KR20220043720A - Wafer cleaning apparatus - Google Patents

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KR20220043720A
KR20220043720A KR1020200127448A KR20200127448A KR20220043720A KR 20220043720 A KR20220043720 A KR 20220043720A KR 1020200127448 A KR1020200127448 A KR 1020200127448A KR 20200127448 A KR20200127448 A KR 20200127448A KR 20220043720 A KR20220043720 A KR 20220043720A
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길병진
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에스케이실트론 주식회사
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Abstract

The present embodiment provides a wafer cleaning device, which includes: a bath having the upper surface which is open, and accommodating a plurality of wafers in a line in a front/rear direction at a predetermined interval; a shower bar disposed on the upper side of the bath and spraying a rinse solution toward the wafers in the bath; and a driving unit mounted on the outside of the bath and reciprocating the shower bar from the upper side of the bath.

Description

웨이퍼 세정장치 {Wafer cleaning apparatus}Wafer cleaning apparatus

본 발명은 린스액을 웨이퍼의 표면 전체에 걸쳐 골고루 샤워 분사시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer cleaning apparatus capable of uniformly shower-spraying a rinse liquid over the entire surface of a wafer.

일반적으로 웨이퍼는 슬라이싱(slicing) 공정, 그라인딩(grinding) 공정, 랩핑(lapping) 공정, 에칭(etching) 공정, 폴리싱(polishing) 공정 등의 일련의 공정을 거쳐 반도체 소자 제조용 웨이퍼로 생산된다. In general, a wafer is produced as a wafer for semiconductor device manufacturing through a series of processes such as a slicing process, a grinding process, a lapping process, an etching process, and a polishing process.

웨이퍼 제작 공정이 진행되는 동안, 웨이퍼의 표면은 미세 파티클, 금속 오염물, 유기 오염물 등에 의해 오염될 수 있다. 이러한 오염물은 웨이퍼의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라, 반도체 소자의 물리적 결함 및 특성 저하를 일으키는 원인으로 작용하여, 궁극적으로 반도체 소자의 생산 수율을 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 웨이퍼 표면에 묻은 오염물들을 제거하기 위해서 산 또는 알칼리 등의 에칭액이나 순수(Deionized water)를 이용하는 습식 세정 공정을 진행한다.During the wafer fabrication process, the surface of the wafer may be contaminated by fine particles, metal contaminants, organic contaminants, and the like. These contaminants not only deteriorate the quality of the wafer, but also act as a cause of physical defects and deterioration of the properties of the semiconductor device, ultimately reducing the production yield of the semiconductor device. Accordingly, a wet cleaning process using an etching solution such as acid or alkali or deionized water is performed to remove contaminants attached to the wafer surface.

습식 세정 공정은 웨이퍼를 하나씩 세정하는 매엽식과, 웨이퍼들을 한꺼번에 세정하는 배치식으로 나뉘어진다. The wet cleaning process is divided into a single-wafer method in which wafers are cleaned one by one, and a batch method in which wafers are cleaned at once.

배치식 웨이퍼 세정 장치는 세정액으로 채워진 세정조에 복수개의 웨이퍼를 일정 시간 담그고, 웨이퍼의 표면을 세정하는 세정 공정을 수행할 수 있다. The batch-type wafer cleaning apparatus may perform a cleaning process of immersing a plurality of wafers in a cleaning tank filled with a cleaning liquid for a predetermined time and cleaning the surface of the wafer.

세정 공정이 진행되는 동안, 웨이퍼 표면에 존재하는 파티클(particle), 유기물, 메탈 오염물 등과 같은 오염 물질을 SC1(standard cleaning-1), SC2(standard cleaning-2), 인산(phosphoric acid) 등과 같은 적절한 세정액을 사용하여 화학 반응으로 제거할 수 있고, 웨이퍼 표면에 형성된 산화막이나 질화막 등을 제거하는 습식 식각(wet etching)이 진행될 수 있다.During the cleaning process, contaminants such as particles, organic materials, metal contaminants, etc. present on the wafer surface are removed by suitable methods such as standard cleaning-1 (SC1), standard cleaning-2 (SC2), phosphoric acid, and the like. It may be removed by a chemical reaction using a cleaning solution, and wet etching may be performed to remove an oxide film or a nitride film formed on the wafer surface.

상기와 같은 세정 공정이 완료되면, 순수 등과 같은 린스액으로 채워진 린스조에 복수개의 웨이퍼를 담그고, 웨이퍼의 표면에서 떨어져 나오거나 잔류하는 오염물을 확실하게 제거해 주는 린스 공정을 수행할 수 있다.When the cleaning process as described above is completed, a plurality of wafers may be immersed in a rinse tank filled with a rinse liquid such as pure water, and a rinse process may be performed to reliably remove contaminants that fall off or remain on the surface of the wafer.

린스 공정이 진행되는 동안, 샤워 노즐에 의해 린스조 내부에 순수를 샤워 분사시키는 동시에 린스조에 채워진 순수를 배수시키는 과정을 반복함으로서, 샤워 분사되는 순수에 의해 웨이퍼의 표면에 잔존하는 물질들을 씻어주는 동시에 오염물을 순수와 함께 배출시킬 수 있다. During the rinsing process, the shower nozzle sprays pure water into the rinse tub while simultaneously draining the pure water from the rinsing tub, thereby washing the remaining substances on the wafer surface by the shower-sprayed pure water. Contaminants can be discharged together with pure water.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 세정 장치가 도시된 구성도이다.1 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the prior art.

종래 기술의 웨이퍼 세정 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 린스 공정을 수행하는 배쓰(1)와, 배쓰(1) 상측에 고정된 제1,2 샤워 노즐(2,3)을 포함한다.The prior art wafer cleaning apparatus includes a bath 1 for performing a rinse process as shown in FIG. 1 , and first and second shower nozzles 2 and 3 fixed to the upper side of the bath 1 .

세정 공정이 완료되면, 웨이퍼들(W)은 린스액이 담긴 배쓰(1)에 투입되고, 배쓰(1)에 담긴 린스액을 배수시키는 동시에 제1,2 샤워 노즐(2,3)에서 린스액이 분사되도록 한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에 남아있는 물질들을 씻어주는 동시에 오염물을 순수와 함께 배수시킬 수 있다When the cleaning process is completed, the wafers W are put into the bath 1 containing the rinse liquid, and the rinse liquid contained in the bath 1 is drained and the rinse liquid is applied from the first and second shower nozzles 2 and 3 at the same time. Let it be sprayed. Accordingly, it is possible to wash off the materials remaining on the surface of the wafer W and at the same time drain the contaminants together with the pure water.

그러나, 종래 기술의 웨이퍼 세정 장치는 샤워 노즐의 위치가 고정되기 때문에 웨이퍼의 표면 중 샤워 분사되는 린스액이 닿지 못하는 영역(dead zone)이 발생될 수 있다.However, in the wafer cleaning apparatus of the prior art, since the position of the shower nozzle is fixed, a dead zone may be generated on the surface of the wafer where the rinse solution sprayed by the shower cannot reach.

또한, 샤워 노즐의 불량 또는 노후화로 인하여 린스액의 분사 방향이 틀어지거나, 린스액의 분사 압력이 약해지는 경우에도 마찬가지로 웨이퍼의 표면 중 샤워 분사되는 린스액이 닿지 못하는 영역이 발생될 수 있다. Also, even when the spray direction of the rinse liquid is changed or the spray pressure of the rinse liquid is weakened due to a defect or deterioration of the shower nozzle, a region on the surface of the wafer where the rinse agent sprayed by the shower cannot reach may be generated.

상기와 같이, 웨이퍼의 표면 중 일부에 샤워 분사되는 린스액이 닿지 못하면, 해당 영역에 오염물이 잔존하여 얼룩을 발생시킬 수 있으므로, 세정 능력을 저하시킬 뿐 아니라 불량률을 높이는 문제점이 있다.As described above, if the shower sprayed rinse liquid does not come into contact with a portion of the surface of the wafer, contaminants may remain in the area to cause stains, thereby reducing cleaning ability and increasing the defect rate.

본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 린스액을 웨이퍼의 표면 전체에 걸쳐 골고루 샤워 분사시킬 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been devised to solve the problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a wafer cleaning apparatus capable of uniformly shower-spraying a rinse liquid over the entire surface of a wafer.

본 실시예는, 상면이 개방되고, 복수개의 웨이퍼가 소정 간격을 두고 전/후 방향으로 일렬로 세워진 상태로 수용되는 배쓰(bath); 상기 배쓰의 상측에 배치되고, 상기 배쓰 내의 웨이퍼들을 향하여 린스액을 분사시키는 샤워 바(shower bar); 및 상기 배쓰 외측에 장착되고, 상기 샤워 바를 상기 배쓰의 상측에서 왕복 구동시키는 구동부;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치를 제공할 수 있다.In this embodiment, the upper surface is opened, a plurality of wafers are accommodated in a line in a front/rear direction at a predetermined interval (bath); a shower bar disposed on the upper side of the bath and spraying a rinse solution toward the wafers in the bath; and a driving unit mounted on the outside of the bath and reciprocally driving the shower bar from an upper side of the bath.

상기 샤워 바는, 상기 배쓰의 전/후 방향으로 길게 배치될 수 있다.The shower bar may be elongated in a front/rear direction of the bath.

상기 샤워 바는, 하측에 길이 방향으로 소정 간격을 두고 복수개의 노즐이 구비될 수 있다.The shower bar may be provided with a plurality of nozzles at a predetermined interval in the longitudinal direction on the lower side.

상기 구동부는, 적어도 웨이퍼의 출입이 가능한 영역을 확보하기 위하여 상기 샤워 바를 상기 배쓰의 일측면과 타측면 사이에서 왕복 이동시킬 수 있다.The driving unit may reciprocally move the shower bar between one side and the other side of the bath in order to secure at least an area in which the wafer can be entered and exited.

상기 구동부는, 상기 샤워 바의 일단과 상단이 연결된 연결 바와, 상기 연결 바를 상기 배쓰의 전면 또는 후면에 고정시키는 힌지축과, 상기 연결 바에 회전력을 제공하는 구동 모터와, 상기 구동 모터의 회전력을 설정 범위 내에서 상기 연결 바의 왕복 운동으로 전달하는 동력 전달부를 포함할 수 있다.The driving unit includes a connection bar connected to one end and an upper end of the shower bar, a hinge shaft for fixing the connection bar to the front or rear surface of the bath, a driving motor providing rotational force to the connection bar, and setting the rotational force of the driving motor It may include a power transmission unit for transmitting the reciprocating motion of the connection bar within the range.

상기 동력 전달부는, 상기 힌지축 하측에 위치되고, 상기 구동 모터의 회전축이 일면에 연결된 회전판과, 상기 회전판의 반대면에 상기 구동 모터의 회전축과 편심되게 구비된 가이드 돌기와, 상기 가이드 돌기가 끼워지고, 상기 연결 바의 하단에 길이 방향으로 길게 구비된 가이드 홈을 포함할 수 있다.The power transmission unit is located below the hinge shaft, the rotating plate is connected to one surface of the rotating shaft of the driving motor, and a guide protrusion provided eccentrically with the rotating shaft of the driving motor on the opposite surface of the rotating plate, and the guide protrusion is fitted , It may include a guide groove provided long in the longitudinal direction at the lower end of the connection bar.

상기 샤워 바와 연결 바는, 린스액이 유동되는 유로가 내장될 수 있다.The shower bar and the connecting bar may have a built-in flow path through which the rinse liquid flows.

상기 배쓰는, 하측에 린스액을 배수시키는 배수구가 구비될 수 있다.The bath may be provided with a drain hole for draining the rinse liquid at the lower side.

본 실시예는, 상기 배쓰 내측 하부에 회전 가능하게 구비되고, 상기 웨이퍼들의 하단을 지지하는 적어도 한 쌍의 지지축;을 더 포함할 수 있다.The present embodiment may further include; at least one pair of support shafts rotatably provided at the lower inner side of the bath and supporting the lower ends of the wafers.

상기 지지축은, 상기 웨이퍼들을 승강시키기 위하여 원주 방향의 일부분에 돌출된 캠부를 더 포함할 수 있다.The support shaft may further include a cam portion protruding from a portion of the circumferential direction to lift the wafers.

본 실시예에 따르면, 하나의 샤워 바가 배쓰 상측에 일측면과 타측면 사이에서 왕복 이동하면서 배쓰 전체 영역에 걸쳐 샤워 분사가 이뤄지도록 함으로서, 웨이퍼의 표면 또는 배쓰의 내측면에 묻은 오염원을 효과적으로 제거할 수 있다.According to this embodiment, one shower bar is reciprocally moved between one side and the other side on the upper side of the bath so that the shower is sprayed over the entire area of the bath. can

또한, 웨이퍼와 배쓰에서 씻겨나온 이물질을 린스액과 같이 배쓰의 배수구를 통하여 외부로 배출시킴으로서, 웨이퍼의 표면 또는 배쓰의 내측면에 대한 청정도를 효과적으로 유지 및 관리할 수 있다.In addition, by discharging foreign substances washed from the wafer and the bath to the outside through the drain hole of the bath like a rinse solution, it is possible to effectively maintain and manage the cleanliness of the surface of the wafer or the inner surface of the bath.

도 1은 종래 기술에 따른 웨이퍼 세정 장치가 도시된 구성도.
도 2는 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치가 도시된 정면도.
도 3은 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치가 도시된 측면도.
도 4는 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치가 도시된 배면도.
도 5는 본 실시예에 적용된 샤워 바가 도시된 저면도.
도 6 내지 도 7은 본 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 작동 상태가 도시된 정면도 및 배면도.1 is a block diagram showing a wafer cleaning apparatus according to the prior art.
Fig. 2 is a front view showing the wafer cleaning apparatus of this embodiment;
Fig. 3 is a side view showing the wafer cleaning apparatus of this embodiment;
Fig. 4 is a rear view showing the wafer cleaning apparatus of this embodiment;
5 is a bottom view showing a shower bar applied to the present embodiment.
6 to 7 are a front view and a rear view showing an operating state of the wafer cleaning apparatus according to the present embodiment.

이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. Hereinafter, the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2 내지 도 4는 본 실시예의 웨이퍼 세정 장치가 도시된 정면도와 측면도 및 배면도이고, 도 5는 본 실시예에 적용된 샤워 바가 도시된 저면도이다.2 to 4 are a front view, a side view, and a rear view showing the wafer cleaning apparatus of this embodiment, and FIG. 5 is a bottom view showing the shower bar applied to the present embodiment.

본 실시예의 웨이퍼 세정 장치는 린스 공정이 이루어지는 배쓰(110)와, 배쓰 내에서 웨이퍼들(W)을 회전 가능하게 지지하는 적어도 한 쌍의 지지축(120)과, 린스액을 샤워 분사시키는 샤워 바(130)와, 샤워 바(130)를 왕복 구동시키는 구동부를 포함한다.The wafer cleaning apparatus of this embodiment includes a bath 110 in which a rinse process is performed, at least a pair of support shafts 120 for rotatably supporting wafers W in the bath, and a shower bar for showering a rinse solution. 130 and a driving unit for reciprocally driving the shower bar 130 .

배쓰(110)는 상면이 개방된 형태로서, 웨이퍼들(W)을 비롯하여 린스액을 수용할 수 있다. 배쓰(110)는 내/외조(111,112)로 구성될 수 있고, 내조(111)의 린스액이 외조(112)로 오버 플로우될 수 있으나, 한정되지 아니한다. The bath 110 has an open top surface, and may receive a rinse solution including the wafers W. The bath 110 may include inner/outer tanks 111 and 112 , and the rinse solution of the inner tank 111 may overflow into the outer tank 112 , but is not limited thereto.

린스 공정 중 배쓰(110) 내부에 린스액을 채울 때, 별도로 구비된 린스액 공급 유로(미도시)가 사용되거나, 하기에서 설명될 샤워 바(130)가 사용될 수 있으며, 한정되지 아니한다. 물론, 배쓰(110) 내부에 채워지는 린스액은 각종 불순물이 제거된 순수(DIW)를 사용하는 것이 바람직하나, 한정되지 아니한다. When the rinse solution is filled in the bath 110 during the rinse process, a separately provided rinse solution supply flow path (not shown) may be used, or a shower bar 130 to be described below may be used, but is not limited thereto. Of course, it is preferable to use pure water (DIW) from which various impurities are removed as the rinse liquid filled in the bath 110 , but is not limited thereto.

웨이퍼들(W)은 카세트(C)에 전/후 방향으로 소정 간격을 두고 일렬로 배열되고, 웨이퍼들(W)이 안착된 카세트(C)가 린스 공정을 위해 배쓰(110)에 수용될 수 있다. 카세트(C)가 배쓰(110) 내부에 투입되면, 배쓰(110) 내부에 구비된 지지축들(120)에 안착될 수 있다. Wafers (W) are arranged in a line at predetermined intervals in the front/rear direction on the cassette (C), and the cassette (C) on which the wafers (W) are seated can be accommodated in the bath 110 for the rinse process. there is. When the cassette C is put into the bath 110 , it may be seated on the support shafts 120 provided inside the bath 110 .

배쓰(110)는 하측 중심에 린스액이 배수될 수 있는 배수구(110h)가 구비될 수 있는데, 린스 공정 중 배수구(110h)는 선택적으로 개폐될 수 있으나, 한정되지 아니한다.The bath 110 may be provided with a drain hole 110h through which the rinse liquid can be drained at the lower center, and the drain hole 110h may be selectively opened and closed during the rinse process, but is not limited thereto.

지지축들(120)은 배쓰(110)의 내부 하측에 길이 방향으로 길게 배치되는데, 카세트(C)에 안착된 웨이퍼들(W)의 하단을 지지할 수 있다. The support shafts 120 are disposed long in the longitudinal direction at the inner lower side of the bath 110 , and may support the lower ends of the wafers W seated in the cassette C.

실시예에 따르면, 두 개의 지지축(120)이 소정 간격을 두고 나란히 구비되고, 각 지지축(120)의 원주 방향의 일부분에만 돌출된 캠부(121)가 구비되며, 지지축들(120)은 배쓰(110) 내측에 장착된 복수개의 기어(122)에 의해 배쓰(110) 외측에 구비된 모터(미도시)와 연결될 수 있다.According to the embodiment, two support shafts 120 are provided side by side at a predetermined distance, and a cam portion 121 protruding only in a portion of the circumferential direction of each support shaft 120 is provided, and the support shafts 120 are It may be connected to a motor (not shown) provided on the outside of the bath 110 by a plurality of gears 122 mounted inside the bath 110 .

따라서, 모터가 구동됨에 따라 지지축들(120)은 동일한 방향으로 회전될 수 있고, 각 지지축(120)이 회전됨에 따라 캠부(121)의 외주면이 웨이퍼들(W)의 하단을 지지함으로서, 웨이퍼들(W)을 승강시킬 수 있다. Therefore, as the motor is driven, the support shafts 120 can be rotated in the same direction, and as each support shaft 120 is rotated, the outer peripheral surface of the cam part 121 supports the lower ends of the wafers W, The wafers W may be raised and lowered.

샤워 바(130)는 배쓰(110) 내의 웨이퍼들(W)을 향하여 린스액을 샤워 분사시키도록 구비되는데, 배쓰(110) 상측에 전/후 방향으로 길게 배치되고, 배쓰(110)의 양측 방향으로 왕복 이동 가능하게 구비될 수 있다.The shower bar 130 is provided to shower-spray the rinse liquid toward the wafers W in the bath 110 , and is disposed on the upper side of the bath 110 in the front/rear direction and in both directions of the bath 110 . may be provided to be reciprocally movable.

샤워 바(130) 내측에 린스액이 유동될 수 있는 내부 유로(131)가 구비되고, 샤워 바(131)의 하면에 린스액을 샤워 분사시키는 복수개의 노즐(132)이 구비되는데, 노즐들(132)은 샤워 바(130)의 길이 방향으로 일정 간격을 두고 구비될 수 있다. An inner flow path 131 through which the rinse solution can flow is provided inside the shower bar 130 , and a plurality of nozzles 132 for shower spraying the rinse solution are provided on the lower surface of the shower bar 131 , the nozzles ( 132 may be provided at regular intervals in the longitudinal direction of the shower bar 130 .

물론, 샤워 바(130)가 배쓰(110) 상측에 배치되면, 각 노즐들(132)이 배쓰(110) 내측에 안착된 웨이퍼들(W)을 향하게 구비될 수 있다.Of course, when the shower bar 130 is disposed above the bath 110 , each nozzle 132 may be provided to face the wafers W seated inside the bath 110 .

구동부는 배쓰(110) 외측에 장착되는데, 샤워 바(130)를 배쓰(110)의 상측에서 왕복 구동시키도록 구성될 수 있다.The driving unit is mounted on the outside of the bath 110 , and may be configured to reciprocally drive the shower bar 130 from the upper side of the bath 110 .

실시예에 따르면, 구동부(110)는 샤워 바(130)와 연결된 연결 바(140)와, 연결 바(140)를 회전 가능하게 고정시키는 힌지축(H)과, 연결 바(140)에 회전력을 제공하는 구동 모터(150)와, 연결 바(140)와 구동 모터(150) 사이에 구비된 동력 전달부(160)로 구성될 수 있다.According to the embodiment, the driving unit 110 applies a rotational force to the connecting bar 140 connected to the shower bar 130 , the hinge shaft H for rotatably fixing the connecting bar 140 , and the connecting bar 140 . It may be composed of a driving motor 150 provided, and a power transmission unit 160 provided between the connecting bar 140 and the driving motor 150 .

샤워 바(130)는 배쓰(110) 상측에 수평하게 설치되고, 연결 바(140)는 배쓰(110)의 전면 또는 후면에 수직하게 설치되는데, 샤워 바(130)의 일단과 연결 바의 상단이 서로 연결될 수 있다. The shower bar 130 is installed horizontally on the upper side of the bath 110 , and the connection bar 140 is installed vertically on the front or rear side of the bath 110 , where one end of the shower bar 130 and the upper end of the connection bar are installed. can be connected to each other.

연결 바(140) 내측에 린스액이 유동될 수 있는 내부 유로(141)가 구비될 수 있고, 샤워 바(130)의 내부 유로(131)와 연결 바(140)의 내부 유로(141)가 서로 연통될 수 있으나, 한정되지 아니한다. 물론, 린스액을 공급하기 위하여 별도의 공급 유로(미도시)가 연결 바(140)의 내부 유로(141)에 연결될 수 있으나, 한정되지 아니한다.An internal flow path 141 through which the rinse liquid may flow may be provided inside the connection bar 140 , and the internal flow path 131 of the shower bar 130 and the internal flow path 141 of the connection bar 140 are connected to each other. It may be communicated, but is not limited thereto. Of course, a separate supply flow path (not shown) may be connected to the internal flow path 141 of the connection bar 140 in order to supply the rinse solution, but is not limited thereto.

힌지축(H)은 연결 바(140)를 배쓰(110)의 전면 또는 후면에 회전 가능하게 고정시키는데, 힌지축(H)을 중심으로 연결 바(140)가 회전될 수 있다. 힌지축(H)의 위치는 연결 바(140)의 길이 및 회전 이동 범위를 고려하여 결정될 수 있다. The hinge shaft (H) rotatably fixes the connection bar 140 to the front or rear surface of the bath 110, and the connection bar 140 may be rotated around the hinge shaft (H). The position of the hinge shaft H may be determined in consideration of the length and rotational movement range of the connecting bar 140 .

구동 모터(150)와 동력 전달부(160)는 배쓰(110) 외측에 구비되는데, 구동 모터(150)는 회전력을 제공하고, 동력 전달부(160)는 구동 모터(150)의 회전력을 설정 범위 내에서 연결 바(140)의 왕복 회전 운동으로 변환시킬 수 있다. The driving motor 150 and the power transmission unit 160 are provided outside the bath 110 , the driving motor 150 provides rotational force, and the power transmission unit 160 sets the rotational force of the driving motor 150 within a set range. It can be converted into a reciprocating rotational motion of the connecting bar 140 within.

상세하게, 동력 전달부(160)는 구동 모터(150)의 회전축이 일면에 연결된 회전판(161)과, 회전판(161)의 반대면에 구동 모터(150)의 회전축과 편심되게 구비된 가이드 돌기(162)와, 가이드 돌기(162)가 끼워지도록 연결 바(140)의 하단에 길이 방향으로 길게 구비된 가이드 홈(142)으로 구성될 수 있다. In detail, the power transmission unit 160 includes a rotating plate 161 to which the rotating shaft of the driving motor 150 is connected to one surface, and a guide protrusion ( 162 , and a guide groove 142 elongated in the longitudinal direction at the lower end of the connecting bar 140 so that the guide protrusion 162 is fitted.

회전판(161)은 힌지축(H) 보다 하측에 위치되고, 가이드 홈(142) 역시 힌지축(H)을 중심으로 연결 바(140)의 하단에 구비되는 것이 바람직하다. It is preferable that the rotating plate 161 is positioned below the hinge shaft H, and the guide groove 142 is also provided at the lower end of the connection bar 140 with the hinge shaft H as the center.

따라서, 구동 모터(150)가 구동됨에 따라 회전판(161)이 회전되면, 회전판(161) 측의 가이드 돌기(162)가 구동 모터(150)의 회전축을 중심으로 회전되는 동시에 연결 바(140) 측의 가이드 홈(142)을 따라 이동되고, 연결 바(140) 및 이와 연결된 샤워 바(130)가 힌지축(H)을 중심으로 설정 범위 내에서 왕복 회전 운동한다. Accordingly, when the rotating plate 161 is rotated as the driving motor 150 is driven, the guide protrusion 162 on the rotating plate 161 side is rotated about the rotating shaft of the driving motor 150 while simultaneously rotating the connecting bar 140 side. is moved along the guide groove 142 of the , and the connection bar 140 and the shower bar 130 connected thereto reciprocally rotate around the hinge axis (H) within a set range.

샤워 바(130)는 배쓰(110)의 상측에서 왕복 이동되는데, 적어도 웨이퍼(W)가 배쓰(110) 내측에 출입되더라도 간섭되지 않는 위치 즉, 배쓰(110)의 일측면과 타측면 사이에서 왕복 이동될 수 있다. 또한, 샤워 바(130)의 노즐들(132)을 통하여 샤워 분사되는 린스액이 배쓰(110)의 내부 양측면을 씻어줄 수 있도록 샤워 바(130)의 왕복 이동 범위가 한정되는 것이 바람직하다.The shower bar 130 is reciprocated from the upper side of the bath 110 , at least a position where the wafer W does not interfere even if it enters and exits the inside of the bath 110 , that is, reciprocating between one side and the other side of the bath 110 . can be moved In addition, it is preferable that the reciprocating range of the shower bar 130 is limited so that the rinse liquid shower sprayed through the nozzles 132 of the shower bar 130 washes both inner side surfaces of the bath 110 .

도 6 내지 도 7은 본 실시예에 따른 웨이퍼 세정 장치의 작동 상태가 도시된 정면도 및 배면도이다.6 to 7 are front and rear views illustrating an operating state of the wafer cleaning apparatus according to the present embodiment.

웨이퍼들(W)이 정렬된 카세트(C)가 배쓰(110) 내측에 투입되고, 웨이퍼들(W)이 지지축들(120)에 안착되면, 린스액이 배쓰(110) 내측에 채워진 다음, 지지축들(120)이 회전되면서 웨이퍼들(W)을 승강시킬 수 있다.When the cassette C in which the wafers W are aligned is put inside the bath 110 and the wafers W are seated on the support shafts 120, the rinse liquid is filled inside the bath 110, As the support shafts 120 are rotated, the wafers W may be raised and lowered.

웨이퍼들(W)을 린스액에 담근 다음, 구동 모터가 작동되면, 구동 모터의 회전력이 동력 전달부에 의해 전달되고, 샤워 바(130)가 배쓰(110)의 일측면과 타측면 사이에서 왕복 이동한다. After the wafers W are immersed in the rinse liquid, when the driving motor is operated, the rotational force of the driving motor is transmitted by the power transmission unit, and the shower bar 130 reciprocates between one side and the other side of the bath 110 . Move.

샤워 바(130)가 배쓰(110)의 상측에서 왕복 이동되는 동안, 샤워 바(130)의 노즐들(132)이 웨이퍼들(W)을 향하여 린스액을 샤워 분사하고, 배쓰(110)의 배수구(110h)를 개방시켜 린스액을 배수시킬 수 있다. While the shower bar 130 reciprocates from the upper side of the bath 110 , the nozzles 132 of the shower bar 130 shower spray a rinse solution toward the wafers W, and the drain hole of the bath 110 . (110h) can be opened to drain the rinse aid.

하나의 샤워 바(130)만 구비되더라도 배쓰(110) 전체 영역에 걸쳐 샤워 분사가 이뤄질 수 있고, 샤워 분사되는 린스액은 각 웨이퍼(W)의 표면에 묻은 이물질을 비롯하여 배쓰(110)의 내측면에 묻은 이물질을 씻어낼 수 있으므로, 웨이퍼 또는 배쓰(110)에 묻은 오염원을 효과적으로 제거할 수 있다.Even if only one shower bar 130 is provided, shower spraying may be performed over the entire area of the bath 110 , and the rinse solution sprayed in the shower includes foreign substances on the surface of each wafer W and the inner surface of the bath 110 . Since foreign substances attached to the surface can be washed away, it is possible to effectively remove the contaminants attached to the wafer or the bath 110 .

또한, 웨이퍼(W) 또는 배쓰(110)에서 떨어져 나온 이물질을 린스액과 같이 배쓰(110) 외부로 배출시킬 수 있으므로, 웨이퍼(110)의 표면 또는 배쓰(110)의 내측면에 대한 청정도를 효과적으로 유지 및 관리할 수 있다.In addition, since foreign substances falling from the wafer W or the bath 110 can be discharged to the outside of the bath 110 like a rinse solution, the cleanliness of the surface of the wafer 110 or the inner surface of the bath 110 can be effectively improved can be maintained and managed.

린스 공정이 진행되는 동안, 상기와 같은 과정을 반복함으로서, 웨이퍼의 세정 능력을 향상시킬 수 있고, 웨이퍼의 불량률을 저감시킬 수 있다.During the rinse process, by repeating the above process, the cleaning ability of the wafer can be improved and the defect rate of the wafer can be reduced.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. The above description is merely illustrative of the technical spirit of the present invention, and various modifications and variations will be possible without departing from the essential characteristics of the present invention by those skilled in the art to which the present invention pertains.

따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, but to explain, and the scope of the technical spirit of the present invention is not limited by these embodiments.

본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The protection scope of the present invention should be construed by the following claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

110 : 배쓰 120 : 지지축
130 : 샤워 바 140 : 연결 바
150 : 구동 모터 160 : 동력 전달부110: bath 120: support shaft
130: shower bar 140: connecting bar
150: drive motor 160: power transmission unit

Claims (10)

상면이 개방되고, 복수개의 웨이퍼가 소정 간격을 두고 전/후 방향으로 일렬로 세워진 상태로 수용되는 배쓰(bath);
상기 배쓰의 상측에 배치되고, 상기 배쓰 내의 웨이퍼들을 향하여 린스액을 분사시키는 샤워 바(shower bar); 및
상기 배쓰 외측에 장착되고, 상기 샤워 바를 상기 배쓰의 상측에서 왕복 구동시키는 구동부;를 포함하는 웨이퍼 세정 장치.a bath having an open upper surface and accommodating a plurality of wafers arranged in a line in the front/rear direction at a predetermined interval;
a shower bar disposed on the upper side of the bath and spraying a rinse solution toward the wafers in the bath; and
Wafer cleaning apparatus including a; is mounted on the outside of the bath, the driving unit for reciprocally driving the shower bar from the upper side of the bath. 제1항에 있어서,
상기 샤워 바는,
상기 배쓰의 전/후 방향으로 길게 배치되는 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The shower bar,
A wafer cleaning apparatus disposed long in the front/rear direction of the bath. 제1항에 있어서,
상기 샤워 바는,
하측에 길이 방향으로 소정 간격을 두고 복수개의 노즐이 구비되는 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The shower bar,
A wafer cleaning apparatus provided with a plurality of nozzles at a predetermined interval in the longitudinal direction on the lower side. 제1항에 있어서,
상기 구동부는,
적어도 웨이퍼의 출입이 가능한 영역을 확보하기 위하여 상기 샤워 바를 상기 배쓰의 일측면과 타측면 사이에서 왕복 이동시키는 웨이퍼 세정 장치.According to claim 1,
The driving unit,
A wafer cleaning apparatus for reciprocating the shower bar between one side and the other side of the bath in order to secure at least an area in which the wafer can be entered. 제4항에 있어서,
상기 구동부는,
상기 샤워 바의 일단과 상단이 연결된 연결 바와,
상기 연결 바를 상기 배쓰의 전면 또는 후면에 고정시키는 힌지축과,
상기 연결 바에 회전력을 제공하는 구동 모터와,
상기 구동 모터의 회전력을 설정 범위 내에서 상기 연결 바의 왕복 운동으로 전달하는 동력 전달부를 포함하는 웨이퍼 세정 장치. 5. The method of claim 4,
The driving unit,
A connecting bar connected to one end and an upper end of the shower bar,
a hinge shaft for fixing the connection bar to the front or rear surface of the bath;
a driving motor for providing a rotational force to the connecting bar;
and a power transmission unit for transmitting the rotational force of the driving motor as a reciprocating motion of the connection bar within a set range. 제5항에 있어서,
상기 동력 전달부는,
상기 힌지축 하측에 위치되고, 상기 구동 모터의 회전축이 일면에 연결된 회전판과,
상기 회전판의 반대면에 상기 구동 모터의 회전축과 편심되게 구비된 가이드 돌기와,
상기 가이드 돌기가 끼워지고, 상기 연결 바의 하단에 길이 방향으로 길게 구비된 가이드 홈을 포함하는 웨이퍼 세정 장치.6. The method of claim 5,
The power transmission unit,
a rotating plate located below the hinge shaft and connected to one surface of the rotating shaft of the driving motor;
a guide projection provided on the opposite surface of the rotating plate to be eccentric with the rotation shaft of the driving motor;
A wafer cleaning apparatus including a guide groove in which the guide protrusion is fitted, and a guide groove elongated in the longitudinal direction at a lower end of the connection bar. 제5항에 있어서,
상기 샤워 바와 연결 바는,
린스액이 유동되는 유로가 내장되는 웨이퍼 세정 장치. 6. The method of claim 5,
The shower bar and the connecting bar are,
A wafer cleaning device having a built-in flow path through which the rinse liquid flows. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배쓰는,
하측에 린스액을 배수시키는 배수구가 구비되는 웨이퍼 세정 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
said bath,
A wafer cleaning device provided with a drain port for draining the rinse liquid at the lower side. 제8항에 있어서,
상기 배쓰 내측 하부에 회전 가능하게 구비되고, 상기 웨이퍼들의 하단을 지지하는 적어도 한 쌍의 지지축;을 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.9. The method of claim 8,
Wafer cleaning apparatus further comprising a; at least one pair of support shafts rotatably provided at the lower inner side of the bath and supporting the lower ends of the wafers. 제9항에 있어서,
상기 지지축은,
상기 웨이퍼들을 승강시키기 위하여 원주 방향의 일부분에 돌출된 캠부를 더 포함하는 웨이퍼 세정 장치.10. The method of claim 9,
The support shaft is
The wafer cleaning apparatus further comprising a cam part protruding from a portion of the circumferential direction to lift the wafers.
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