행된다.First, when a robot arm (not shown) places a cassette 2 containing a wafer 6 on a pedestal 3 inside the etching bath 1, two bellows tubes 7 adjacent to each other are placed. 2 groups are divided into contraction and expansion. Therefore, the etching solution or the ultrapure water in the etching bath 1 is circulated in the vertical motion of the upper plate 8 due to the contraction and expansion of the bellows tubes 7. The etching, washing, and rinsing of the wafer 6 are more effectively performed by the circulation of the etching solution and the ultrapure water.

한편, 상기한 바와 같은 순환장치의 벨로우즈 튜브(7)의 재료로는 내마모성 물질인 PTFE나 PFA를 사용하였으며, 이것은 식각조(1)의 내부에 설치되어 종래의 순환장치와는 달리, 웨이퍼(6)가 외부의 릭이나 온도의 영향을 받지 않도록 하였다.On the other hand, as the material of the bellows tube 7 of the circulator as described above, PTFE or PFA, which is a wear-resistant material, was used, which is installed inside the etching bath 1, and unlike the conventional circulator, the wafer 6 ) Is not affected by external rick or temperature.

이상에서 상세히 설명한 바와 같은 본 고안에 의하면, 웨이퍼에 대한 식각·세정 헹굼시, 웨이퍼를 외부의 릭문제나 온도의 영향을 받지 않게 하면서, 웨이퍼에 대한 식각 세정공과 헹굼공정시, 식각조내의 식각용액 또는 초순수를 순환시키므로써, 웨이퍼에 대한 식각효과와 세정효과를 극대화시 킬 수 있다.According to the present invention as described in detail above, during the etching and cleaning rinsing of the wafer, the etching solution in the etching bath during the etching cleaning hole and the rinsing process for the wafer, while the wafer is not affected by external rick problems or temperature Alternatively, by circulating ultrapure water, it is possible to maximize the etching effect and the cleaning effect on the wafer.

또한, 세정효과의 향상에 따라 고가의 초순수의 사용량이 줄어들게 되어, 경제적으로도 유리하며, 또한 환경오염도도 줄일 수 있다.In addition, as the cleaning effect is improved, the amount of expensive ultrapure water used is reduced, which is economically advantageous, and environmental pollution can also be reduced.

이상에서 본 고안을 특정의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였으나, 본 고안은 상기한 실시예에 한정되지 아니하며, 실용신안등록 청구의 범위에서 청구하는 본 고안의 요지를 벗어남이 없이 당해 고안이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능할 것이다.While the present invention has been illustrated and described with respect to certain preferred embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention belongs without departing from the gist of the present invention claimed in the utility model registration claims. Anyone with ordinary knowledge in the field will be able to make various changes.

Claims (2)

식각 용액이 저장되는 용기 식각조; 상기 식각조의 저면에 설치된 받침대; 상기 받침대상에 설치되어, 다수의 웨이퍼가 수직으로 세워 고정되는 카세트; 상기 식각조 상부에 배치되어, 상기 식각조내로 초순수를 분사하는 다수의 노즐이 설치된 초순수 분사기; 상기 카세트 주위의 식각조 저면에 배치되고, 공기가 배출 또는 공급되는 통기관을 가지며, 상기 통기관을 통한 공기의 공급과 배기에 의해 상하로 변위되는 복수개의 벨로우즈 튜브; 및 상기 벨로우즈 튜브의 상단에 부착되어, 상기 벨로우즈 튜브가 상하로 변위되는 것에 의해 상하로 요동하면서 상기 식각조내의 용액에 순환력을 부여하는 상판을 포함하는 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치.A vessel etching bath in which an etching solution is stored; Pedestal installed on the bottom of the etching bath; A cassette installed on the pedestal, the plurality of wafers vertically fixed to each other; An ultrapure water injector disposed above the etching bath and provided with a plurality of nozzles for injecting ultrapure water into the etching bath; A plurality of bellows tubes disposed on the bottom surface of the etch bath around the cassette, having a vent pipe through which air is discharged or supplied, and which are vertically displaced by supply and exhaust of air through the vent pipe; And a top plate attached to an upper end of the bellows tube to impart a circulation force to the solution in the etching bath while swinging up and down by displacing the bellows tube up and down. 제1항에 있어서, 상기 각 벨로우즈 튜브들은, 용액의 와류를 최소화하면서 용액 순환은 원활히 하기 위하여, 교번하여 상하로 요동되는 것을 특징으로 하는 습식 반도체 식각 세정 헹굼장치.The wet semiconductor etch cleaning rinse apparatus according to claim 1, wherein each of the bellows tubes is alternately swinged up and down to minimize solution vortex and smooth solution circulation.
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