KR20020061622A - 자기 헤드의 제조방법 및 자기 기록 재생장치 - Google Patents
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Abstract
연마전의 갭 깊이 치수를 GB1로 한 헤드 칩(2)의 전면을 연마하고, 연마 부분(6)을 제거하여 연마후의 갭 깊이 치수를 GB2로 한 헤드 칩(2)의 전면 형상을 형성하는 자기 헤드의 제조방법으로서, 연마전의 헤드 칩의 갭 깊이 치수 GB1가 25㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 이것에 의해, 갭 깊이 치수 GB2와, 헤드 갭과 칩 전면의 곡면 정점 사이의 거리 양쪽의 규격치를 만족하는 자기 헤드의 제품 수율을 높일 수 있고, 갭 깊이 치수 GB2를 작게 하여 자기 헤드 성능을 높인 자기 헤드의 생산성을 높일 수 있다.
Description
도 1은 종래의 자기 헤드의 일례의 정면도를 도시하고 있다. 본 도면에 도시한 자기 헤드는 헤드 베이스(1)에, 접착제(4a, 4b)에 의해 좌우 두개의 헤드 칩(이하, 「칩」이라고 한다.)(2, 3)이 접합된 것이다. 각 칩(2, 3)은 각각 코일(5)이 감겨진 금속판(코어)(2a, 3a)끼리를 붙여 형성되어 있다.
갭(2b, 3b)은 각각 각 칩(2, 3)의 금속판(2a, 3a)의 접합부분의 간극이다. 이러한 자기 헤드는 회전 실린더(도시하지 않음)에 설치되어, 자기 테이프상을 슬라이딩 하게 된다.
도 2는 도 1의 칩(2)의 확대도를 도시하고 있다. GD1, GD2는 각각 갭 깊이(갭의 뎁스) 치수를 나타내고, GD1은 연마전의 갭 깊이 치수, GD2는 연마후의 갭 깊이 치수를 나타내고 있다. 또한, 6은 연마에 의해 제거된 부분을 나타내고, GD1과 GD2의 차(GD1-GD2)가 연마량이다.
이러한 연마는 자기 헤드를 연마용 회전 드럼에 설치하여 행하고, 회전 드럼과 일체로 되어 회전중의 좌우 양 칩 전면(前面)에 연마 테이프(9)(도 1)를 맞닿게 하여 행한다.
도 3은 칩(2)을 상면측에서 본 사시도이다. 본 도면에 도시한 Bo는 칩(2)의 전면 부분의 갭인 헤드 갭(2c)과 칩 전면의 곡면의 정점(7)과의 사이의 거리를 나타내고 있다. 복수의 환형상의 선(8)은 등고선을 나타내고 있고, 내측으로 갈수록 위치가 높아져, 정점(7)의 위치가 가장 높다. 정점(7) 부분에서는 자기 테이프의 접촉상태가 양호하게 되므로, 정점(7)은 가능한 한 헤드 갭(2c)에 가까운 것이 바람직하고, 정점(7)이 헤드 갭(2c) 상에 있는 것, 즉 Bo = 0이 이상적이다.
상기와 같은 등고선의 계측은, 간섭 줄무늬 측정기를 이용하여 행하고, 헤드 갭(2c)과 회전 실린더의 회전 중심을 연결한 직선의 연장상에서 헤드 갭(2c)을 보았을 때의 곡면의 정점을 구한다. 예컨대, 회전 실린더의 직경이 21.7㎜인 경우, 칩을 3도 10분 기울여 계측을 행한다.
GD2 및 Bo는 자기 헤드 성능을 좌우하는 중요한 요소이고, 생산 공정에 있어서는 필요 성능을 만족하는 소정의 규격치내에 GD2 및 Bo가 수용되어 있는 자기 헤드를 선별할 필요가 있다. 예컨대, GD2의 규격치가 10∼15㎛의 범위인 경우, GD1이 30㎛ 정도인 자기 헤드를 준비하고, 연마후에 양쪽의 GD2가 10∼15㎛의 범위내에 수용되어 있고, 또한 Bo가 -50∼50㎛의 범위내에 수용되어 있는 자기 헤드를 선별하여 이용하고 있었다.
여기서, 자기 헤드의 전송 레이트를 높이고자 하면, 하나의 회전 실린더에 탑재하는 자기 헤드를 늘려야 할 뿐만 아니라, 개개의 자기 헤드에 대해서도 C/N(반송파 출력 대 노이즈비) 등의 헤드 성능을 향상시킬 필요가 있다. GD2를 작게 하면 C/N이 향상되는 것은 알려져 있고, 헤드 성능 향상을 위해서는 GD2를 작게 하면 좋아지게 된다.
그러나, GD1을 30㎛ 정도로 하는 상기와 같은 종래의 자기 헤드의 제조방법에서는, 연마후에 양 칩 사이의 GD2의 차이 및 Bo의 차이의 편차가 크고, 양 칩의 GD2 및 Bo가 모두 규정치내에 수용되어 있는 비율이 낮아, 수율이 낮다는 문제가 있었다.
이것은 상기와 같이 GD2를 작게 한 고성능 자기 헤드를 제조하는 경우에도 동일하다고 생각되며, 고성능 자기 헤드를 효율적으로 생산하기 위해서는 수율의 문제를 해결할 필요가 있었다.
본 발명은 VTR 등에 탑재되는 자기 헤드의 제조방법 및 자기 기록 재생장치에 관한 것이다.
도 1은 자기 헤드의 일례의 정면도,
도 2는 도 1에 도시한 칩(2)의 확대도,
도 3은 도 1에 도시한 칩(2)을 상면측에서 본 사시도이다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하는 것으로, 연마전의 헤드 칩의 갭 깊이 치수를 25㎛ 이하로 함으로써, 갭 깊이 치수나, 헤드 갭과 칩 전면의 곡면 정점 과의 사이의 거리 불량을 저감시켜, 수율이 높은 자기 헤드의 제조방법 및 이 방법을 이용하여 제조된 자기 기록 재생장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 자기 헤드의 제조방법은, 헤드 칩의 전면을 연마하여, 헤드 칩의 전면 형상을 형성하는 자기 헤드의 제조방법으로서, 연마전의 헤드 칩의 갭 깊이 치수가 25㎛ 이하인 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 자기 헤드의 제조방법에 의하면, 갭 깊이 치수와, 헤드 갭과 칩 전면의 곡면 정점 사이의 거리의 양쪽 규격치를 만족하는 자기 헤드의 수율을 높일 수 있다. 이때문에, 갭 깊이 치수를 작게 하여 자기 헤드 성능을 높인 자기 헤드의 생산성을 높일 수 있다.
상기 자기 헤드의 제조방법에 있어서는, 상기 연마전의 갭 깊이 치수가 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 연마전의 갭 깊이 치수가 20㎛ 이하인 자기 헤드의 제조방법에 있어서, 연마후의 갭 깊이 치수를 1㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 연마전의 갭 깊이 치수가 15㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 상기 연마전의 갭 깊이 치수가 15㎛ 이하인 자기 헤드의 제조방법에 있어서는 연마후의 갭 깊이 치수를 1㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 연마전의 갭 깊이 치수와 연마후의 갭 깊이 치수의 차이가 19㎛ 이하인 것이 바람직하다. 상기와 같은 자기 헤드의 제조방법에 의하면, 연마전의 갭 깊이 치수의 최대치는 25㎛ 이므로, 연마량을 19㎛ 이하로 함으로써, 갭 깊이 치수의 규격치를 6∼9㎛로 하여 자기 헤드 성능을 높인 자기 헤드를 제조할 수 있다. 이 경우, 종래와 같이, 연마전의 갭 깊이 치수를 30㎛ 정도로 한 것을 연마하는 경우에 비해, 연마량은 작게 되어, 갭 깊이 치수와, 헤드 갭과 칩 전면의 곡면 정점 사이의 거리의 양쪽 규격치를 만족하는 자기 헤드의 수율을 높일 수 있다.
또한, 상기 연마전의 갭 깊이 치수와 연마후의 갭 깊이 치수의 차이가 14㎛ 이하인 것이 바람직하다. 상기와 같은 자기 헤드의 제조방법에 의하면, 예컨대, 연마전의 갭 깊이 치수를 20㎛ 이하로 한 경우, 갭 깊이 치수의 규격치를 6∼9㎛로 하여 자기 헤드 성능을 높인 자기 헤드를 제조할 수 있다. 이 경우에도, 종래의경우와 비교해 연마량이 작아지므로, 고성능인 자기 헤드의 수율을 높일 수 있다.
또한, 상기 연마전의 갭 깊이 치수와 연마후의 갭 깊이 치수의 차이가 9㎛ 이하인 것이 바람직하다. 상기와 같은 자기 헤드의 제조방법에 의하면, 예컨대, 연마전의 갭 깊이 치수를 15㎛ 이하로 한 경우, 갭 깊이 치수의 규격치를 6∼9㎛로 하여 자기 헤드 성능을 높인 자기 헤드를 제조할 수 있다. 이 경우에도, 종래의 경우와 비교해 연마량이 작아지므로, 고성능인 자기 헤드의 수율을 높일 수 있다.
또한, 하나의 자기 헤드에 복수의 헤드 칩이 탑재되어 있고, 상기 연마는 상기 복수의 헤드 칩에 대해 동시에 행하는 것이 바람직하다.
상기와 같은 자기 헤드의 제조방법에 의하면, 복수의 헤드 칩 사이에서의 갭 깊이 치수의 차이, 헤드 갭과 칩 전면의 곡면 정점 사이의 거리 차이의 편차를 저감시킬 수 있어, 고성능인 자기 헤드의 수율을 높일 수 있다.
다음에, 본 발명의 자기 기록 재생장치는 상기 자기 헤드의 제조방법을 이용하여 제조한 자기 헤드를 탑재한 것을 특징으로 한다. 상기와 같은 자기 기록 재생장치에 의하면, 상기 본 발명의 제조방법을 이용하여 제조한 자기 헤드를 이용하고 있으므로, 생산성이 좋고 낮은 비용으로 제조할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 자기 헤드의 기본 구성에 관해서는, 종래예의 설명에서 이용한 도 l∼3의 구성과 동일하므로, 본 실시 형태에서도 도 1∼3을 이용하여 설명하고, 중복 부분에 대해서는 설명을 생략한다.
소정 성능의 자기 헤드를 얻기 위해서는, 양 칩에 대해 GD2가 모두 규격치내에 수용되어 있을 필요가 있고, 또한 Bo에 대해서도 규격치내에 수용되어 있을 필요가 있다. 또, 상기와 같이, 연마후의 갭 깊이 치수인 GD2를 작게 하면, C/N이 향상되는 것이 알려져 있고, 보다 전송 레이트가 높은 자기 헤드를 얻기 위해서는 GD2를 작게 할 필요가 있다.
본 실시 형태는 GD2의 규격치를 작게 한 경우에도, 고성능인 자기 헤드를 효율적으로 얻을 수 있는 제조방법에 관한 것으로, 이하 실험결과를 이용하면서 설명한다. 각 실험에서 연마공정 자체는 종래의 경우와 동일하고, 도 1에 도시한 것과 같은 헤드 베이스(1)에 좌우 두개의 칩(2, 3)이 접합된 자기 헤드를 이용하며, 자기 헤드를 연마용 회전 드럼에 설치하고, 회전 드럼과 일체로 되어 회전중의 칩 전면에 연마 테이프(9)를 맞닿게 하여 연마를 행하였다.
종래, GD2의 규격치가 10∼15㎛의 범위로 한 경우, GD1은 30㎛ 정도로 설정하였다. 이하의 각 실험에 있어서는, 보다 전송 레이트를 높인 자기 헤드를 얻기 위해, GD2의 규격치를 6∼9㎛의 범위로 하고, Bo에 대해서는 종래의 경우와 같이 -50∼50㎛의 범위로 하였다. GD2의 규격치의 상한은 C/N 확보의 관점에서, 하한은 헤드 수명 확보의 관점에서 설정하고 있고, GD2가 규격치내에 수용되어 있으면,C/N을 확보하면서, 헤드 수명도 확보할 수 있다.
이러한 규격치의 설정하에서, 우선 종래의 경우와 마찬가지로 GD1을 25 < GD1 ≤35㎛의 범위로 설정하여, 연마 작업을 행하였다. 샘플수는 20개이고, 이들 샘플의 그룹(표 1의 번호 l∼20)을 이하 그룹 Ⅰ이라고 부른다. 이하의 표 1에 그룹 Ⅰ의 측정 결과를 나타낸다.
<표 1>
표 1중, 평가(GD)는 GD2 평가의 것이고, 좌우 양 칩의 GD2가 모두 규격치 6∼9㎛의 범위내에 수용되어 있는 것을「A」, 적어도 한쪽이 규격치로부터 벗어나있는 것을「B」로 하였다. 평가(Bo)는 Bo 평가의 것이고, 좌우 양 칩의 Bo가 모두 규격치 -50∼50㎛의 범위내에 수용되어 있는 것을「A」, 적어도 한쪽이 규격치로부터 벗어나 있는 것을「B」로 하였다. 평가(종합)는 평가(GD) 및 평가(Bo)가 모두 「A」인 것을 「A」로 하고, 적어도 한쪽이 「B」인 것을 「B」로 하였다. 이들 표 1의 설명은 이하의 표 2∼3에 대해서도 동일하다.
표 1의 결과를 보면, 평가(종합)가 「A」인 샘플은 5개이고, 수율은 (5/20) × 100 = 25% 였다.
다음에, GD1를 20 ≤ GD1 ≤ 25㎛의 범위로 설정하고, 연마작업을 행하였다. 샘플수는 20개이고, 이들 샘플의 그룹(번호 21∼40)을 이하 그룹 Ⅱ라고 부른다. 이하의 표 2에 그룹 Ⅱ의 측정결과를 나타낸다.
<표 2>
표 2의 결과를 보면, 평가(종합)가 「A」인 샘플은 13개이고, 수율은 (13/20) ×100 = 65%이며, 그룹 Ⅰ과 비교하면 현저하게 향상되어 있다.
다음에, 표 1의 결과와 표 2의 결과를 비교 검토해 보면, 평가(GD)는, 그룹 II는 그룹 I와 비교하면 「A」의 수는 11개에서 16개로 증가하고 있다. 평가(Bo)에 대해서는 10개에서 19개로 증가하고 있다.
여기서, 연마를 진행시킨 경우, 좌우 양 칩 사이의 갭 깊이의 차이가 규격치 6∼9㎛의 상한과 하한의 차이인 3㎛의 범위로 수용되면, 이론적으로는 양 칩의 GD2를 규격치내에 수용할 수 있다. 반대로, 좌우 양 칩 사이의 GD2의 차이가 3㎛보다 커지면, 한쪽 칩의 GD2를 규격치내에 수용할 수 있어도 다른쪽 칩의 GD2를 규격치내에 수용할 수 없다.
연마는 좌우 양 칩에 대해, 공통의 연마 테이프를 이용하여, 동시에 진행되므로, 한쪽 칩의 연마를 정지시키거나, 또 한쪽 칩의 연마속도를 늦추거나 함으로써, 칩마다 별개로 연마량을 조정할 수 없기 때문이다.
즉, 그룹 Ⅱ에서 평가(GD)의「A」의 수가 증가하고 있다는 것은 그룹 Ⅱ는 그룹 Ⅰ와 비교하면, 좌우 양 칩 사이에서의 GD2의 차이가 3㎛ 이내에 수용되어 있는 비율이 크다고 할 수 있다. 이로부터, GD1을 미리 작게 설정해 놓으면, 좌우 양 칩 사이에서의 GD2 차이의 편차를 작게 할 수 있어, 좌우 양 칩의 GD2를 모두 규격치내에 수용하기 쉬운 것을 알 수 있다.
다음에, GD1을 더 작게 하여, 15 ≤ GD1 < 20㎛의 범위로 연마 작업을 하여 측정을 행하였다. 샘플수는 20개이고, 이 샘플의 그룹(번호41∼60)을 이하 그룹 Ⅲ라고 부른다. 이하의 표 3에 그룹 Ⅲ의 측정결과를 나타낸다.
<표 3>
표 3의 결과를 보면, 평가(종합)가 「A」인 샘플은 16개이고, 수율은 (16/20) ×100 = 80%이며, 그룹 Ⅰ과 비교하면 현저하게 향상되고, 그룹 Ⅱ와 비교해도 향상되는 것을 알 수 있다.
표 2의 결과와 표 3의 결과를 비교 검토해 보면, 그룹 Ⅲ과 그룹 Ⅱ에서 평가(GD)의 「A」의 수는 16개로 동일하다. 따라서, 그룹 Ⅲ는 그룹 Ⅱ과 마찬가지로, 좌우 양 칩 사이에서의 GD2의 차이가 3㎛ 이내에 수용되어 있는 비율이 크다고 할 수 있다. 평가(Bo)의 「A」의 수에 대해서는 13개에서 19개로 증가하고 있다.
여기서, 그룹 Ⅱ에서, GD1가 25㎛인 경우에 대해 보면, GD2의 규격치는 6∼9㎛의 범위내이므로, 연마량은 16∼19㎛의 범위가 된다. 이 경우 규격치내에 수용되어 있는 칩의 연마량은 19㎛ 이하로 되고, GD1이 작아질수록 연마량의 최대치는 작아지게 된다. 예컨대, 그룹 Ⅱ에서 GD1이 20㎛인 경우는 연마량의 최대치는 14㎛가 되고, GD1이 15㎛인 경우는 연마량의 최대치는 9㎛가 된다.
이것으로부터, 상기 각 측정 결과와 같이, GD1을 작게 함으로써, 좌우 양 칩사이에서의 GD2의 차이가 3㎛ 이내에 수용되어 있는 비율이 커지는 것은 연마량이 작아지는 것에 기인한다고 생각된다.
즉, 연마량이 크면, 양 칩의 연마량의 편차가 확대하는 것으로 생각되고, 미리 연마량이 작아지도록 GD1을 설정해 두면, 양 칩의 GD2의 차이가 규정량보다 커지기 전에 양 칩의 GD2를 규정치내에 수용할 수 있다.
이러한 연마량과의 관계는 Bo에 대해서도 동일하다고 생각된다. 연마전에 칩 상면은 결함 등에 의해, 정확하게 칩 상면 정점의 위치를 특정할 수 없고, 연마전 Bo도 정확하게 특정할 수 없다. 이 때문에, 각 표에는 연마전 Bo의 값을 기재하고 있지 않지만, 모든 샘플도 연마전 Bo가 규격치내에 수용되도록 설정하여 가공을 행하고 있다.
이와 같이 설정하여 가공을 행하는 것은, Bo는 연마에 의한 변동이 작은 것으로 예측되기 때문이다. 또한 Bo의 규격치는 -50∼50㎛의 범위이고, 어느 정도의 폭을 가지고 있으며, 연마에 의해 칩 상면 정점의 위치가 명확하게 된 경우에 있어서, Bo에 다소의 변동이 있다고 해도, 규격치내에 수용하는 비율이 높은 것으로 예측되기 때문이다.
그러나, 표 1∼3에 나타낸 그룹 Ⅰ∼Ⅲ의 결과를 비교해 보면, 상기와 같은 예측과는 달리, GD1가 작은 그룹, 즉 연마량이 작은 그룹일수록 Bo가 규격치내에 수용되어 있는 비율이 높은 것을 알 수 있다. 이것은, Bo는 연마량에 따라 변동하고, 비록 초기의 Bo가 규격치내에 수용되어 있다고 해도, 연마량이 너무 크면 완성된 칩의 Bo는 규격치로부터 벗어나는 경우가 많아지고, 반대로 연마량이 그룹 Ⅱ∼Ⅲ와 같이 예컨대 19㎛ 이하이면, 초기의 Bo를 규격치내에 수용되도록 설정해 두면, 완성된 칩의 Bo가 규격치내에 수용되는 비율은 매우 높아지게 된다.
각 표의 설명에서, 각 그룹 Ⅰ∼Ⅲ의 수율에 대해 설명했는데, 이하의 표 4는 각 그룹 Ⅰ∼Ⅲ의 평가를 이 수율로 행한 것이다.
<표 4>
표 4중의 개수는 표 1∼3에서의 각 평가의 「A」의 개수의 것이다. 표 4에서 알 수 있듯이, 그룹 Ⅱ, Ⅲ의 수율은 65% 이상으로 양호하다. 표 4의 수율은, 상기와 같이 GD, Bo의 결과만으로 판단한 것이지만, 실제의 생산 공정에 있어서는 칩의 깨짐 결함 불량 등도 발생하므로, 실제의 수율은 표 4에 나타낸 것보다 낮아진다. 그러나, 불량의 대부분은 GD, Bo 불량에 의한 것이고, 칩의 깨짐 결함 불량 등은 사소한 것이므로, 실제의 생산 공정에 있어서도, 그룹 Ⅱ, Ⅲ는 55∼60% 정도 이상의 수율은 확보할 수 있는 것으로 추측된다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면 갭 깊이 치수를 작게 한 고성능 자기 헤드를 효율적으로 생산할 수 있으므로, 이러한 고성능 자기 헤드를 이용한 VTR 등의 자기 기록 재생장치의 생산성을 높일 수 있고, 제조 비용도 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 본 발명은 예컨대 전송 레이트를 100Mbit/s로 한 고성능 자기 헤드를 탑재한 자기 기록 재생장치용으로서 유용하다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 하나의 헤드 베이스에 2개의 칩을 탑재한 예로 설명하였지만, 본 발명은 GD1을 25㎛ 이하로 함으로써 효과를 발휘할 수 있으므로, 3개 이상의 칩을 탑재한 것에도 적용할 수 있다. 또한, 본 발명은 하나의 헤드 베이스에 1개의 칩을 탑재한 경우에도 유효하다. 상기와 같이 6∼9㎛의 범위내의 GD2를 얻고자 하는 경우, GD1이 25㎛보다 큰 경우라도, 칩이 1개이면, 규격치내까지 연마된 시점에서 연마를 정지하면 소정의 GD2를 얻을 수 있다.
그러나, 이 경우, Bo에 대해서도 규격치내에 수용되어 있을 필요가 있다. GD2와 Bo를 별개로 조정할 수는 없으므로, GD2를 규격치내에 수용될 수 있어도 Bo가 규격치내에 수용될 수 없는 경우가 발생한다. 상기와 같이 GD1를 25㎛ 이하로 함으로써 Bo 불량은 저감되므로, 하나의 헤드 베이스에 1개의 칩을 탑재한 경우라도 GD2와 Bo 양쪽이 규격치내에 수용되는 비율을 높힐 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, GD2의 규격치가 6∼9㎛인 범위의 예로 설명하였지만 이에 한정되지 않고, GD2의 규격치는 필요로 하는 자기 헤드 성능에 따라 결정하면 된다.
또한, 상기 실시 형태에서는 칩에 코일을 감은 링형 헤드의 예로 설명하였지만, 박막형 헤드의 경우라도 동일한 효과가 얻어진다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 갭 깊이 치수와, 헤드 갭과 칩 전면의 곡면 정점 사이의 거리와의 양쪽의 규격치를 만족하는 자기 헤드를 효율적으로 생산할 수 있어, 갭 깊이 치수를 작게 하여 자기 헤드 성능을 높인 자기 헤드의 생산성을 높일 수 있으므로, 고성능 자기 헤드를 이용하는 VTR 등의 자기 기록 재생장치용 자기 헤드의 제조방법으로서 이용할 수 있다.
Claims (10)
- 헤드 칩의 전면을 연마하여, 헤드 칩의 전면 형상을 형성하는 자기 헤드의 제조방법에 있어서,연마전의 헤드 칩의 갭 깊이 치수가 25㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마전의 갭 깊이 치수가 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제2항에 있어서, 연마후의 갭 깊이 치수를 1㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마전의 갭 깊이 치수가 15㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제4항에 있어서, 연마후의 갭 깊이 치수를 1㎛ 이상으로 하는 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마전의 갭 깊이 치수와 연마후의 갭 깊이 치수의 차이가 19㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마전의 갭 깊이 치수와 연마후의 갭 깊이 치수의 차이가 14㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 연마전의 갭 깊이 치수와 연마후의 갭 깊이 치수의 차이가 9㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 하나의 자기 헤드에 복수의 헤드 칩이 탑재되어 있고, 상기 연마는 상기 복수의 헤드 칩에 대해 동시에 행하는 것을 특징으로 하는 자기 헤드의 제조방법.
- 제1항 기재의 자기 헤드의 제조방법을 이용하여 제조한 자기 헤드를 탑재한 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생장치.
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