KR20020085977A - 자계 결합 세기의 조절가능한 적층형 적층형 유전체 필터 - Google Patents

자계 결합 세기의 조절가능한 적층형 적층형 유전체 필터 Download PDF

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KR20020085977A
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Abstract

본 발명은 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터에 관한 것이다. 본 발명의 필터는 적층형 유전체 필터는 병렬로 연장하는 N(여기서 N은 2 이상의 자연수)개의 스트립 라인 공진기를 갖는 제 1 유전체 기판; 상기 제 1 유전체 기판의 상부 층 및 하부 층에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기들의 상부층에서 자계 결합을 위한 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴을 갖는 제 2 및 제 3 유전체 기판을 포함한다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴은 접지로 진행하는 전계를 차단하는 수단으로 작용함으로써, 자계 결합의 세기를 조절할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 유전체 필터는 상기 제 2 및 제 3 유전체 기판상의 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴을 접지에 전기적으로 연결하는 구성을 갖는다. 이때, 상기 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴은 접지로 진행하는 전계를 흡수하는 접지 전극 수단으로 작용함으로써, 자계 결합의 세기를 조절할 수 있다.

Description

자계 결합 세기의 조절가능한 적층형 적층형 유전체 필터{STACKED DIELECTRIC FILTER CAPABLE OF CONTROLLING THE AMOUNT OF MAGNETIC COUPLING}
본 발명은 결합형 라인 공진기를 구비하는 적층형 유전체 필터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 결합형 라인 공진기의 자계 결합을 조절할 수 있는 유전체 필터에 관한 것이다.
대부분의 적층형 유전체 필터들의 자계 결합(magnetic coupling)은 결합형 라인 공진기(coupled line resonator)의 간격에서 형성되는 전자계 결합을 이용한다. 따라서, 자계 결합을 조정하는 것은 결합형 공진기의 간격의 조절에 의해 이루어진다. 즉, 자계 결합의 세기를 약하게 하려면 결합형 공진기의 간격을 크게 하고, 자계 결합을 세게 하기 위해서는 그 길이를 짧게 하여 조절할 수 있다. 그러나, 자계 결합을 조절하기 위하여 길이를 길게 하는 경우에는 적층 유전체 필터를 소형화하는 데 불리하며, 자계 결합을 세게 하기 위하여 길이를 단축시키고자 할 때 공정의 어느 한계 이상으로 줄이기는 불가능하다.
특히, 소형의 적층형 유전체 필터는 그 특성상 자계 결합의 세기가 커야 하지만, 그 적층 구조상 결합형 공진기들은 유전체 세라믹 기판에 프린팅 방식에 의한 2, 3 차원적인 결합이라기 보다는 1차원적인 결합에 의해 형성되기 때문에 그 자계 결합의 세기를 약하게 한다는 단점을 가지고 있다.
그러므로, 본 발명은 상술한 문제를 해결하고자 안출된 것으로, 적층형 유전체 필터의 자계 결합의 세기를 용이하게 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터를 제공하는 것이다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터는: 일측면으로부터 서로 인접하게 이격되어 병렬로 연장하는 N(여기서 N은 2 이상의 자연수)개의 스트립 라인 공진기를 갖는 제 1 유전체 기판; 상기 제 1 유전체 기판의 상부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기들의 상부층에서 자계 결합을 위한 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 1 자계 결합 패턴을 갖는 제 2 유전체 기판; 상기 제 1 유전체 기판의 하부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기의 하부층에서 자계 결합을 위한 또 다른 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 2 자계 결합 패턴을 갖는 제 3 유전체 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터는: 일측면으로부터 서로 인접하게 이격되어 병렬로 연장하는 N(여기서 N은 2 이상의 자연수)개의 스트립 라인 공진기를 갖는 제 1 유전체 기판; 상기 제 1 유전체 기판의 상부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기의 상부층에서 자계 결합을 위한 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 1 자계 결합 패턴을 갖는 제 2 유전체 기판; 상기 제 1 유전체 기판의 하부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기의 하부층에서 자계 결합을 위한 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 2 자계 결합 패턴을 갖는 제 3 유전체 기판; 접지 전극과 I/O 전극을 제공하며, 상기 제 2 유전체 기판상의 제 1 자계 결합 패턴을 상기 접지 전극에 전기적으로 연결하는 비아를 가지고 있는 최상위 기판; 접지 전극과 I/O 전극을 제공하며, 상기 제 3 유전체 기판상의 제 2 자계 결합 패턴을 상기 접지 전극에 전기적으로 연결하는 비아를 가지고 있는 최하위 기판을 포함하는 것을 특징으로 한다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 제 1 실시예에 따라서 구성된 적층형 유전체 필터의 적층 상태를 나타내는 사시도 및 평면도,
도 2는 도 1의 유전체 필터의 등가 회로도,
도 3a 및 도 3b는 각기 종래 기술의 병렬형 라인 공진기에서 이븐 모드와 오드 모드의 전자계 분포를 나타내는 도면,
도 4a 및 도 4b는 각기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 병렬형 라인 공진기에서 이븐 모드와 오드 모드의 전자계 분포를 나타내는 도면,
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 제 2 실시예에 따라서 구성된 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터의 적층 상태를 나타내는 사시도 및 평면도,
도 6a 및 도 6b는 각기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 결합형 라인 공진기에서 이븐 모드와 오드 모드의 전자계 분포를 나타내는 도면,
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 제 3 실시예에 따라서 구성된 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터의 적층 상태를 나타내는 사시도 및 평면도,
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 제 4 실시예에 따라서 구성된 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터의 적층 상태를 나타내는 사시도 및 평면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : I/O 전극 층 20, 30 : 접지 층
100, 200, 300 : 유전체 기판 120, 140 : 라인 공진기
220, 320 : 자계 결합 패턴 240, 340 : 션트 캐패시터 패턴
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예의 동작을 상세하게 설명한다. 본 발명에 있어서, 도면 전체에 걸쳐 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하는 것으로 사용될 것이다.
도 1a를 참조하면, 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 적층형 유전체 필터의 적층 상태의 사시도가 도시된다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 적층형 유전체 필터는 최상위의 유전체 기판(10 및 20)과, 제 1 및 제 2 스트립 라인(120, 140)이 프린팅된 제 1 유전체 기판(100)과, 제 1 유전체 기판(100)의 상부 층으로 적층되며, 자계 결합 패턴(220), 션트 캐패시터 패턴(240) 및 I/O 커플링 패턴(260, 270)을 갖는 제 2 유전체 기판(200)과, 제 1 유전체 기판(100)의 하부층으로 적층되며, 자계 결합 패턴(320), 션트 캐패시터 패턴(340) 및 I/O 커플링 패턴(360, 370)을 갖는 제 3 유전체 기판(300)과, 최하위 유전체 기판(30)을 포함한다.
최상위의 유전체 기판(10)은 유전체 필터에 대하여 입출력 전원을 제공하는 I/O 전극(14)을 가지고 있는 I/O 층이며, 상위의 유전체 기판(20) 및 최하위 유전체 기판(20 및 30)은 각기 동일한 구성으로 접지 전극면(22, 32)을 갖는 접지 층으로 사용된다. 유전체 기판(20 및 30)에서, 미설명 부호(24, 34)는 다른 유전체 기판들상의 I/O 전극(265, 365; 및 275, 375)으로 연결되는 I/O 라인과 접지 전극(22, 32)와의 접촉을 막기 위하여 접지에서 제외된 부분을 나타낸다.
제 1 유전체 기판(100)상의 제 1 및 제 2 스트립 라인(112, 114)은 각기 접지 층(20, 30)의 접지면(22, 32)과 전기적으로 연결되는 접지측면(280)으로부터 서로 인접하게 이격되어 병렬로 연장한다. 이들의 제 1 및 제 2 스트립 라인(120, 140)은 커플링을 위한 λ/4 보다 짧은 길이를 가지고 있으며, 결합형 라인 공진기로서 작용한다.
각각의 제 2 및 제 3 기판(200, 300)상의 자계 결합 패턴(220, 320)은, 도 1b에 보다 상세히 도시된 바와 같은 적층 상태에서 스트립 라인 공진기(120, 140)의 사이에 배치되어 양측의 스트립 라인 공진기(120, 140)과 부분적으로 중첩한다. 따라서, 자계 결합 패턴(220, 320)은 라인 공진기(120, 140)에 대하여 상부층과 하부층에서 병렬로 연결되는 캐패시터(C1, C2) 영역을 형성하여, 공진기(120, 140)간의 자계 결합이 형성된다.
각각의 제 2 및 제 3 유전체 기판(200, 300)상의 션트 캐패시터 패턴(240, 340)은, 도 1b에 보다 상세히 예시된 바와 같은 적층 상태에서 접지 측면(280)과 반대의 방향에서 라인 공진기(120, 140)의 선단부 영역까지 연장하여 그 선단부와 부분적으로 중첩한다. 따라서, 라인 공진기(120, 140)에 대하여 상부층과 하부층에서 병렬로 연결되는 캐패시터(CS1, CS2) 영역을 형성하여 공진을 유도한다.
또한, 각각의 제 2 및 제 3 유전체 기판(200, 300)상의 한 쌍의 I/O 커플링 패턴(260, 270; 360, 370)은 그의 측면에 형성된 I/O 전극(265, 275; 365, 375)으로부터 제 1 및 제 2 라인 공진기(120, 140)의 몸체까지 연장하여 부분적으로 중첩한다. 따라서, 한 쌍의 I/O 커플링 패턴(260, 270; 360, 370)은 적층형 필터의 공진기(120, 140)에 대하여 상부층과 하부층에서 I/O 커플링을 위한 캐패시터 영역을 형성한다.
도 2는 상술한 구성을 갖는 본 발명의 적층형 유전체 필터는 등가 회로도를 나타낸다.
인덕터(Lr1) 및 (Lr2)는 각기 제 1 스트립 라인(120) 및 제 2 스트립 라인(140)의 인덕턴스 성분에 대응하고, 캐패시터(Cs1) 및 (Cs2)는 각기 션트 캐패시터 패턴(240, 340)의 캐패시턴스 성분에 대응하고, 캐패시터(C12)는 결합형 공진기들(120, 140)의 선단부에서 형성되는 스트레이(stray) 성분에 의한 것이고,인덕터(L12)는 공진기(112, 114)에서 형성되는 원래의 인덕턴스 성분에 대응하고, 인덕터(Lp12)는 병렬로 구성되는 자계 결합 패턴(220, 320)의 인덕턴스 성분에 대응하며, 캐패시터(C01) 및 (C23)는 각각의 I/O 커플링 패턴(260, 360) 및 (270, 370)의 캐패시턴스 성분에 대응한다.
본 발명의 유전체 필터의 자계 결합량의 조절을 위한 커플링 패턴의 작용 효과는 도 3 및 도 4를 참조하여 다음과 같이 설명된다.
도 4a에 예시된 이븐 모드(even mode)의 경우, 본 발명의 자계 결합 패턴이 없는 종래 기술의 도 3a와 달리, 본 발명에 따라 라인 공진기(120, 140)를 상, 하부 층에서 중첩하는 자계 결합 패턴(220, 320)은 접지 층(20, 30)의 접지(22, 32)로 진행하는 전계를 차단하는 차폐 수단으로 작용하여 이븐 모드 커플링을 약하게 하는 것을 알 수 있다. 이와 반대로, 도 4b에 예시된 오드 모드(odd mode)의 경우, 본 발명의 자계 결합 패턴이 없는 종래 기술의 도 3b와 달리, 라인 공진기(120, 140)를 상, 하부 층에서 중첩하는 자계 결합 패턴(220, 320)은 접지(12, 32)로 진행하는 전계를 다른 공진기측으로 연결되도록 하는 커플링 수단으로 작용하여 오드 모드의 커플링 세기가 증가하게 됨을 알 수 있다. 오드 모드의 커플링과 이븐 모드의 커플링의 차이가 자계 결합으로 형성되며, 따라서, 본 발명에 따라 라인 공진기(120, 140)간의 간격의 조정없이도 자계 결합 패턴(220, 320)의 구성으로 자계 결합의 조정이 가능하다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 적층형 유전체 필터의 적층 상태를 도시한다. 도 5의 제 2 실시예는 도 1에서 제 2 및 제 3 층의 유전체 기판(200, 300)에 형성된 자계 결합 패턴(220, 320)을 접지층(20, 30)의 접지면(22, 32)에 전기적으로 접속하는 비아(28, 38)가 형성된 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일하다. 따라서, 제 1 실시예와 동일한 구성요소에 관한 자세한 설명은 생략한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따라 제 2 및 제 3 유전체 기판(200, 300)상의 자계 결합 패턴(220, 320)이 접지(22, 32)와 보다 가깝게 형성되는 구성으로 인하여, 제 1 실시예에서와 반대의 자계 결합 조절이 가능해진다.
즉, 도 6a에 예시된 이븐 모드(even mode)의 경우, 본 발명의 자계 결합 패턴이 없는 종래 기술의 도 3a와 달리, 라인 공진기(120, 140)를 상, 하부 층에서 중첩하는 본 발명의 자계 결합 패턴(220, 320)이 접지에 보다 가깝게 배치되어 있는 효과로 인하여 접지로 진행하는 일부의 전계를 보다 가까운 위치에서 흡수해줌으로써, 자계 결합 패턴(220, 320)의 캐패시턴스가 증가하여 자계 결합이 강해진다. 이와 반대로, 도 6b에 예시된 오드 모드(odd mode)의 경우, 본 발명의 자계 결합 패턴이 없는 종래 기술의 도 3b와 달리, 라인 공진기(120, 140)간의 전계 결합을 자계 결합 패턴(220, 320) 측으로 빼앗기기 때문에 자계 결합이 약해짐을 알 수 있다.
결국, 오드 모드와 이븐 모드의 결합력 차이가 커플링 패턴이 없을 때 보다 약해짐을 알 수 있다.
도 7은 본 발명에 따른 제 3 실시예의 유전체 필터를 도시한다. 도 7의 유전체 필터는 제 1 유전체 기판(100)에서 스트립 라인 공진기가 복수의 N개, 예로3개(120, 130, 140)로 구성되어 있으며, 제 2 및 제 3 층의 유전체 기판(200 및 300)상의 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴들(220', 230')은, 도 7b도의 적층 상태에서 알 수 있는 바와 같이, 이들 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하고 있고, 제 2 및 제 3 유전체 기판(200, 300)상의 션트 캐패시터 패턴(240', 340')은, 도 7b에서 알 수 있는 바와 같이, 적층 상태에서 접지 측면(280)과 반대의 방향에서 라인 공진기들(120, 130, 140)의 선단부 영역까지 연장하여 그 선단부와 부분적으로 중첩하는 것을 제외하고는 제 1 실시예와 동일하다. 따라서, 도 7의 제 3 실시예에서 제 1 실시예와 동일한 구성요소와 그에 따른 동작 및 효과는 제 1 실시예와 동일하므로 그에 관한 자세한 설명은 생략한다.
그러므로, 도 7의 제 3 실시예에서, 자계 결합 패턴(220', 320')은 라인 공진기(120, 130, 140)에 대하여 상부층과 하부층에서 병렬로 연결되는 캐패시터 영역을 형성하여, 공진기들(120, 130, 140)간의 강한 자계 결합을 형성하며, 션트 캐패시터 패턴(240', 340')은, 도 7c에서 알 수 있는 바와 같이, 라인 공진기들(120, 160, 140)에 대하여 상부층과 하부층에서 병렬로 연결되는 캐패시터(CS1, CS3, CS2) 영역을 형성하여 공진을 유도한다.
따라서, 본 발명의 제 3 실시예의 유전체 필터의 자계 결합 패턴(220', 320')은 이븐 모드(even mode)에서, 종래 기술의 도 3a와 달리, 접지 층(20, 30)의 접지(22, 32)로 진행하는 전계를 차단하는 차폐 수단으로 작용하여 이븐 모드 커플링을 약하게 하는 반면, 오드 모드(odd mode)에서, 종래 기술의 도 3b와 달리, 접지(22, 32)로 진행하는 전계를 다른 공진기측으로 연결되도록 하는 커플링 수단으로 작용하여 오드 모드의 커플링 세기가 증가하게 된다. 따라서, 본 발명에 따라 라인 공진기(120, 140)간의 간격의 조정없이도 자계 결합 패턴(220, 320)의 구성으로 자계 결합의 세기를 조정할 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 제 4 실시예의 유전체 필터를 도시한다. 도 8의 유전체 필터는 제 1 유전체 기판(100)에서 스트립 라인 공진기가 복수의 N개, 예로 3개(120, 130, 140)로 구성되어 있으며, 제 2 및 제 3 층의 유전체 기판(200 및 300)상의 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴들(220', 230')은, 도 8b도의 적층 상태에서 알 수 있는 바와 같이, 이들 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하고 있고, 제 2 및 제 3 유전체 기판(200, 300)상의 션트 캐패시터 패턴(240', 340')은, 도 8b에서 알 수 있는 바와 같이, 적층 상태에서 접지 측면(280)과 반대의 방향에서 라인 공진기들(120, 130, 140)의 선단부 영역까지 연장하여 그 선단부와 부분적으로 중첩하는 것을 제외하고는 제 2 실시예와 동일하다. 이 때, 접지 층(20 및 30)상에 형성되는 비아(28 및 38)는 각기 한 개만으로도 충분할 것이다. 따라서, 도 7의 제 3 실시예에서 제 2 실시예와 동일한 구성요소와 그에 따른 동작 및 효과는 제 2 실시예와 동일하므로 그에 관한 자세한 설명은 생략한다.
그러므로, 도 8의 제 4 실시예에서, 자계 결합 패턴(220', 320')은 라인 공진기(120, 130, 140)에 대하여 상부층과 하부층에서 병렬로 연결되는 캐패시터 영역을 형성하여, 공진기들(120, 130, 140)간의 강한 자계 결합을 형성하며, 션트 캐패시터 패턴(240', 340')은, 도 8c에서 알 수 있는 바와 같이, 라인 공진기들(120,160, 140)에 대하여 상부층과 하부층에서 병렬로 연결되는 캐패시터(CS1, CS3, CS2) 영역을 형성하여 공진을 유도한다.
따라서, 본 발명의 제 4 실시예의 유전체 필터는 이븐 모드(even mode)에서, 자계 결합 패턴(220', 320')의 캐패시턴스가 증가하여 강한 자계 결합을 유도하고, 오드 모드(odd mode)에서 라인 공진기들(120, 130, 140)간의 전계 결합을 약하게 하여 자계 결합을 약하게 유도함으로써, 오드 모드와 이븐 모드의 결합력 차이가 커플링 패턴이 없을 때 보다 더욱 약하게 할 수 있다.
본 발명과 관련하여, 도 1, 도 5, 도 7 및 도 8에 도시된 제 1 내지 제 4 실시예의 유전체 필터에 있어서, 유전체 필터를 구성하는 공진기의 개수를 두 개 또는 세 개인 것으로 설명되고 예시되어 있지만, 상술한 본 발명의 범주내에서 그 보다 많은 개수의 공진기를 갖는 유전체 필터를 구성하는 것이 가능할 것이다. 실질적으로, 공진기의 개수는 필터의 주파수 선택도와 비례하는 특성을 가지고 있다. 즉, 통과대역 이외의 감쇄 특성이 우수해 지기 때문에 원하는 통과대역과 이외의 대역에 대한 선택도가 높아지게 된다. 반면, 필터의 공진기 개수가 많아지면, 그 만큼 통과대역의 손실 특성이 떨어지는 특성이 있다. 그러므로, 필터에서 공진기의 개수가 홀수개 또는 짝수개냐에 따라 서로 다른 특성을 나타내는 것이 아니라, 공진기의 개수가 많으면, 필터의 크기도 커지고 손실도 크므로 만들고자 하는 필터의 감쇄특성을 만족할 만한 최소 개수를 갖는 필터를 구성하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따라 두 개 또는 그 이상의 스트립 라인을 구성된 결합형 라인 공진기의 상하층에 이와 부분적으로 중첩하는 자계 결합 패턴을 형성함으로써, 자계 결합의 세기를 약하게 또는 강하게 조절하는 것이 가능하다.
따라서, 종래 기술에서 자계 결합을 조절하기 위하여 결합형 공진기의 간격을 넓게 함으로써 야기되는 필터의 대형화를 회피할 수 있는 소형의 필터 제작이 용이하게 이루어질 수 있다. 또한, 결합형 공진기의 전계 결합을 공정의 한계에 구애받지 않으면서 크게 할 수 있다.

Claims (7)

  1. 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터에 있어서,
    일측면으로부터 서로 인접하게 이격되어 병렬로 연장하는 N개의 스트립 라인 공진기를 갖는 제 1 유전체 기판;
    상기 제 1 유전체 기판의 상부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기들의 상부층에서 자계 결합을 위한 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 1 자계 결합 패턴을 갖는 제 2 유전체 기판;
    상기 제 1 유전체 기판의 하부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기의 하부층에서 자계 결합을 위한 또 다른 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 2 자계 결합 패턴을 갖는 제 3 유전체 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 유전체 필터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴은 상기 각각의 라인 공진기에서 발생하여 접지 전극으로 진행하는 전계를 차단하는 수단으로 작용함으로써, 자계 결합의 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는 적층형 유전체 필터.
  3. 자계 결합의 세기를 조절할 수 있는 적층형 유전체 필터에 있어서,
    일측면으로부터 서로 인접하게 이격되어 병렬로 연장하는 N개의 스트립 라인공진기를 갖는 제 1 유전체 기판;
    상기 제 1 유전체 기판의 상부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기의 상부층에서 자계 결합을 위한 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 1 자계 결합 패턴을 갖는 제 2 유전체 기판;
    상기 제 1 유전체 기판의 하부 층으로 적층되며, 적층 상태에서 상기 N개의 스트립 라인 공진기들을 가로질러 중첩하여 상기 공진기의 하부층에서 자계 결합을 위한 캐패시턴스 성분을 형성하는 제 2 자계 결합 패턴을 갖는 제 3 유전체 기판;
    접지 전극과 I/O 전극을 제공하며, 상기 제 2 유전체 기판상의 제 1 자계 결합 패턴을 상기 접지 전극에 전기적으로 연결하는 비아를 가지고 있는 최상위 기판;
    접지 전극과 I/O 전극을 제공하며, 상기 제 3 유전체 기판상의 제 2 자계 결합 패턴을 상기 접지 전극에 전기적으로 연결하는 비아를 가지고 있는 최하위 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 유전체 필터.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 자계 결합 패턴은 상기 라인 공진기에서 발생하여 상기 접지 전극으로 진행하는 전계를 흡수하는 접지 전극 수단으로 작용함으로써, 자계 결합의 세기를 조절하는 것을 특징으로 하는 적층형 유전체 필터.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 유전체 필터는 상기 제 2 및 제 3 유전체 기판상에서 상기 제 1 및 제 2 라인 공진기의 선단부까지 연장하여 그와 부분적으로 중첩함으로써, 상기 공진기에 대하여 각기 상부층과 하부층에서 공진을 유도하는 션트 캐패시터 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 유전체 필터.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 유전체 필터는 상기 제 2 및 제 3 유전체 기판상에서 상기 각각의 제 1 및 제 2 라인 공진기의 몸체까지 연장하여 부분적으로 중첩하여, 상기 공진기에 대하여 상부층과 하부층에서 I/O 커플링을 위한 캐패시터 영역을 형성하는 한 쌍의 I/O 커플링 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적층형 유전체 필터.
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 N은 2이상의 자연수인 것을 특징으로 하는 적층형 유전체 필터.
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