KR20020092150A - 자기 저항 헤드 및 그 제조 방법 - Google Patents

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후지쯔 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 협 코어 폭이면서 재생 출력이 큰 자기 저항 헤드를 제공하는 것이다.
본 발명은 자기 저항 헤드로서, 제1 자기 실드와, 상기 제1 자기 실드 상에 배치된 반강자성층과, 상기 반강자성층 상에 배치된 핀드(pinned) 강자성층과, 상기 핀드 강자성층 상에 배치된 비자성 중간층과, 상기 비자성 중간층 상에 배치된 프리(free) 강자성층을 포함하고 있다. 자기 저항 헤드는 또한, 프리 강자성층의 양측에 배치된 1쌍의 경질 자성막 바이어스층과, 상기 경질 자성막 바이어스층 상에 배치된 1쌍의 단자층과, 1쌍의 단자층 사이의 프리 강자성층 상에 형성된 금속 산화막과, 1쌍의 단자층 및 금속 산화막 상에 배치된 제2 자기 실드를 포함하고 있다.

Description

자기 저항 헤드 및 그 제조 방법{MAGNETORESISTIVE HEAD AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR}
본 발명은 자기 디스크 장치 및 자기 테이프 장치 등의 자기 기록 장치에 이용되는 자기 저항 헤드에 관한 것으로, 특히 스핀 밸브 자기 저항 헤드에 관한 것이다.
최근, 자기 디스크 장치의 소형화·고밀도화에 따라, 헤드 슬라이더의 부상량(浮上量)이 감소하고, 극저 부상 또는 슬라이더가 기록 매체에 접촉하는 접촉 기록/재생의 실현이 요망되고 있다.
또한, 종래의 자기 유도 헤드는 자기 디스크의 소경화에 의해 주속(헤드와 매체 간의 상대 속도)이 감소하면, 재생 출력이 열화된다. 그래서 최근에는 재생 출력이 주속에 의존하지 않고서, 저 주속이면서도 대출력을 얻을 수 있는 자기 저항 헤드(MR 헤드)가 활발히 개발되어, 자기 헤드의 주류로 되고 있다. 또한 현재에는, 거대 자기 저항(GMR) 효과를 이용한 자기 헤드도 시판되고 있다.
자기 디스크 장치의 고 기록 밀도화에 따라, 1 비트의 기록 면적이 감소함과 함께, 발생하는 자장은 작게 된다. 현재 시판되고 있는 자기 디스크 장치의 기록 밀도는 20 Gbit/in2전후이지만, 기록 밀도의 상승은 연율 약 2배로 커지고 있다.
이 때문에, 더욱 미소한 자장 범위에 대응함과 함께, 작은 외부 자장의 변화를 감지할 수 있는 협 코어 폭이면서 또한 재생 출력이 큰 자기 저항 헤드가 요망되고 있다.
현재, 자기 디스크용 자기 헤드에는 스핀 밸브 GMR 효과를 이용한 스핀 밸브 자기 저항 센서가 광범위하게 이용되고 있다. 스핀 밸브 구조의 자기 저항 센서에서는, 프리 강자성층(프리층)의 자화 방향이 기록 매체로부터의 신호 자계에 의해 변화하고, 핀드 강자성층(핀드층)의 자화 방향과의 상대각이 변화함으로써, 자기 저항 센서의 저항이 변화한다.
이 자기 저항 센서를 자기 헤드에 이용할 경우에는, 핀드층의 자화 방향을 자기 저항 소자의 소자 높이 방향으로 고정하고, 외부 자계가 인가되지 않은 상태에서의 프리층의 자화 방향을 핀드층과 직교하는 소자폭 방향으로 일반적으로 설계한다.
이에 따라, 자기 저항 센서의 저항을, 자기 기록 매체로부터의 신호 자계 방향이 핀드층의 자화 방향과 평행이거나 반평행인 것에 의해, 직선적으로 증감시킬 수 있다. 이러한 직선적인 저항 변화는 자기 디스크 장치의 신호 처리를 용이하게 한다.
현재 사용되고 있는 자기 저항 센서에서는, 센스 전류를 막면(膜面)에 평행하게 흘려, 외부 자계에 의한 저항 변화를 판독하고 있다. 이러한 GMR 막면에 평행하게 전류를 흘리는(Current in the plane, CIP) 구조의 경우, 1쌍의 전극 단자로 획성된 센스 영역(코어 폭)이 작게 되면 출력이 저하된다.
그래서, 협 코어 폭이면서 또한 재생 출력이 큰 자기 저항 헤드로서는, GMR막의 양측에 배치되는 1쌍의 단자층의 간격을, 단자층 아래에 배치되는 1쌍의 경질 자성막 바이어스층의 간격보다도 좁게 한, 소위 단자 오버레이형 자기 저항 헤드가 공지되어 있다.
또한, 큰 재생 출력을 얻기 위한 GMR 소자 구성으로서, 프리층 상에 산화막을 적층함으로써 스펙큘러 산란을 발생시키는 소위 스펙큘러형 스핀 밸브 자기 저항 헤드가 유효한 것이 공지되어 있다.
또한, GMR 소자부의 적층 시에는, 바이어스층의 바이어스 효과를 효율 좋게 이용하여, 프리층의 축 제어를 행한다는 관점에서 볼 때, 프리층이 슬라이더 기판에 대하여 핀드층보다 먼 측에 배치되는 소위 보텀 타입 또는 역적층 타입의 자기 저항 헤드가 유리한 것이 공지되어 있다.
그러나, 상술한 모든 조합으로 GMR 소자를 형성하는 것은 이하와 같은 문제가 있다. 우선, 단자 오버레이 보텀 타입의 스펙큘러 GMR은 프리층 상에 산화막을 적층하고, 또한 그 위에 단자 오버레이를 실시하기 때문에, 단자로부터 GMR 소자로 흐르는 센스 전류가 효율 좋게 GMR 소자로 흐르지 않거나 또는 전부 흐르지 않으므로, 원리상 자기 저항 헤드로서 이용하는 것은 불가능하다.
표면에 산화막을 갖는 프리층이 핀드층보다 슬라이더 기판에 가까운 측에 배치되는 단자 오버레이 톱 타입의 스펙큘러 GMR은 프리층에 바이어스 자계를 효율 좋게 인가할 수 없기 때문에, 벌크 하우젠 점프가 발생하기 쉬운 구조로 되어, 자기 저항 헤드로서는 바람직하지 않다.
또한, 단자 오버레이를 행하지 않는 종래의 보톰 타입의 스펙큘러 GMR에서는 좁은 코어 폭과 큰 재생 출력을 얻는 것은 곤란하다.
도 1은 본 발명의 제1 실시 형태의 자기 저항 헤드의 단면도.
도 2는 본 발명의 제2 실시 형태의 자기 저항 헤드의 단면도.
도 3은 본 발명의 제3 실시 형태의 자기 저항 헤드에 사용되는 GMR막의 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
12 : 슬라이더 기판
16 : 하부 자기 실드
20, 20a, 20b : 스핀 밸브 GMR막
22 : 반강자성층
24 : 핀드(pinned) 강자성층
26 : 비자성 중간층
28 : 프리(free) 강자성층
32 : 경질 자성막 바이어스층
34 : 단자층
36, 42 : 금속 산화막
40 : 상부 자기 실드
따라서, 본 발명의 목적은 좁은 코어 폭이면서 또한 재생 출력이 큰 자기 저항 헤드 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 1측면에 따르면, 자기 저항 헤드로서, 제1 자기 실드와, 상기 제1 자기 실드 상에 배치된 반강자성층과, 상기 반강자성층 상에 배치된 핀드 강자성층과, 상기 핀드 강자성층 상에 배치된 비자성 중간층과, 상기 비자성 중간층 상에 배치된 프리 강자성층과, 상기 프리 강자성층의 양측에 배치된 1쌍의 경질 자성막 바이어스층과, 상기 경질 자성막 바이어스층 상에 배치된 1쌍의 단자층과, 적어도 상기 1쌍의 단자층 사이의 상기 프리 강자성층 상에 형성된 금속 산화막과, 상기 1쌍의 단자층 및 상기 금속 산화막 상에 배치된 제2 자기 실드를 구비한 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드가 제공된다.
1쌍의 경질 자성막 바이어스층 각각은, 반강자성층, 핀드 강자성층, 비자성 중간층 및 프리 강자성층의 양측부의 한쪽에 접촉하도록 형성되어 있다. 바람직하게는, 1쌍의 단자층의 간격은 1쌍의 경질 자성막 바이어스층의 간격보다도 좁게 형성되어 있고, 각 단자층은 그 일단부에서 프리 강자성층에 전기적으로 접촉하고 있다.
금속 산화막은, 1쌍의 경질 자성막 바이어스층 및 1쌍의 단자층을 형성한 후, 프리 강자성층 상에 미리 형성되어 있는 금속층을 산화시킴으로써 형성된다.
대체안으로서, 금속 산화막은, 1쌍의 경질 자성막 바이어스층 및 1쌍의 단자층을 형성한 후, 프리 강자성층 및 단자층 상에 금속 산화막을 형성함으로써 형성된다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 자기 저항 헤드의 제조 방법으로서, 제1 자기 실드를 형성하는 단계와, 상기 제1 자기 실드 상에 반강자성층을 형성하는 단계와, 상기 반강자성층 상에 핀드 강자성층을 형성하는 단계와, 상기 핀드 강자성층 상에 비자성 중간층을 형성하는 단계와, 상기 비자성 중간층 상에 프리 강자성층을 형성하는 단계와, 상기 프리 강자성층 상에 금속층을 형성하는 단계와, 상기 프리 강자성층의 양측에 1쌍의 경질 자성막 바이어스층을 형성하는 단계와, 상기 경질 자성막 바이어스층 상에 1쌍의 단자층을 형성하는 단계와, 상기 금속층을 산화시키는 단계와, 상기 1쌍의 단자층 및 상기 금속 산화층 상에 제2 자기 실드를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드의 제조 방법이 제공된다.
대체안으로서, 프리 강자성층 상에 금속층을 미리 형성하지 않고서, 1쌍의 경질 자성막 바이어스층 및 1쌍의 단자층을 형성한 후, 프리 강자성층 및 단자층 상에 금속 산화막을 성막하도록 해도 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다. 각 실시 형태의 설명에서 실질적으로 동일 구성 부분에 대해서는 동일 부호를 부쳐 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 형태의 스핀 밸브 자기 저항 헤드(10)의 단면도가 도시되어 있다.
Al2O3-TiC 슬라이더 기판(12) 상에는 Al2O3으로 이루어진 하지층(14)이 적층되어 있다. 하지층(14) 상에는 NiFe로 이루어진 하부 자기 실드(16)가 적층되어 있다.
하부 자기 실드(16) 상에는 Al2O3으로 이루어진 리드 갭(18)이 적층되어 있고, 리드 갭(18) 상에 스핀 밸브 GMR막(20)이 적층되어 있다.
스핀 밸브 GMR막(20)은 15nm의 PdPtMn으로 이루어진 반강자성층(22), 5nm의 CoFeB로 이루어진 핀드 강자성층(24), 2nm의 Cu로 이루어진 비자성 중간층(26), 4nm의 NiFe로 이루어진 프리 강자성층(28), 3nm의 Co 또는 Fe로 이루어진 금속층(30)이 이 순서로 적층되어 구성되어 있다.
스핀 밸브 GMR막(20)은 도시한 바와 같이 개략 사다리꼴 형상을 하고 있다. 스핀 밸브 GMR막(20)의 양측에는 1쌍의 경질 자성막 바이어스층(32)이 형성되어 있다. 경질 자성막 바이어스층(32)은 예를 들면 CoCrPt 등의 고 보자력막으로 형성되어 있다.
스핀 밸브 GMR막(20)이 사다리꼴 형상을 하고 있기 때문에, 각 경질 자성막 바이어스층(32)은 반강자성층(22), 핀드 강자성층(24), 비자성 중간층(26) 및 프리 강자성층(28)의 일단에 접촉하여 형성되어 있다.
각 경질 자성막 바이어스층(32) 상에는 단자층(34)이 형성되어 있다. 단자층(34)은 예를 들면 Cu 또는 Cu와 Au의 조합으로 형성된다.
1쌍의 경질 자성막 바이어스층(32)을 형성할 때에는, 스핀 밸브 GMR막(20)상에 포토레지스트를 도포하고, 패터닝을 하여 1쌍의 경질 자성막 바이어스층(32)을 형성한다. 이어서, 1쌍의 단자층(34)을 형성하고 나서, 포토레지스트를 리프트-오프에 의해 제거한다.
레지스트가 GMR막(20) 최상면의 금속층(30) 상에 남아 있을 가능성이 있기 때문에, 바람직하게는 이온 밀링 등에 의해 GMR막(20)의 표면 처리를 행하여 레지스트를 제거한다.
1쌍의 단자층(34)의 간격은, 1쌍의 경질 자성막 바이어스층(32)의 간격보다도 좁게 형성되어 있다. 그리고, 각 단자층(34)은 그 일단부(34a)에서 프리 강자성층(28)에 전기적으로 접촉하고 있다. 본 실시 형태에서는, 단자층(34)의 일단부(34a)가 금속층(30)에 접촉하고 있다.
본 실시 형태의 자기 저항 헤드(10)는, 이와 같이 단자층(34)의 간격이 바이어스층(32)의 간격보다도 좁게 형성되어 있기 때문에, 단자 오버레이형 자기 저항 헤드라 칭한다.
이와 같이 1쌍의 경질 자성막 바이어스층(32) 및 1쌍의 단자층(34)을 형성한 후, 성막용 진공 챔버 내로 이동하여, 챔버 내에 산소 플로를 행하고, 스핀 밸브 GMR막(20) 최상면의 노출하고 있는 금속층(30)을 산화하여, 금속 산화층(36)을 형성한다.
이와 같이 성막용 진공 챔버 내에서 최상면의 금속층(30)을 산화시킴으로써 용이하게 프리 강자성층(28)의 스펙큘러막(금속 산화막)(36)을 형성할 수 있다.
금속층(30)을 산화하여 스펙큘러막(36)을 형성한 후, Al2O3으로 이루어진 제2 리드 갭(38)을 적층하고, 제2 리드 갭(38) 상에 NiFe로 이루어진 상부 자기 실드(40)를 형성하여 자기 저항 헤드(10)를 완성한다.
실제로는 GMR 소자(20)와 라이트 소자의 복합 자기 헤드이므로, 상부 자기 실드(40) 상에 Al2O3으로 이루어진 상부 실드 분단층을 적층하고, 상부 실드 분단층 상에 NiFe 또는 고 투자율 재료로 이루어진 하부 자극을 적층한다.
이어서, Al2O3으로 이루어진 라이트 갭을 적층하고, 라이트 갭 상에 라이트 코일을 적층하고, 라이트 코일 상에 고 투자율 재료로 이루어진 상부 자극을 적층하여 복합 자기 헤드를 완성한다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제2 실시 형태의 자기 저항 헤드(10A)의 단면도가 도시되어 있다. 본 실시 형태의 스핀 밸브 GMR막(20a)은 반강자성층(22), 핀드 강자성층(24), 비자성 중간층(26) 및 프리 강자성층(28)으로 구성된다.
본 실시 형태에서는, 단자 오버레이 공정 후, 알루미나 갭층(38)을 성막하는 진공 챔버 내에서 Fe2O3또는 CoO로 이루어진 금속 산화막(42)을 성막한다.
이와 같이 종래의 GMR 소자 형성 프로세스에 금속 산화막을 적층하는 공정을 부가하는 것만으로, 간단히 프리층 상에 스펙큘러막을 작성할 수 있다. 금속 산화막을 성막하는 대신에, 산소 분위기 중에서 금속막을 성막해도 마찬가지의 막 구성을 형성할 수 있음은 물론이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제3 실시 형태의 자기 저항 헤드에 사용되는GMR막(20b)의 구성이 도시되어 있다. 리드 갭층(18) 상에는 5nm의 Ta층(48)이 스퍼터 성막되어 있다. 이하의 각 층도 전부 스퍼터링에 의해 성막되어 있다.
Ta층(48) 상에는 2nm의 NiFe층(50)이 성막되어 있고, Ta층(48)과 NiFe층(50)에 의해 하지막을 구성한다. NiFe층(50) 상에는 반강자성층으로서의 15nm의 PdPtMn층(52)이 성막되어 있다.
PdPtMn층(52) 상에는 1.5nm의 CoFeB층(54)이 성막되어 있다. CoFeB층(54) 상에는 0.8nm의 Ru층(56)이 성막되고, Ru층(56) 상에는 1nm의 CoFeB층(58)이 성막되어 있다.
CoFeB층(58) 상에는 CoFeB를 산화시킨 매우 얇은 스펙큘러막(60)이 형성되어 있고, 스펙큘러막(60) 상에는 1nm의 CoFeB층(62)이 성막되어 있다.
Ru층(56)으로 분리된 CoFeB층(54, 58, 62)으로 적층 페리 핀드층(64)을 구성한다. 또한 이 핀드층(64)은 적층 페리 스펙큘러막이기도 하다.
CoFeB층(62) 상에는 비자성 중간층으로서의 2nm의 Cu층(66)이 성막된다. Cu층(66) 상에는 1nm의 CoFeB층(68)이 성막되고, CoFeB층(68) 상에는 1.5nm의 NiFe층(70)이 성막된다. CoFeB층(68)과 NiFe층(70)으로 프리 강자성층을 구성한다.
또한, 본 실시 형태의 스핀 밸브 GMR막(20b)의 프리층 상에는 제1 및 제2 실시 형태에서 설명한 금속 산화막(36 또는 42)이 형성된다. 핀드층 및 프리층에 각각 스펙큘러막이 형성되어 있기 때문에, 본 실시 형태의 GMR막(20b)은 더블 스펙큘러형 스핀 밸브막 구성으로 된다.
스핀 밸브 GMR막(20b) 상에는 제1 및 제2 실시 형태에서 설명한 1쌍의 경질 자성막 바이어스층(32)과, 1쌍의 오버레이형 단자층(34)이 형성된다. 또한, 제1 및 제2 실시 형태에서 설명한 하부 자기 실드(16) 및 상부 자기 실드(40)도 마찬가지로 형성된다.
이와 같이 본 실시 형태는 더블 스펙큘러형 스핀 밸브 GMR막(20b)을 갖기 때문에, 제1 및 제2 실시 형태의 좁은 코어 폭을 유지하여 재생 출력을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 발명은 이하의 부기를 포함하는 것이다.
(부기 1) 자기 저항 헤드로서,
제1 자기 실드와,
상기 제1 자기 실드 상에 배치된 반강자성층과,
상기 반강자성층 상에 배치된 핀드 강자성층과,
상기 핀드 강자성층 상에 배치된 비자성 중간층과,
상기 비자성 중간층 상에 배치된 프리 강자성층과,
상기 프리 강자성층의 양측에 배치된 1쌍의 경질 자성막 바이어스층과,
상기 경질 자성막 바이어스층 상에 배치된 1쌍의 단자층과,
적어도 상기 1쌍의 단자층 사이의 상기 프리 강자성층 상에 형성된 금속 산화막과,
상기 1쌍의 단자층 및 상기 금속 산화막 상에 배치된 제2 자기 실드
를 구비한 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드.
(부기 2) 상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층 각각은 상기 반강자성층, 상기 핀드 강자성층, 상기 비자성 중간층 및 상기 프리 강자성층의 양측부의 한쪽에 접촉하도록 형성되어 있는 부기 1 기재의 자기 저항 헤드.
(부기 3) 상기 1쌍의 단자층의 간격은 상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층의 간격보다도 좁게 형성되어 있고, 각 단자층은 그 일단부에서 상기 프리 강자성층에 전기적으로 접촉하고 있는 부기 1 기재의 자기 저항 헤드.
(부기4) 상기 금속 산화막은, 상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층 및 상기 1쌍의 단자층을 형성한 후, 상기 프리 강자성층 상에 미리 형성되어 있는 금속층을 산화시킴으로써 형성되는 부기 3 기재의 자기 저항 헤드.
(부기 5) 상기 금속 산화막은, 상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층 및 상기 1쌍의 단자층을 형성한 후, 상기 프리 강자성층 및 상기 단자층 상에 금속 산화막을 성막함으로써 형성되는 부기 3 기재의 자기 저항 헤드.
(부기 6) 상기 핀드 강자성층은 적층 페리 스펙큘러막으로 구성되는 부기 1 기재의 자기 저항 헤드.
(부기 7) 자기 저항 헤드의 제조 방법으로서,
제1 자기 실드를 형성하는 단계와,
상기 제1 자기 실드 상에 반강자성층을 형성하는 단계와,
상기 반강자성층 상에 핀드 강자성층을 형성하는 단계와,
상기 핀드 강자성층 상에 비자성 중간층을 형성하는 단계와,
상기 비자성 중간층 상에 프리 강자성층을 형성하는 단계와,
상기 프리 강자성층 상에 금속층을 형성하는 단계와,
상기 프리 강자성층의 양측에 1쌍의 경질 자성막 바이어스층을 형성하는 단계와,
상기 경질 자성막 바이어스층 상에 1쌍의 단자층을 형성하는 단계와,
상기 금속층을 산화시키는 단계와,
상기 1쌍의 단자층 및 상기 금속 산화층 상에 제2 자기 실드를 형성하는 단계
로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드의 제조 방법.
(부기 8) 상기 1쌍의 단자층의 간격은 상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층의 간격보다도 좁게 형성되어 있고, 각 단자층은 그 일단부에서 상기 프리 강자성층에 전기적으로 접촉하고 있는 부기 7 기재의 자기 저항 헤드의 제조 방법.
(부기 9) 자기 저항 헤드의 제조 방법으로서,
제1 자기 실드를 형성하는 단계와,
상기 제1 자기 실드 상에 반강자성층을 형성하는 단계와,
상기 반강자성층 상에 핀드 강자성층을 형성하는 단계와,
상기 핀드 강자성층 상에 비자성 중간층을 형성하는 단계와,
상기 비자성 중간층 상에 프리 강자성층을 형성하는 단계와,
상기 프리 강자성층의 양측에 1쌍의 경질 자성막 바이어스층을 형성하는 단계와,
상기 경질 자성막 바이어스층 상에 1쌍의 단자층을 형성하는 단계와,
상기 프리 강자성층 및 상기 단자층 상에 금속 산화막을 형성하는 단계와,
상기 금속 산화막 상에 제2 자기 실드를 형성하는 단계
로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드의 제조 방법.
(부기 10) 상기 1쌍의 단자층의 간격은 상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층의 간격보다도 좁게 형성되어 있고, 각 단자층은 그 일단부에서 상기 프리 강자성층에 전기적으로 접촉하고 있는 부기 9 기재의 자기 저항 헤드의 제조 방법.
본 발명은 이상 상술한 바와 같이 구성된 것으로서, 좁은 코어 폭이면서 또한 재생 출력이 큰 자기 저항 헤드를 제공할 수 있는 효과를 나타낸다.

Claims (5)

  1. 자기 저항 헤드로서,
    제1 자기 실드와,
    상기 제1 자기 실드 상에 배치된 반강자성층과,
    상기 반강자성층 상에 배치된 핀드(pinned) 강자성층과,
    상기 핀드 강자성층 상에 배치된 비자성 중간층과,
    상기 비자성 중간층 상에 배치된 프리(free) 강자성층과,
    상기 프리 강자성층의 양측에 배치된 1쌍의 경질 자성막 바이어스층과,
    상기 경질 자성막 바이어스층 상에 배치된 1쌍의 단자층과,
    적어도 상기 1쌍의 단자층 사이의 상기 프리 강자성층 상에 형성된 금속 산화막과,
    상기 1쌍의 단자층 및 상기 금속 산화막 상에 배치된 제2 자기 실드
    를 구비한 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층 각각은 상기 반강자성층, 상기 핀드 강자성층, 상기 비자성 중간층 및 상기 프리 강자성층의 양측부의 한쪽에 접촉하도록 형성되어 있는 자기 저항 헤드.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 1쌍의 단자층의 간격은 상기 1쌍의 경질 자성막 바이어스층의 간격보다도 좁게 형성되어 있고, 각 단자층은 그 일단부에서 상기 프리 강자성층에 전기적으로 접촉하고 있는 자기 저항 헤드.
  4. 자기 저항 헤드의 제조 방법으로서,
    제1 자기 실드를 형성하는 단계와,
    상기 제1 자기 실드 상에 반강자성층을 형성하는 단계와,
    상기 반강자성층 상에 핀드 강자성층을 형성하는 단계와,
    상기 핀드 강자성층 상에 비자성 중간층을 형성하는 단계와,
    상기 비자성 중간층 상에 프리 강자성층을 형성하는 단계와,
    상기 프리 강자성층 상에 금속층을 형성하는 단계와,
    상기 프리 강자성층의 양측에 1쌍의 경질 자성막 바이어스층을 형성하는 단계와,
    상기 경질 자성막 바이어스층 상에 1쌍의 단자층을 형성하는 단계와,
    상기 금속층을 산화시키는 단계와,
    상기 1쌍의 단자층 및 상기 금속 산화층 상에 제2 자기 실드를 형성하는 단계
    로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드의 제조 방법.
  5. 자기 저항 헤드의 제조 방법으로서,
    제1 자기 실드를 형성하는 단계와,
    상기 제1 자기 실드 상에 반강자성층을 형성하는 단계와,
    상기 반강자성층 상에 핀드 강자성층을 형성하는 단계와,
    상기 핀드 강자성층 상에 비자성 중간층을 형성하는 단계와,
    상기 비자성 중간층 상에 프리 강자성층을 형성하는 단계와,
    상기 프리 강자성층의 양측에 1쌍의 경질 자성막 바이어스층을 형성하는 단계와,
    상기 경질 자성막 바이어스층 상에 1쌍의 단자층을 형성하는 단계와,
    상기 프리 강자성층 및 상기 단자층 상에 금속 산화막을 형성하는 단계와,
    상기 금속 산화막 상에 제2 자기 실드를 형성하는 단계
    로 이루어진 것을 특징으로 하는 자기 저항 헤드의 제조 방법.
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