KR20020082786A - 본딩 공구, 본딩 스테이지, 본딩 공구용 선단부 및 본딩스테이지용 스테이지부 - Google Patents

본딩 공구, 본딩 스테이지, 본딩 공구용 선단부 및 본딩스테이지용 스테이지부 Download PDF

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마에무라고이찌로
가와우찌히로시
야시끼데쯔오
다까하시도시야
오하라도시아끼
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스미토모덴키고교가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 교환 가능한 선단부를 갖는 본딩 공구 및 본딩 스테이지를 제공하는 데 있다. 본 발명은 선단부와 섕크부 또는 다이 시트부로 이루어지는 반도체 장착용의 본딩 공구 또는 본딩 스테이지로서, 선단부를 구성하는 직사각형 및 원형의 베이스부와 베이스부로부터 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 구성되고, 돌출부의 선단부는 기상 합성 다이아몬드로 피복되어 베이스부와 섕크부가 기계적으로 고정 부착되어 이루어지거나 혹은 진공 흡착으로 고정되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

본딩 공구, 본딩 스테이지, 본딩 공구용 선단부 및 본딩 스테이지용 스테이지부{BONDING TOOL, BONDING STAGE, TOOL HEAD FOR BONDING TOOL, AND STAGE HEAD FOR BONDING STAGE}
본 발명은 IC, LSI 등의 반도체 소자를 장착할 때에 이용되는 본딩 공구 및/또는 본딩 스테이지의 구조에 관한 것이다.
반도체 소자가 갖는 전기 특성을 인출하기 위해서는, 반도체 소자 상에 형성된 전극과 패키지의 리드 및 이 리드와 배선 기판과 같은 외부 단자를 전기적으로 접속할 필요가 있다. 반도체 소자측의 전극과 리드선의 접합은 종래, 금 혹은 구리 등으로 이루어지는 금속 세선을 도선으로 하고, 캐필러리라 불리는 공구를 이용하여 1개씩 접합하는 와이어 본딩이라 불리는 방법 및 패턴이 형성된 동박에 주석을 도금한 필름 캐리어라 불리는 리드선을 소정의 온도로 가열된 본딩 공구 및 본딩 스테이지를 이용하여 반도체 소자 상의 전체 전극에 전체 리드선을 일괄적으로 접속하는 TAB 방식( Tape Automated Bonding)이라 불리는 방법 등에 의해 행해지고 있다. 여기서 말하는 본딩 공구 및 본딩 스테이지는 본딩 장치에 부착되어 쌍을 이루어 기능한다. 일반적으로는, 하방에 공구면을 상향으로 고정 설치된 본딩 스테이지의 공구면 상에 반도체 소자, 패키지의 리드 부분, 배선 기반 등을 소정의 정밀도로 위치 결정하여 임시 설치하고, 상방에 공구면을 하향으로 가동 설치된 본딩 공구로 가압함으로써 접합을 행한다. 접합의 방법에 의해, 진공 흡착 기구가 본딩 공구에 필요한 경우와, 본딩 스테이지에 필요한 경우가 있다. 또한, 가열 기구도 접합 방법에 따라 어느 한 쪽, 또는 양 쪽에 필요한 경우가 있다.
또한 최근은 반도체 소자를 필름 상 또는 유리 상에 형성된 배선과 직접 접합하기 위해 소정의 온도로 가열된 본딩 공구 및 본딩 스테이지가 이용된다.
한편, 리드선과 배선 기판, 리드 프레임과 같은 외부 단자와의 접속은 주석 도금된 리드선 혹은 도금되지 않은 리드선과 배선 기판 상에 스크린 인쇄 등에 의해 형성된 땜납 전극을, 혹은 금 도금된 리드선을 금 도금 혹은 은 도금된 리드 프레임에 소정의 온도로 가열된 본딩 공구 및 본딩 스테이지를 이용하여 접합하고 있다.
또한, 최근은 IC 칩에 의해서는 리드 프레임을 폴리이미드 등의 부착 테이프를 거쳐서 반도체 소자에 직접 부착하고, 그런 후, 반도체 소자 상에 형성된 전극과 리드 프레임을 상술한 와이어 본딩에 의해 접합하는 방법이 있지만, 이 경우도 리드 프레임을 반도체 소자에 부착할 때에 소정의 온도로 가열된 본딩 공구 및 본딩 스테이지가 사용된다.
여기서 이용되는 본딩 공구 및 본딩 스테이지는 섕크부와 선단부 및 다이 시트부와 스테이지부로 이루어진다. 섕크부 및 다이 시트부는 종래 몰리브덴, 초경합금, 니켈 베이스 합금, 텅스텐 또는 텅스텐 합금, 철-니켈 코발트 합금, 스테인레스강, 철-니켈 합금, 티탄 또는 티탄 합금 등으로 만들어진 금속제의 것이 이용되고 있다. 또한 선단부 및 스테이지부는 공구면의 평탄도, 내마모성, 온도 분포 등을 개량하기 위해 기상 합성 다이아몬드, 다이아몬드 단결정, 다이아몬드 소결체, 입방정 질화 붕소 소결체 등의 경질 물질을 상기 금속제의 선단부에 부착한 것이 이용되고 있다. 본딩 공구 및/또는 본딩 스테이지의 가열은 카트리지 히터를 삽입한 히트 블럭을 상기 섕크부 및/또는 다이 시트부에 장착하여 행해진다. 또한, AlN이나 SiC 등의 베이스 부재에 통전 가열 기구를 조립한 카트리지 히터를 선단부와 섕크부 및/또는 스테이지부와 다이 시트부 사이에 삽입하여 기계적으로 혹은 진공 흡착 등의 수단으로 고정함으로써 행해진다.
종래의 본딩 공구 및 본딩 스테이지의 개발 경위는 개략 이하와 같았다. 반도체인 IC, LSI 등은 제품의 품종이 매우 많고, 제품마다 접속하는 리드나 배선의 수, 반도체의 형상이 달랐다. 이로 인해 IC, LSI의 제품마다 전용의 본딩 공구 및 본딩 스테이지를 준비할 필요가 있어 비용적으로 높은 것, 설비에 부착한 본딩 공구 및 본딩 스테이지의 교환에 시간을 필요로 하는 것, 본딩 공구 및 본딩 스테이지의 관리가 번잡해지는 것 등의 문제가 있었다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해, 일본 특허 공개 평3-191538호 공보에서는 본딩 공구의 선단부를 나사 등에 의해 기계적으로 부착함으로써 선단부의 착탈을 용이하게 한 방법이 제안되어 있다. 그러나, 나사 방식 등을 이용하고 있으므로 장시간의 사용에 의해 나사부가 눌러붙어 선단부의 착탈을 할 수 없게 되는 등의 문제가 남아 있었다.
또한, 일본 특허 공개 평8-107129호 공보에서는 상기한 일본 특허 공개 평3-191538호 공보를 더욱 개선하여 기계적인 부착 방법으로서 편심축을 이용한 방식의 본딩 공구가 제안되어 있다. 이 방식에서는 보다 착탈이 용이하고 또한 장시간 사용해도 선단부와 섕크부의 고정부가 눌러붙는 경우가 없다고 되어 있다. 그러나, 최근은 사용 조건이 심화되어 착탈에 의한 냉열 사이클을 반복함으로써 눌러붙음 방지 목적을 위한 세라믹 코딩이 일부 박리되는 경우가 있었다. 그 결과, 500 ℃의 고온 하에서는 약 30만회의 본딩 후에 선단부와 섕크부 사이에서 눌러붙는 경우가 있었다. 눌러붙은 것은 별도의 선단부와 교체는 할 수 없었다. 이것은 본딩 스테이지에 대해서도 마찬가지였다.
또한, 도8에 도시한 종래의 본딩 공구의 선단부에서는 다이아몬드 피복된 세라믹스제 돌출부와 금속제의 베이스부를 우선 납땜한다. 그 후, 선단부 상하면의 평행도를 내도록 다이아몬드면을 연마하므로 연마에 시간이 걸린다. 선단부의 바닥면과 공구면의 평행도가 공구면에 피복한 다이아몬드막 두께 이상인 경우에는 조정할 수 없으므로 납땜을 다시 해야만 했었다. 바닥면과 공구면의 평행도가 충분하지 않은 선단부를 갖는 본딩 공구를 사용한 경우, 본딩 장치 기동시의 평행도 조정에 상당히 시간이 걸린다는 문제가 남아 있었다.
또한, 도8에 도시한 구조의 본딩 공구에 있어서 세라믹스제의 돌출부는 금속제의 베이스부에 비해 열팽창율이 작다. 따라서, 이들 2개의 부분을 납땜에 의해 접합하면 접합 계면에 생기는 열응력은 돌출부 사이즈가 커질수록 커진다. 이에 의해 사용 중에 돌출부가 베이스부의 금속으로부터 박리되는 것이 문제가 되고 있었다. 또한, 박리가 일어나지 않는 경우라도 내부 응력의 영향으로 선단부의 바닥면과 공구면의 평탄도가 변화하거나, 반복에 가해지는 장착 하중에 의해 접합 계면에 열응력이 축적되어 돌출부가 깨어지거나 하는 문제가 남아 있었다.
본딩 공구 및 본딩 스테이지는 실제의 사용 온도가 설계 온도와 다른 경우가 있다. 도8에 도시한 구조의 본딩 공구의 공구면은 설계 온도에서는 평탄해지도록 연마 가공으로 마무리하고 있다. 그러나, 당초 설계 온도와 다른 온도로 사용하는 경우에는, 선단부의 금속제 베이스부와 세라믹스제 돌출부의 열팽창율이 다르므로 선단부의 평탄도가 설계치로부터 벗어난다. 따라서, 전체 공구면에 걸쳐서 균일하게 접합하는 것이 곤란하거나, 경우에 따라서 접합할 수 없는 부분이 발생하였다. 이 경향은 선단부 특히 돌출부가 커질수록 현저하게 나타난다. 최근의 상황으로서는 IC나 LSI의 크기가 점점 커져 오고 있고, 본딩 공구 및/또는 본딩 스테이지의 공구면의 평탄도나 사용시의 온도 분포 등의 정밀도를 종래의 레벨로 유지하는 것은 매우 곤란해져 왔다.
또한, 공구의 교체 시간의 단축, 장기 수명화가 요구되고 있다. 교체 시간을 단축하는 위해서는, 첫째 눌러붙음을 없애는 것, 둘째 본딩 공구와 본딩 스테이지의 공구면끼리의 평행도 조정 시간을 단축하기 위해 선단부 및/또는 스테이지부의 바닥면과 공구면의 평행도의 정밀도를 높이는 것이 중요하다. 긴 수명화에 있어서는 사용 중인 공구면의 평탄도 변화를 최대한 적게 하는 것 및 선단부 및/또는 스테이지부의 파손이 없는 것이 중요하다.
최근에는 선단부만을 교체함으로써 다품종의 제품에 대응할 수 있는, 소위 섕크의 공유화의 요망은 특히 커져 오고 있다. 이들의 다양한 최근의 상황에 대해 종래의 제품에서는 대응할 수 없게 되어 오고 있다. 본 발명의 목적은 이들의 종래의 문제점을 더욱 개량한 본딩 공구 및 본딩 스테이지를 제공하는 데 있다.
도1은 본 발명의 본딩 공구 선단부의 일예를 도시한 사시도.
도2는 본 발명의 본딩 공구로서, 섕크부에 선단부를 고정 부착한 것인 사시도.
도3은 본 발명의 본딩 스테이지 선단부의 일예를 도시한 사시도.
도4는 본 발명의 본딩 스테이지로서, 다이 시트부에 스테이지부를 고정 부착한 것인 사시도.
도5는 본 발명의 선단부를 섕크부에 부착하는 구조를 도시한 일부 단면도.
도6은 본 발명의 편심축의 작용을 전달하는 부재의 움직임을 설명한 도면.
도7은 본 발명에서 얻게 된 본딩 공구와 종래의 본딩 공구의 평탄도를 비교한 도면.
도8은 종래의 본딩 공구로서, 선단부와 섕크부를 고정 부착한 상태를 도시한 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1, 101 : 선단부
2, 102 : 부착 측면
3, 103 : 베이스부
4, 104 : 돌출부
5, 105 : 다이아몬드 피복층(공구면)
6, 106 : 진공 흡착 구멍
10, 110 : 카트리지 히터 수납부
11, 111 : 장착부
12, 112 : 압박부
14 : 섕크부
15 : 편심축
16, 116 : 편심축의 작용을 전달하는 부재
19, 119 : 열전대 수납부
20 : 납땜면
114 : 다이 시트부
본 발명은, 선단부와 섕크부로 이루어지는 반도체 장착용의 본딩 공구로서, 선단부를 구성하는 베이스부와 베이스부로부터 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 이루어져 돌출부의 공구면은 기상 합성 다이아몬드로 피복되고, 상기 베이스부와 상기 섕크부가 기계적으로 고정 부착되어 이루어지거나, 혹은 진공 흡착으로 고정되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 본딩 공구에 관한 것이다. 섕크부는 선단부를 일정한 위치 제도 및 각도 제도의 범위 내에서 본딩 장치에 고정하기 위한 장치로의 부착 기구를 갖고, 동시에 선단부를 본딩 공정에 필요한 온도까지 가열시키기 위한 기구를 갖는다.
본 발명의 별도의 형태는 스테이지부와 다이 시트부로 이루어지는 반도체 장착용의 본딩 스테이지로서, 스테이지부를 구성하는 베이스부와 베이스부로부터 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 이루어져 돌출부의 공구면은 기상 합성 다이아몬드로 피복되고, 상기 스테이지부와 상기 다이 시트부가 기계적으로 고정 부착되어 이루어지거나, 혹은 진공 흡착으로 고정되는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지에 관한 것이다. 다이 시트부는 스테이지부를 일정한 위치 제도 및 각도 제도의 범위 내에서 본딩 장치에 고정하기 위한 장치로의 부착 기구를 갖고, 동시에 스테이지부를 본딩 공정에 필요한 온도까지 가열시키기 위한 기구를 갖는다.
본딩 장치에서는, 일반적으로 본딩 공구와 본딩 스테이지는 쌍을 이루어 사용된다. 본 발명의 본딩 공구는 종래의 본딩 스테이지와 조합하여 사용하는 것도 가능하고, 또한 본 발명의 본딩 스테이지와 조합하여 사용하는 것도 가능하다. 또한 본 발명의 본딩 스테이지를 종래의 본딩 공구와 조합하여 사용할 수도 있다.
본 발명의 본딩 공구 및 본딩 스테이지는, 선단부 및/또는 스테이지부가 SiC, Si3N4, AlN 중 어느 한 종류를 주성분으로 하는 소결체 상에 기상 합성법으로 다결정 다이아몬드를 피복하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 섕크부 및 상기 다이 시트부는 몰리브덴, 초경합금, 니켈기합금, 텅스텐 또는 텅스텐 합금, 철-니켈 코발트 합금, 스테인레스강, 철-니켈 합금, 티탄 또는 티탄 합금으로부터 선택되는 1 또는 2 이상의 금속으로 구성할 수 있다. 이 중에서, 철-니켈 코발트 합금이나 텅스텐 합금인 텅스텐-Cu 합금이 내열성이나 가공성의 점에서 우수하다.
본 발명에 있어서의 선단부 및/또는 스테이지부는, 선단부 및/또는 스테이지부를 구성하는 베이스부와 베이스부에서 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 이루어지고, 돌출부의 공구면은 기상 합성 다이아몬드 피복층으로 이루어지고, 또한 상기 선단부가 적어도 SiC, Si3N4, AlN 중 어느 한 종류를 주성분으로 하는 소결체인 것이 바람직하다.
또한, 본딩 공구 및/또는 본딩 스테이지의 선단부 및/또는 스테이지부의 바닥면과 공구면과의 평행도가 상온에 있어서 2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 선단부 및/또는 스테이지부의 섕크부 및/또는 다이 시트부로의 부착 부분을 측면측으로부터 보았을 때에, 공구면을 향해 변 길이 혹은 직경이 작아지는 사다리꼴 형상의 단면 형상을 갖는 부착 측면을 갖는 것이 바람직하다. 이 구성에 의해 부착부 측면의 경사면과 압박부의 쐐기 효과에 의해 접합 강도를 높일 수 있다. 또한, 경사면의 기울기 등을 변경함으로써 선단부의 방향성을 확인하도록 할 수도 있다.
본 발명에서 얻게 된 본딩 공구용 선단부 및/또는 본딩 스테이지용 스테이지부의 특징은 100 ℃ 내지 550 ℃까지의 선단부의 평탄도 변화가 1 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하고, 또한 임의이지만 선단부에 반도체 소자를 흡착하기 위한 1개 이상의 진공 흡착 구멍을 가질 수 있다. 또한, 선단부 및/또는 스테이지부에 반도체를 흡착하기 위한 진공 흡착 홈 및 1개 이상의 흡착 구멍을 가질 수 있다.
본 발명의 선단부 및/또는 스테이지부는 섕크부 및/또는 다이 시트부와의 접촉면의 면거칠기가 평균 표면 거칠기 Ra에서 0.1 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이것은 섕크부 및/또는 다이 시트부와 선단부 사이의 열전도를 보증하기 위함이다. 선단부와 섕크부 또는 스테이지부와 다이 시트부 사이에 금, 은, 동, 백금, 탄탈, 니켈, 알루미늄 등의 연질 금속으로부터 선택되는 1층 혹은 2층 이상의 금속을 개재시켜 사용할 수도 있다. 특히 선단부 상하면의 평행도가 높은 경우, 평행도를 조정하는 것이 용이이고, 또한 섕크부와의 밀착성을 높여 열전도를 높일 수 있다.
본딩 공구 및 본딩 스테이지의 진보는 상당히 빠르게 IC나 LSI와 마찬가지로 라이프 사이클이 짧은 공구이다. 그리고 그 사용 방법도 점차로 양호해져 동일한 본딩 공구라도 종래의 것보다 2 내지 3배의 수명을 갖게 되고 있다. 또한, IC나 LSI가 비약적으로 커지고 있지만, 공구에 대한 치수 정밀도 등이 완화되는 것은 아니다. 게다가, 10O ℃ 내지 수백도의 고온까지 평탄도가 1 ㎛ 이내인 치수 정밀도로 눌러붙지 않는 것이 요구된다.
이와 같은 시장으로부터의 요청에 대해, 우선 선단부 및/또는 스테이지부와섕크부 및/또는 다이 시트부의 재료가 서로 반응하지 않는다고 생각되는 조합을 이하의 각종 재료로부터 선택하였다. 즉 초경합금이나 몰리브덴, 니켈 베이스 합금, 텅스텐, 텅스텐 합금, 철-니켈 코발트 합금, 스테인레스 강, 철-니켈 합금, 티탄또는 티탄 합금 등의 금속이나 SiC, Si3N4, AlN 등의 세라믹스의 각종 조합에 대해 검토하였다.
그 결과 명백해진 것은, 섕크부 및 다이 시트부는 열전대 수납부나 카트리지 히터 수납부를 가지므로 복잡한 형상으로 이루어질 수 없고, 그 형상을 감안하면 금속이 경제적이다.
그렇다면, 선단부 및/또는 스테이지부의 베이스부에 사용할 수 있는 재료는 SiC, Si3N4, AlN 등의 세라믹스가 적합하다. 그 이외의 재료는 사용시에 섕크부의 금속과 눌러붙어서 장시간 사용 후에 그 제거에 상당한 시간을 필요로 한다.
눌러붙음을 방지하는 것이라면, 도1 및 도3에 있어서의 베이스부(3 및 103)를 SiC, Si3N4나 AlN 등의 세라믹스로 하거나 도2에 있어서의 섕크부(14) 및 도4에 있어서의 다이 시트부(114)를 세라믹스로 하면 된다. 섕크부(14) 및 다이 시트부(114)를 세라믹스로 한 경우, 딱딱한 세라믹스를 복잡한 형상으로 가공하는 것은 비용면에서 매우 불리해지므로 베이스부를 SiC, Si3N4나 AlN 등의 세라믹스로 하는 것이 좋다.
또한 베이스부(3 및 103)를 세라믹스로 한 경우, 다이아몬드가 피복된 돌출부도 동일한 세라믹스로 하여, 돌출부와 베이스부의 남땜을 제거한 일체 구조로 하는 것이 좋다. 본 발명은 돌출 선단부에 직접 다결정 다이아몬드를 피복하므로 금속과의 납땜이 없는 구성이다. 따라서, 눌러붙음이 발생하지 않는 데다가 금속과의 열팽창율 차에 의해 생기는 깨짐, 사용 중의 평탄도 변화, 온도에 의한 평탄도변화 등이 감소하여 공구면 온도 분포가 개선된다. 또한, 납땜 후의 선단부 평행도 조정 연마 가공이 불필요해져 정밀도의 향상과 경제성의 향상이 한번에 달성될 수 있다. 따라서, 본 발명에서는 선단부 및/또는 스테이지부는 공구면에 다결정 다이아몬드를 피복한 세라믹스 일체 성형 구조로 하고, 섕크부 및/또는 다이 시트부에 부착하는 방법로서는 기계적으로 고정하는 방법 혹은 진공 흡착으로 하였다. 기계적으로 고정 부착하는 경우는 본딩 공정 중에서의 선단부의 어긋남이 발생하기 어려워 고정밀도의 본딩을 행할 수 있다. 진공 흡착에 의해 고정하는 경우는 선단부의 교환이 용이하고, 본딩하는 제품의 사이즈 변경을 용이하게 실시할 수 있다. 또한, 돌출부의 형상은 본딩을 행하는 제품의 형상, 크기에 따라 임의로 설계할 수 있고, 본 발명의 제1 실시예 및 제 3 실시예에 나타낸 바와 같은 직사각형 형상 이외에, 원통형의 형상 등도 채용할 수 있다.
기계적인 고정 부착 방법에 대해 이하 도면을 이용하여 설명한다. 본 발명의 본딩 공구는 도1에 도시한 선단부를 도2에 도시한 바와 같은 부착 구조로 하는 것이 바람직하다. 도1에 있어서, 부호 1은 선단부, 부호 2는 부착 측면, 부호 3은 베이스부, 부호 4는 돌출부, 부호 5는 다이아몬드 피복층(공구면)을 나타낸다. 또한, 도1에서는 본딩 공구 선단부의 예로서 베이스부가 직사각형인 것을 나타내고 있지만, 도3과 같이 베이스부가 원형 혹은 곡면을 가진 형태의 것이라도 상관없다. 도2에 있어서 부호 14는 섕크부, 부호 16은 편심축의 작용을 전달하는 부재, 부호 12는 압박부, 부호 19는 열전대 수납부, 부호 10은 카트리지 히터 수납부를 나타낸다. 또한, 본 발명의 본딩 스테이지는 도3에 도시한 선단부를 도4에 도시한 바와같은 부착 구조로 하는 것이 바람직하다. 도3에 있어서, 부호 101은 스테이지부, 부호 102는 부착 측면, 부호 103은 베이스부, 부호 104는 돌출부, 부호 105는 다이아몬드 피복층(공구면)을 나타낸다. 또한, 도3에서는 본딩 스테이지 선단부의 예로서 베이스부가 원형인 것을 도시하고 있지만, 도1과 같이 베이스부가 직사각형인 것이라도 또한, 원형 이외의 곡면을 가진 형태의 것이라도 상관없다. 도4에 있어서 부호 114는 다이 시트부, 부호 116은 편심축의 작용을 전달하는 부재, 부호 112는 압박부, 부호 119는 열전대 수납부, 부호 110은 카트리지 히터 수납부를 나타낸다.
도2 및 도4에 있어서, 화살표 방향으로 선단부 및/또는 스테이지부가 압박되었을 때에, 압박부에 의해 선단부 및/또는 스테이지부가 섕크부 및/또는 다이 시트부의 바닥면과 확실하게 접촉하여 섕크부 및/또는 다이 시트부와 선단부 및/또는 스테이지부의 열전도를 보증한다. 이 본딩 공구 및 본딩 스테이지는 섕크부(14) 및 다이 시트부(114)의 장착부(11 및 111)에서 본딩 장치에 부착된다.
도5는 선단부를 섕크부 및/또는 다이 시트부에 고정할 때의 부착부의 구조를 본딩 공구를 예로 하여 도시한 일부 단면도이다. 본딩 스테이지의 경우는 이하의 선단부를 스테이지부로, 섕크부를 다이 시트부로 바꿈으로써 마찬가지의 기구를 구비할 수 있다. 선단부의 섕크부로의 고정 구조는 섕크부(14)에 부착된 편심축(15)의 작용을 전달하는 부재(15)에 의해 섕크부(14)에 기계적으로 고정되어 있다. 이 때 편심축의 작용을 전달하는 부재(16)는 부재의 지지축(18)의 주위를 회전한다.
도5에 도시한 바와 같이 선단부(1)는 편심축의 작용을 전달하는 부재(16)를거쳐서 편심축(15)에 의해 섕크부로 압박되고 있다. 그리고 섕크부(14)의 열전대 수납부(19) 및 카트리지 히터 수납부(10)에 각각 열전대 및 카트리지 히터가 부착되어 사용된다. 이 때 선단부는 압박부(12)와 편심축의 작용을 전달하는 부재(16)에 의해 섕크부에 부착된다. 선단부의 부착 측면은 쐐기형으로 되어 있는 것이 바람직하다. 섕크와 양호하게 접촉하기 위해서이다. 또한, 편심축의 작용을 전달하는 부재(16)와 선단부가 접촉하는 부분은 역시 압박부와 동일한 구조가 바람직한 것은 물론이다.
도6은 도2 내지 도4에 도시한 본딩 공구 및 본딩 스테이지의 고정 구조의 상세를 나타낸 것이다. 도6의 (A)에 도시한 바와 같이, 편심축(15)이 그 지지축(17)을 중심으로 회전하고, 편심축의 작용을 전달하는 부재(16)는 편심축(15)에 압박되어 지시축(18)을 중심으로 회전한다. 그러면 이 부재(16)를 거쳐서 공구 선단부(1)는 섕크부(14)에 압박되어 고정이 행해진다. 따라서 베이스부의 측면도에서는 적어도 부착 측면이 경사면이 되어 사다리꼴 형상이 되는 것이 바람직하다. 양 쪽의 부착 측면이 경사면으로 되어 있는 쪽이 바람직한 것은 물론이다. 또한 도6의 (B)와 같이 편심축(15)을 반대로 회전시키면 부재(16)는 선단부로부터 떨어져 선단부(1)를 제거할 수 있다.
본 발명은 본딩 공구 및 본딩 스테이지 돌출부의 최대 길이가 15 ㎜를 초과하는 경우, 특히 20 ㎜를 초과하는 경우에 특히 큰 효과를 나타낸다. 최대 길이가 커지면 선단부 및/또는 스테이지부의 돌출부와 베이스부의 열팽창의 차이를 없애는 수단이 그 외에는 없기 때문이다. 또한 본 발명에서는 선단부 및/또는 스테이지부의 바닥면, 즉 섕크부 및/또는 다이 시트부와 접촉하는 부분의 표면 거칠기가 작은 것이 바람직하다. 바닥면의 면거칠기가 평균 표면 거칠기 Ra에서 O.1 ㎛ 이하이면, 섕크부 및/또는 다이 시트부와 선단부 및/또는 스테이지부 사이의 열전도의 정도는 실제로 사용하는 데 있어서 문제가 없다.
본 발명에 있어서는 선단부 및/또는 스테이지부의 베이스부의 바닥면과 공구면의 평행도가 2 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 이것은 선단부 및/또는 스테이지부의 다이아몬드 피복전의 바닥면과 공구면의 평행도를 5 ㎛ 이하로 함으로써 용이하게 달성할 수 있다. 5 ㎛를 초과하는 경우, 다이아몬드 피복후에 세라믹스보다 훨씬 난가공성의 다이아몬드를 가공하여 평행도 2 ㎛ 이하로 하는 가공비가 지나치게 높아진다. 다이아몬드 피복전의 선단부 및/또는 스테이지부의 정밀도를 높이는 것의 효과는 상기 외에 피복 다이아몬드층을 얇게 할 수 있는 점에 있다. 다이아몬드 피복 시간을 단축할 수 있어, 일반적으로 다이아몬드 피복 시간이 짧으면 합성후의 다이아몬드 입경이 작고, 또한 매끄러우므로 연마 시간을 더욱 짧게 할 수도 있다. 합성 시간이 길어지면 입자가 성장하기 때문이다. 이에 대해, 종래의 납땜 타입의 것은 납땜 후의 평행도를 11 ㎛ 정도로 하는 것이 한계였다.
본 발명의 다른 특징은 피복 다이아몬드층이 얇은 것과 작용하는 부분의 전체면에 걸쳐 다이아몬드의 두께가 균일한 것이다. 그 두께의 범위는 고작 7 ㎛이다. 또한, 베이스부의 바닥면과 공구면과의 평행도의 측정은 정반(定盤) 상에 선단부 및/또는 스테이지부를 두고, 촉침을 다이아몬드층 상에서 움직여 측정한다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세하게 설명한다.
(제1 실시예)
우선, 36 ㎜ × 36 ㎜ × 11 ㎜의 SiC 블럭으로부터 도1에 도시한 바와 같은 형상으로 베이스부의 하면이 35 ㎜ × 35 ㎜로 돌출부를 폭 5.4 ㎜ × 30.4 ㎜이고 높이 6 ㎜, 전체 높이가 10 ㎜인 선단부를 가공하였다. 돌출부의 공구면측으로부터 구멍 직경 0.5 ㎜이고 깊이 0.5 ㎜, 바닥면측으로부터 구멍 직경 1.8 ㎜이고 깊이 7 ㎜의 진공 흡착 구멍을 직경 6㎜, 깊이 2.5 ㎜인 구멍 속에 3개 관통 구멍으로 하였다. 반도체 등을 진공 흡착하여 이동 설치하거나 본딩한다. 또한 공구면 엣지는 폭 0.2 ㎜, 각도 45도로 각 능선에 대해 모따기 가공을 실시하여 돌출부의 유효 치수가 5㎜ × 30 ㎜로 가공하였다.
필라멘트로서 직경 0.5 ㎜, 길이 100 ㎜의 텅스텐선을 이용한 공지의 필라멘트 CVD법에 의해 상기 선단부의 공구면에 두께 50 ㎛의 다결정 다이아몬드를 피복하였다. 피복의 조건은 이하와 같다.
원료 가스(유량) : CH4/H2 ＝ 1 ％,
총유량 : 500 CC/min
가스 압력 : 1OOOO Pa
필라멘트 온도 : 2200 ℃
필라멘트와 돌출부 피복면 사이 거리 : 5 ㎜
SiC 온도 : 920 ℃
이리 하여 얻게 된 다이아몬드 피복층(5)을 다이아몬드 지석으로 연마하여돌출부의 유효 치수가 5 ㎜ × 30 ㎜인 선단부를 제작하였다. 이와 같이 하여 얻은 본딩 공구의 선단부(1)를 도2에 도시한 철-니켈 코발트 합금으로 형성한 섕크부에 동일한 재료로 형성한 편심축에 의해 클램프 레버를 거쳐서 고정하였다. 또한, 도2에 도시한 섕크는 진공 흡착 구멍(6)에 통하는 구멍을 가공하고 있다(도면 상에는 기재하지 않음). 또한, 피복전에 돌출부에 설치한 진공 흡착 구멍은 다이아몬드가 피복되지 않으므로 다이아몬드 피복층을 설치한 후에도 관통 구멍이다.
마찬가지로 하여, 비교예로서 도8에 나타낸 종래 구조의 본딩 공구를 제작하였다. 돌출부는 (종) 60 ㎜ × (횡) 60 ㎜ × (높이) 3 ㎜의 SiC 기판에 50 ㎛의 다결정 다이아몬드를 피복한 후, 5.4 ㎜ ×30.4 ㎜의 사이즈로 절단함으로써 제작하였다. 베이스부는 철-니켈 코발트 합금을 소정의 형상으로 기계 가공하여 제작하였다. 그 후 돌출부와 베이스부를 은납땜으로 접합하여 선단부로 하였다. 이 도면에 있어서 부호 20은 다결정 다이아몬드를 피복한 SiC로 이루어지는 돌출부와 코발트로 이루어지는 베이스부를 납땜함으로써 접합한 것이다. 그 밖의 점은 본 실시예와 마찬가지로 하여 비교예의 샘플을 제작하였다.
이와 같이 하여 얻게 된 본딩 공구에 있어서, 선단부의 상하면 평행도, 열전대부에 있어서의 온도 500 ℃에서의 공구면 표면 온도 분포, 500 ℃로 가열했을 때의 선단부와 섕크부와의 눌러붙음 시험, 상온으로부터 600 ℃로 가열과 냉각을 반복한 경우의 베이스부와 돌출부의 접합 계면의 내구성 및 600 ℃의 온도로 20 ㎏의 하중을 가하여 200만회의 내구성에 대해 비교하였다. 결과를 표1에 나타낸다.
시험 내용 본 발명 종래품
선단부 상하면 평행도 1 ㎛ 11 ㎛
공구면 표면 온도 분포 6 ℃ 10 ℃
선단부 눌러붙음 시험 이상 없음 30만회에서 눌러붙음을 확인
히트 사이클 시험 이상 없음 24회에서 돌출부에 균열 발생
600 ℃ 본딩 시험 이상 없음 120만회에서 선단부에 균열 발생
시험 조건의 상세는 이하와 같다.
공구면 표면 온도 분포 : 열전대부의 온도가 500 ℃일 때의 공구면의 최고, 최저의 온도차.
선단부 눌러붙음 시험 : 500 ℃, 하중 20 ㎏, 100만회 본딩 시험 후, 10만회 마다 선단부가 제거 가능한지 확인한다.
히트 사이클 시험: 상온으로부터 600 ℃로 가열하여 2시간 보유 지지하고, 또한 상온으로 복귀시킨다는 사이클을 100회 반복한다.
600 ℃ 본딩 시험 : 600 ℃, 가중 20 ㎏, 200만회 본딩 시험.
종래품에서는 베이스부과 돌출부를 납땜한 후의 선단부 상하면의 평행도는 나쁘다. 이것을 #170의 다이아몬드 지석으로 경사지게 하여 연마하고, 평행도 11 ㎛ 까지 조정 가공하였다. 이것은, 평행도 조정을 위해 경사지게 하여 연마하고 있으므로 다이아몬드막의 일부가 없어질 때까지는 연마할 수 없고, 이 이상의 조정은 할 수 없었기 때문이다. 그에 대해, 본 발명에서는 돌출부로 직접, 다결정 다이아몬드를 피복한다는 납땜이 없는 구성인 것에 의해, 납땜에 의한 평행도 악화가 생기지 않으므로 평행도가 1 ㎛라는 정밀도를 달성할 수 있는 것이다. 선단부 상하면의 평탄도를 다이아몬드 피복하기 전에 5 ㎛ 이하로 함으로써 상기와 같은 피복후의 정밀도를 보다 용이하게 달성할 수 있다. 본 발명에서는 선단부에 납땜부가 없으므로 상기의 시험에서 모든 항목에 있어서 비교예에 대해 우수하였다.
[실시예 2]
ø32 ㎜ × 12 ㎜ 의 SiC 블럭으로부터 도3에 도시한 바와 같은 형상으로 베이스부의 하면이 ø31 ㎜로 돌출부를 폭 5.4 ㎜ × 30.4 ㎜이고 높이 61 ㎜, 전체의 높이가 11 ㎜인 스테이지부를 가공하였다. 돌출부의 공구 면측으로부터 구멍 직경 0.5 ㎜이고 깊이 0.5 ㎜, 바닥면측으로부터 구멍 직경 1.8 ㎜이고 깊이 7 ㎜인 진공 흡착 구멍을 직경 6㎜, 깊이 2.5 ㎜인 구멍 속에 3개 관통 구멍으로 하였다. 반도체 등을 진공 흡착하여 이동 설치하거나, 본딩하거나, 고정하거나 한다. 또한 공구면 에지는 폭 0.2 ㎜, 각도 45도로 각 능선에 대해 모따기 가공을 실시하여 돌출부의 유효 치수가 5 ㎜ × 30 ㎜로 가공하였다.
필라멘트로서 직경 0.5 ㎜, 길이 100 ㎜의 텅스텐선을 이용한 공지의 필라멘트 CVD법에 의해 SiC 제조의 돌출부에 두께 50 ㎛의 다결정 다이아몬드를 피복하였다. 피복의 조건은 이하와 같다.
원료 가스(유량) : CH4/H2 ＝ 1 ％,
총유량 : 500 CC/min
가스 압력 : 1OOOO Pa
필라멘트 온도 : 2200 ℃
필라멘트와 돌출부 피복면 사이 거리 : 5 ㎜
SiC 온도 : 920 ℃
이와 같이 하여 얻게 된 다이아몬드 피복층(5)을 다이아몬드 지석으로 연마하여 돌출부의 유효 치수가 5 ㎜ × 3O ㎜인 스테이지부를 제작하였다. 이와 같이 하여 얻은 본딩 스테이지의 스테이지부(1)를 도4에 도시한 철-니켈 코발트 합금으로 형성한 다이 시트부에 동일한 재료로 형성한 편심축에 의해 클램프 레버를 거쳐서 고정하였다. 또한, 도4에 도시한 다이 시트부는 진공 흡착 구멍(6)에 통하는 구멍을 가공하고 있다(도면 상에는 기재하지 않음). 또한, 피복전에 돌출부에 설치한 진공 흡착 구멍은 타이어가 피복되지 않으므로, 다이아몬드 피복층을 마련한 후에도 관통 구멍이다.
마찬가지로 하여, 비교예로서 도8에 도시한 것과 같은 구조를 한 종래 구조의 본딩 스테이지를 제작하였다. 돌출부는 (종) 60 ㎜ × (횡) 60 ㎜ × (높이) 3 ㎜인 SiC 기판에 50 ㎛의 다결정 다이아몬드를 피복한 후, 5.4 ㎜ × 30.4 ㎜인 사이즈로 절단함으로써 제작하였다. 베이스부는 철-니켈 코발트 합금을 소정의 형상으로 기계 가공하여 제작하였다. 그 후 돌출부와 베이스부를 은납땜으로 접합하였다.
이와 같이 하여 얻게 된 본딩 스테이지에 있어서, 스테이지부의 바닥면과 공구면의 평행도, 열전대부에 있어서의 온도 500 ℃에서의 공구면 표면 온도 분포, 500 ℃로 가열했을 때의 스테이지부와 다이 시트부와의 눌러붙음 시험, 상온으로부터 600 ℃로 가열과 냉각을 반복한 경우의 베이스부와 돌출부의 접합 계면의 내구성 및 600 ℃의 온도에서 20 ㎏의 하중을 가하여 200만회의 내구성에 대해 비교하였다. 결과를 표1에 도시한다.
시험 내용 본 발명 종래품
스테이지부 상하면 평행도 0.8 ㎛ 15 ㎛
공구면 표면 온도 분포 6 ℃ 10 ℃
스테이지부 눌러붙음 시험 이상 없음 30만회에서 눌러붙음을 확인
히트 사이클 시험 이상 없음 24회에서 돌출부에 균열 발생
600 ℃ 본딩 시험 이상 없음 120만회에서 선단부에 균열 발생
시험 조건의 상세는 이하와 같다.
공구면 표면 온도 분포 : 열전대부의 온도가 500 ℃일 때의 공구면의 최고, 최저의 온도차.
스테이지부 눌러붙음 시험 : 500 ℃, 하중 20 ㎏, 100만회 본딩 시험 후, 10만회마다 스테이지부를 제거할 수 있는지 확인한다.
히트 사이클 시험 : 상온으로부터 600 ℃로 가열하여 2시간 보유 지지하고, 또한 상온으로 복귀시킨다는 사이클을 100회 반복한다.
600 ℃ 본딩 시험 : 600 ℃, 가중 20 ㎏, 200만회 본딩 시험.
종래품에서는 베이스부와 돌출부를 납땜한 후의 스테이지부 상하면의 평행도는 나쁘다. 이것을 #170의 다이아몬드 지석으로 경사지게 하여 연마하고, 평행도 15 ㎛까지 조정 가공하였다. 이것은, 평행도 조정을 위해 경사지게 하여 연마하고 있으므로 다이아몬드막의 일부가 없어질 때까지는 연마할 수 없고, 이 이상의 조정은 할 수 없었기 때문이다. 그에 대해, 본 발명에서는 돌출부에 직접 다결정 다이아몬드를 피복한다는 납땜이 없는 구성인 것에 의해 납땜에 의한 평행도 악화가 생기지 않으므로 평행도가 0.8 ㎛라는 정밀도를 달성할 수 있었던 것이다. 스테이지부 상하면의 평탄도를 다이아몬드 피복하기 전에 5 ㎛ 이하로 함으로써 상기한 바와 같은 피복후의 정밀도를 보다 용이하게 달성할 수 있다.
본 발명에서는 스테이지부에 납땜부가 없으므로 상기한 시험에서 모든 항목에 있어서 비교예에 대해 우수하였다.
[실시예 3]
제1 실시예에서 제작한 본 발명품의 본딩 공구와 비교예의 본딩 공구를 이용하여 온도와 평탄도의 관계를 조사하였다. 각각을 도2에 도시한 섕크에 장착하여 카트리지 히터에 의해 가열하여 공구면의 표면 온도와 그 온도에서의 공구면의 평탄도를 측정하였다. 그 결과를 도7에 나타낸다. 또한, 평탄도의 측정은 일본 특허 공개 평5-326642호 공보에 기재되어 있다. 금선 등을 본딩 공구의 공구면에서 압박하여 그 전사된 금선의 평탄도를 측정하여 공구면의 평탄도로 한다.
종래 납땜 타입의 측정 결과를 △로 표시하고, 본 발명품의 측정 결과를 검은 동그라미로 나타내었다. 도7에 도시한 바와 같이 본 발명의 경우는 100 ℃ 내지 550 ℃의 범위에 있어서 거의 변화가 없다. 이에 대해, 종래품은 온도가 오를수록 평탄도가 오목 방향으로 변화한다. 이것은 베이스부에 납땜되어 있는 돌출부의 세라믹스가 베이스부의 금속보다도 열팽창율이 작은 것에 의한다. 이에 대해 일체품은 열팽창율의 차이가 없고, 또한 납땜이 없으므로 납땜부의 열팽창의 차이도 없기 때문이다.
또한, 본 발명의 본딩 스테이지에 있어서도 동일한 측정을 행하고, 본 실시예와 마찬가지의 결과를 얻었다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의해 얻을 수 있는 본딩 공구 및/또는 본딩 스테이지는 다양한 공구 형상에 대해 선단부를 바꾸는 것만으로 대응할 수 있다는 큰 특징을 갖고, 게다가 장기간의 사용에도 고정 부착부가 눌러붙는 경우가 없다. 게다가, 종래의 본딩 공구와 같이 납땜 등에 의한 접합부가 없으므로 본딩 장치 전체적으로 보았을 때의 평행도를 유지하기 위한 가공 비용이나 조정 비용도 저렴해진다는 특징을 갖는다.

Claims (20)

  1. 선단부와 섕크부로 이루어지는 반도체 장착용의 본딩 공구로서,
    선단부를 구성하는 베이스부와 베이스부로부터 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 이루어져 돌출부의 공구면은 기상 합성 다이아몬드로 피복되고, 상기 선단부와 상기 섕크부가 기계적으로 고정 부착 혹은 진공 흡착으로 고정되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 본딩 공구.
  2. 제1항에 있어서, 선단부가 SiC, Si3N4, AlN 중 어느 한 종류를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지고, 그 공구면 상에 기상 합성법으로 다결정 다이아몬드를 피복한 것을 특징으로 하는 본딩 공구.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 섕크부가 몰리브덴, 초경합금, 니켈 베이스 합금, 텅스텐 또는 텅스텐 합금, 철-니켈 코발트 합금, 스테인레스강, 철-니켈 합금, 티탄 또는 티탄 합금으로부터 선택되는 1 또는 2 이상인 것을 특징으로 하는 본딩 공구.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 선단부와 섕크부 사이에 금, 은, 동, 백금, 탄탈, 니켈, 알루미늄 등의 연질 금속으로부터 선택되는 1층 또는 2층 이상의 금속을개재시키는 것을 특징으로 하는 본딩 공구.
  5. 스테이지부와 다이 시트부로 이루어지는 반도체 장착용의 본딩 스테이지로서,
    스테이지부를 구성하는 베이스부와 베이스부로부터 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 이루어지고, 돌출부의 공구면은 기상 합성 다이아몬드로 피복되고, 상기 스테이지부와 상기 다이 시트부가 기계적으로 고정 부착 혹은 진공 흡착으로 고정되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.
  6. 제5항에 있어서, 스테이지부가 SiC, Si3N4, AlN 중 어느 한 종류를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지고, 그 공구면 상에 기상 합성법으로 다결정 다이아몬드를 피복한 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.
  7. 제5항 또는 제6항에 있어서, 다이 시트부가 몰리브덴, 초경합금, 니켈 베이스 합금, 텅스텐 또는 텅스텐 합금, 철-니켈 코발트 합금, 스테인레스강, 철-니켈 합금, 티탄 또는 티탄 합금으로부터 선택되는 1 또는 2 이상인 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.
  8. 제5항 또는 제6항에 있어서, 스테이지부와 다이 시트부 사이에 금, 은, 동,백금, 탄탈, 니켈, 알루미늄 등의 연질 금속으로부터 선택되는 1층 또는 2층 이상의 금속을 개재시키는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지.
  9. 선단부를 구성하는 베이스부와, 베이스부로부터 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 이루어져 상기 일체 재료가 적어도 SiC, Si3N4, AlN 중 어느 한 종류를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지고, 돌출부의 공구면은 기상 합성 다이아몬드 피복층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 본딩 공구용 선단부.
  10. 제9항에 있어서, 상기 선단부의 바닥면과 공구면과의 평행도가 상온에 있어서 2 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 본딩 공구용 선단부.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 섕크부로의 부착부를 측면측으로부터 보았을 때에 공구면을 향해 긴 변 또는 직경이 작아지는 사다리꼴 형상의 단면 형상을 갖는 부착 측면을 갖는 것을 특징으로 하는 본딩 공구용 선단부.
  12. 제9항 또는 제10항에 있어서, 100 ℃ 내지 550 ℃까지의 공구면의 평탄도 변화가 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 본딩 공구용 선단부.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서, 선단부의 공구면에 반도체 소자를 흡착하기 위한 1개 이상의 진공 흡착 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 본딩 공구용 선단부.
  14. 제9항 또는 제10항에 있어서, 선단부의 공구면에 반도체를 흡착하기 위한 진공 흡착 홈 및 1개 이상의 진공 흡착 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 본딩 공구용 선단부.
  15. 스테이지부를 구성하는 베이스부와, 베이스부로부터 돌출하고 있는 돌출부가 일체 재료로 이루어져 상기 일체 재료가 적어도 SiC, Si3N4, AlN 중 어느 한 종류를 주성분으로 하는 소결체로 이루어지고, 돌출부의 공구면은 기상 합성 다이아몬드 피복층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지용 스테이지부.
  16. 제15항에 있어서, 상기 스테이지부의 바닥면과 공구면과의 평행도가 상온에 있어서 2 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지용 스테이지부.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서, 다이 시트부로의 부착부를 측면측으로부터 보았을 때에 공구면을 향해 긴 변 혹은 직경이 작아지는 사다리꼴 형상의 단면 형상을 갖는 부착 측면을 갖는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지용 스테이지부.
  18. 제15항 또는 제16항에 있어서, 100 ℃ 내지 550 ℃까지의 공구면의 평탄도변화가 1 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지용 스테이지부.
  19. 제15항 또는 제16항에 있어서, 스테이지부의 공구면에 반도체 소자를 흡착하기 위한 1개 이상의 진공 흡착 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지용 스테이지부.
  20. 제15항 또는 제16항에 있어서, 스테이지부의 공구면에 반도체를 흡착하기 위한 진공 흡착 홈 및 1개 이상의 진공 흡착 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 본딩 스테이지용 스테이지부.
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