KR20020069414A - A thin film transistor array panel for liquid crystal display and a method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) substrate for an LCD device is provided to electrically connect one data line with pixel electrodes of both two pixels neighboring with the data line, to transmit an image signal, and to connect each of the pixels with different gate lines, thereby reducing the number of data driving ICs. CONSTITUTION: A gate wire comprises as follows. Dual gate lines(22) are extended toward the top and the bottom of pixels in horizontal direction, and transmit scanning signals. Gate electrodes(26) of the first and the second TFTs(Thin Film Transistors) are connected to the dual gate lines, respectively. A data wire comprises as follows. Data lines(62) are extended in vertical direction by being insulated with the gate lines, and are formed every two pixel one by one. Source electrodes(65) of the first and the second TFTs are connected to the data lines, respectively. Drain electrodes(66) of the first and the second TFTs are separated from the source electrodes, and are faced with the source electrodes on the basis of the gate electrodes, respectively. Pixel electrodes(82) are connected to the dual gate lines and the data lines through the first and the second TFTs.

Description

액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법{A THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}A thin film transistor substrate for a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same {A THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY AND A METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device and a manufacturing method thereof.

액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 전극이 형성되어 있는 두 장의 기판과 그 사이에 삽입되어 있는 액정층으로 이루어져, 전극에 전압을 인가하여 액정층의 액정 분자들을 재배열시킴으로써 투과되는 빛의 양을 조절하는 표시 장치이다.The liquid crystal display is one of the most widely used flat panel display devices. The liquid crystal display includes two substrates on which electrodes are formed and a liquid crystal layer interposed therebetween, and rearranges the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer by applying a voltage to the electrode. By controlling the amount of light transmitted.

액정 표시 장치 중에서도 현재 주로 사용되는 것은 두 기판에 전극이 각각 형성되어 있고 전극에 인가되는 화소 전압을 스위칭하는 박막 트랜지스터를 가지고 있는 액정 표시 장치이다. 여기서, 박막 트랜지스터는 행렬의 형태로 배열되어 있는 다수의 화소에 각각 형성되는 것이 일반적이며, 각각의 화소에는 박막 트랜지스터의 제어에 따라 화상 신호가 전달되는 화소 전극이 각각 형성되어 있어 있다. 또한, 박막 트랜지스터 기판에는 게이트 구동 집적 회로의 출력 단자와 각각 연결되어 화소를 제어하기 위해 주사 신호를 공급하는 게이트선과 데이터 구동 집적 회로의 출력 단자와 각각 연결되어 화상 신호를 공급하며 게이트선과 교차하여 행렬의 화소를 정의하는 데이터선이 매트릭스 형태로 형성되어 있으며, 이러한 게이트선과 데이터선은 화소의 화소 전극과 박막 트랜지스터를 통하여 각각 연결되어 있다.Among the liquid crystal display devices, a liquid crystal display device having a thin film transistor for forming an electrode on each of two substrates and switching pixel voltages applied to the electrodes is used. Here, the thin film transistors are generally formed in a plurality of pixels arranged in a matrix form, and each pixel is formed with a pixel electrode to which an image signal is transmitted under the control of the thin film transistor. In addition, the thin film transistor substrate is connected to an output terminal of a gate driving integrated circuit, respectively, to supply a scan signal to control a pixel, and to be connected to an output terminal of a data driving integrated circuit, respectively, to supply an image signal and to intersect with the gate line. The data lines defining the pixels of are formed in a matrix form, and the gate lines and the data lines are connected to the pixel electrodes of the pixels through thin film transistors, respectively.

이때, 액정 표시 장치가 VGA(video graphics array)급인 경우에는 게이트선 수는 480인데 비해 데이터선 수는 1920으로 게이트선 수의 4배이며, WVGA(wide video graphics array)급인 경우에는 게이트선 수는 480인데 비해 데이터선 수는 2400으로 게이트선 수의 5배이다. 이는 액정 표시 장치를 구성함에 있어서 게이트 구동 집적 회로보다 4-5배의 데이터 구동 집적 회로가 사용된다는 것을 의미한다.In this case, the number of gate lines is 480 when the liquid crystal display is VGA (video graphics array) class, but the number of data lines is 1920, which is four times the number of gate lines. In the case of WVGA class, the gate lines are Compared to 480, the number of data lines is 2400, which is five times the number of gate lines. This means that 4-5 times as much data driving integrated circuit as the gate driving integrated circuit is used in constructing the liquid crystal display.

그러나, 이러한 액정 표시 장치를 제작함에 있어서, 시장에서 경쟁력을 갖추기 위해서는 제조 비용을 최소화하는 것이 요구되는데, 게이트 구동 집적 회로보다 데이터 구동 집적 회로의 가격이 비싸기 때문에 데이터 구동 집적 회로의 수를 최소화하는 것이 필요하다.However, in manufacturing such a liquid crystal display, in order to be competitive in the market, it is required to minimize manufacturing costs. Since the cost of data driving integrated circuits is higher than that of gate driving integrated circuits, it is necessary to minimize the number of data driving integrated circuits. need.

한편, 표시 장치의 휘도를 향상시키기 위해서는 패널의 높은 개구율을 확보하는 것이 중요한 과제이다.On the other hand, in order to improve the luminance of the display device, it is important to secure a high aperture ratio of the panel.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 최소의 제조 비용을 가지는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device having a minimum manufacturing cost.

또한, 본 발명의 다른 과제는 높은 개구율을 확보할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판을 제공하는 것이다.In addition, another object of the present invention is to provide a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device capable of ensuring a high aperture ratio.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이고,1 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 등가 회로도이고,2 is an equivalent circuit diagram of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 도시한 배치도이다.3 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

이러한 문제점을 해결하기 위하여 하나의 데이터선은 이와 이웃하는 양쪽 두 화소의 화소 전극과 전기적으로 연결되어 화상 신호를 전달하며, 각각의 화소는 서로 다른 게이트선과 연결되어 있다.To solve this problem, one data line is electrically connected to pixel electrodes of two neighboring pixels to transfer an image signal, and each pixel is connected to a different gate line.

더욱 상세하게, 본 발명에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에는 화소의 상부 및 하부에 가로 방향으로 각각 뻗어 주사 신호를 전달하는 이중의 게이트선과 이중의 상기 게이트선과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선이 형성되어 있다. 게이트선과 절연되어 세로 방향으로 뻗어 상기 화소를 정의하며 서로 이웃하는 두 상기 화소마다 하나씩 형성되어 있는 데이터선, 데이터선에 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 소스 전극, 소스 전극과 분리되어 게이트 전극을 중심으로 각각 소스 전극과 마주하는 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선이형성되어 있다. 이중의 게이트선 및 데이터선은 제1 및 제2 박막 트랜지스터를 통하여 연결되어 있는 화소 전극이 형성되어 있다.More specifically, the thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to the present invention extends in the horizontal direction on the upper and lower portions of the pixel, respectively, and a first gate gate and a second gate line respectively connected to the dual gate line for transmitting a scan signal. A gate wiring including the gate electrode of the thin film transistor is formed. Insulated from the gate line and extending in the vertical direction to define the pixel, the data line is formed for each of the two neighboring pixels, separated from the source electrode and the source electrode of the first and second thin film transistors connected to the data line, respectively. A data line including a drain electrode of the first and second thin film transistors facing the source electrode, respectively, is formed around the gate electrode. The pixel electrode connected to the dual gate line and the data line through the first and second thin film transistors is formed.

이때, 상기 데이터 배선은 두 상기 화소의 중앙에 배치되어 있는 것이 바람직하다.In this case, it is preferable that the data line is disposed at the center of the two pixels.

화소 전극과 중첩되어 유지 용량을 형성하는 유지 배선을 더 포함하며, 이러한 유지 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극선과 유지 전극선에 연결되어 있으며 세로 방향으로 형성되어 화소 전극의 가장자리 변 부분과 중첩되어 있는 유지 전극을 포함하는 것이 바람직하다.And a storage line overlapping the pixel electrode to form the storage capacitor, wherein the storage line is connected to the storage electrode line and the storage electrode line extending in the horizontal direction and formed in the vertical direction to overlap the edge side of the pixel electrode. It is preferable to include a sustain electrode.

이때, 데이터선은 이중으로 형성될 수 있으며, 이중의 데이터선은 연결부를 통하여 서로 연결되어 있는 것이 바람직하다.In this case, the data lines may be formed in double, and the double data lines are preferably connected to each other through the connecting portion.

여기서, 유지 배선은 가로 방향으로 뻗어 화소 전극과 중첩되어 있는 유지 전극선만으로 이루어질 수 있으며, 드레인 전극 및 화소 전극과 연결되어 있으며, 유지 전극선과 중첩되어 있는 유지 축전기용 도전체 패턴을 더 포함할 수 있다.Here, the storage line may be formed of only the storage electrode line extending in the horizontal direction and overlapping the pixel electrode, and further comprising a conductive pattern for the storage capacitor connected to the drain electrode and the pixel electrode and overlapping the storage electrode line. .

그러면, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.Next, a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that a person skilled in the art may easily implement the present invention.

먼저, 도 1 및 도 2를 참고로 하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 투과형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 상세히 설명한다.First, the structure of the thin film transistor substrate for a transmissive liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 1 and 2.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 투과형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 구체적으로 도시한 배치도이고, 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 등가 회로도이다.1 is a layout view showing in detail the structure of a thin film transistor substrate for a transmissive liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, Figure 2 is an equivalent circuit diagram of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention to be.

도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에는, 저저항을 가지는 알루미늄 계열 금속, 몰리브덴(Mo) 또는 몰리브덴-텅스텐(MoW) 합금, 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속 또는 도전체를 포함하는 게이트 배선과 데이터 배선이 형성되어 있다. 게이트 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 게이트선(22) 및 게이트선(22)에 연결되어 있는 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)의 게이트 전극(26)을 포함하며, 게이트 배선은 게이트선(22)의 끝에 연결되어 있어 게이트 구동 집적 회로로부터 게이트 신호를 인가받아 게이트선(22)으로 전달하는 게이트 패드를 포함할 수 있다. 데이터 배선은 세로 방향으로 형성되어 게이트선(22)과 절연되어 교차하는 가로 방향의 데이터선(62), 데이터선(62)과 연결되어 있는 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)의 소스 전극(65), 소스 전극(65)과 분리되어 있으며 게이트 전극(26)에 대하여 소스 전극(65)의 반대쪽에 위치하는 드레인 전극(66)을 포함하며, 데이터 배선은 데이터선(62)의 한쪽 끝에 연결되어 있으며 데이터 구동 집적 회로로부터 화상 신호를 인가받아 데이터선(62)에 전달하는 데이터 패드를 포함할 수 있다. 또한, 각각의 화소(P)에는 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)의 드레인 전극(66)을 통하여 데이터 배선(62, 65, 66)과 전기적으로 연결되어 있으며 ITO(indium tin oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질 또는 우수한 반사율을 가지는 물질로 이루어진 화소 전극(82)이 형성되어 있다. 이때, 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)는 채널이 형성되며, 게이트 전극(26), 소스 전극(65) 및 드레인 전극(66)과 중첩되는 반도체층(40)을 포함하며, 화소 전극(82)은 게이트선(22)과 중첩되도록 형성할 수 있지만, 유지 용량이 부족한 경우에는 도면에서 보는 바와 같이 화소 전극(82)과 중첩되는 유지 용량 배선이 추가될 수도 있다. 유지 용량 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극선(28)과 유지 전극선(28)에 연결되어 있으며, 각각의 화소(P)에서 세로 방향으로 형성되어 화소 전극(82)의 가장자리 변 부분과 중첩되어 있는 유지 전극(29)을 포함한다.As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to the first embodiment of the present invention may include a low resistance aluminum-based metal, molybdenum (Mo) or molybdenum-tungsten (MoW) alloy, and chromium. Gate wirings and data wirings including metals or conductors such as (Cr) and tantalum (Ta) are formed. The gate wiring includes a gate line 22 extending in the horizontal direction and a gate electrode 26 of the thin film transistors TFT1 and TFT2 connected to the gate line 22, and the gate wiring is formed at the end of the gate line 22. The gate pad may be connected to receive a gate signal from the gate driving integrated circuit and transfer the gate signal to the gate line 22. The data line is formed in a vertical direction and insulated from the gate line 22 to cross the data line 62 in the horizontal direction, the source electrode 65 of the thin film transistors TFT1 and TFT2 connected to the data line 62, A drain electrode 66 that is separate from the source electrode 65 and positioned opposite the source electrode 65 with respect to the gate electrode 26, wherein the data line is connected to one end of the data line 62 and the data The data pad may include a data pad that receives an image signal from the driver integrated circuit and transfers the image signal to the data line 62. In addition, each pixel P is electrically connected to the data lines 62, 65, and 66 through the drain electrodes 66 of the thin film transistors TFT1 and TFT2, and is formed of indium tin oxide (ITO) or indium zinc (IZO). A pixel electrode 82 made of a transparent conductive material such as oxide) or a material having excellent reflectance is formed. In this case, the thin film transistors TFT1 and TFT2 include a semiconductor layer 40 in which a channel is formed and overlaps the gate electrode 26, the source electrode 65, and the drain electrode 66, and the pixel electrode 82 Although it may be formed to overlap the gate line 22, when the storage capacitor is insufficient, as shown in the drawing, a storage capacitor wiring overlapping the pixel electrode 82 may be added. The storage capacitor wiring is connected to the storage electrode line 28 and the storage electrode line 28 extending in the horizontal direction, and are formed in each pixel P in the vertical direction to overlap the edge side of the pixel electrode 82. Sustain electrode 29;

이러한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 단위 화소(P)는 데이터 배선(62, 65, 66)을 중심으로 양쪽으로 배치되어 있으며, 게이트 배선(22, 26)은 화소(P)의 상부 및 하부에 이중으로 배치되어 있다. 이때, 각각의 데이터선(62)은 이들의 양쪽에 위치한 두 화소(P)의 화소 전극(82)과 서로 다른 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 통하여 각각 연결되어 있으며, 화소(P)의 상부 및 하부의 게이트선(22)은 각각에 연결된 게이트 전극(26)을 포함하는 각각의 박막 트랜지스터(TFT1, TFT2)를 통하여 데이터선(62)을 중심으로 양쪽으로 배치되어 있는 화소(P)의 화소 전극(82)과 전기적으로 연결되어 있다.In the thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to the first exemplary embodiment of the present invention, the unit pixels P are disposed on both sides of the data lines 62, 65, and 66, and the gate lines 22 and 26. Is disposed on the upper and lower portions of the pixel P. In this case, each data line 62 is connected to the pixel electrode 82 of the two pixels P positioned on both sides thereof through the different thin film transistors TFT1 and TFT2, respectively, and the upper and The lower gate line 22 is a pixel electrode of the pixel P which is disposed on both sides of the data line 62 through each of the thin film transistors TFT1 and TFT2 including the gate electrode 26 connected to each other. Electrically connected with (82).

이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판에서 화소의 배열이 m×n의 매트릭스 배열을 가진다고 할 때, 하나의 데이터선(62)에 대하여 두 개씩의 화소에 데이터 신호를 전달하므로 데이터선(62)의 수는 n/2로 감소하며, 게이트선(22)의 수는 두 배로 증가한다. 여기서, 게이트선(22) 및 데이터선(62)의 수는 총 배선의 수이며, 이는 게이트 및 데이터 구동 집적 회로의 출력 단자의 수를 의미한다. 이때, 앞에서 설명한 바와 같이, WVGA급의 액정 표시 장치의 게이트선 및 데이터선 수는 각각 480 및 2400으로 충 배선 수는 2880이다. 하지만, 본 발명과 같은 구조에서는 게이트선(22) 수는 두 배로 증가하여 960이며, 데이터선(62)의 수는 반으로 감소하여 1200이므로 총 배선의 수는 2160이 된다. 그러므로, 본 발명에 따른 구조에서는 게이트선 및 데이터선의 총 배선 수를 종래의 기술과 비교하여 25% 정도 감소시킬 수 있다. 따라서, 구동 집적 회로의 총 수를 감소시킬 수 있으며, 특히, 고가의 데이터 구동 집적 회로의 수를 현저하게 감소시킬 수 있어 액정 표시 장치의 제조 비용을 최소화할 수 있다.In the thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, when the pixel arrangement has a matrix arrangement of m × n, data signals are transmitted to two pixels for one data line 62. The number of data lines 62 decreases to n / 2, and the number of gate lines 22 doubles. Here, the number of gate lines 22 and data lines 62 is the total number of wirings, which means the number of output terminals of the gate and data driving integrated circuits. At this time, as described above, the number of gate lines and data lines of the WVGA class liquid crystal display device is 480 and 2400, respectively, and the number of charging wires is 2880. However, in the structure of the present invention, the number of gate lines 22 is doubled to 960, and the number of data lines 62 is reduced to half to 1200, so the total number of wirings is 2160. Therefore, in the structure according to the present invention, the total number of wirings of the gate line and the data line can be reduced by about 25% compared with the conventional technology. Therefore, the total number of driving integrated circuits can be reduced, and in particular, the number of expensive data driving integrated circuits can be significantly reduced, thereby minimizing the manufacturing cost of the liquid crystal display device.

한편, 데이터선(62)을 두 화소를 단위로 하나씩 형성하므로 화소의 개구율을 향상시킬 수 있으며, 서로 이웃하는 두 데이터선(62) 사이의 화소 전극(82) 사이에 유지 전극(29)이 형성되어 있어, 화소 전극(82) 사이에서 발생하는 커플링 효과는 감소한다.On the other hand, since the data line 62 is formed one by two pixels, the aperture ratio of the pixel can be improved, and the sustain electrode 29 is formed between the pixel electrodes 82 between two neighboring data lines 62. Thus, the coupling effect generated between the pixel electrodes 82 is reduced.

이러한 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는, 우선 저저항을 가지는 알루미늄 계열 도전 물질을 기판의 상부에 적층하고 감광막을 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 게이트 배선(22, 26)을 형성한다. 이때, 게이트 배선(22, 26)은 알루미늄 계열의 도전 물질로 이루어진 단일막으로 형성할 수 있으며, 이러한 단일막을 포함하는 다층막으로 형성할 수 있다.In the method of manufacturing a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, first, an aluminum-based conductive material having a low resistance is laminated on the substrate and patterned by a photolithography process using a photosensitive film to form a gate wiring ( 22, 26). In this case, the gate lines 22 and 26 may be formed of a single layer made of an aluminum-based conductive material, and may be formed of a multilayer including the single layer.

이어, 기판 위에 질화규소(SiNx) 따위의 절연 물질을 적층하여 게이트 배선(22, 26)을 덮는 게이트 절연막을 형성한다.Subsequently, an insulating material such as silicon nitride (SiN x ) is stacked on the substrate to form a gate insulating film covering the gate lines 22 and 26.

이어, 기판의 상부에 비정질 규소 등의 반도체와 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항 접촉층을 차례로 적층하고 패터닝하여 게이트 전극(26) 상부의 게이트 절연막(30) 위에 반도체층(40)을 형성한다. 이때, 반도체층(40)은 섬 모양이 아닌 다양한 모양을 가질 수 있다.Subsequently, a gate insulating film on the gate electrode 26 is stacked and patterned by sequentially laminating and patterning a semiconductor, such as amorphous silicon, and a resistive contact layer made of a material such as n + hydrogenated amorphous silicon in which silicide or n-type impurities are heavily doped. The semiconductor layer 40 is formed over the 30. In this case, the semiconductor layer 40 may have various shapes instead of an island shape.

이어, 기판의 상부에 저저항을 가지는 알루미늄 계열 도전 물질을 기판의 상부에 적층하고 감광막을 이용한 사진 식각 공정으로 패터닝하여 데이터 배선(62, 65, 66)을 형성한다. 이때, 데이터 배선(62, 65, 66)은 알루미늄 계열의 도전 물질로 이루어진 단일막으로 형성할 수 있으며, 이러한 단일막을 포함하는 다층막으로 형성할 수 있다. 이어, 데이터 배선(62, 65, 66) 또는 이를 형성하기 위한 감광막 패턴을 마스크로 드러난 저항성 접촉층을 식각한다.Subsequently, an aluminum-based conductive material having a low resistance on the substrate is stacked on the substrate and patterned by a photolithography process using a photosensitive film to form data lines 62, 65, and 66. In this case, the data lines 62, 65, and 66 may be formed of a single layer made of an aluminum-based conductive material, and may be formed of a multilayer including the single layer. Subsequently, the ohmic contact layer exposed with the data lines 62, 65, and 66 or the photoresist pattern for forming the same is etched.

여기서, 반도체층(40)과 데이터 배선(62, 65, 66)은 부분적으로 다른 두께를 가지는 감광막 패턴을 이용한 한번의 사진 식각 공정으로 함께 형성할 수도 있다.Here, the semiconductor layer 40 and the data lines 62, 65, and 66 may be formed together in one photolithography process using photoresist patterns having partially different thicknesses.

이어, 낮은 유전율을 가지며 평탄화 특성이 우수한 유기 물질 또는 질화 규소를 적층하여 반도체층(40)을 덮는 보호막을 형성한다. 이어, 감광막 패턴을 이용한 사진 식각 공정으로 보호막을 식각하여 이후의 화소 전극(82)과 연결되도록 드레인 전극(66)을 드러내는 접촉 구멍을 형성한다. 이때, 게이트 절연막도 함께 패터닝하여 데이터 패드 및 게이트 패드를 외부의 회로들과 연결되도록 이들을 드러내는 접촉 구멍도 함께 형성한다.Subsequently, a protective film covering the semiconductor layer 40 is formed by stacking an organic material or silicon nitride having low dielectric constant and excellent planarization characteristics. Subsequently, the protective layer is etched by a photolithography process using a photoresist pattern to form a contact hole exposing the drain electrode 66 to be connected to the pixel electrode 82. In this case, the gate insulating layer is also patterned together to form a contact hole that exposes the data pad and the gate pad to be connected to external circuits.

다음, 마지막으로 ITO 또는 IZO 등의 도전 물질을 적층하고 마스크를 이용한패터닝을 실시하여 보호막의 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극(66)과 연결되는 화소 전극(82)을 형성한다. 이때, 게이트 패드(24) 및 데이터 패드(68)와 각각 연결되는 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드를 각각 형성할 수 있다.Next, a conductive material such as ITO or IZO is laminated and patterned using a mask to form a pixel electrode 82 connected to the drain electrode 66 through the contact hole of the protective film. In this case, an auxiliary gate pad and an auxiliary data pad connected to the gate pad 24 and the data pad 68 may be formed, respectively.

다음은, 제1 실시예와 다르게, 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 설명하기로 한다.Next, unlike the first embodiment, a structure of a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display device will be described.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조를 개략적으로 도시한 배치도이다.3 is a layout view schematically illustrating a structure of a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3에서 보는 바와 같이, 대부분의 구조를 제1 실시예의 구조와 동일하다.As shown in Fig. 3, most of the structure is the same as that of the first embodiment.

하지만, 투과형에서와 달리 화소의 개구율을 고려하지 않아도 되므로 데이터선(62)이 이중으로 형성되어 있으며, 이들은 연결부(63)를 통하여 연결되어 있고, 유지 배선은 화소의 중앙을 가로 방향으로 가로지르는 유지 전극만(28)으로 이루어져 있다. 데이터 배선(62, 65, 66)과 동일한 층에는 유지 축전기용 도전체 패턴(68)이 형성되어 있으며, 드레인 전극(66)은 연장되어 유지 축전기용 도전체 패턴(68)과 연결되어 있다. 또한, 반사판으로 이용되며 보호막의 접촉 구멍을 통하여 유지 축전기용 도전체 패턴(68)과 전기적으로 연결되어 있는 화소 전극(82)은 게이트선(22) 및 데이터선(62)과 중첩되도록 형성되어 있다.However, unlike the transmissive type, since the aperture ratio of the pixel does not have to be taken into consideration, the data lines 62 are formed in double, and they are connected through the connecting portion 63, and the sustain wiring is held across the center of the pixel in the horizontal direction. It consists of the electrode 28 only. On the same layer as the data lines 62, 65, and 66, a conductive capacitor pattern 68 is formed, and the drain electrode 66 extends to be connected to the conductive capacitor pattern 68. In addition, the pixel electrode 82 used as a reflector and electrically connected to the conductive capacitor conductor 68 through the contact hole of the protective film is formed to overlap the gate line 22 and the data line 62. .

이러한 본 발명의 제2 실시예에 따른 구조에서는 데이터선(62)이 이중으로 형성되어 있어 데이터선(62)의 단선을 방지할 수 있다.In the structure according to the second exemplary embodiment of the present invention, the data line 62 is formed in double, so that disconnection of the data line 62 can be prevented.

이러한 반사형의 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에서는 서로 중첩되어 있는 게이트선(22) 및 데이터선(62)과 화소 전극(82) 사이에서 발생하는 커플링 효과를 최소화하기 위하여, 이들 사이에 개재되어 있는 보호막을 낮은 유전율을 가지는 유기 물질로 두껍게 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 반사판(82)은 높은 반사율을 가지는 알루미늄 계열 또는 은 계열의 금속으로 형성하는 것이 바람직하며, 반사판(82)의 반사 효율을 향상시키기 위해 그 하부에 형성되는 보호막은 불규칙한 요철을 가지도록 형성한다.In the method of manufacturing a reflective thin film transistor substrate for a liquid crystal display device, in order to minimize the coupling effect occurring between the gate line 22 and the data line 62 and the pixel electrode 82 which overlap each other, It is preferable to form a thick protective film interposed therebetween with an organic material having a low dielectric constant. In addition, the reflective plate 82 is preferably formed of an aluminum-based or silver-based metal having a high reflectance, and a protective film formed below the reflective plate 82 is formed to have irregular irregularities in order to improve the reflection efficiency of the reflective plate 82. .

이와 같이, 본 발명에 따르면 게이트선 및 데이터선을 포함하는 배선의 수를 줄여 게이트 및 데이터 구동 집적 회로의 수, 특히 높은 비용의 데이터 구동 집적 회로의 수를 줄임으로써 액정 표시 장치의 제조 비용을 최소화할 수 있다. 또한, 하나의 데이터선을 통하여 두 화소에 화상 신호를 전달함으로써 화소의 개구율을 극대화할 수 있다.As described above, according to the present invention, the manufacturing cost of the liquid crystal display device is minimized by reducing the number of wiring lines including the gate lines and the data lines, thereby reducing the number of gate and data driving integrated circuits, particularly the number of expensive data driving integrated circuits. can do. In addition, the aperture ratio of the pixel can be maximized by transferring the image signal to the two pixels through one data line.

Claims (8)

화소의 상부 및 하부에 가로 방향으로 각각 뻗어 주사 신호를 전달하는 이중의 게이트선과 이중의 상기 게이트선과 각각 연결되어 있는 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 게이트 전극을 포함하는 게이트 배선,A gate line including a double gate line extending in a horizontal direction and transmitting a scan signal to upper and lower portions of the pixel, and gate electrodes of first and second thin film transistors respectively connected to the double gate line; 상기 게이트선과 절연되어 세로 방향으로 뻗어 있으며 서로 이웃하는 두 상기 화소마다 하나씩 형성되어 있는 데이터선, 상기 데이터선에 각각 연결되어 있는 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 소스 전극, 상기 소스 전극과 분리되어 상기 게이트 전극을 중심으로 각각 상기 소스 전극과 마주하는 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선,A data line which is insulated from the gate line and extends in a vertical direction and is formed for each of the two neighboring pixels, a source electrode of the first and second thin film transistors connected to the data line, and separated from the source electrode A data line including drain electrodes of the first and second thin film transistors facing the source electrode, respectively, around the gate electrode; 상기 이중의 게이트선 및 상기 데이터선과 상기 제1 및 제2 박막 트랜지스터를 통하여 연결되어 있는 화소 전극A pixel electrode connected to the dual gate line and the data line through the first and second thin film transistors 을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.Thin film transistor substrate for a liquid crystal display device comprising a. 제1항에서,In claim 1, 상기 데이터 배선은 두 상기 화소의 중앙에 배치되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.And the data line is disposed at the center of the two pixels. 제2항에서,In claim 2, 상기 화소 전극과 중첩되어 유지 용량을 형성하는 유지 배선을 더 포함하는액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.And a sustain wiring overlapping the pixel electrode to form a storage capacitor. 제3항에서,In claim 3, 상기 유지 배선은 가로 방향으로 뻗어 있는 유지 전극선과 상기 유지 전극선에 연결되어 있으며 세로 방향으로 형성되어 상기 화소 전극의 가장자리 변 부분과 중첩되어 있는 유지 전극을 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.And the storage wiring line includes a storage electrode line extending in a horizontal direction and a storage electrode connected to the storage electrode line in a vertical direction and overlapping an edge portion of the pixel electrode. 제4항에서,In claim 4, 상기 유지 전극은 서로 이웃하는 상기 화소의 상기 화소전극 사이의 간격을 가릴 수 있도록 설치되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.The sustain electrode is a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device provided to cover the interval between the pixel electrode of the adjacent pixels. 제2항에서,In claim 2, 상기 데이터선은 이중으로 형성되어 있으며, 이중의 상기 데이터선은 연결부를 통하여 서로 연결되어 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.The data line is formed in a double, the double data line is a thin film transistor substrate for a liquid crystal display device is connected to each other through a connecting portion. 제6항에서,In claim 6, 가로 방향으로 뻗어 있으며, 상기 화소 전극과 중첩되어 있는 유지 전극선을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.And a storage electrode line extending in the horizontal direction and overlapping the pixel electrode. 제7항에서,In claim 7, 상기 드레인 전극 및 상기 화소 전극과 연결되어 있으며, 상기 유지 전극선과 중첩되어 있는 유지 축전기용 도전체 패턴을 더 포함하는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판.The thin film transistor substrate of claim 1, further comprising a conductive pattern for a storage capacitor connected to the drain electrode and the pixel electrode and overlapping the storage electrode line.
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