KR20020085211A - 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장를 이용한 정전형 수직구동기의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- MEMS 기법을 이용한 정전형 수직 구동기를 제조 방법에 있어서,균질 실리콘 웨이퍼에 실리콘 식각마스크1을 증착하고 1차 사진묘화작업으로 패터닝하여 수직 구동기의 평면적 치수를 결정하는 단계(a);상기 단계(a)에서 형성된 실리콘 식각마스크1의 패턴 위에 실리콘 식각마스크2를 증착하고 2차 사진묘화작업으로 패터닝하되, 수직 구동기의 상부전극 부분이 실리콘 식각마스크2에 의하여 완전히 덮이도록 하는 단계(b);상기 단계(a) 및 상기 단계(b)에 의하여 실리콘 식각마스크1 및 실리콘 식각마스크2가 각각 형성된 상태에서, t1 만큼 제1차 실리콘 식각을 수행하며, 이 때 동반적으로 실리콘 식각마스크2에 의하여 덮이지 않은 부분의 실리콘 식각마스크1이 식각되어 실리콘 식각마스크1의 두께에 차이가 발생하도록 하는 단계(c);실리콘 식각마스크2를 제거하는 단계(d);상기 단계(d)에서 실리콘 식각마스크2가 제거된 상태에서 t2 만큼 제2차 실리콘 식각을 수행하여 상부전극의 두께를 결정하는 단계(e);상기 단계(e)를 거쳐 형성된 구조물에 벽면보호막을 입히는 단계(f);상기 단계(f) 이후에 t3 만큼 제3차 실리콘 식각을 수행하여 기판과 하부전극간의 수직 간격을 결정하는 단계(g);상기 단계(g) 이후에 알칼리 수용액을 이용하여 희생층을 식각하는 단계(h);상기 단계(h)를 거쳐서 형성된 구조물에서, 상기 단계(c)에 의한 제1차 실리콘 식각에 의한 동반적인 효과로서, 실리콘 식각마스크2에 의하여 덮이지 않은 부분의 실리콘 식각마스크1이 식각되어, 실리콘 식각마스크1의 두께에 차이가 발생한 구조물에서 더 얇은 쪽의 실리콘 식각마스크1의 두께만큼 실리콘 식각마스크1을 건식 식각하고, t4 만큼 제4차 실리콘 식각을 수행하여 상부전극과 하부전극의 수직 간격을 결정하는 단계(i); 및상기 단계(f)에서 형성된 벽면보호막을 제거하는 단계(j)를 포함하는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 균질 실리콘 웨이퍼는, (111) 단결정 실리콘 웨이퍼인 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계(c), 단계(e), 단계(g) 및 단계(i)는 실리콘 딥 반응성 이온 식각 공정으로 수행되는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계(b)에서 형성되는 실리콘 식각마스크2의 패턴 크기는, 실리콘 식각마스크2에 의하여 덮이는 실리콘 식각마스크1의 패턴 크기보다 w0만큼 큰 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제4항에 있어서,상기 w0는, 2차 사진묘화 작업시의 정렬오차와 단계(g)의 세 번째 실리콘 건식식각을 수행하기 위해 필요한 최소한의 면적을 고려하여 결정되는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계(g)에서 수행되는 제3차 실리콘 식각 깊이 t3는 상기 단계(c)에서 수행되는 제1차 실리콘 식각 깊이 t1보다 큰 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,상기 단계(j)를 거쳐서 형성된 구조물을 전기적으로 절연하는 단계(k)를 더 포함하는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 단계(k)는, 실리콘 산화막/다결정 실리콘/금속의 삼중막을 이용하여 절연하는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제7항에 있어서,상기 단계(k)는, 선택적 에스오아이 구조를 이용하여 절연하는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의하여,상기 방법은, 수직축 가속도계의 수직 방향 검지부에 적용되는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의하여,상기 방법은, 수평축 자이로스코프의 검지를 위한 수직 검지부 혹은 수직 구동부에 적용되는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 의하여,상기 방법은, 광스위칭 소자를 포함하는 비틀림 검지부 혹은 비틀림 구동기에 적용되는 것임을 특징으로 하는 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장을 이용한 정전형 수직 구동기의 제조 방법.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0024607A KR100373739B1 (ko) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장를 이용한 정전형 수직구동기의 제조 방법 |
US10/139,720 US6694504B2 (en) | 2001-05-07 | 2002-05-06 | Method of fabricating an electrostatic vertical and torsional actuator using one single-crystalline silicon wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2001-0024607A KR100373739B1 (ko) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장를 이용한 정전형 수직구동기의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020085211A true KR20020085211A (ko) | 2002-11-16 |
KR100373739B1 KR100373739B1 (ko) | 2003-02-26 |
Family
ID=19709125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-0024607A KR100373739B1 (ko) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장를 이용한 정전형 수직구동기의 제조 방법 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6694504B2 (ko) |
KR (1) | KR100373739B1 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7214559B2 (en) | 2004-05-21 | 2007-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating vertical offset structure |
KR100758641B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-09-13 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | Cmos 회로가 집적된 실리콘 기판 상에 미세구조물을 형성하는 방법 및 상기 방법에 의하여 형성된 미세 구조물을 포함하는 mems 소자 |
KR100817813B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2008-03-31 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 실리콘 기판 상에 상이한 수직 단차를 갖는 미세구조물의제조 방법 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100594731B1 (ko) * | 2004-07-19 | 2006-06-30 | 삼성전자주식회사 | 수직단차 구조물 및 그 제조방법 |
US7816745B2 (en) * | 2005-02-25 | 2010-10-19 | Medtronic, Inc. | Wafer level hermetically sealed MEMS device |
KR100790879B1 (ko) * | 2006-06-13 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 맴스 디바이스의 콤전극 형성 방법 |
KR101374057B1 (ko) | 2009-08-25 | 2014-03-12 | 한국전자통신연구원 | 3차원 mems 구조체 및 그 제조 방법 |
US8603848B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-12-10 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Three-dimensional MEMS structure and method of manufacturing the same |
CN102491253B (zh) * | 2011-11-29 | 2014-08-20 | 北京大学 | 一种不等高硅结构的加工方法 |
CN102583225B (zh) * | 2012-03-09 | 2015-05-06 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 一维大尺度多级台阶结构的制作方法 |
DE102013211872B4 (de) | 2013-06-24 | 2023-06-07 | Robert Bosch Gmbh | Mikro-elektromechanischer Reflektor und Verfahren zum Herstellen eines mikro-elektromechanischen Reflektors |
DE102013212095B4 (de) | 2013-06-25 | 2024-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Mikro-elektromechanischer Reflektor und Verfahren zum Herstellen eines mikro-elektromechanischen Reflektors |
FI127168B (en) * | 2014-05-20 | 2017-12-29 | Murata Manufacturing Co | Process for preparing a MEMS structure and using the method |
FI126508B (en) | 2015-05-15 | 2017-01-13 | Murata Manufacturing Co | Method for manufacturing a multilevel micromechanical structure |
US9764942B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-09-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-level micromechanical structure |
TWI676029B (zh) | 2015-05-20 | 2019-11-01 | 美商路梅戴尼科技公司 | 用於決定慣性參數之方法及系統 |
US20170003314A1 (en) * | 2015-06-30 | 2017-01-05 | Lumedyne Technologies Incorporated | Z-axis physical proximity switch |
US10234477B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-03-19 | Google Llc | Composite vibratory in-plane accelerometer |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5072288A (en) * | 1989-02-21 | 1991-12-10 | Cornell Research Foundation, Inc. | Microdynamic release structure |
ATE269588T1 (de) * | 1993-02-04 | 2004-07-15 | Cornell Res Foundation Inc | Mikrostrukturen und einzelmask, einkristall- herstellungsverfahren |
JPH10223914A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-21 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体マイクロマシンの製造方法 |
KR100300002B1 (ko) * | 1998-04-01 | 2001-11-22 | 조동일 | (111)단결정실리콘을이용한마이크로머시닝제조방법 |
KR20010019922A (ko) * | 1999-08-31 | 2001-03-15 | 구자홍 | 정전형 미세 구조물 및 제조 방법 |
KR20010026738A (ko) * | 1999-09-08 | 2001-04-06 | 윤종용 | 수직 빗살 구조물을 갖는 마이크로 액츄에이터의 제조 방법 |
KR100414570B1 (ko) * | 2000-07-03 | 2004-01-07 | 조동일 | 삼중막을 이용한 단결정 실리콘 미세 구조물의 절연 방법 |
-
2001
- 2001-05-07 KR KR10-2001-0024607A patent/KR100373739B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-05-06 US US10/139,720 patent/US6694504B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7214559B2 (en) | 2004-05-21 | 2007-05-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method for fabricating vertical offset structure |
KR100758641B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2007-09-13 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | Cmos 회로가 집적된 실리콘 기판 상에 미세구조물을 형성하는 방법 및 상기 방법에 의하여 형성된 미세 구조물을 포함하는 mems 소자 |
KR100817813B1 (ko) * | 2006-04-28 | 2008-03-31 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 실리콘 기판 상에 상이한 수직 단차를 갖는 미세구조물의제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100373739B1 (ko) | 2003-02-26 |
US20020164833A1 (en) | 2002-11-07 |
US6694504B2 (en) | 2004-02-17 |
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