KR20020093886A - 아미노산 함유 조성물로 메모리 또는 고정 디스크를연마하는 방법 - Google Patents

아미노산 함유 조성물로 메모리 또는 고정 디스크를연마하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 (i) 과황산염 및 과산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화제, 아미노산, 및 물을 포함하는 연마 조성물, 및 (ii) 연마제로 표면의 일부분 이상을 연마하는 것을 포함하는, 메모리 또는 고정 디스크의 표면을 평탄화시키거나 연마하는 방법에 관한 것이다.

Description

아미노산 함유 조성물로 메모리 또는 고정 디스크를 연마하는 방법 {Method for Polishing a Memory or Rigid Disk with an Amino Acid-Containing Composition}
메모리 또는 고정 디스크의 저장 용량 확대에 대한 요구, 및 메모리 또는 고정 디스크의 소형화 경향 (컴퓨터 제조업자가 더 작은 하드 드라이브를 원하기 때문)으로 인해, 최대 성능의 보장을 위한 메모리 또는 고정 디스크의 평탄화 또는 연마를 비롯한 상기 디스크들의 제조 방법 상의 중요성이 계속적으로 강조되고 있다. 반도체 장치의 제조와 관련하여 사용되는 몇몇 화학-기계적 연마 (CMP) 조성물 및 방법이 존재하기는 하지만, 메모리 또는 고정 디스크를 평탄화시키거나 연마하는 데 매우 적합한 종래의 CMP 방법 또는 상업적으로 입수가능한 CMP 조성물은 거의 없는 실정이다.
특히, 그러한 연마 조성물 및(또는) 방법은 메모리 또는 고정 디스크에 적용시 보다 덜 만족스러운 연마율 및 높은 표면 결함을 초래할 수 있다. 고정 또는 메모리 디스크의 성능은 그의 표면 품질과 직접적으로 연관되어 있다. 따라서, 연마 조성물 및 방법은 연마율 또는 제거율을 최대화시키면서, 평탄화 또는 연마 후에 메모리 또는 고정 디스크의 표면 결함을 최소화시키는 것이 중요하다.
평탄화 또는 연마시 연마된 표면의 결함을 최소화시키면서, 연마시 메모리 또는 고정 디스크의 제거율을 개선시키기 위한 많은 시도가 있어 왔다. 예를 들어, 미국 특허 제4,769,046호에는 산화알루미늄, 및 질산니켈, 질산알루미늄 또는 이들의 혼합물과 같은 연마 촉진제 (polishing accelerator)를 포함하는 조성물을 이용하여 고정 디스크 상의 니켈 도금 층을 연마하는 방법이 개시되어 있다.
그러나, 표면 결함을 최소화시키면서 높은 제거율로 메모리 또는 고정 디스크를 평탄화시키거나 연마하는 개선된 방법에 대한 요구가 여전히 남아있는 실정이다. 본 발명은 그러한 방법을 제공하고자 한다. 본 발명 방법의 이러한 잇점 및 다른 이점은 본원에 제공된 발명의 설명으로부터 명백해질 것이다.
<발명의 개요>
본 발명은 (i) 과황산염 및 과산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화제, 아미노산, 및 물을 포함하는 연마 조성물, 및 (ii) 연마제로 표면의 일부분 이상을 연마하는 것을 포함하는, 메모리 또는 고정 디스크의 표면을 평탄화시키거나 연마하는 방법을 제공한다.
본 발명은 기판, 특히 메모리 또는 고정 (rigid) 디스크를 평탄화시키거나 연마하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 메모리 또는 고정 디스크를 평탄화시키거나 연마하는 방법을 제공한다. 이 방법은 메모리 또는 고정 디스크의 표면을 (i) 과황산염 및 과산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화제, 아미노산, 및 물을 포함하는 연마 조성물,및 (ii) 연마제와 접촉시키는 단계, 및 메모리 또는 고정 디스크에 대해 연마 조성물을 이동시킴으로써 메모리 또는 고정 디스크 표면의 일부분 이상을 연마하는 단계를 포함한다. 이와 같은 접촉 및 연마는 임의의 적합한 기술에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 연마 조성물은 메모리 또는 고정 디스크의 표면에 도포되어, 연마 패드의 사용을 통해 메모리 또는 고정 디스크 표면의 일부분 이상을 연마하는 데 사용될 수 있다.
"메모리 또는 고정 디스크"라는 용어는 정보를 전자기적 형태로 보유하기 위한 임의의 자기 디스크, 하드 디스크, 고정 디스크 또는 메모리 디스크를 지칭한다. 메모리 또는 고정 디스크는 통상적으로 니켈-인을 포함하는 표면을 갖지만, 메모리 또는 고정 디스크의 표면은 임의의 적합한 다른 물질을 포함할 수 있다.
연마제는 임의의 적합한 연마제일 수 있다. 바람직하게는, 연마제가 금속 산화물 연마제이다. 금속 산화물 연마제에는, 예를 들어 알루미나, 실리카, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 게르마니아, 마그네시아 및 이들의 조합이 포함된다. 바람직하게는, 본 발명 방법의 연마제는 축중합된 금속 산화물, 예를 들어 축중합된 실리카이다. 통상적으로, 축중합된 실리카는 Si(OH)4를 축합시켜 콜로이드성 입자를 형성함으로써 제조된다. 그러한 연마제는 미국 특허 제5,230,833호에 따라 제조되거나, 또는 상업적으로 시판되는 다양한 제품 (예를 들어, 악조-노벨 빈드질 (Akzo-Nobel Bindzil) 50/80 제품, 및 날코 (Nalco) 1050, 2327 및 2329 제품) 뿐 아니라, 듀퐁 (DuPont), 바이엘 (Bayer), 어플라이드 리서치 (Applied Research),니산 케미칼 (Nissan Chemical) 및 클라리언트 (Clariant)에서 시판하는 유사한 다른 제품으로서 얻을 수 있다.
바람직하게는, 연마제는 자신의 연마 입자 중 약 90％ 이상 (수 기준)이 100 nm 이하의 입도를 갖는 것이다. 바람직하게는, 약 95％ 이상, 98％ 이상, 또는 심지어 실질적으로 모든 (또는 실제로 모든) 연마 입자 (수 기준)가 100 nm 이하의 입도를 갖는다. 또한, 연마 입자에 대한 이러한 입도 선호도 (즉, 연마제 중 약 90％ 이상, 95％ 이상, 98％ 이상, 거의 모든, 및 모든 연마 입자 (수 기준)가 특정 크기 이하임)는 다른 입도, 예를 들어, 95 nm, 90 nm, 85 nm, 80 nm, 75 nm, 70 nm 및 65 nm에 속할 수도 있다.
이와 유사하게, 연마제는 약 90％ 이상, 95％ 이상, 98％ 이상, 또는 심지어 거의 모든 (또는 실제로 모든) 연마 입자 (수 기준)가 5 nm 이상의 입도를 갖는 것일 수 있다. 또한, 이들 연마 입자에 대한 입도의 선호도 (즉, 연마제 중 약 90％ 이상, 95％ 이상, 98％ 이상, 거의 모든, 및 모든 연마 입자 (수 기준)가 특정 크기 이상임)는 다른 입도, 예를 들어, 7 nm, 10 nm, 15 nm, 25 nm 및 30 nm에 속할 수도 있다.
입도의 관점에서 연마제의 성질을 설명하기 위해 본원에서 사용되는 퍼센트 값은, 특별히 달리 언급하지 않는 한은 중량％가 아니라 "수 기준"의 ％이다. 연마제 중 연마 입자의 입도는 입경을 지칭한다. 입도는 임의의 적합한 기술에 의해 측정할 수 있다. 본원에서 기재된 입도 값은 통계적으로 유의한 (바람직하게는, 입자 200개 이상) 연마제 샘플의 시각적 검사에 기초한 것이며, 구체적으로는 상기샘플의 투과 전자현미경법 (TEM)에 기초한 것이다.
연마제 중 연마 입자의 입도 분포는 시그마-g (σg)로 언급되는 수 기준의 기하 표준 편차에 의해 특성화될 수 있다. σg값은 (a) 연마제 중 84％ (수 기준)의 연마 입자가 가진 직경의 최대값을 (b) 연마제 중 16％ (수 기준)의 연마 입자가 가진 직경의 최대값으로 나눔으로써 얻을 수 있다 (즉, σg= d84/d16). 단분산 연마 입자의 σg값은 약 1이다. 연마 입자가 다분산 될수록 (즉, 점점 더 상이한 크기의 입자들을 포함), 연마 입자의 σg값이 1을 초과하여 증가한다. 통상적인 연마 입자의 σg값은 약 2.5 이하 (예를 들어, 약 2.3 이하)이다. 바람직한 연마 입자의 σg값은 약 1.1 이상 (예를 들어, 약 1.1 내지 2.3 (예, 1.1 내지 1.3))이며, 보다 바람직하게는 약 1.3 이상 (예를 들어, 약 1.5 내지 2.3, 또는 심지어 약 1.8 내지 2.3)이다.
임의의 적합한 양의 연마제가 연마 조성물 중에 존재할 수 있다. 바람직하게는, 연마제가 조성물의 약 0.1 내지 30 중량％ 농도로, 예를 들어 조성물의 약 1 내지 28 중량％ 농도로 존재한다. 보다 바람직하게는, 연마제가 조성물의 약 3 내지 25 중량％ 농도로, 예를 들어 조성물의 약 5 내지 20 중량％ 농도로, 또는 심지어 조성물의 약 6 내지 15 중량％ 농도로 존재한다. 별법으로, 연마제는 그 전체 또는 일부가 연마 패드 상에 또는 연마 패드 내에 고정 (예를 들어, 매몰)될 수 있다.
산화제는 임의의 적합한 산화제일 수 있다. 적합한 산화제에는, 예를 들어 과황산염 및 과산화물이 포함된다. 바람직하게는, 산화제가 과황산암모늄, 과황산칼륨, 과황산나트륨 및 과산화수소로 이루어진 군으로부터 선택된다.
임의의 적합한 양의 산화제가 연마 조성물 중에 존재할 수 있다. 산화제는 바람직하게는 조성물의 약 0.01 내지 10 중량％의 양으로, 예를 들어 약 0.1 내지 10 중량％의 양으로 존재한다. 보다 바람직하게는, 산화제가 조성물의 약 0.5 내지 8 중량％의 양으로, 예를 들어 약 1 내지 6 중량％, 또는 심지어 약 2 내지 6 중량％의 양으로 존재한다.
아미노산은 임의의 적합한 아미노산일 수 있다. 적합한 아미노산에는, 예를 들어 1 내지 8개의 탄소 원자를 함유하는 아미노산, 예를 들어 1 내지 7개의 탄소 원자를 함유하는 아미노산, 또는 심지어 1 내지 6개의 탄소 원자를 함유하는 아미노산이 포함된다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 방법의 조성물 중의 아미노산은 글리신, 이미노디아세트산, 알라닌, 발린, 루이신, 이소루이신, 세린 및 트레오닌이다. 보다 바람직하게는, 아미노산이 글리신 또는 알라닌이다.
임의의 적합한 양의 아미노산이 연마 조성물 중에 존재할 수 있다. 아미노산은 바람직하게는 조성물의 약 0.01 내지 10 중량％의 양으로, 예를 들어 약 0.1 내지 10 중량％의 양으로 존재한다. 보다 바람직하게는, 아미노산이 조성물의 약 0.5 내지 8 중량％의 양으로, 예를 들어 약 0.75 내지 8 중량％의 양으로 존재한다. 가장 바람직하게는, 아미노산이 조성물의 약 1 내지 7 중량％의 양으로, 예를 들어 약 2 내지 6 중량％, 또는 심지어 3 내지 5 중량％의 양으로 존재한다.
연마 조성물의 pH는 임의의 적합한 pH일 수 있다. 바람직하게는, 조성물의 pH가 약 1 내지 7, 예를 들어 약 1 내지 6이다. 보다 바람직하게는, 조성물의 pH가 약 2 내지 5, 예를 들어 약 2 내지 4, 또는 심지어 약 3 내지 4이다.
연마 조성물의 pH는, 필요한 경우에 조성물에 pH 조정제를 첨가하는 것과 같은 임의의 적합한 방법에 의해 조정될 수 있다. 적합한 pH 조정제에는, 예를 들어 수산화칼륨, 수산화암모늄, 탄산나트륨 및 이들의 혼합물과 같은 염기 뿐 아니라, 무기산 (예를 들어, 질산 및 황산) 및 유기산 (예를 들어, 아세트산, 시트르산, 말론산, 숙신산, 타르타르산 및 옥살산)과 같은 산이 포함된다.
연마 조성물은 임의로 1종 이상의 다른 첨가제를 더 포함할 수 있다. 그러한 첨가제에는 계면활성제 (예를 들어, 양이온성 계면활성제, 음이온성 계면활성제, 비이온성 계면활성제, 양쪽성 계면활성제, 플루오르화 계면활성제 및 이들의 혼합물), 중합체 안정화제 또는 다른 표면 활성 분산제 (예를 들어, 인산, 유기산, 산화주석 및 포스포네이트 화합물), 및 부가의 연마 촉진제, 예를 들어 촉매, 킬레이트화제 또는 착화제 [예를 들어, 금속, 특히 철의 황산염, 카르복실레이트기, 히드록실기, 술폰기 및(또는) 포스폰기와의 화합물, 디-, 트리-, 멀티- 및 폴리-카르복실산 및 그의 염 (예를 들어, 타르타르산 및 타르트레이트, 말산 및 말레이트, 말론산 및 말로네이트, 글루콘산 및 글루코네이트, 시트르산 및 시트레이트, 프탈산 및 프탈레이트, 피로카테콜, 피로갈롤, 갈산 및 갈레이트, 탄닌산 및 탄네이트), 아민 함유 화합물 (예를 들어, 1급, 2급, 3급 및 4급 아민 및 아미노산), 및 이들의 혼합물]가 포함된다.
하기 실시예는 본 발명을 추가로 설명하고 있지만, 물론 어떠한 방식으로든 그의 범위를 제한하는 것으로 해석해서는 안된다.
하기 모든 실시예에서 언급하는 메모리 또는 고정 디스크는 씨게이트 테크놀로지 (Seagate Technology)로부터 얻을 수 있는, 상업적으로 시판되는 메모리 또는 고정 디스크이다. 메모리 또는 고정 디스크는 알루미늄 기판에 니켈-인을 코팅 (도금)한 것이었다. 메모리 또는 고정 디스크는 하기 실시예에서 사용되기 전에 예비 연마 공정을 거쳤으며, 각 메모리 또는 고정 디스크의 표면 조도 (roughness)는 10 내지 50 Å이었다.
모든 실시예에서 사용된 연마 패트는 로델 (Rodel)에서 제조한 직경 25.4 cm의 폴리텍스 하이 (Politex Hi) 패드였다. 실시예 1 내지 3의 메모리 또는 고정 디스크는 스트류어스 (Streuers; West Lake, Ohio)에서 제조한 탁상용 연마기를 이용하여, 압판 (platen) 속도 150 rpm, 연마 담체 속도 150 rpm, 슬러리 유속 100 ㎖/분, 및 연마 하강력 (downforce) 50 N으로 연마하였다. 실시예 4의 메모리 또는 고정 디스크는 스트라우스보우 (Strausbaugh) 6EE 연마기 (San Luis Obispo, California)를 이용하여, 연마 패드 속도 55 내지 65 rpm 및 연마 하강력 10 내지 12.5 N으로 연마하였다.
니켈-인 연마율은, 연마 전과 연마 후에 세정 건조된 메모리 또는 고정 디스크의 중량을 측정함으로써 계산하였다. 중량 손실은, 니켈-인의 밀도 8.05 g/cm3를이용하여 메모리 또는 고정 디스크의 두께 손실로 전환시켰다. 명목상으로는 동일한 연마 조건에서의 차이 (특히, 시험 기간 동안의 연마 패드 마모에 관해서)에도 불구하고 하기 각 실시예들의 연마 조성물들 사이에 보다 정확한 비교를 위해, 4 중량％의 실리카 (구체적으로는, 악조-노벨 빈드질 50/80 제품) 및 0.25 중량％의 질산 히드록실아민 (HAN)을 함유하며 pH가 3.5인 대조구 조성물을 규칙적인 간격으로 사용하였다. 그 후, 시험 조성물의 연마율을 가장 최근에 평가된 대조구 조성물의 연마율로 나눔으로써, 각 시험 조성물의 실제 연마율을 상대적 연마율로 전환시켰다. 따라서, 시험 조성물의 상대적 연마율은 모든 실시예에 걸쳐 비교할 수 있다.
<실시예 1>
본 실시예는 본 발명의 방법에 의해 달성할 수 있는 메모리 또는 고정 디스크의 연마율이 연마 조성물 중의 아미노산 종류에 의존적임을 설명하는 것이다.
니켈-인 도금된 메모리 또는 고정 디스크를, 4 중량％의 실리카 (구체적으로는, 악조-노벨 빈드질 50/80 제품), 2 중량％의 H2O2및 1 내지 3 중량％의 아미노산 (구체적으로는, 글리신, DL-알라닌, 이미노디아세트산 또는 DL-세린)을 함유하며 pH가 2.5인 6가지 상이한 연마 조성물로 각각 연마하였다. 비교 목적으로, 니켈-인 도금된 메모리 또는 고정 디스크를 또한 상기 설명한 대조구 연마 조성물, 및 3가지 "비교용" 연마 조성물 [4 중량％의 실리카 (구체적으로는, 악조-노벨 빈드질 50/80 제품)만을 함유하는 것, 및 이와 함께 2 중량％의 H2O2또는 1 중량％의 아미노산 (구체적으로는, 글리신) 중 어느 하나를 함유하는 것] (상기 모든 비교용 조성물의 pH는 2.5임)로 연마하였다. 연마 조성물을 사용한 후, 각 조성물의 상대적 연마율을 측정하여, 그 결과의 데이터를 표 1에 기재하였다.
조성물 아미노산 H2O2 상대적 연마율
대조구 없음 (HAN) 1.0
비교용 1 없음 없음 0.8
비교용 2 없음 2 1.4
비교용 3 1 중량％ 글리신 없음 0.9
1A 1 중량％ 글리신 2 2.5
1B 3 중량％ 글리신 2 2.0
1C 1 중량％ DL-알라닌 2 2.3
1D 3 중량％ DL-알라닌 2 1.9
1E 2 중량％ 이미노-디아세트산 2 2.4
1F 2 중량％ DL-세린 2 1.6
표 1에 기재된 데이터로부터 분명한 바와 같이, H2O2와 아미노산 둘 다를 함유하는 연마 조성물 (조성물 1A 내지 1F)에 의해 나타나는 상대적 연마율은 대조구 연마 조성물의 연마율보다 컸으며, H2O2와 아미노산 둘 다를 함유하지는 않는 비교용 조성물 (비교용 조성물 1 내지 3)의 연마율보다도 컸다. 더욱이, H2O2와 함께, 1 중량％의 글리신, 1 중량％의 DL-알라닌 또는 2 중량％의 이미노디아세트산 중 어느 하나를 함유하는 연마 조성물 (조성물 1A, 1C 및 1E)에 의해 나타나는 상대적 연마율은, H2O2와 함께, 3 중량％의 글리신, 3 중량％의 DL-알라닌 또는 2 중량％의 DL-세린 중 어느 하나를 함유하는 연마 조성물 (조성물 1B, 1D 및 1F)에 의해 나타나는 상대적 연마율보다 컸다. 이들 결과는, 본 발명의 방법에 있어서 산화제와 아미노산의 조합이 중요함을 입증할 뿐 아니라, 본 발명의 방법에 의해 달성할 수 있는 연마율에 특정 아미노산이 미치는 효과가 중요함을 입증한다.
<실시예 2>
본 실시예는 본 발명의 방법에 의해 달성할 수 있는 메모리 또는 고정 디스크의 연마율이 연마 조성물 중의 아미노산 농도 및 연마 조성물의 pH 뿐 아니라, 연마 조성물 중의 산화제 종류에 의존적임을 설명하는 것이다.
니켈-인 도금된 메모리 또는 고정 디스크를, 4 중량％의 실리카 (구체적으로는, 악조-노벨 빈드질 50/80 제품), 1 내지 3 중량％의 글리신 및 2 중량％의 산화제 (구체적으로는, H2O2또는 과황산암모늄 (APS))를 함유하며 pH가 2.5 내지 3.5인 8가지 상이한 연마 조성물로 각각 연마하였다. 연마 조성물을 사용한 후, 각 조성물의 상대적 연마율을 측정하여, 그 결과의 데이터를 표 2에 기재하였다. 비교 목적으로, 표 2에는 또한 상기 설명한 대조구 연마 조성물의 상대적 연마율, 및 실시예 1에 기재된 3가지 "비교용" 연마 조성물 (비교용 조성물 1 내지 3)의 상대적 연마율도 기재되어 있다.
조성물 글리신의 중량％ 산화제 pH 상대적 연마율
대조구 없음 (HAN) 3.5 1.0
비교용 1 없음 없음 2.5 0.8
비교용 2 없음 2 중량％ H2O2 2.5 1.4
비교용 3 1 없음 2.5 0.9
2A 1 2 중량％ APS 2.5 2.3
2B 3 2 중량％ APS 2.5 1.7
2C 1 2 중량％ APS 3.5 2.0
2D 3 2 중량％ APS 3.5 1.7
2E 1 2 중량％ H2O2 2.5 2.5
2F 3 2 중량％ H2O2 2.5 2.0
2G 1 2 중량％ H2O2 3.5 1.7
2H 3 2 중량％ H2O2 3.5 1.6
표 2에 기재된 데이터로부터 분명한 바와 같이, 다른 조건이 모두 동일한 경우에, 1 중량％의 글리신 및 산화제를 함유하는 연마 조성물 (조성물 2A, 2C, 2E 및 2G)에 의해 나타나는 상대적 연마율은 3 중량％의 글리신 및 산화제를 함유하는 연마 조성물 (조성물 2B, 2D, 2F 및 2H)에 의해 나타나는 상대적 연마율보다 컸다. 더욱이, 다른 조건이 모두 동일한 경우에, 글리신 및 산화제를 함유하는 pH 2.5의 조성물 (조성물 2A, 2B, 2E 및 2F)에 의해 나타나는 상대적 연마율은 글리신 및 산화제를 함유하는 pH 3.5의 조성물 (조성물 2C, 2D, 2G 및 2H)에 의해 나타나는 상대적 연마율과 동일하거나 그보다 컸다. 이들 결과는 본 발명의 방법에 의해 달성할 수 있는 연마율에 있어서 특정 산화제, 아미노산의 농도 및 pH가 중요함을 입증한다.
<실시예 3>
본 실시예는 본 발명 방법의 조성물에 의해 달성된 메모리 또는 고정 디스크의 연마율이 연마 조성물 중의 아미노산 농도 및 연마 조성물의 pH 뿐 아니라, 연마 조성물 중의 산화제 종류에 의존적임을 설명하는 것이다.
니켈-인 도금된 메모리 또는 고정 디스크를, 4 중량％의 실리카 (구체적으로는, 악조-노벨 빈드질 50/80 제품), 1 내지 3 중량％의 DL-알라닌 및 2 중량％의 산화제 (구체적으로는, H2O2또는 과황산칼륨 (KPS))를 함유하며 pH가 2.5 내지 3.5인 8가지 상이한 연마 조성물로 각각 연마하였다. 연마 조성물을 사용한 후, 각 조성물의 상대적 연마율을 측정하여, 그 결과의 데이터를 표 3에 기재하였다. 비교 목적으로, 표 3에는 또한 상기 설명한 대조구 연마 조성물의 상대적 연마율, 및 실시예 1에 기재된 2가지 "비교용" 연마 조성물 (즉, 비교용 조성물 1 및 2)의 상대적 연마율도 기재되어 있다.
조성물 DL-알라닌의 중량％ 산화제 pH 상대적 연마율
대조구 없음 (HAN) 3.5 1.0
비교용 1 없음 없음 2.5 0.8
비교용 2 없음 2 중량％ H2O2 2.5 1.4
3A 1 2 중량％ KPS 2.5 2.0
3B 3 2 중량％ KPS 2.5 1.5
3C 1 2 중량％ KPS 3.5 1.7
3D 3 2 중량％ KPS 3.5 1.5
3E 1 2 중량％ H2O2 2.5 2.3
3F 3 2 중량％ H2O2 2.5 1.9
3G 1 2 중량％ H2O2 3.5 1.7
3H 3 2 중량％ H2O2 3.5 1.5
표 3에 기재된 데이터로부터 분명한 바와 같이, 다른 조건이 모두 동일한 경우에, 1 중량％의 DL-알라닌 및 산화제를 함유하는 연마 조성물 (조성물 3A, 3C,3E 및 3G)에 의해 나타나는 상대적 연마율은 3 중량％의 DL-알라닌 및 산화제를 함유하는 연마 조성물 (조성물 3B, 3D, 3F 및 3H)에 의해 나타나는 상대적 연마율보다 컸다. 더욱이, 다른 조건이 모두 동일한 경우에, DL-알라닌 및 산화제를 함유하는 pH 2.5의 조성물 (조성물 3A, 3B, 3E 및 3F)에 의해 나타나는 상대적 연마율은 DL-알라닌 및 산화제를 함유하는 pH 3.5의 조성물 (조성물 3C, 3D, 3G 및 3H)에 의해 나타나는 상대적 연마율과 동일하거나 그보다 컸다. 이들 결과는 본 발명의 방법에 의해 달성할 수 있는 연마율에 있어서 특정 산화제, 아미노산의 농도 및 pH가 중요함을 입증한다.
<실시예 4>
본 실시예는 본 발명의 방법에 의해 달성할 수 있는 메모리 또는 고정 디스크의 연마율에 있어서 연마 조성물 중의 아미노산 농도가 중요함을 설명하는 것이다.
니켈-인 도금된 메모리 또는 고정 디스크를, 4 중량％의 실리카 (구체적으로는, 악조-노벨 빈드질 50/80 제품), 1.5 중량％의 H2O2및 0.1 내지 1.3 중량％의 글리신을 함유하며 pH가 2.5인 6가지 상이한 연마 조성물로 각각 연마하였다. 연마 조성물을 사용한 후, 각 조성물의 상대적 연마율을 측정하여, 그 결과의 데이터를 표 4에 기재하였다. 비교 목적으로, 표 4에는 또한 상기 설명한 대조구 연마 조성물의 상대적 연마율도 기재되어 있다.
조성물 글리신의 중량％ H2O2의 중량％ 상대적 연마율
대조구 없음 (HAN) 1.0
4A 0.1 1.5 1.1
4B 0.35 1.5 1.3
4C 0.5 1.5 1.5
4D 0.7 1.5 1.8
4E 1 1.5 2.3
4F 1.3 1.5 1.7
표 4에 기재된 데이터로부터 분명한 바와 같이, H2O2및 0.7 내지 1.3 중량％의 글리신을 함유하는 연마 조성물 (조성물 4D 내지 F)에 의해 나타나는 상대적 연마율은 H2O2및 0.1 내지 0.5 중량％의 글리신을 함유하는 연마 조성물 (조성물 4A 내지 C)에 의해 나타나는 상대적 연마율보다 컸다. 더욱이, H2O2및 1 중량％의 글리신을 함유하는 연마 조성물 (조성물 4E)에 의해 나타나는 상대적 연마율은 H2O2및 1 중량％ 미만의 글리신을 함유하는 연마 조성물 (조성물 4A 내지 D)의 상대적 연마율보다 컸으며, H2O2및 1 중량％가 초과하는 글리신을 함유하는 연마 조성물 (조성물 4F)의 상대적 연마율보다도 컸다. 이들 결과는 본 발명의 방법에 의해 달성할 수 있는 연마율에 있어서 아미노산의 농도가 중요함을 입증한다.
특허, 특허 출원 및 출판물을 비롯하여 본원에 인용된 모든 참고문헌은 그 전문이 본원에 참고문헌으로 포함되는 것으로 간주한다.
본 발명은 바람직한 실시양태에 중점을 두어 기재하였지만, 바람직한 실시양태에 대한 변형법이 이용될 수 있고 본원에 구체적으로 기재된 바와 다르게 본 발명이 실시될 수 있음은 당업계의 평범한 기술을 가진 자에게 자명하다. 따라서, 본 발명은 적용가능한 법 또는 규정에 의해 허용가능한 정도로 하기 청구의 범위 내에 포함된 모든 변화를 포함한다.

Claims (19)

  1. (i) 과황산염 및 과산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화제, 아미노산, 및 물을 포함하는 연마 조성물, 및 (ii) 연마제로 표면의 일부분 이상을 연마하는 것을 포함하는, 메모리 또는 고정 디스크의 표면을 평탄화시키거나 연마하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 메모리 또는 고정 디스크의 표면이 니켈-인을 포함하는 것인 방법.
  3. 제1항에 있어서, 연마제가 알루미나, 실리카, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 게르마니아, 마그네시아 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  4. 제3항에 있어서, 연마제가 실리카인 방법.
  5. 제4항에 있어서, 연마제가 축중합된 실리카인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 약 90％ 이상의 연마 입자 (수 기준)가 100 nm 이하의 입도를 갖는 것인 방법.
  7. 제6항에 있어서, 실질적으로 모든 연마 입자 (수 기준)가 100 nm 이하의 입도를 갖는 것인 방법.
  8. 제1항에 있어서, 연마 입자의 입도 분포가 수 기준의 기하 표준 편차 (σg) 약 1.3 이상임을 특징으로 하는 것인 방법.
  9. 제1항에 있어서, 연마제가 조성물의 약 0.1 내지 30 중량％의 농도로 존재하는 것인 방법.
  10. 제1항에 있어서, 연마제가 연마 패드 상에 또는 연마 패드 내에 고정된 것인 방법.
  11. 제1항에 있어서, 산화제가 과황산암모늄, 과황산칼륨 또는 과황산나트륨인 방법.
  12. 제1항에 있어서, 산화제가 과산화수소인 방법.
  13. 제1항에 있어서, 산화제가 조성물의 약 0.01 내지 10 중량％의 양으로 존재하는 것인 방법.
  14. 제1항에 있어서, 아미노산이 글리신, 이미노디아세트산, 알라닌, 발린, 루이신, 이소루이신, 세린 및 트레오닌으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 방법.
  15. 제14항에 있어서, 아미노산이 글리신인 방법.
  16. 제14항에 있어서, 아미노산이 알라닌인 방법.
  17. 제1항에 있어서, 아미노산이 조성물의 약 0.01 내지 10 중량％의 양으로 존재하는 것인 방법.
  18. 제1항에 있어서, 연마 조성물의 pH가 약 1 내지 6인 방법.
  19. 제18항에 있어서, 연마 조성물의 pH가 약 2 내지 4인 방법.
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