KR20020081100A - 탄성표면파 장치 및 통신 장치 - Google Patents

탄성표면파 장치 및 통신 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020081100A
KR20020081100A KR1020020020611A KR20020020611A KR20020081100A KR 20020081100 A KR20020081100 A KR 20020081100A KR 1020020020611 A KR1020020020611 A KR 1020020020611A KR 20020020611 A KR20020020611 A KR 20020020611A KR 20020081100 A KR20020081100 A KR 20020081100A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
surface acoustic
acoustic wave
pitch
electrode fingers
Prior art date
Application number
KR1020020020611A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100609965B1 (ko
Inventor
와타나베히로키
다카미네유이치
Original Assignee
가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼
Publication of KR20020081100A publication Critical patent/KR20020081100A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100609965B1 publication Critical patent/KR100609965B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A23—FOODS OR FOODSTUFFS; TREATMENT THEREOF, NOT COVERED BY OTHER CLASSES
    • A23L—FOODS, FOODSTUFFS, OR NON-ALCOHOLIC BEVERAGES, NOT COVERED BY SUBCLASSES A21D OR A23B-A23J; THEIR PREPARATION OR TREATMENT, e.g. COOKING, MODIFICATION OF NUTRITIVE QUALITIES, PHYSICAL TREATMENT; PRESERVATION OF FOODS OR FOODSTUFFS, IN GENERAL
    • A23L11/00—Pulses, i.e. fruits of leguminous plants, for production of food; Products from legumes; Preparation or treatment thereof
    • A23L11/05—Mashed or comminuted pulses or legumes; Products made therefrom
    • A23L11/07—Soya beans, e.g. oil-extracted soya bean flakes
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A23—FOODS OR FOODSTUFFS; TREATMENT THEREOF, NOT COVERED BY OTHER CLASSES
    • A23P—SHAPING OR WORKING OF FOODSTUFFS, NOT FULLY COVERED BY A SINGLE OTHER SUBCLASS
    • A23P30/00—Shaping or working of foodstuffs characterised by the process or apparatus
    • A23P30/10—Moulding
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47J—KITCHEN EQUIPMENT; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; APPARATUS FOR MAKING BEVERAGES
    • A47J43/00—Implements for preparing or holding food, not provided for in other groups of this subclass
    • A47J43/20—Shapes for preparing foodstuffs, e.g. meat-patty moulding devices, pudding moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
    • H03H9/0028—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices
    • H03H9/0033—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only
    • H03H9/0042—Balance-unbalance or balance-balance networks using surface acoustic wave devices having one acoustic track only the balanced terminals being on opposite sides of the track
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
    • H03H9/14582—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger the last fingers having a different pitch
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6469—Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via two connecting electrodes

Landscapes

  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Agronomy & Crop Science (AREA)
  • Nutrition Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Botany (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

본 발명은 통과대역폭이 넓고, 삽입손실 및 VSWR이 작고, 또한 전극형성이 용이하며, 내압 열화를 일으키기 어려운, 종결합 공진자형의 탄성표면파 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 구성에 따르면, 복수의 빗형 전극부(3, 4, 5)를 종결합 공진자형으로 형성한다. 서로 이웃하는 각 IDT의 이웃하는 단부에서부터의 일부분의 전극지(10)의 피치를, 빗형 전극부(3, 4)의 다른 부분의 전극지의 피치보다도 작게 하고, 피치를 작게 한 부분의 전극지(10)의 듀티(duty)를 그 외의 부분의 전극지의 듀티보다도 작게 설정한다.

Description

탄성표면파 장치 및 통신 장치{Surface acoustic wave apparatus and communication apparatus}
본 발명은 복수의 전극지를 갖는 빗형 전극부(인터디지탈 트랜스듀서, 이하 IDT라 함) 복수개를 탄성표면파의 전파방향을 따라서 형성한 종결합 공진자형 탄성표면파 필터와 같은 탄성표면파 장치 및 이것을 이용한 통신 장치에 관한 것이다.
휴대전화기의 RF단의 밴드패스 필터로서, 탄성표면파 필터(탄성표면파 장치)가 널리 사용되고 있다. 밴드패스 필터에 요구되는 각 성능으로서는 저손실, 고감쇠량, 광역화 등을 들 수 있다. 탄성표면파 필터에서도, 상기 각 성능에 관한 많은 발명이 이루어져 있다.
그 중에서도, 종결합 공진자형의 탄성표면파 필터의 광대역화의 방법으로서, 예를 들면 일본국 특허공개 평5-267990호 공보 등과 같이, 이웃하는 2개의 IDT 사이를 통하여 전극지가 주기적으로 나란한 조건, 구체적으로는 이웃하는 2개의 IDT의 인접하는 전극지의 중심간 거리를, 전극지의 피치로 정해지는 파장의 0.5배에서 벗어나게 함으로써, 공진 모드의 배치를 최적화하는 방법이 널리 사용되고 있다.
그러나, 상기 종래의 경우에는 광대역화할 수는 있더라도, 삽입손실은 악화되게 된다고 하는 문제가 있었다.
결국, 2개의 IDT 사이의 이웃하는 전극지간 거리를 전극지의 피치로 정해지는 파장의 0.5배에서 벗어나게 하면, 그 부분에서 탄성표면파의 전파로의 주기적인연속성이 나빠진다. 특히 누설 탄성표면파(리키파)를 사용하는 36도 Y컷 X전파 LiTaO3또는 64도 Y컷 X전파 LiNbO3등의 압전기판을 사용한 탄성표면파 필터에 있어서는, 벌크파(bulk wave) 방사에 따른 손실이 증대하게 되어, 그 결과, 광대역화할 수는 있더라도, 삽입손실(전파손실)은 악화된다고 하는 문제가 있었다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성표면파 필터의 개략 구성도이다.
도 2는 비교를 위한 제 1 종래예에 따른 탄성표면파 필터의 개략 구성도이다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시형태와 제 1 종래예에 따른 각 탄성표면파 필터의 삽입손실 및 통과대역을 각각 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의 탄성표면파 필터에 있어서의 공진 모드의 주파수 관계를 나타낸 설명도로, (a)는 3개의 각 공진모드에 의한 광대역화를 나타낸 그래프이고, (b)는 이들 각 공진 모드를 발생시키기 위한 탄성표면파 필터의 개략 구성도이고, (c)는 상기 3개의 각 공진 모드를 각각 나타내기 위한 유효 전류 분포를 나타낸 설명도이다.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태에 있어서의 협피치 전극지의 듀티를 변화시킬 때의 전파손실을 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 제 1 실시형태와 종래예에 있어서의 진폭(삽입 손실)의 주파수 특성을 각각 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 제 1 실시형태와 제 1 종래예에 있어서의 VSWR 주파수 특성을 각각 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탄성표면파 필터의 개략 구성도이다.
도 9는 상기 탄성표면파 필터의 요부 확대도이다.
도 10은 비교로서 제 2 종래예의 탄성표면파 필터의 개략 구성도이다.
도 11은 상기 제 2 종래예의 탄성표면파 필터의 다른 예를 나타낸 개략 구성도이다.
도 12는 도 4에서 나타낸 각 공진 모드의 주파수와, IDT-IDT 간격과의 관계를 나타낸 그래프이다.
도 13은 상기 IDT-IDT 간격을 전극지의 피치로 정해지는 파장의 0.5배 이하로 하였을 때의 상기 IDT-IDT의 요부 확대도이다.
도 14는 본 발명의 통신 장치의 요부 블럭도이다.
(도면의 주요 부분에 있어서의 부호의 설명)
3: IDT(빗형 전극부)
4: IDT(빗형 전극부)
5: IDT(빗형 전극부)
10: 전극지
11: 전극지
30: 기판(압전기판)
본 발명의 탄성표면파 장치는 상기의 문제를 해결하기 위하여, 압전기판상에, 복수의 전극지를 갖는 IDT가 탄성표면파의 전파방향을 따라서 복수개 형성되어 있는 종결합 공진자형의 탄성표면파 장치로, 적어도 하나의 IDT에 대하여, 다른 IDT에 이웃하는 단부에서부터의 일부분의 전극지의 피치는 다른 부분의 피치보다 작게 설정되며, 상기 피치를 작게 한 전극지의 듀티(duty)(메탈라이제이션 레시오라고도 함)는 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 따르면, 복수의 IDT를 갖는 종결합 공진자형의 탄성표면파 필터에 있어서, 2개의 IDT가 이웃하는 단부에서부터 일부분의 전극지의 피치를, 그 IDT의 다른 부분의 피치보다도 좁게 하고, 게다가 이 피치를 좁게 한 전극지(이후, 협피치 전극지)의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다도 작게 설정함으로써, 종래 기술과 동등 이상의 대역폭을 가지며, 또한 삽입손실이 작고, 또한 내압 열화(耐壓劣化)를 일으키기 어렵고, 또한 전극형성을 용이하게 할 수 있다.
게다가, 상기 탄성표면파 장치에 있어서는 서로 이웃하는 양쪽의 IDT에 대하여 피치를 다르게 한 전극지가 각각 형성되고, 상기 피치를 다르게 한 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ2, 그 외의 전극지의 파장으로 정해지는 파장을 λⅠ1로 하였을 때, 2개의 IDT가 이웃하는 전극지 중심간 거리를 0.5λⅠ2에 대략 일치시키는 것이 바람직하다.
상기 구성에 따르면, 서로 이웃하는 양쪽의 IDT에 대하여, 피치를 다르게 한 전극지가 각각 형성된 경우에, 2개의 IDT가 이웃하는 전극지 중심간 거리를 0.5λⅠ2에 대략 일치시킴으로써, 상기 각 IDT 사이를 전파하는 탄성표면파의 연속성을 확보할 수 있으므로, 삽입손실의 열화를 억제할 수 있다.
게다가 상기 탄성표면파 장치에서는, 서로 이웃하는 각 IDT 중의 어느 한쪽에 피치를 다르게 한 전극지가 형성되며, 상기 피치를 다르게 한 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ2, 그 외의 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ1로 하였을 때, 2개의 IDT가 이웃하는 전극지 중심간 거리를 0.25λⅠ1+0.25λⅠ2에 대략 일치시키는 것이 바람직하다.
상기 구성에 따르면, 서로 이웃하는 각 IDT 중의 어느 한쪽에 피치를 다르게 한 전극지가 형성된 경우에, 2개의 IDT가 이웃하는 전극지 중심간 거리를 0.25λⅠ1+0.25λⅠ2에 대략 일치시킴으로써, 상기 각 IDT 사이를 전파하는 탄성표면파의 연속성을 확보할 수 있으므로, 삽입손실의 열화를 억제할 수 있다.
게다가, 상기 탄성표면파 장치에서는 상기 IDT가 인접해 있는 단부에서부터의 일부분의 전극지의 피치를 그 IDT의 다른 전극지의 피치와 다르게 한, IDT에 있어서, 상기 피치를 다르게 한 전극지와 다르게 하지 않은 전극지가 이웃하는 부위의 전극지 중심간 거리를 0.25λⅠ1+0.25λⅠ2에 대략 일치시키는 것이 바람직하다.
상기 구성에 따르면, 상기 피치를 다르게 한 전극지와 다르게 하지 않은 전극지가 이웃하는 부위의 전극지 중심간 거리를 0.25λⅠ1+0.25λⅠ2에 대략 일치시킴으로써, 이웃하는 상기 피치를 다르게 한 전극지와 다르게 하지 않은 전극지 사이에서의 탄성표면파의 연속성을 더욱 확보할 수 있으며, 삽입손실의 열화를 억제할 수 있다.
상기 탄성표면파 장치에서는, 상기 피치를 작게 한 전극지의 듀티를, 그 IDT의 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작고, 또한 0.45이상으로 해도 된다. 상기 구성에 따르면, 피치를 작게 한 전극지의 듀티를, 그 IDT의 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작고, 또한 0.45이상으로 함으로써, 삽입손실의 열화억제를 더욱 확실하게 할 수 있다.
본 발명의 다른 탄성표면파 장치는 상기의 과제를 해결하기 위하여, 압전기판상에 복수의 전극지를 갖는 IDT가 탄성표면파의 전파방향을 따라서 복수개 형성되어 있는 종결합 공진자형의 탄성표면파 장치로, 적어도 어느 2개의 IDT 사이에서 이웃하는 전극지의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정한 것을 특징으로 한다.
상기 구성에 따르면, 적어도 어느 2개의 IDT 사이에서 이웃하는 전극지의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정함으로써, 통과대역이 넓고, 정전파괴의 발생을 억제할 수 있으며 또한 제조상의 가공을 용이하게 할 수 있다.
상기 탄성표면파 장치에 있어서는, 2개의 IDT 사이에서 이웃하는 전극지 중심간 간격을, 다른 부분의 전극지 중심 간격(전극지 피치)보다도 작게 설정해도 된다. 게다가, 상기 탄성표면파 장치에서는 평형-불평형 입출력을 갖고 있어도 된다.
본 발명의 통신 장치는 상기 과제를 해결하기 위하여, 상기한 것 중 어느 하나에 기재된 탄성표면파 장치를 사용한 것을 특징으로 하고 있다.
상기 구성에 따르면, 필터 소자나 평형-불평형 변환 기능을 갖는 탄성표면파 장치는 특히 100MHz 이상의 GHz 대역에 있어서, 소형화를 도모할 수 있으므로, 상기 탄성표면파 장치를 이용한 통신 장치도 소형화할 수 있으며, 또한 사용한 탄성표면파 장치를 상술한 바와 같이 저손실로 할 수 있으므로, 회로구성을 간소화할 수 있어서, 이 점에서도 소형화를 도모할 수 있다.
(발명의 실시형태)
본 발명의 각 실시형태에 대하여 도 1 내지 도 14에 의거하여 설명하면 이하와 같다.
(제 1 실시형태)
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 관한 탄성표면파 필터(탄성표면파 장치)의 전극의 개략도이다. 이후의 제 1 실시형태에서는, EGSM(Extended Global System for Mobile Communications)-Rx(발신부)용의 탄성표면파 필터를 예로 들어 설명한다.
제 1 실시형태의 필터에서는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 40±5도 Y컷 X전파 LiTaO3로 이루어지는 기판(30)상에 탄성표면파 필터가 Al 전극에 의해 형성되어 있다. 탄성표면파 필터는 필터부(1), 필터부(2)를 2단 종속 접속한 구성으로 되어 있다.
각 필터부(1, 2)는 동일한 3 IDT 타입의 종결합 공진자형 필터로, 전극설계의 상세도 동일하다. 각 필터부(1, 2)는 이들 탄성표면파의 전파방향이 서로 거의 평행하게 되며, 또한 각 필터부(1, 2)의 상기 전파방향과 평행한 중간선(가상선)에 대하여 각 IDT가 서로 대칭이 되도록 각각 배치되어 있다.
필터부(1)에서는 IDT(14)의 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 양측)에 IDT(4, 5)를 배치하고, 이들 IDT(3, 4, 5)를 좌우에서 끼워넣도록 각 리플렉터(reflector)(6, 7)가 형성되어 있다. 필터부(2)에서는 IDT(15)의 좌우(탄성표면파의 전파방향을 따른 양측)에 IDT(16, 17)를 배치하고, 이들 IDT(15, 16, 17)를 좌우에서 끼워넣도록 각 리플렉터(18, 19)가 접속되어 있다. IDT(3)에 접속된 단자(8)는 입력신호단자, IDT(15)에 접속된 단자(9)는 출력신호단자이다.
도 1에서 알 수 있는 바와 같이, IDT(3)와 IDT(4)의 사이, IDT(3)와 IDT(5)의 사이에서, 이웃하여 대면하는 부분 및 이것에 이웃하는 수개의 전극지의 피치를, IDT(3, 4, 5)의 다른 부분 전극지보다 좁게 하고 있다(도 1의 전극지(10)과 전극지(11)의 부위). 게다가, 도 1에서는 도면을 간략하게 하기 위하여 전극지의 갯수를 적게 나타내고 있다.
또한, 이 전극지(10)와 전극지(11)의 부위의 전극지의 듀티는 IDT(3, 4, 5)의 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작아지도록 설정하고 있다.
종결합 공진자형의 탄성표면파 필터의 상세한 설계는 IDT-IDT 사이의 피치를 좁게 한 전극지(예를 들면 전극(10))의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ2, 그 밖의 좁게 하지 않은 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ1로 하였을 때,
교차폭: 35.8λⅠ1
IDT갯수(IDT(4), IDT(3), IDT(5)의 순): 25(4)/(4)27(4)/(4) 25개(괄호안은 피치를 작게 한 전극지의 갯수)
IDT파장λⅠ1: 4.19㎛, λⅠ2: 3.90㎛
리플렉터 파장 λR: 4.29㎛
리플렉터 갯수: 100개
IDT-IDT 간격:
이웃하는 파장 λⅠ1와 λⅠ2의 각 전극지에 끼워진 부위의 간격(도 1의 간격 12:0.25λⅠ1+0.25λⅠ2
이웃하는 파장 λⅠ2의 각 전극지에 끼워진 부위의 간격(도 1의 간격 13): 0.50λⅠ2
IDT-리플렉터 간격: 0.50λR
IDT 듀티:
파장이 λⅠ1인 피치의 부위(도 1의 전극지 14): 0.73
파장이 λⅠ2인 피치의 부위(도 1의 전극지 10과 전극지 11): 0.60
리플렉터 듀티: 0.55
전극 막두께: 0.08 λⅠ1이다.
비교로서, 종래 기술에서 설계한 탄성표면파 필터의 구조를 도 2에 제 1 종래예로서 나타낸다. 제 1 종래예는 제 1 실시형태와 동일하게, 40±5도 Y컷 X전파 LiTaO3로 이루어지는 기판(30)상에 탄성표면파 필터가 Al 전극에 의해 형성되어 있다.
탄성표면파 필터는 각 필터부(21, 22)를 2단 종속한 구성으로 되어 있다. 각 필터부(21, 22)는 제 1 실시형태와 마찬가지로 3 IDT 타입의 종결합 공진자형의 탄성표면파 필터로, 2개의 필터부(21, 22)의 전극 설계의 상세는 서로 동일하다. 각 필터부(21, 22)의 상세한 설계는 서로 동등한 전극지의 피치로 정해지는 파장을 파장이 λⅠ로 하였을 때,
교차폭: 56.7λⅠ
IDT갯수(IDT(23), IDT(24), IDT(25)의 순): 23/33/23개
IDT파장λⅠ: 4.20㎛
리플렉터 파장 λR: 4.28㎛
리플렉터 갯수: 110개
IDT-IDT 간격: 0.31λⅠ
IDT-리플렉터 간격: 0.50λR
IDT 듀티: 0.73
리플렉터 듀티: 0.61
전극 막두께: 0.08 λⅠ이다.
본 발명의 제 1 실시형태와 제 1 종래예의 주파수 특성을 도 3에 나타낸다. 제 1 실시형태의 주파수 특성은 제 1 종래예와 비교하여 통과대역내의 삽입손실이 대폭 개선되어 있음을 알 수 있다. 최소 삽입 손실에서 보면 제 1 종래예에서는 약 2.2dB인데 비하여, 제 1 실시형태에서는 약 1.8dB로, 대략 0.4dB 개선되어 있다.
또한, 제 1 종래예에서는 스루 레벨에서부터 4.0dB의 통과대역폭은 약 40MHz이지만, 제 1 실시형태에서는 스루 레벨에서부터 3.4dB에서 동일한 대역폭이 얻어지고 있다. 결국, 통과대역내 전체에서, 약 0.6dB의 삽입손실이 개선되게 된다.
이만큼의 삽입손실 개선이 얻어진 이유에 대하여 이하에 설명한다. 제 1 종래예의 협피치 전극지를 사용하지 않은 3 IDT 타입의 종결합 공진자형의 탄성표면파 필터의 설계에서는, 통과대역을 넓히는 경우에, IDT-IDT 간격을 0.25λⅠ 전후로 함으로써, 도 4에 나타낸 0차 모드, 2차 모드 외에, IDT-IDT 간격부에 탄성표면파의 강도 분포의 피크를 갖는 공진 모드를 3개 사용하여 통과대역을 형성하고 있었다.
그러나, 이 경우에는 IDT-IDT 간격을 0.25λⅠ 전후로 함으로써 탄성표면파의 전파로중에 불연속 부분이 발생하게 된다. 이 불연속 부분에서는 벌크파로서 방출되는 성분이 많아지기 때문에, 전파손실이 커진다고 하는 문제가 생긴다.
한편, 이 벌크파로서 방출되는 성분을 작게 하기 위하여, IDT-IDT 간격을 0.50λⅠ 전후로 하여 불연속 부분을 없앤 경우에는, IDT-IDT 간격을 0.25λⅠ 전후로 하였을 때와 같이 3개의 모드를 사용할 수 없게 되며, 광대역화할 수 없다고 하는 문제가 있었다.
제 1 실시형태는 이 2가지 문제를 해결하기 위하여, 3개의 공진 모드를 사용하여 통과대역을 형성할 수 있도록 설정되어 있음과 아울러, 제 1 종래예와 같은 벌크파로서 방출되는 성분에 의한 손실을 저감한 것이다.
즉 제 1 실시형태에서는, IDT(3)와 각 IDT(4, 5)가 인접하는 부위의 전극지(예를 들면 전극지(10)이나 전극지(11))의 피치를 다른 부분의 전극지(예를 들면 전극지(14))의 피치보다도 부분적으로 작게 함으로써 3개의 공진 모드를 사용하여 통과대역을 형성할 수 있게 된다. 게다가, 제 1 실시형태에 있어서는, IDT(3)와 각 IDT(4, 5)간의 간격(예를 들면 간격 13)을 그 주위의 IDT의 전극지의 피치로 정해지는 파장의 약 0.5배로 설정함으로써, 제 1 종래예와 같은 벌크파로서 방출되는 성분에 의한 손실이 저감된다.
또한, 일반적으로 전파로중을 전파하고 있는 탄성표면파의 파장에 대하여 전극지의 주기가 작은 경우, 탄성표면파 그 자체의 전파손실이 작게 되므로, 협피치 전극지 부분에서는 탄성표면파의 손실이 저감된다고 하는 효과도 있다.
그 결과, 제 1 실시형태에서는, 도 3에서 나타낸 바와 같이, 제 1 종래예의 설계보다도 넓은 대역폭을 가지며, 또한 삽입손실이 작은 탄성표면파 필터가 얻어지는 것을 알 수 있다.
또한, 제 1 실시형태에 있어서는, 협피치 전극지의 듀티를 다른 전극지의 듀티보다도 좁게 하고 있기 때문에, 전극지간의 갭은 협피치 전극지 사이에서 0.78㎛, 다른 전극지 사이에서 0.57㎛로 되어 있으며, 전극지간의 최소 갭은 협피치 전극지 이외의 다른 전극지 사이의 갭으로 되어 있다.
일반적으로 탄성표면파 필터의 IDT의 내압 열화는 전극지간의 최소 갭에 의해 정해지며, 이 값이 작을수록, 내압 열화를 일으키기 쉽다. 이 때문에, 제 1 실시형태에 있어서는, 협피치 전극지를 사용하고 있으나, 최소 전극지간 갭은 협피치 전극지 이외의 전극지간 갭이 되며, 협피치 전극지를 사용하지 않은 경우와 동등하게 내압 열화를 일으키기 어려운 탄성표면파 필터가 얻어진다.
또한, 협피치 전극지의 전극지간 갭이 다른 전극지의 전극지간 갭보다도 크게 되어 있기 때문에, 제조공정에 있어서 이 부분에서의 누락 불량이 발생하기 어렵고, 전극형성을 용이하게, 또한 확실하게 행할 수 있다.
한편, 전극지의 듀티를 작게 하고 있는 경우, LT 기판 등의 압전성을 갖는 기판(30)상을 전파하는 탄성표면파는 벌크파로서 방출되는 성분이 증가한다. 그 결과, 전파손실이 커지며, 삽입손실이 증대된다.
본 발명과 같이 협피치 전극지의 듀티만을 작게 한 경우에도, 이 협피치 전극지의 부분에서 벌크파로서 방출되는 성분이 증가하기 때문에, 전파손실이 커지는 것이 예상되었다.
이 때문에, 협피치 전극지의 듀티를, 어느 정도까지 작게 할 수 있는가를 조사하였다. 조사 방법은 도 1의 구성에서 협피치 전극지의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다도 작게 해 가며, 그에 따른 전파손실의 변화를 조사해 갔다. 실제로는 듀티를 변화시켰을 때에 임피던스가 변화하는 만큼을, 협피치 전극지의 피치를 변화시켜서 조정하고 있다.
도 5에 듀티를 작게 해 갔을 때의 전파손실 값을 나타낸다. 여기서, 전파손실이란 통과대역내의 삽입손실로부터 임피던스의 부정합에 따른 손실, 전극지의 저항분에 의한 옴 손실을 뺀 값이다.
도 5에서, 듀티를 0.4까지 작게 하면, 전파손실은 1.7dB까지 증대된다. 제 1 종래예에서 마찬가지로 하여 전파손실을 구하면, 1.65dB였다. 따라서, 도 5로부터, 듀티를 대략 0.45이상으로 해 두면, 제 1 종래예에 대하여 전파손실을 동등 또는 그 이하로 억제할 수 있다고 말할 수 있다.
전파손실의 크기는 통과대역내에서는 주파수에 의하지 않고 거의 일정한 값을 취한다. 이 때문에, 듀티를 대략 0.45이상으로 해 두면, 통과대역내에 있어서, 전파손실을 종래 설계와 동등 이하로 작게 할 수 있으며, 그 결과 통과대역내에 있어서 삽입손실을 작게 할 수 있다.
또한, 제 1 실시형태와, 제 1 종래예(제 1 실시형태와 같이, 피치를 작게 한 부분의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 하지 않고 동등하게 한 경우)에서의 각 특성을, 도 6 및 도 7에 나타낸다. 도 6은 진폭(삽입손실)의 주파수 특성이다. 도 7은 VSWR(Voltage Standing Wave Ratio, 전압 정재파 비)의 주파수 특성이다. 제 1 실시형태에서는, 제 1 종래예에 비하여, 피치를 작게 한 부분의 듀티, 피치, 교차폭을 이하와 같이 바꾸고 있다.
·파장이 λⅠ2인 피치의 부위(도 1의 전극지(10)과 전극지(11)): 제 1 종래예보다 0.13 작다.
·피치를 작게 한 부분의 피치
IDT 파장 λⅠ2: 제 1 종래예보다 0.01㎛ 크다.
·교차폭
교차폭: 제 1 종래예보다 4.7λⅠ1작다.
듀티 외에 피치를 작게 한 부분의 피치, 교차폭을 변경한 것은 임피던스의 정합을 취하기 위함이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, EGSM-Rx의 통과대역 내(925MHz∼960MHz)에 있어서의 제 1 종래예의 VSWR은 1.73인 것에 반하여, 본 발명의 제 1 실시형태에서는 1.62로, 약 0.11 개선되며, 또한 도 6에 나타내는 바와 같이, 최소 삽입손실은 커지고 있기 때문에, 통과대역에서의 삽입손실의 주파수 특성이 평탄화되어 통과대역 내에서의 편차가 작아지고 있다. 이 때, 스루(through) 레벨로부터 4dB에서의 통과대역 폭은 제 1 실시형태와 제 1 종래예에서 실질적으로 동일하기 때문에, 중요 특성인 통과대역 내에서의 최대 삽입손실 및 그것을 실현하는 제조공차는 악화되고 있지 않다.
이상과 같이, 본 발명에서는 3개 이상의 IDT를 갖는 종결합 공진자형의 탄성 표면파 필터에 있어서, 2개의 IDT가 인접해 있는 단부로부터의 일부분의 전극지의피치를, 그 IDT의 다른 부분의 전극지의 피치보다도 좁게 하고, 또한 피치를 좁게 한 전극지의 듀티를 다른 피치의 전극지의 듀티보다도 작게 함으로써, 통과대역 폭이 넓고, 또한 삽입손실 및 VSWR이 작으며, 또한 전극 형성이 용이하고, 또한 내압 열화를 일으키기 어려운 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터를 얻을 수 있다.
〔제 2 실시형태〕
본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터에 대하여 도 8 및 도 9에 기초하여 이하에 설명한다. 도 8 및 도 9는 상기의 각 IDT의 개략 구성도로, 도 8은 탄성 표면파 필터 전체의 개략 구성도이고, 도 9는 각 IDT가 서로 이웃하는 부분의 확대도이다.
제 2 실시형태에서는, 기판(30)상에 탄성 표면파 필터가 Al전극에 의해 형성되어 있다. 도 8에 있어서, IDT(41)의 좌우(탄성 표면파의 전파 방향을 따르도록)에 각 IDT(42, 43)를 배치하고, 이들 IDT(41, 42, 43)를 끼워넣도록 각 리플렉터(44, 45)가 형성되어 있다. 각 IDT(42, 43)에 접속된 단자(46)는 불평형 입력신호 단자이다. IDT(41)의 서로 교차하고 있는 각 전극지부에 각각 접속된 각 단자(47, 48)는 평형 출력신호 단자이다.
도 8에 있어서, IDT(41)와 IDT(42), IDT(41)와 IDT(43) 각각의 인접하는 최외측의 전극지(49), 전극지(50), 전극지(51) 및 전극지(52) 각각의 중심 간격은 광대역화를 위한 IDT의 전극지의 피치로 정해지는 파장의 0.5배보다도 작게 되어 있으나, 최외측 전극지는 모두 그 중심 좌표는 바꾸지 않은(유지한) 채 전극지 폭만이 작게 되어 있다.
따라서, 예를 들면 도 9에 나타낸 바와 같이, 각 IDT(41, 43)가 서로 이웃하는 부분의 전극지(51)와 전극지(52)의 전극지간 갭(53)은 다른 전극지간 갭(60)과 동일한 정도 또는 그 이상으로 크며, 전극지(51)와 전극지(54)의 전극지간 갭(55), 전극지(52)와 전극지(54)의 전극지간 갭(56)은 다른 전극지간 갭(60)보다도 크게 되어 있다.
비교로서, 도 10에 제 2 종래예로서의 탄성 표면파 필터의 IDT가 서로 이웃하는 부분의 확대도를 나타낸다. IDT-IDT 사이 이외의 구성은 제 2 실시형태와 동일하기 때문에, 여기에서는 상세한 설명은 생략한다. 도 10에 있어서, IDT가 서로 이웃하는 부분의 최외측의 각 전극지(61)의 듀티는 다른 전극지(62)의 듀티와 동일하게 되어 있으며, 그 때문에, 최외측의 전극지간 갭(63)은 그 외의 전극지간 갭(64)과 비교하여 작게 되어 있다.
제 2 실시형태에서는 도 10과 같이, 다른 방향으로부터의 전극지(핑거)(61)가 대향하는 경우를 비교를 위한 제 2 종례예로서 들었으나, 도 11과 같이, 동일한 방향으로부터의 전극지가 대향하는 경우에 있어서도 마찬가지이다.
제 2 실시형태의 구조에 따르면, IDT-IDT 사이에서 서로 이웃하는 최외측의 전극지간 갭이 다른 전극지간 갭과 동일한 정도 또는 그 이상으로 넓어지기 때문에, 제조공정의 에칭 공정에 있어서, 이 부분에서 Al에칭 불량이 발생하는 것이 제 2 종래예와 비교하여 방지된다.
이에 따라, 제 2 실시형태에서는 IDT-IDT 사이에서 서로 이웃하는 최외측의 전극지간 갭의 부분에서 표면파의 음향적 불연속 부분이 발생하지 않고, 손실 증가등에 따른 특성 열화가 회피되며, 또한 신호 단자 사이, 또는 신호 단자-접지 단자 사이의 단락에 의한 동작 불량의 발생이 방지되고, 또한 제조공정에 있어서의 전극 형성을 용이하게 확실히 행할 수 있다. 또한, IDT-IDT 사이에서 서로 이웃하는 최외측의 전극지간 갭의 부분에서의 정전 파괴가 발생하기 어렵다.
제 2 실시형태에 있어서는, IDT-IDT 갭이 전극지의 피치로 정해지는 파장의 0.5배 이하로 하고 있으나, 0.5배 이상인 경우에도, IDT-IDT 사이에서 서로 이웃하는 최외의 전극지간 갭이 그 외의 전극지의 갭보다 크게 된다.
그 때문에, IDT-IDT 사이에서 서로 이웃하는 전극지의 중심간 거리 IDT-IDT 갭이 전극지의 피치로 정해지는 파장의 0.5배 이상인 경우에 있어서도, 이 부분에서 표면파의 음향적 불연속 부분이 발생하지 않고, 손실 증가 등에 따른 특성 열화가 발생하지 않으며, 또한, 신호 단자 사이의 단락에 의한 동작 불량이 발생하지 않고, 또한 제조공정에 있어서의 전극 형성을 용이하게 행할 수 있다. 또한, 이 부분에서의 정전 파괴가 발생하기 어렵다.
이상과 같이, 본 발명에서는 3개 이상의 IDT를 갖는 종결합 공진자형의 탄성 표면파 필터에 있어서, 2개의 IDT 사이에 인접하는 전극지의 듀티를 다른 전극지의 듀티보다도 작게 함으로써, 통과대역 폭이 넓고, 또한 제조공정에 있어서 전극 형성이 용이하며, 또한 정전 파괴가 일어나기 어려운 종결합 공진자형의 탄성 표면파 필터를 얻을 수 있다.
그런데, 종결합 공진자형의 탄성 표면파 필터의 광대역화의 방법으로서, 예를 들면 일본국 특허공개공보 평5-267990호에 개시되어 있는 바와 같이, 서로 이웃하는 2개의 IDT 사이를 통하여 전극지가 주기적으로 배열되는 조건, 구체적으로는 서로 이웃하는 2개의 IDT의 인접하는 전극지의 중심간 거리(IDT-IDT 간격)를, IDT의 전극지의 피치로 정해지는 파장(λI)의 0.5배로부터 벗어나게 함으로써, 도 4에 나타낸 공진 모드의 배치를 최적화하는 방법이 널리 사용되고 있으며, 특히 0.5배보다도 작게 함으로써 광대역의 탄성 표면파 필터가 되는 것이 알려져 있다.
도 12에, 중심 주파수가 1960MHz인 PCS-Rx용 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터에 있어서, IDT-IDT 간격을 0.5λⅠ보다도 작게 하고 있었을 때의 도 4에 나타낸 B와 C 모드의 주파수 간격을 실험에 의해 구한 값을 나타낸다.
IDT-IDT 간격을 0.5λI보다도 작게 함으로써, 도 4에 나타낸 B와 C의 표면파의 공진 모드의 간격이 넓어지며, 그 결과, 보다 넓은 통과대역 폭을 얻을 수 있다.
도 13에, 이 IDT-IDT 간격을 0.5λI보다도 작게 했을 때의 IDT-IDT 사이의 주변의 전극 구성을 나타낸다. 2개의 IDT(34, 35) 사이에 서로 이웃하는 전극지(34a, 35a) 사이의 중심 간격(31)이 0.5λI보다도 작게 되어 있기 때문에, 이 부분에서의 전극지간 갭(32)만이 다른 부분에서의 전극지간 갭(33)에 비하여 좁게 되어 있다.
그러나, 이 2개의 IDT(34, 35) 사이에서 서로 이웃하는 전극지의 간격을 전극지의 피치로 정해지는 파장의 0.5배보다 작게 한 경우에는, 이 부분의 전극지간 갭만이 다른 부분의 전극지간 갭보다도 작게 되며, 이 부분에 있어서 제조공정에서 Al 에칭 불량이 발생하기 쉽다는 문제를 갖고 있었다.
이 갭부의 Al 에칭 불량은 탄성 표면파의 음향적 불연속 부분이 발생함으로 인한 손실 증가 등에 의해 필터의 특성 열화로 이어진다는 문제가 있었다.
또한, 이 서로 이웃하는 각 전극지(34a, 35a) 중 한쪽이 시그널 전극이고, 다른 한쪽이 접지 전극인 경우, 또는 한쪽이 시그널 전극이며 다른 한쪽도 시그널 전극인 경우에는, Al에칭 불량에 의해 신호 단자 사이가 단락되며, 탄성 표면파 필터가 동작하지 않는다는 문제, 또는 갭이 작기 때문에, 이 부분에서 정전 파괴를 일으키기 쉽다는 문제가 있었다.
그러나, 제 2 실시형태에서는 3개 이상의 IDT를 포함한 종결합 공진자형의 탄성 표면파 필터에 있어서, IDT가 인접하는 부분의 최외측의 전극지의 듀티를 다른 전극지의 듀티보다도 작게 함으로써, 통과대역이 넓고, 정전 파괴를 일으키기 어려우며, 또한 제조상의 가공을 용이화할 수 있다.
계속해서, 도 14를 참조하면서, 제 1 및 제 2 실시형태에 기재된 탄성 표면파 장치를 탑재한 통신장치(100)에 대하여 설명한다.
상기 통신장치(100)는 수신을 행하는 리시버(receiver)측(Rx측)으로서, 안테나(101), 안테나 공용부/RF Top 필터(102), 증폭기(103), Rx 단간 필터(104), 믹서(105), 제 1 IF 필터(106), 믹서(107), 제 2 IF 필터(108), 제 1 ＋제 2 로컬 신시사이저(111), TCXO(temperature compensated crystal oscillator(온도 보상형 수정 발진기))(112), 디바이더(devider)(113), 로컬 필터(114)를 포함하여 구성되어 있다. Rx 단간 필터(104)로부터 믹서(105)로는 도 14에 이중선으로 나타낸 바와 같이, 밸런스 특성을 확보하기 위하여 각 평형 신호로 송신하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 통신장치(100)는 송신을 행하는 트랜스시버측(Tx측)으로서, 상기 안테나(101) 및 상기 안테나 공용부/RF Top 필터(102)를 공용함과 동시에, Tx IF 필터(121), 믹서(122), Tx 단간 필터(123), 증폭기(124), 커플러(coupler)(125), 아이솔레이터(126), APC(automatic power control(자동 출력 제어))(127)를 포함하여 구성되어 있다.
그리고, 상기의 Rx 단간 필터(104), 제 1 IF 필터(106), Tx IF 필터(121), Tx 단간 필터(123)에는 상술한 제 1 및 제 2 실시형태에 기재된 탄성 표면파 장치를 바람직하게 이용할 수 있다.
따라서, 상기 통신장치는 사용한 탄성 표면파 장치가 종래와 동등 이상의 대역 폭을 가지며, 삽입손실 및 VSWR이 작고, 내압 열화를 일으키기 어려우며, 또한 전극 형성을 용이하게 할 수 있는 것이기 때문에, 소형화, 고성능화 및 저코스트화, 특히 GHz대역 이상의 통과대역을 포함한 통신장치에 있어서 소형화, 고성능화 및 저코스트화를 도모할 수 있는 것이 되고 있다.
본 발명의 탄성 표면파 장치는 이상과 같이, 압전 기판상에 형성된 IDT 중 적어도 하나의 IDT에 대하여, 다른 IDT에 서로 이웃하는 단부로부터의 일부분의 전극지의 피치는 다른 부분의 피치보다 작게 설정되며, 상기 피치를 작게 한 전극지의 듀티는 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정되어 있는 구성이다.
그 때문에, 상기 구성은 종래기술과 동등 이상의 대역 폭을 가지며, 또한, 삽입손실 및 VSWR이 작고, 또한 내압 열화를 일으키기 어려우며, 또한 전극 형성을용이하게 할 수 있다는 효과를 갖는다.
본 발명의 다른 탄성 표면파 장치는 이상과 같이, 압전 기판상에 복수의 전극지를 갖는 IDT가 탄성 표면파의 전파 방향을 따라 복수개 형성되어 있는 종결합 공진자형의 탄성 표면파 장치로서, 적어도 어느 2개의 IDT 사이에서 서로 이웃하는 전극지의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정한 구성이다.
따라서, 상기 구성은 적어도 어느 2개의 IDT 사이에서 이웃하는 전극지의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정함으로써, 통과대역이 넓고, 정전 파괴의 발생을 억제할 수 있으며, 또한 제조상의 가공을 용이하게 할 수 있다고 하는 효과를 갖는다.
본 발명의 통신 장치는 이상과 같이, 상기 탄성표면파 장치를 이용한 구성이다. 따라서, 상기 구성은 종래와 동등 이상의 대역폭을 가지며, 삽입손실 및 VSWR이 작고, 내압 열화를 일으키기 어려우며, 또한 전극형성을 용이하게 할 수 있는 탄성표면파 장치를 사용하였으므로, 고성능화 및 저비용화를 도모할 수 있다는 효과를 갖는다.

Claims (9)

  1. 압전기판상에, 복수의 전극지를 갖는 빗형 전극부가, 탄성표면파의 전파방향을 따라서 복수개 형성되어 있는 종결합 공진자형의 탄성표면파 장치로,
    적어도 하나의 빗형 전극부에 대하여, 다른 빗형 전극부에 이웃하는 단부로부터의 일부분의 전극지의 피치는 다른 부분의 전극지의 피치보다 작게 설정되며,
    상기 피치를 작게 한 전극지의 듀티(duty)는 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 서로 이웃하는 양쪽의 빗형 전극부에 대하여, 피치를 다르게 한 전극지가 각각 형성되고,
    상기 피치를 다르게 한 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ2, 그 외의 전극지의 파장으로 정해지는 파장을 λⅠ1로 하였을 때, 2개의 빗형 전극부가 이웃하는 전극지 중심간 거리를 0.5λⅠ2에 대략 일치시킨 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 서로 이웃하는 각 빗형 전극부 중의 어느 하나에 피치를 다르게 한 전극지가 형성되며,
    상기 피치를 다르게 한 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ2, 그 외의 전극지의 피치로 정해지는 파장을 λⅠ1로 하였을 때, 2개의 빗형 전극부가 이웃하는 전극지 중심간 거리를 0.25λⅠ1+0.25λⅠ2에 대략 일치시킨 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 빗형 전극부가 인접해 있는 단부에서부터의 일부분의 전극지의 피치를 그 빗형 전극부의 다른 전극지의 피치와 다르게 한, 빗형 전극부에 있어서, 상기 피치를 다르게 한 전극지와 다르게 하지 않은 전극지가 이웃하는 부위의 전극지 중심간 거리를 0.25λⅠ1+0.25λⅠ2에 대략 일치시킨 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 피치를 작게 한 전극지의 듀티를, 그 빗형 전극부의 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작고, 또한 0.45이상으로 한 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  6. 압전기판상에, 복수의 전극지를 갖는 빗형 전극부가, 탄성표면파의 전파방향을 따라서 복수개 형성되어 있는 종결합 공진자형의 탄성표면파 장치로,
    적어도 어느 2개의 빗형 전극부 사이에서 이웃하는 전극지의 듀티를 다른 부분의 전극지의 듀티보다 작게 설정한 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 2개의 빗형 전극부 사이에서 이웃하는 전극지 중심 간격을, 다른 부분의 전극지 중심 간격(전극지 피치)보다도 작게 설정한 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 평형-불평형 입출력을 갖는 것을 특징으로 하는 탄성표면파 장치.
  9. 제 1 항의 탄성표면파 장치를 사용한 것을 특징으로 하는 통신장치.
KR1020020020611A 2001-04-16 2002-04-16 탄성표면파 장치 및 통신 장치 KR100609965B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001117376 2001-04-16
JPJP-P-2001-00117376 2001-04-16
JP2001368285A JP3419402B2 (ja) 2001-04-16 2001-12-03 弾性表面波装置、通信装置
JPJP-P-2001-00368285 2001-12-03

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050005697A Division KR100583273B1 (ko) 2001-04-16 2005-01-21 탄성표면파 장치 및 통신 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020081100A true KR20020081100A (ko) 2002-10-26
KR100609965B1 KR100609965B1 (ko) 2006-08-04

Family

ID=26613666

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020020611A KR100609965B1 (ko) 2001-04-16 2002-04-16 탄성표면파 장치 및 통신 장치
KR1020050005697A KR100583273B1 (ko) 2001-04-16 2005-01-21 탄성표면파 장치 및 통신 장치

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050005697A KR100583273B1 (ko) 2001-04-16 2005-01-21 탄성표면파 장치 및 통신 장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6737942B2 (ko)
EP (1) EP1251637B1 (ko)
JP (1) JP3419402B2 (ko)
KR (2) KR100609965B1 (ko)
CN (2) CN100557968C (ko)
TW (1) TWI257768B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598434B1 (ko) * 2003-04-10 2006-07-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성표면파 장치 및 그것을 이용한 통신장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100499368C (zh) 2004-08-23 2009-06-10 株式会社村田制作所 平衡型声表面波滤波器
JP4069917B2 (ja) * 2004-09-15 2008-04-02 株式会社村田製作所 バランス型弾性表面波フィルタ
JP5039290B2 (ja) * 2005-08-25 2012-10-03 太陽誘電株式会社 フィルタおよびアンテナ分波器
WO2007145057A1 (ja) * 2006-06-16 2007-12-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置
CN104734662B (zh) * 2009-04-22 2017-09-22 天工滤波方案日本有限公司 弹性波元件和使用它的电子设备
JP6595342B2 (ja) * 2013-11-29 2019-10-23 京セラ株式会社 弾性波素子、分波器および通信装置
CN106416067B (zh) 2014-06-26 2019-03-08 株式会社村田制作所 纵耦合谐振器型声表面波滤波器
WO2020031783A1 (ja) * 2018-08-07 2020-02-13 株式会社村田製作所 フィルタおよびマルチプレクサ

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63135010A (ja) * 1986-11-26 1988-06-07 Alps Electric Co Ltd 弾性表面波共振子
JP3160023B2 (ja) * 1991-08-21 2001-04-23 東洋通信機株式会社 縦結合二重モードｓａｗフィルタ
JP3301168B2 (ja) 1993-07-27 2002-07-15 富士通株式会社 表面弾性波フィルタとその製造方法
US5600287A (en) * 1994-02-03 1997-02-04 Motorola, Inc. Acoustic wave filter with reduced bulk-wave scattering loss, ladder filter incorporating same and method
JP3305475B2 (ja) * 1994-02-10 2002-07-22 三菱電機株式会社 弾性波素子
JPH0969751A (ja) * 1995-08-30 1997-03-11 Murata Mfg Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JP3324424B2 (ja) 1995-12-28 2002-09-17 株式会社村田製作所 縦結合型弾性表面波共振子フィルタ
EP0782255B1 (en) 1995-12-28 2002-03-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Longitudinal coupling type surface acoustic wave resonator filter
JPH09246901A (ja) * 1996-03-06 1997-09-19 Toshiba Corp 弾性表面波共振子フィルタ
JP3480785B2 (ja) * 1996-06-03 2003-12-22 エヌ・アール・エス・テクノロジー株式会社 縦モード共振器弾性表面波フィルタ
JPH10335973A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Toyo Commun Equip Co Ltd 縦結合二重モードｓａｗフィルタ
WO1999004489A1 (fr) * 1997-07-18 1999-01-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Filtre d'ondes acoustiques de surface
DE19849782B4 (de) * 1998-10-28 2004-09-30 Epcos Ag Oberflächenwellenanordnung mit zumindest zwei Oberflächenwellen-Strukturen
JP2000183682A (ja) * 1998-12-21 2000-06-30 Toyo Commun Equip Co Ltd 二重モードｓａｗフィルタ
JP3391346B2 (ja) * 2000-04-18 2003-03-31 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3414387B2 (ja) * 2001-03-09 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
EP1249934B1 (en) * 2001-04-09 2013-07-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave apparatus and communications unit

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100598434B1 (ko) * 2003-04-10 2006-07-11 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성표면파 장치 및 그것을 이용한 통신장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN1207934C (zh) 2005-06-22
JP2003008390A (ja) 2003-01-10
CN100557968C (zh) 2009-11-04
EP1251637A3 (en) 2010-02-24
CN1527479A (zh) 2004-09-08
CN1382004A (zh) 2002-11-27
JP3419402B2 (ja) 2003-06-23
TWI257768B (en) 2006-07-01
US20020175783A1 (en) 2002-11-28
EP1251637A2 (en) 2002-10-23
KR20050016731A (ko) 2005-02-21
EP1251637B1 (en) 2013-07-31
KR100609965B1 (ko) 2006-08-04
US6737942B2 (en) 2004-05-18
KR100583273B1 (ko) 2006-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100434412B1 (ko) 종결합 공진자형 탄성표면파 필터
KR100434413B1 (ko) 종결합 공진기형 탄성 표면파 필터
KR100583273B1 (ko) 탄성표면파 장치 및 통신 장치
US6583691B2 (en) Longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter with an IDT having a narrow pitch portion
KR100503954B1 (ko) 탄성표면파 장치 및 통신 장치
US7378923B2 (en) Balanced SAW filter
KR100493215B1 (ko) 탄성 표면파 필터
US20090289740A1 (en) Acoustic wave filter apparatus and duplexer
KR20020070868A (ko) 탄성 표면파 장치 및 통신 장치
US7042313B2 (en) Surface acoustic wave device and communication device using the same
US8305160B2 (en) Elastic wave device and duplexer
US6597262B2 (en) Surface acoustic wave filter and communication apparatus incorporating the same
US6873227B2 (en) Surface acoustic wave filter, surface acoustic wave device using the filter, and communication device using the filter or the device
US6720847B2 (en) Longitudinally-coupled resonator surface acoustic wave filter and communication apparatus using the same
JP4285052B2 (ja) 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ
JP3709872B2 (ja) 弾性表面波装置、通信装置
JP2004112591A (ja) 弾性表面波フィルタ、通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20050121

Effective date: 20060626

S901 Examination by remand of revocation
GRNO Decision to grant (after opposition)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130701

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140707

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150630

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160722

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170721

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180719

Year of fee payment: 13